静电放电敏感性测量
芯片静电测试标准
芯片静电测试标准引言随着电子技术的快速发展，芯片已成为现代社会的关键组成部分。
然而，芯片在生产和使用过程中容易受到静电的损害。
为了确保芯片的质量和可靠性，制定芯片静电测试标准至关重要。
本文将对芯片静电测试标准进行全面、详细、完整和深入的探讨。
测试目的芯片静电测试的主要目的是评估芯片在静电环境下的性能和可靠性。
通过测试，可以检测芯片是否容易受到静电损害，以及是否满足相关的测试标准。
测试结果将用于指导芯片的设计、生产和使用，以降低芯片的静电敏感性，提高芯片的品质。
测试方法芯片静电测试一般包括以下几个方面的测试方法：1. 静电放电测试静电放电测试是评估芯片在静电放电事件下的性能的基本方法。
测试时，通过模拟静电放电事件，将芯片暴露在不同的放电电压和放电能量下，观察芯片的反应。
常用的测试方法包括人体模型（HBM）测试和机器模型（MM）测试。
1.1 人体模型（HBM）测试人体模型（HBM）测试是模拟人体静电放电对芯片的影响。
测试时，将芯片连接到接地板上，然后将预定的放电电压施加在芯片的引脚上，观察芯片的输出和/或损坏情况。
1.2 机器模型（MM）测试机器模型（MM）测试是模拟机器静电放电对芯片的影响。
测试时，将芯片连接到模拟电路上，通过一个预定的电容来模拟机器的静电放电，观察芯片的输出和/或损坏情况。
2. 静电放电保护测试静电放电保护测试是评估芯片的静电放电保护性能的方法。
通过测试，可以确定芯片是否具有有效的静电放电保护电路，以防止静电放电损伤芯片。
2.1 静电放电保护电路设计静电放电保护电路的设计是芯片静电测试中的关键环节。
设计时需要考虑芯片的特性和预期的静电放电情况，选择合适的保护元件和保护拓扑，以提高芯片的静电放电保护性能。
2.2 静电放电保护测试方法静电放电保护测试主要包括放电幅值测试和放电速率测试。
通过这些测试方法，可以验证芯片的静电放电保护电路的性能，以及是否满足相关的测试标准。
3. 静电敏感性测试静电敏感性测试是评估芯片在静电环境下的敏感性的方法。
静电放电测试标准
静电放电测试标准嘿，你知道静电放电测试标准吗？这可真是个超级重要的东西啊！就好像是我们生活中的一把尺子，衡量着静电放电的各种情况呢。
静电放电，听起来好像很遥远，但其实在我们的日常生活和工作中随时都可能发生。
想象一下，当你脱衣服的时候，是不是会听到噼里啪啦的声音，那就是静电呀！而在一些对静电敏感的环境中，比如电子工厂、实验室等，静电放电可能会造成严重的后果，损坏设备甚至引发安全事故呢。
静电放电测试标准呢，就是为了确保这些情况不会发生而设立的。
它详细规定了如何进行测试，用什么设备，在什么条件下等等。
这就像是给静电放电这个“小怪兽”套上了缰绳，让它乖乖听话。
比如说，标准会规定测试时的电压等级。
这就好比给运动员划分比赛级别一样，不同的电压等级对应着不同的难度和要求。
还有测试的方法，是直接接触放电还是空气放电，这就好像是选择用拳头还是用脚去攻击敌人，各有各的特点和适用场景。
而且，这些标准可不是随便定的呀！那是经过无数次的实验和研究才得出的。
就像一位经验丰富的老工匠，精心打造出一件完美的作品。
它们要考虑到各种因素，比如环境的温度、湿度，被测试设备的特性等等。
你说，如果没有这些标准，那会变成什么样呢？那可就乱套啦！不同的地方用不同的方法，结果也各不相同，那我们怎么能保证产品的质量和安全呢？所以啊，静电放电测试标准真的是太重要啦！它就像是一座灯塔，为我们指引着方向，让我们在静电放电的海洋中不至于迷失。
它让我们能够放心地使用各种电子设备，不用担心它们会被静电损坏。
它也让那些生产电子设备的厂家有了明确的目标和规范，生产出更加可靠的产品。
