实验一 绝缘栅双极型晶体管
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)(五)

为 低 电 平 时 ,A点 为高 电平 ,晶 体 管V 向偏 置 T正 导通 ,晶体管 V 2 止 ,负偏 置 电压通 过 晶体 管V T截 T 和驱 动 电阻R 加到 I B 上 驱 动栅 极 ,使I B 关 断 。 G GT GT 同时 ,为 了 消除 可 能 出现 的栅 极 电压 的振荡 现 象 . 在I B 的栅 极 和发 射 极 之 间 并 联 了一个 冗 阻尼 电 GT 路。
检 测 。对 I B 而 言 ,常用 的过 电流 检测 方 法有 两 GT
62 I B 的保 护 电路和 缓冲 电路 . G T
种 :电流 传感 器检测 法 与I B 的饱 和压降 检测法 。 GT
电力 电 子 电 路 工作 时 ,由 于外 部 原 因或 操 作
① 电流传感器检测法 通过在 电路中加入 电流
体 管 V 关 断 ,在 正 电源 的作 用 下 ,经 过 电 阻 , F
晶体 管V 2 T 的基极 一 发射 极 有 了偏 置 电流 ,Vr 速 r迅 2 导 通 ,经过 栅 极 驱 动 电 阻R ,I B 得 到正 偏 置 电 。 GT 压 而 导 通 。 当 为低 电平 时 ,发 光 二极 管 上 没 有 电流 流过 。作 用 过程 相 反 ,V T导通 使 得Vr 通 , r导 3
传 感 器 ,通 过 检 测 电路 中 的 电流 ,判 断I B 是 否 GT 过 电 流 。通过 此 方 法 可 以对 电路 的 各 种 短 路 状态 进 行 检 测 和 区分 ,从 而 根 据 不 同 的短 路 状 态 采 取 不 同 的保 护 策 略 。减 小 由 于 电路 异 常 所 造 成 的损
一
一 一
IGBT绝缘栅双极型晶体管概述以及市场前景2024

IGBT绝缘栅双极型晶体管概述以及市场前景2024
IGBT绝缘栅双极型晶体管概述以及市场前景2024
一、IGBT绝缘栅双极型晶体管简介
IGBT绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)
是一种双极型晶体管,其结构由一个基极、一个集电极和一个绝缘栅组成。
绝缘栅双极型晶体管与普通的绝缘栅单极型晶体管有很多类似之处,而且
它们共同具有很高的电压承受能力、良好的功率密度、高可靠性以及低功
耗特性。
二、IGBT绝缘栅双极型晶体管市场前景
由于IGBT绝缘栅双极型晶体管的特点,用于智能家居、微网控制器、汽车电子、智能电表、新能源汽车驱动电源转换等领域会得到更多应用。
预计到2023,IGBT绝缘栅双极型晶体管市场将会迎来量价齐升的市
场环境。
另外,随着可再生能源的发展,IGBT绝缘栅双极型晶体管在新
能源汽车驱动电源转换上也有了更多应用,对双极型晶体管会提升需求。
此外,由于新能源汽车及智能家居的普及,IGBT绝缘栅双极型晶体管应
用范围也会随之延展,带来更多支持。
电力电子技术_第2章_器件5_IGBT

T 2.3 rDSon (T ) rDSon (25 C )( ) 300
O
开关特性
开通特性二者等同。 关断时IGBT漂移区电荷仅靠复合移除缓慢,电流拖尾过程 长,而MOSFET为多子载流,无存储电荷移除反向恢复过 程,关断时间远远短于IGBT。IGBT关断拖尾时间随温升增 涨。 IGBT适于高压低开关频率,功率MOS管则相反
1-5
集电极 C
N 沟道I G B T
IGBT实用等效电路
• Q1截止时IGBT的实 用等效电路 R d iD + • Uce<0,P N 反偏,反 VF 向阻断。Uce>0,N-P反 P u ds G 偏,正向阻断。正反 u ge N + 阻断能力近似相等。
C N
ic
P+
V u ce
iT
E
IGBT实用等效电路
• tdon IC300A Vcc600V 25oC 150ns 125oC 180ns • tfon 80ns tdoff 25oC 770ns 125oC 750ns • tfon 70ns
1-15
IGBT_5SNA 600G650100
主要参数: • VCES • IC(DC) VCESAT
1-12
绝缘栅双极晶体管
正偏安全工作区(FBSOA)
——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。
反向偏臵安全工作区(RBSOA)