总之，静电放电测试标准是我们生活和工作中不可或缺的一部分。
它虽然看似不起眼，但却发挥着巨大的作用。
让我们一起重视它，遵守它，让静电放电不再成为我们的烦恼吧！。
电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验
静电放电抗扰度试验是电磁兼容性（EMC）领域中的一种重要测试方法，用于评估电子设备在静电放电干扰下的抗扰度。
以下是关于静电放电抗扰度试验的一般流程和技术：
1. 试验介绍：
-静电放电试验是模拟人体静电放电现象，通过给予设备定量的静电放电来评估设备对此种电磁干扰的抗扰度。
2. 试验设备：
-静电放电试验通常使用专门的试验设备，包括静电电源、人体模型（HBM）或机器模型（MM）、试验台等。
3. 试验参数：
-试验参数包括静电放电电压、放电极间距、放电次数等，这些参数通常根据相关标准或规范进行设置。
4. 试验环境：
-静电放电试验需要在恒温、恒湿的环境条件下进行，以确保试验结果的可靠性。
5. 试验过程：
-试验前，需要对设备进行预试验，以确定设备的敏感性和适应
性。
-在试验过程中，按照预设的参数和序列进行静电放电，并记录设备在放电过程中的反应和性能变化。
6. 试验评估：
-根据试验结果，对设备的抗扰度进行评估和分析。
-静电放电试验通常根据相关标准或规范，将试验结果与预设的抗扰度要求进行比较，判断设备是否符合要求。
7. 报告和验证：
-完成试验后，生成详细的试验报告，包括试验条件、试验结果、设备反应等信息。
-可以通过再次测试或其他验证手段，确认设备的抗扰度改进措施的有效性。
需要注意的是，静电放电试验应该由专业的测试机构或资质认证实验室进行，以确保试验的准确性和可靠性。
对于电子产品的设计和开发过程中，合理的电磁兼容性设计和抗扰度验证是非常重要的，可以帮助提高产品的可靠性和稳定性。
ESD测试介绍
ESD测试介绍ESD，即静电放电（Electrostatic Discharge），是指由于电荷的积累或移动而引起的突发放电现象。
静电放电可以对电子设备、电子元件、集成电路等电子产品造成损坏，因此对于电子产品进行ESD测试是非常重要的。
ESD测试的目的是验证电子设备或元件是否能够在静电放电环境下正常工作，以及其抵抗ESD损害的能力。
ESD测试可以评估设备的静电防护能力和设计质量，帮助设计者改进产品的可靠性和稳定性，并提高产品的可用性。
1.静电放电耐受测试：这是最基本的ESD测试。
通过模拟不同静电放电事件，对设备进行多种条件的静电放电测试，以验证其在现实应用场景中的可靠性。
测试过程中，根据设备的应用环境选择不同的放电能量，如HBM（人体模型）放电、MM（机器模型）放电、CDM（电荷设备模型）放电等。
2.静电放电发射测试：这是验证设备对周围环境产生的ESD放电对其它设备的影响程度的测试。
通过模拟设备在工作状态下产生的ESD放电，测量其辐射电磁波的幅度和频谱特性，以验证设备在不同距离下对周围设备的干扰情况。
3.静电放电接收测试：这是验证设备对周围环境产生的ESD放电的敏感度的测试。
通过模拟设备在静电放电环境下的工作状态，测量其对周围ESD放电的敏感程度，以评估设备的可靠性和稳定性。
4.静电放电放射抗扰度测试：这是验证设备在静电放电环境中是否能正常工作的测试。
通过模拟设备在工作状态下产生的ESD放电，测量其对自身和周围设备的影响程度，以验证设备的防护能力和设计质量。
对于不同的电子产品和应用领域，ESD测试的要求也有所不同。
例如，对于工业自动化设备和医疗器械等高可靠性产品，ESD测试的要求更为严格。
而对于消费类电子产品，如智能手机和平板电脑等，ESD测试主要关注产品的使用安全性和用户体验。
ESD测试可以帮助厂商改进产品设计和生产工艺，提高产品的质量和性能。