——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率 duCE/dt确定。
IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起,制成模 块,成为逆导器件 。
1-13
1-1
IGBT绝缘栅极双极晶体管
一、绝缘栅型场效晶体管结构 1.n沟道mosfet 2.p沟道mosfet

一、绝缘栅型场效晶体管结构 1.n沟道mosfet 2.p沟道
mosfet
绝缘栅型场效晶体管(MOSFET)是一种常用的电力电子器件,其结构和工作原理与普通双极晶体管有所不同。
以下是关于n沟道和p沟道MOSFET的简要介绍:
1. N沟道MOSFET(N-Channel MOSFET):
* N-Channel MOSFET,也称为NMOS,是在P型半导体上制作出两个N型区,并在P型半导体表面形成两个正电荷,用于将栅极和源极之间的N型半导体连通。
* 当在栅极和源极之间施加电压时,N型半导体中的电子在电场作用下形成电流,从而使漏极和源极之间导通。
* N-Channel MOSFET通常用于高压、大电流的应用场景,如电机控制、逆变器等。
2. P沟道MOSFET(P-Channel MOSFET):
* P-Channel MOSFET,也称为PMOS,是在N型半导体上制作出两个P型区,并在N型半导体表面形成两个负电荷,用于将栅极和源极之间的P型半导体连通。
* 当在栅极和源极之间施加电压时,P型半导体中的空穴在电场作用下形成电流,从而使漏极和源极之间导通。
* P-Channel MOSFET通常用于高压、大电流的应用场景,如不间断电源(UPS)、电池保护等。
以上是关于n沟道和p沟道MOSFET的简要介绍,如需了解更多信息,建议咨询电子技术专家或查阅相关的专业书籍。
士兰微 SGT40N60NPFDPN 说明书 40A、600V绝缘栅双极型晶体管 说明书

40A 、600V 绝缘栅双极型晶体管描述SGT40N60NPFDPN 绝缘栅双极型晶体管采用新一代场截止(Field Stop )工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。
该产品可应用于感应加热UPS ,SMPS 以及PFC 等领域。
特点♦ 40A ,600V ,V CE(sat)(典型值)=1.8V@I C =40A ♦ 低导通损耗 ♦ 超快开关速度 ♦高击穿电压命名规则SGT 40 N E 60 □□□□ PNIGBT 产品系列名称电流值,20表示20AN ChannelE:表示有带ESD空白:表示不带ESD电压值:120表示1200VNP:表示NPT 工艺 P: 表示PT 工艺T: 表示Trench 工艺空白: 表示非Trench 工艺 F: 表示采用了Field stop 工艺空白: 表示非采用Field stop 工艺 D: 表示内置了FRD 空白: 表示没有内置了FRD表示封装形式,如PN 表示TO-3P 封装形式产品规格分类产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装 SGT40N60NPFDPNTO-3P40N60NPFD无铅料管极限参数 (除非特殊说明,T C =25°C)参 数符 号 参数范围 单位 集电极-射极电压 V CE 600 V 栅极-射极电压V GE±20 V 集电极电流 T C =25°CI C 80 A T C =100°C40 集电极脉冲电流 I CM 120 A 耗散功率(T C =25°C ) - 大于25°C 每摄氏度减少 P D 290 W 2.32 W/°C 工作结温范围 T J -55~+150 °C 贮存温度范围 T stg -55~+150°C热阻特性参数符号参数范围单位芯片对管壳热阻(IGBT)RθJC0.24 °C/W 芯片对管壳热阻(FRD)RθJC 1.4 °C/W 芯片对环境的热阻RθJA35.5 °C/WIGBT电性参数(除非特殊说明,TC=25°C)参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集射击穿电压BV CE V GE=0V,I C=250uA 600 -- -- V 集射漏电流I CES V CE=600V,V GE=0V -- -- 200 uA 栅射漏电流I GES V GE=20V,V CE=0V -- -- ±500 nA 栅极开启电压V GE(th)I C=250μA,V CE=V GE 4.0 5.0 6.5 V 饱和压降V CE(sat)I C=40A,V GE=15V -- 1.8 2.7 VI C=40A, V GE=15V, T C=125°C -- 2.1 -- V输入电容C ies VCE=30VV GE=0Vf=1MHz -- 1850 --pF输出电容C oes-- 180 -- 反向传输电容C res-- 50 --开启延迟时间T d(on)V CE=400VI C=40AR g=10ΩV GE=15V感性负载-- 18 --ns开启上升时间T r-- 80 --关断延迟时间T d(off)-- 110 --关断下降时间T f-- 105 --导通损耗E on-- 1.87 --mJ 关断损耗E off-- 0.68 --开关损耗E st-- 2.55 --栅电荷Q gV CE = 300V, I C=20A,V GE = 15V -- 100 --nC发射极栅电荷Q ge-- 11 --集电极栅电荷Q gc-- 52 --FRD电性参数(除非特殊说明,T C=25°C)参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位二极管正向压降V fm I F = 20A T C=25°C -- 1.9 2.6V I F = 20A T C=125°C -- 1.5 --二极管反向恢复时间T rr I ES =20A, dI ES/dt = 200A/μs-- 32 -- ns 二极管反向恢复电荷Q rr I ES =20A, dI ES/dt = 200A/μs-- 74 -- nC典型特性曲线图1. 典型输出特性集电极电流 – I C (A )0401201.53.06.0集电极-发射极电压 – V CE (V)集电极电流 – I C (A )集电极-发射极电压 – V CE (V)图3. 典型饱和电压特性802060100 4.5图2. 典型输出特性集电极电流 – I C (A )401200 1.5 3.0 6.0集电极-发射极电压 – V CE (V)8020601004.5040120012580206010043集电极电流 – I C (A )栅极-发射极电压 – V GE (V)图4. 传输特性40120456128020601001089711图5. 饱和电压vs. V GE集电极-发射极电压 – V C E (V )0420481220栅极-发射极电压 – V GE (V)1281616图6. 饱和电压vs. V GE集电极-发射极电压 – V C E (V )0420481220栅极-发射极电压 – V GE (V)1281616典型特性曲线(续)图7. 电容特性电容(p F )0200050000.11.010.030.0集电极-发射极电压 – V CE (V)开关时间 [n s ]栅极电阻 - R G (Ω)图9. 开启特性 vs. 栅极电阻300010004000102001020501004030图8. 栅极电荷特性栅极-发射极电压 - V G E (V )06153060120栅极电荷量 – Q G (nC)931290开关时间 [n s ]栅极电阻 - R G (Ω)图10. 关闭特性 vs. 栅极电阻10550010205010004030开关损耗 [m J ]栅极电阻 - R G (Ω)图11. 开关损耗 vs. 栅极电阻0.310.01020504030正向电流 - I F (A )正向电压 - V F (V)图12. 正向特性0.280.01410.0321.0典型特性曲线(续)图14. IGBT 瞬态热阻抗峰值功率阻抗 (°C /W )00.10.2510-510-410-310-1脉冲持续时间(S)0.150.050.210-210-110101100101102103102集电极电流 - I C (A )图13. SOA 特性集电极-射极电压 - V CE(V)封装外形图声明:♦士兰保留说明书的更改权,恕不另行通知!客户在下单前应获取最新版本资料,并验证相关信息是否完整和最新。
绝缘栅双极晶体管基础

产生 的 电压 在 0 7 范 围内 ,那 么 ,J 性 与 VE l和 T 之 间 的关 系如 图 2 V 1 。、c c 所 将 处 于正 向偏压 ,一些 空亢 注^ N 区 示 。 一
I T是 强电流 、高压 应用和 快速 内, GB 并调 整 阴阳极之 间的电 阻率 , 这种
正 向导通特性
在通 志 中 ,I T可 以按 照 ‘ 一 GB 第一来自牛FF [F.