通过ESD测试，可以发现产品中存在的设计缺陷和制造问题，并及时采取措施进行改善。
HBM测试方法范文
HBM测试方法范文HBM（Human Body Model）测试方法是一种常见的电静电放电（ESD）测试方法，用于评估电子元件对人体静电放电的敏感性。
HBM测试方法通过模拟人体静电放电事件，检测元件是否能够在人体静电放电时正常工作。
下面将详细介绍HBM测试方法的原理、测试流程和相关注意事项。
HBM测试方法基于以下原理：在日常生活中，人体会因为摩擦或触碰带有静电的物体而带有静电电荷。
当人体接触到电子元件时，这些静电电荷会通过人体导电路径放电到地面或其他导体上。
HBM测试方法通过人体模型和一个高阻抗的电源来模拟这种静电放电过程。
1.准备测试设备和元件：需要一个HBM测试仪和待测试的电子元件。
元件要求无焊接和其他电路连接，保持与环境绝缘。
2.设置HBM测试仪：根据测试需求设置测试仪的电源电压、电流限制和测试时间等参数。
3.连接测试设备：将待测试元件与HBM测试仪连接，确保电路正常连接。
4.静电放电：将人体模型靠近元件，人体模型上电极与元件的引脚接触，进行放电操作。
HBM测试仪将对元件进行监测，并记录放电事件的发生时间、幅度和持续时间等信息。
5.数据分析和结果判定：根据测试仪器提供的数据和规范要求，分析元件的静电放电敏感性，并判定元件是否符合相关标准。
在进行HBM测试时，需要注意以下事项：1.根据测试规范选择适当的测试设备和参数。
不同行业和应用有不同的HBM测试要求，如工业类和汽车类产品的测试要求可能不同。
2.确保测试环境的静电控制。
HBM测试对环境的静电干扰非常敏感，测试环境应有良好的地静电防护，并尽量减少物体的静电积累。
3.确保测试设备的电气连接正常。
元件与测试仪的电路连接要良好，电气接触要可靠，避免因为接触不良而导致测试结果不准确。
4.在测试过程中避免机械振动或冲击，以免对测试结果产生干扰。
5.HBM测试仅能测试电子元件在静电放电事件下的性能，对于其他类型的ESD事件，如电互感放电（TLP）或金属静电放电（MMB）等，需要采用其他测试方法。
emc静电测试方法
emc静电测试方法
EMC(电磁兼容性)静电测试方法是一种评估电子设备的抗静电
能力的测试方法。
以下是常用的EMC静电测试方法：
1. 静电放电测试：通过模拟人体的静电放电，评估设备对外部静电放电的敏感性。
常用的测试标准包括IEC 61000-4-2和
MIL-STD-883E。
2. 防护性接地测试：测试设备的接地系统是否有效，以确保设备能够正确地分散静电能量。
测试标准包括IEC 61000-4-2和MIL-STD-464。
3. 静电敏感性测试：评估设备本身对静电放电的敏感性。
常用的测试方法包括静电放电感应方法和静电放电有源方法。
4. 静电放电电压测量：测量设备在静电放电过程中的电压变化，评估设备对静电放电的响应能力。
这些测试方法可以帮助制造商评估设备的抗静电能力，并采取相应的措施来提高设备的EMC性能。
注意，具体的测试方法
和标准可能会因地区、行业和特定设备而有所不同。
防静电esd标准
防静电esd标准ESD（Electrostatic Discharge）即静电放电，是指在两个物体之间由于电荷差而产生的电流放电现象。
静电放电对于电子器件和电路来说是非常危险的，因为静电放电可能会导致电子器件损坏或失效，从而影响产品的可靠性和性能。
为了保护电子器件免受静电放电的影响，制定了一系列的ESD标准。
这些标准旨在规定产品的设计、制造、测试和使用过程中需要遵循的防静电措施，以确保电子器件和电路的安全运行。
ESD标准主要包括以下内容：1. 防静电区域划分：根据不同的防静电要求，将工作区域划分为不同的防静电区域。