士二 士
近似 和功率 MO F T 动 的 P P晶 SE 驱 N
正 向阻断
:[ = =
— 一
体 管建模 。 3 图 所示 是理解 器件 在工作
Ⅶ 。
! l!I
当 栅极 和发 射 极 短接 并 在 集 电 极 时的物理 粹 }所需 的结 构元 件 ( 生 寄生元
终 端设 备用垂直功 率 M F T的 自然 方式 降低 了功率 导通 的总损耗 , 启动 OS E 并 进化 :由于 实 现一 个 较 高 的击 穿 电压 了第 二个 电荷 流 。 后 的结 果是 , 半 最 在
反 向阻断
当集 电极 被施加 一 个反 向电压 时 ,
B 一 需要 一个 源漏 通道 ,而这个 通道 导 体层 次 内临 时 出现 两 种不 同的 电流 J V 1就会受 到反 向偏压 控制 ,耗 尽 层则 区扩展 。 因过多地 降低 这 个层 却 具 有 很 高 的 电 阻率 ,因而 造 成 功 率 拓 扑 :一个 电子 流 ( OS E 电流 ) 会 向 N一 M FT ; M F T具有 R o ) OS E (n 数值 高 的特 征 , 空 穴 电流 ( 双极 ) = IB 消 除 了现有 功率 MO F T GT S E 的这 些 主要 缺点 。 虽然 晟新一 代功 率 MO F T S E 关断 器件 大幅 度改 进 了 Rs(n 。 o )特性 ,但 面 的厚度 , 无法 取得一 个有效 的阻断 将
igbt绝缘栅双极晶体管国家标准

igbt绝缘栅双极晶体管国家标准IGBT绝缘栅双极晶体管国家标准。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极晶体管是一种半导体器件,具有功率MOSFET和双极晶体管的优点,被广泛应用于电力电子、变频调速、逆变器等领域。
为了规范和统一IGBT绝缘栅双极晶体管的生产、测试和应用,我国制定了一系列国家标准,以确保产品质量和安全性。
首先,IGBT绝缘栅双极晶体管国家标准对产品的分类和命名进行了规定。
根据不同的用途和技术要求,IGBT绝缘栅双极晶体管被分为不同的等级和型号,并对其命名进行了统一规范,以便生产厂家和用户能够准确地识别和选择合适的产品。
其次,国家标准对IGBT绝缘栅双极晶体管的技术要求进行了详细的规定。
包括电气特性、封装结构、环境适应能力、可靠性指标等方面的要求,以确保产品在各种工作条件下都能够稳定可靠地工作,并具有一定的抗干扰能力和环境适应能力。
此外,IGBT绝缘栅双极晶体管国家标准还对产品的检验方法和标志进行了规定。
包括产品的外观检查、电气性能测试、环境适应能力测试等内容,以及产品标志的规定和使用,以便生产厂家和用户在使用过程中能够准确地了解产品的性能和质量等信息。
总的来说,IGBT绝缘栅双极晶体管国家标准的制定,对于推动我国IGBT绝缘栅双极晶体管产业的发展,提高产品质量和安全性,促进技术创新和产业升级具有重要意义。
只有严格依照国家标准生产、测试和应用IGBT绝缘栅双极晶体管,才能够确保产品的质量和可靠性,为用户提供更加优质的产品和服务。
综上所述,IGBT绝缘栅双极晶体管国家标准的制定和执行,是我国电力电子领域的重要举措,将为行业的发展和产品的质量提升起到积极的推动作用。
希望生产厂家和用户能够充分重视国家标准的执行,共同推动我国IGBT绝缘栅双极晶体管产业的健康发展。
绝缘栅双极晶体管的设计要点

电流 高达 2 0A, 率 达到 3 0k 。在 高频 大 功率 0 频 0 Hz 领域 , 目前 尚无任 何其 他 器件 可 以代替 它 。 面着重 下
■ , r 1
分 析讨 论 IB G T器件 的设计 要点 。
:
2 I T 的基 本 结构 、 态 特 性 和 开 关 特 性 GB 静
第4 4卷 第 1 期
2 1 年 1月 00
电 力 电 子 技 术
Po rElc r i s wy 2 1 a ur.0 0
绝缘栅双极 晶体管的设计要点
张 景超 , 善麒 ,刘利峰 ,王 晓 宝 赵
( 苏 宏 微科 技有 限 公 司 ,江 苏 常 州 2 3 2 ) 江 I 10 2
中图分类号:N T6 文 献 标 识 码 : A 文 章 编 号 :0 0 1o 2 l ) l0 0 — 3 10 — o x(o OO 一 0 10
The K e sg i t fI ul t d G a e Bi l a it r y De i n Po n s o ns a e t po ar Tr nsso
IB G T的关 断时 间 比 V MO D S的更长 。
t
航 空领 域 I 。随着 半 导体材 料 和 加 工工 艺 的不 断进
步, B I T的 电流 密度 、耐压和 频 率 不断 得 到提 升 G
目前 市场 上 I B G T器 件 的耐 压 高达 65k . V,单 管芯
ee t c l h r ce it sa e d s u s d, sw l a h e a tr ih s o l e c n i e e e e in n n I T T e lc r a a a trsi r ic s e a e l st e k y f co swh c h u d b o sd r d wh n d sg i g a GB . h i c c t d — f e w e i e e t h r ce so n I T a d t e i f e c so t r l b l y a e as n lz d r e of b t e n d f r n a a tr fa GB n h n u n e n i ei i t r lo a ay e . a s f c l s a i
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电气工程及其自动化实验室实验指导书系列实验一绝缘栅双极型晶体管(IGBT)特性与驱动电路研究一.实验目的:1.熟悉IGBT开关特性的测试方法;2.掌握混合集成驱动电路EXB840的工作原理与调试方法。
二.实验内容1.EXB840性能测试;2.IGBT开关特性测试;3.过流保护性能测试。
三.实验方法1.EXB840性能测试(1)输入输出延时时间测试IGBT部分的“1”与PWM波形发生部分的“1”相连,IGBT部分的“13”与PWM波形发生部分的“2”相连,再将IGBT部分的“10”与“13”相连,与门输入“2”与“1”相连,用示波器观察输入“1”与“13”及EXB840输出“12”与“13”之间波形,记录开通与关断延时时间。
t,t== offon(2)保护输出部分光耦延时时间测试将IGBT部分“10”与“13”的连线断开,并将“6”与“7”相连。
用示波器观察“8”与“13”及“4”与“13”之间波形,记录延时时间。
(3)过流慢速关断时间测试接线同上,用示波器观察“1”与“13”及“12”与“13”之间波形,记录慢速关断时间。
(4)关断时的负栅压测试断开“10”与“13”的相连,其余接线同上,用示波器观察“12”与“17”之间波形,记录关断时的负栅压值。
(5)过流阀值电压测试断开“10”与“13”的连接,断开“2”与“1”的连接,分别连接“2”与“3”,“4”与“5”,“6”与“7”,分别将主回路的“3”与“4”和“10”与“17”相连,即按照以下表格的说明连线。
1电气工程及其自动化实验室实验指导书系列将主电路的RP左旋到底,用示波器观察“12”与“17”之间波形,将RP逐渐向右旋转,边旋转边监视波形,一旦该波形消失时即停止旋转,测出主回路“3”与“4”之间电压值,该值即为过流保护阀值电压值。
2.开关特性测试(1)电阻负载时开关特性测试将“1”与“13”分别与波形发生器“1”与“2”相连,“4”与“5”,“6”与“7”,‘2“与”3“,“12”与“14”,“10”与“18”,“17”与“16”相连,主回路的“1”与“4”分别和IGBT 部分的“18”与“15”相连。
即按照以下表格的说明连线。
用示波器分别观察“14”与“15”及“16”与“15”的波形,记录开通延迟时间。
(2)电阻,电感负载时开关特性测试将主回路“1”与“18”的连线断开,再将主回路“2”与“18”相连,用示波器分别观察“14”与“15”及“16”与“15”的波形,记录开通延迟时间。