这些区域通常包括地面、工作台面、工作椅、储存柜和工作服等。
2. 防静电设备和材料选择：根据ESD标准的要求，选择合适的防静电设备和材料。
这些设备和材料包括防静电地板、防静电工作台、防静电手套、防静电包装材料等。
3. 静电放电控制：在产品的设计和制造过程中，采取适当的措施来控制静电放电。
这些措施包括合理的电路设计、适当的材料选择、正确的接地和屏蔽措施等。
4. 静电敏感性测试：对于一些对静电敏感的电子器件和电路，需要进行静电敏感性测试。
这些测试旨在评估产品在真实环境下受到静电放电影响的程度，从而采取相应的防护措施。
5. 培训和意识提高：ESD标准还规定了对员工进行防静电培训和意识提高的要求。
这些培训旨在使员工了解静电的危害，掌握防静电措施和正确的操作方法。
ESD标准的重要性不言而喻。
合理遵循ESD标准可以有效地降低静电放电对电子器件和电路的损害风险，提高产品的可靠性和性能。
同时，合格的ESD标准还可以为企业带来更好的产品质量和客户满意度，提升企业的竞争力和市场形象。
总结起来，ESD标准是保护电子器件和电路免受静电放电影响的重要措施。
遵循ESD标准可以确保产品的可靠性和性能，提高企业的竞争力和市场形象。
因此，在设计、制造、测试和使用电子产品过程中，我们都应该重视并合理遵循ESD标准，以防范静电放电的危害。
esd电磁敏感度标准
ESD电磁敏感度标准ESD（Electrostatic Discharge）电磁敏感度标准是指在电子元器件和设备中，对于静电放电产生的电磁敏感性的一套标准和测试方法。
静电放电是一种突发的放电现象，可能对敏感的电子设备和元器件造成损害。
以下是关于ESD电磁敏感度标准的详细解释，包括标准的制定目的、内容、测试方法和实施建议。
一、背景在现代电子工业中，电子设备和元器件的集成度和灵敏度不断提高，对于静电放电的敏感性也相应增强。
为了防止静电放电对电子设备和元器件造成损害，制定了ESD电磁敏感度标准，以便规范生产和使用过程中的防护措施。
二、标准的制定目的保护电子设备和元器件：主要目的是确保电子设备和元器件在生产、运输、存储和使用过程中不受静电放电的影响，从而提高其稳定性和可靠性。
规范生产流程：通过制定标准，规范生产流程，明确防护要求和测试方法，帮助制造商和设计者更好地防范和解决ESD问题。
促进行业发展：通过建立统一的ESD电磁敏感度标准，促进电子行业的发展，降低生产成本，提高产品质量。
三、标准的内容ESD电磁敏感度标准主要包括以下方面的内容：ESD敏感级别划分：制定不同电子设备和元器件的ESD敏感级别划分，根据其用途和灵敏度设定相应的防护要求。
防护措施要求：规定生产、运输、存储和使用过程中应采取的防护措施，包括但不限于防静电包装、防静电设备、接地要求等。
测试方法：制定ESD电磁敏感度的测试方法，包括ESD放电器的设计和使用、测试环境的要求、测试流程等。
标识和报告：规定产品应当在外包装或产品上标明ESD敏感级别，以便使用者采取相应的防护措施。
并规定在产品测试过程中应当生成相应的测试报告。
四、测试方法ESD电磁敏感度的测试方法通常包括以下几个方面：ESD放电器的设计：设计符合标准要求的ESD放电器，包括电荷量、放电时间等参数的控制。
测试环境的要求：规定ESD测试的环境要求，包括温湿度、大气压力等因素的控制，确保测试的准确性和可靠性。
电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验
电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验静电放电抗扰度试验（Electrostatic Discharge, ESD）是电磁兼容性试验（Electromagnetic Compatibility, EMC）中的一种重要测试技术，用于评估电子设备在静电放电环境下的抗扰度能力。