(3)不同栅极电阻时开关特性测试将“12”与“14”的连线断开,再将“11”与“14”相连,栅极电阻从R=3kΩ5改为R=27Ω,其余接线与测试方法同上。
43.并联缓冲电路作用测试(1)将IGBT部分的“18”与“19”相连,IGBT部分的“17”与“20”相连。
(2)电阻负载,有与没有缓冲电路时观察“14”与“17”及“18”与“17”之间波形。
(3)电阻,电感负载,有与没有缓冲电路时,观察波形同上。
4.过流保护性能测试,栅计电阻用R4在上述接线基础上,将“4”与“5”,“6”与“7”相连,观察“14”与“17”之间 2电气工程及其自动化实验室实验指导书系列波形,然后将“10”与“18”之间连线断开,并观察驱动波形是否消失,过流指示灯是否发亮,待故障消除后,揿复位按钮即可继续进行试验。
四.实验报告1.绘出输入、输出及对光耦延时以及慢速关断等波形,并标出延时与慢速关断时间。
2.绘出所测的负栅压值与过流阀值电压值。
3.绘出电阻负载,电阻电感负载以及不同栅极电阻时的开关波形,并在图上标出t 与t。
OFFON4.绘出电阻负载与电阻、电感负载有与没有并联缓冲电路时的开关波形,并说明并联缓冲电路的作用。
5.过流保护性能测试结果,并对该过流保护电路作出评价。
3电气工程及其自动化实验室实验指导书系列实验二三相桥式全控整流电路实验一.实验目的1.熟悉三相桥式全控整流电路的接线及工作原理。
2.了解集成触发器的调整方法及各点波形。
二.实验内容1.三相桥式全控整流电路2.观察整流或逆变状态下,模拟电路故障现象时的波形。
三.实验方法1.按图接线,未上主电源之前,检查晶闸管的脉冲是否正常。
(1)主电路未通电,接通MCL一32T电源控制屏的“低压直流电源”开关,将MCL-31板上的直流低压电源引到MCL-33板上.o的幅60的双脉冲观察孔,应有间隔均匀,相互间隔)(2用示波器观察MCL-33度相同的双脉冲。
(3)检查相序,用示波器观察“1”,“2”单脉冲观察孔,“1”脉冲超前“2”脉0,则相序正确,否则,应调整输入电源。
冲60(4)将MCL-33板上的U接地,接通“低压直流电源”,用示波器的一个探头blf逐个观察每个晶闸管的控制极、阴极电压波形,应有幅值为1V~2V的双脉冲。
(注意:此时要逐个测试,不得同时观察两个晶闸管上的脉冲)注:将面板上的Ublf(当三相桥式全控变流电路使用I组桥晶闸管VT1~VT6时)接地,将I组桥式触发脉冲的六个开关均拨到“接通”(处于弹起状态)。
(5)将给定器输出Ug接至MCL-33面板的Uct端,调节偏移电压Ub,在Uct=0o。
具体方法为:用双踪示波器的一路接U相同步电压,另一路接=1501#脉时,使?冲孔的触发脉冲,调节偏移电压Ub电位器,使得脉冲出现的位置刚好对应于U相同o位置。
(注意:示波器两路输入的横轴必须重合,否则将会产生误差)步电压的1502.三相桥式全控整流电路按图4-12接线,S拨向左边短接线端,将Rd调至最大(450?)。
oo范围内(具体方法和~901中的(即给定器输出UctUg电位器),使?在30调节OOO(),晶闸管两t时,整流电压u=f)相同)(5,用示波器观察记录?=30、60、90d()的波形,并记录相应的Ud和交流输入电压t U数值。
=fu端电压2VT3.电路模拟故障现象观察。
(1)在整流状态时,断开某一晶闸管元件的触发脉冲开关(依次按下触发脉冲 4电气工程及其自动化实验室实验指导书系列的六个开关中其中一个),则该元件无触发脉冲即该支路不能导通,观察并分别记录此时的u波形。
d(2)断开两只晶闸管元件的触发脉冲开关(任意按下触发脉冲六个开关中其中两个),观察并分别记录此时的u波形。
d(3)断开三只晶闸管元件的触发脉冲开关(任意按下触发脉冲六个开关中其中三个),观察并分别记录此时的u波形。
d四.实验报告1.画出电路的移相特性Ud=f(?)曲线;U/U=f();α.作出整流电路的输入—输出特性22d OOO时的u、u波形;9030?3.画出三相桥式全控整流电路时,角为、60、VTd.画出模拟故障的波形图并简单分析模拟故障现象。