下面是有关静电放电抗扰度试验的一些基本信息：1.测试目的：静电放电抗扰度试验的主要目的是模拟和评估电子设备在静电环境下的性能表现，以判断其对于静电放电所带来的干扰的敏感程度。
这种测试可以帮助确保设备在实际使用中的可靠性和稳定性。
2.试验原理：静电放电是由于电荷的积累产生的突然放电，通常由人体接触或靠近设备引起。
在试验中，使用专门设计的静电发生器产生预定能量的电荷，并将其以模拟真实应用环境的方式释放到被测试设备上，观察设备的反应和性能变化。
3.试验参数：静电放电试验涉及一系列的试验参数，包括放电等级、放电方式、放电时间、放电重复频率等。
各个行业和标准机构根据实际需求和应用环境，会制定相应的规范和标准来规定这些试验参数。
4.试验过程：该试验根据标准要求，将电荷自发生器通过电极和接触装置传递到设备上，观察设备的反应和性能变化。
常用的观测指标包括设备功能的中断、暂时失活、数据错误、永久性损坏等。
5.相关标准：常见的静电放电抗扰度试验标准包括IEC61000-4-2（国际电工委员会标准）、ANSI/ESD S20.20（美国国家标准协会标准）和ISO 10605（国际标准化组织标准）等。
这些标准提供了统一的测试方法和要求，以确保静电放电试验的一致性和可比性。
通过静电放电抗扰度试验，可以评估电子设备对于静电放电的干扰抵抗能力，帮助设计和生产过程中优化电路设计和材料选择，以提高设备的可靠性和抗扰度。
该测试在电子设备的研发、制造和质量控制过程中具有重要作用。
ESD防静电检测操作指南(全方位)
ESD防静电检测操作指南(全方位) ESD防静电检测操作指南（全方位）1. 引言静电放电（ESD）防护是电子制造和组装过程中至关重要的环节。
本操作指南旨在为您提供一套全方位的ESD检测方法，以确保您的产品和设备免受静电放电的影响。
2. ESD基本概念2.1 静电放电（ESD）静电放电是指两个带有不同电荷的物体接触时，电荷不平衡而产生的一种现象。
ESD会对电子设备造成损害，导致设备性能下降甚至失效。
2.2 静电敏感器件（ESD Sensitive Devices）静电敏感器件是指对静电放电敏感，容易受到损害的电子器件。
这些器件在制造、运输和使用的各个环节都需要进行ESD防护。
3. ESD检测方法3.1 表面电阻率测试表面电阻率测试是检测ESD防护措施有效性的常用方法。
使用专门的测试仪器（如万用表）测量物体表面的电阻率，以判断其对静电放电的抵抗能力。
3.2 静电放电测试静电放电测试是指模拟真实环境下静电放电对电子器件的影响，以评估器件的抗ESD性能。
常用的测试方法有接触放电、空气放电、接触带电等。
3.3 静电场强度测试静电场强度测试是测量静电场对电子器件的影响程度。
使用专门的测试仪器（如静电场强度计）测量静电场强度，以评估ESD风险。
4. ESD防护措施4.1 人员防护1. 穿着防静电服、防静电鞋、防静电手套等个人防护装备。
2. 定期进行人体静电消除操作，如使用静电消除器。
4.2 设备防护1. 使用防静电材料（如防静电泡沫、防静电袋、防静电桌垫等）包装和存放静电敏感器件。
2. 确保生产设备和工作台面具有抗静电性能。
4.3 环境防护1. 保持工作环境湿度，以降低空气中的静电含量。
2. 使用静电消除器、空气离子发生器等设备，降低工作环境中的静电风险。
5. 操作流程5.1 检测准备1. 检查检测设备是否正常工作。
2. 确保被检测物品处于静电放电敏感状态。
5.2 检测步骤1. 进行表面电阻率测试：将测试仪器接触到被检测物品表面，记录电阻率值。