45电气工程及其自动化实验室实验指导书系列6电气工程及其自动化实验室实验指导书系列实验三直流斩波电路的性能研究一.实验目的熟悉降压斩波电路(Buck Chopper)和升压斩波电路(Boost Chopper)的工作原理,掌握这两种基本斩波电路的工作状态及波形情况。
二.实验内容1.SG3525芯片的调试。
2.降压斩波电路的波形观察及电压测试。
3.升压斩波电路的波形观察及电压测试。
三.实验方法1.SG3525的调试。
原理框图见图5—11。
将扭子开关S1打向“直流斩波”侧,S2电源开关打向“ON”,将“3”端和“4”端用导线短接,用示波器观察“1”端输出电压波形应为锯齿波,并记录其波形的频率和幅值。
扭子开关S2扳向“ON”,用导线分别连接“5”、“6”,用示波器观察“5”端波形,并记录其波形、频率、幅度,调节“脉冲宽度调节”电位器,记录其最大占空比和最小7电气工程及其自动化实验室实验指导书系列占空比。
Dmax= Dmin=2.实验接线图见图5—12(接线时请断开电源,即把钥匙开关关闭)。
(1)切断MCL-16主电源,分别将“主电源2”的“1”端和“直流斩波电路”的“1”端相连,“主电源2”的“2”端和“直流斩波电路”的“2”端相连,将“PWM波形发生”的“7”、“8”端分别和直流斩波电路VT1)实验完成后,断开主电路电源,拆除所有导线。
(6 8电气工程及其自动化实验室实验指导书系列四.注意事项(1)“主电路电源2”的实验输出电压为15V,输出电流为1A,当改变负载电路时,注意R值不可过小,否则电流太大,有可能烧毁电源内部的熔断丝。
(2)实验过程当中先加控制信号,后加“主电路电源2”。
(3)做升压实验时,注意“PWM波形发生器”的“S1”一定要打在“直流斩波”,如果打在“半桥电源”极易烧毁“主电路电源2”内部的熔断丝。
五.实验报告1.分析PWM波形发生的原理2.记录在某一占空比D下,降压斩波电路中,MOSFET的栅源电压波形,输出电压u波形,输出电流i的波形,并绘制降压斩波电路的Ui/Uo-D曲线,与理论分析结00果进行比较,并讨论产生差异的原因。
9电气工程及其自动化实验室实验指导书系列实验四单相交直交变频电路的性能研究一.实验目的熟悉单相交直交变频电路的组成,重点熟悉其中的单相桥式PWM逆变电路中元器件的作用,工作原理,对单相交直交变频电路在电阻负载、电阻电感负载时的工作情况及其波形作全面分析,并研究工作频率对电路工作波形的影响。
二.实验内容1.测量SPWM波形产生过程中的各点波形。
2.观察变频电路输出在不同的负载下的波形。
三.实验设备及仪器1.电力电子及电气传动主控制屏。
2.MCL-16组件。
3.电阻、电感元件(MEL-03、700mH电感)。
4.双踪示波器。
5.万用表。
四.实验原理5 10电气工程及其自动化实验室实验指导书系列单相交直交变频电路的主电路如图5—13所示。
本实验中主电路中间直流电压u由交流电整流而得,而逆变部分别采用单相桥式d PWM逆变电路。
逆变电路中功率器件采用600V8A的IGBT单管(含反向二极管,型号为ITH08C06),IGBT 的驱动电路采用美国国际整流器公司生产的大规模MOSFET和IGBT专用驱动集成电路1R2110,控制电路如图5—12所示,以单片集成函数发生器ICL8038为核心组成,生成两路PWM信号,分别用于控制VT、VT和VT、VT两对3214IGBT。
ICL8038仅需很小的外部元件就可以正常工作,用于发生正弦波、三角波、方波等,频率范围0.001到500kHz。
五.实验方法(1)观察正弦波发生电路输出的正弦信号Ur波形(“2”端与“地”端),改变正弦波频率调节电位器,测试其频率可调范围。
(2)观察三角形载波Uc的波形(“1”端与“地”端),测出其频率,并观察Uc和U的对应关系:2(3)观察经过三角波和正弦波比较后得到的SPWM波形(“3”端与“地”端),并比较“3”端和“4”端的相位关系。
(4)观察对VT、VT进行控制的SPWM信号(“5”端与“地”端)和对VT、312VT进行控制的SPWM信号(“6”端与“地”端),仔细观察“5”端信号和“6”端411电气工程及其自动化实验室实验指导书系列防号之间的互锁延迟时间。