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— 如果插座中的波形在规范限制范围内，则允许附加 DUT 插座。 — 不允许反转端子 A 和端子 B 来实现双极性。 — 脉冲传递周期之后应将 S2 关闭 10 到 100 毫秒，以确保 DUT 插座不处于充电状态。在
传递下一个脉冲之前，应将 S2 打开至少 10 毫秒。
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7
静电放电敏感性测量
注：
— 任何模拟器的性能都受到其寄生电容和电感的影响。 — 电阻 R1 与开关 S2 串联，可确保设备缓慢放电。 — 设计测试器时必须采取预防措施，以避免再充电瞬变和多脉冲。 — R2 （用于第 3.2 节中指定的设备鉴定）应为低感抗、 1000 V、容差为 ± 1% 的 500 Ω
电阻。
— 如果插座中的波形在规范限制范围内，则允许附加 DUT 插座。 — 不允许反转端子 A 和端子 B 来实现双极性。 — 脉冲传递周期之后应将 S2 关闭 10 到 100 毫秒，以确保 DUT 插座不处于充电状态。在
测试 ■ ESD 协会标准草案 DS5.3.1 - 1996 充电设备模型 (CDM) 非转接座模式 ■ JEDEC 标准 JESD22-C101 “电场诱导充电设备模型” ■ JEDEC 标准 JESD22-A114A “人体模型” ■ JEDEC 标准 JESD22-A115A “机器模型” ■ ESD 协会标准草案 DS5.2 - 1996 “机器模型” ■ ESD 协会标准 ESD STM 5.1 - 1998 “人体模型” ■ EIAJ 临时标准 EDX-4702 “充电设备模型”
R1
1510500o0hΩm
Te端rm子inaAl A
Hig高h 压Vo脉lta冲ge 发P生uls器e
Generator
C1
100 pF
DDUUTT
S2
s插ock座et
短sh接ort
RR22
Te端rm子inaBl B
550000 oΩhm
注：
— 任何模拟器的性能都受到其寄生电容和电感的影响。 — 设计测试器时必须采取预防措施，以避免再充电瞬变和多脉冲。 — R2 （用于第 3.2 节中指定的设备鉴定）应为低感抗、 1000 V、容差为 ± 1% 的 500 Ω
3.2
设备鉴定
必须在设备验收的首次测试期间以及可能影响波形的维修之后执行，并且每年至少执行一 次，除非测试装置供应商有不同的建议。
对于 HBM 和 MM，在连接短路线或者 500 Ω 负载的最多引脚数测试插座上，测试装置都满足 表 1 和表 2 中所有电源等级下的要求。
3.3
波形校验
必须至少每 6 个月执行一次。对于 CDM，允许使用 1 GHz 的示波器。
注释 A：对于相关产品组 Q&R 部门负责的 HBM 和 MM 测试，可以降低测试标准，以符 合 ESD 协会标准 ESD STM5.1 1998 （1998 年二月）和 JEDEC 标准 JESD22- A114A 以及 JEDEC 标准 JES22 - A 115 A，具体为对每个引脚组合施加一个正脉冲和一个负脉 冲，除非详细规范中有不同的要求。如果要求使用多个脉冲，则脉冲之间的最小间隔为 500 毫秒。
2-10 2-10 2-10 2-10
5-25 NA NA NA
130-170 130-170 130-170 130-170
Ips 和 Ipr 的 15% Ips 和 Ipr 的 15% Ips 和 Ipr 的 15% Ips 和 Ipr 的 15%
* 500 Ω 负载仅在第 3.2 节中指定的设备鉴定期间使用
图 2.
典型的等效 MM ESD 电路
S1
AN1181
High高V压olta脉ge冲 发Pu生lse器
Generator
Te端rm子inaAl A
C1
200 pF
DDUUTT
S2
so插ck座et
s短ho接rt
R2
550000 oΩhm
R1
1010KK到to1100MM Ω
ohm
Te端rm子inaBl B
3/7
7
静电放电敏感性测量
4
过程
AN1181
— 必须按照适用的数据手册（静态参数和动态参数）测试所有单元。样本大小取决于 HBM 和 MM 的规范 0061692，最小样本大小为 3 个设备。
— 对于 HBM 和 MM，应使用表 3 中指定的所有引脚组合同一电压下对每个样本进行测试， 对每个引脚组合施加 3 个正脉冲和 3 个负脉冲，除非详细规范中有不同的要求。两个脉 冲之间的最小间隔为 1 秒。
1
AN1181/0100
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静电放电敏感性测量
2
定义
AN1181
— DUT （在测器件）：进行 ESD 敏感度评估的器件。 — ESD （静电放电）：处于不同静电电势的主体之间的静电电荷转移。 — 静电放电敏感度：导致部件故障的 ESD 电压。 — ESD 模拟器：用于模拟本规范描述的模型的仪器。 — 人体模型 (HBM) ESD：模拟人体向器件放电的 ESD 脉冲。 — 机器模型 (MM) ESD：近似于机器或机械设备脉冲的 ESD 脉冲。 — 最大耐压：产品通过第 4 节中指定的失效标准要求的最大 ESD 电压。 — PUT：在测引脚。 — 非电源引脚：除电源引脚和非连接引脚之外的所有输入引脚、输出引脚、双向引脚和时
(A)
NA
0.85 到 1.2
连接 500Ω* 时 100 ns 的电流
I100 (A)
NA
0.29 ± 10%
* 500 Ω 负载仅在第 3.2 节中指定的设备鉴定期间使用
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AN1181
静电放电敏感性测量
表 3. 引脚组合 1 2 3 4 5*
Hale Waihona Puke 用于集成电路的引脚组合 （HBM 和 MM）
单独连接到端子 A
人体模型的波形规范
短路电流
峰值 Ips (A)
500 Ω* 电流峰值
Ipr (A)
短路上升时 间 tr (ns)
500 Ω* 上升 时间 trr (ns)
短路衰减时间 td (ns)
振铃电流 IR (A)
0.6-0.74 1.2-1.48 2.4-2.96 4.8-5.92
.375-.55 NA NA NA
钟引脚。
— 电源引脚：所有电源引脚、外部电压源引脚和接地引脚。 — 相似命名的电源引脚：具有相似名称和功能的电源引脚。例如，VDD1 - VDD2、VCC1 -
VCC2、 GND1 - GND2。 — 振铃电流：通常在脉冲上升时间之后出现的阻尼高频电流振荡。
2 2/7
AN1181
3
常规
静电放电敏感性测量
表 2. 电压 (V) 200 400
机器模型的波形规范
短路时的第一峰 短路时的第二峰
值正电流，Ips1 值正电流， Ips2
(A)
(A)
2.8-3.8 5.8-8
Ips1 的 67% 到 90%
Ips1 的 67% 到 90%
短路时的主 要脉冲周期
tpm (ns)
66-90
66-90
连接 500Ω* 时的第一峰 值正电流 Ipr
注释 B：对于 HBM 和 MM，如果需要，对于每个电压或引脚组合可使用 3 个新元件。这 将消除任何步进应力硬化效应，并降低由于电源引脚上的累积应力而导致过早失效的可 能性。但是，如果在每个电压都对独立的一组 3 个元件进行应力测试，那么为了避免漏 掉可能的 ESD 漏洞窗口，建议不要忽略任何应力测试步骤。
第 N 个 / 组电源引脚
除了 PUT 和第 N 个 / 组电 源引脚以外的所有引脚
每个非电源引脚
除了 PUT 以外的所 有其它非电源引脚
所有电源引脚
每个反相输入引脚
每个相应的 非反相引脚
所有未在测试的引脚和所 有电源引脚
* 用于带运算放大器功能的集成电路
图 1.
典型的等效 HBM ESD 电路
S1
— 失效标准：
— 如果产品的所有单元都通过了在某个电压的应力测试，则该产品在该电压合格。
— 如果某一单元在暴露于 ESD 脉冲后不再满足数据手册要求 （静态参数和动态参数）， 则将该单元定义为失效。
注：可通过在失效电压使用新样本进行重新测试，来消除累积损坏效应带来的影响。
表 1.
电压 (V)
1000.00 2000.00 4000.00 8000.00
除非在ST 的销售条款中另有说明，否则，ST 对 ST 产品的使用和 /或销售不做任何明示或默示的保证，包括但不限于有关适销性、适合特定用途（及其 依据任何司法管辖区的法律的对应情况），或侵犯任何专利、版权或其他知识产权的默示保证。
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