(完整word版)电子技术基础 模拟部分 第五版 复习思考题答案
电子技术基础(数字部分)第五版答案康华光
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1.1.2 图形代表的二进制数01011010011．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比例MSBLSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制1.2.2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于42.（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=-1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H 72（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28（1）+ （2）@ （3）you (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
（1）“+”的ASCⅡ码为0101011，则（00101011）B=（2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表示方法1.6.1在图题1. 6.1中，已知输入信号A，B`的波形，画出各门电路输出L的波形。
解: (a)为与非，(b)为同或非，即异或第二章逻辑代数习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式(3)ABABAB⊕=+（A⊕B）=AB+AB解：真值表如下ABAB⊕AB AB AB⊕AB+AB 0111111111111由最右边2栏可知，与AB+AB的真值表完全相同。
电子技术基础(模拟部分)第五版课件(全部)
end
2.1 集成电路运算放大器
2.2 理想运算放大器
2.3 基本线性运放电路
2.4 同相输入和反相输入放大电 路的其他应用
§引 言
➢在半导体制造工艺的基础上，把整个电路中元器 件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路， 称为集成电路。简单来说，集成电路是把元器件和 连接导线全部制作在一小块硅片上而成的电路。
• 电容利用PN结结电容，一般不超过几十pF。需要大 电容时，通常在集成电路外部连接。不能制电感，级 与级之间用直接耦合；
• 二极管用三极管的发射结代。比如由NPN型三极管 短路其中一个PN结构成。
运算放大器外形图
2.1 集成电路运算放大器
1. 集成电路运算放大器的内部组成单元
集成运算放大器是一种高电压增益，高输入电阻和 低输出电阻的多级直接耦合放大电路。
(+60μV,+12V)
Avo=2×105
解：取a点（+60μV,+12V）， b点（60μV,-12V），连接a、b两点得ab线 段，其斜率Avo=2×105, ∣vP-vN∣<60 μV时，电路工作在线性区； ∣vPvN∣>60 μV，则运放进入非线性区。 运放的电压传输特性如图所示。
(-60μV,-12V)
输入输出回路没有公共端
1.5 放大电路的主要性能指标
1. 输入电阻
Ri
vt it
1.5 放大电路的主要性能指标
2. 输出电阻
vt
R o
vs 0,RL
it
注意：输入、输出电阻为交流电阻
1.5 放大电路的主要性能指标
3. 增益
反映放大电路在输入信号控制下，将供电电源能量
模拟电子技术 第五版 康光华 课后答案共102页文档
模拟电子技术 第五版 康光华 课后答案
61、辍学如磨刀之石，不见其损，日 有所亏 。 62、奇文共欣赞，疑义相与析。
63、暧暧远人村，依依墟里烟，狗吠 深巷中 ，鸡鸣 桑树颠 。 64、一生复能几，倏如流电惊。 65、少无适俗韵，性本爱丘山。
46、我们若已接受最坏的，就再没有什么损失。——卡耐基 47、书到用时方恨少、事非经过不知难。——陆游 48、书籍把我们引入最美好的社会，使我们认识各个时代的伟大智者。——史美尔斯 49、熟读唐诗三百首，不会作诗也会吟。——孙洙 50、谁和我一样用功，谁就会和我一样成功。——莫扎特
电子技术基础(数字部分)第五版答案康华光
第一章数字逻辑习题1．1 数字电路与数字信号1.1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4 一周期性数字波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比例MSBLSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%1.2 数制1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于42. （2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=-1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H 72（4）（2.718 ）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4 二进制代码1.4.1 将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3 试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28（1）+ （2）@（3）you (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
...4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图...4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图...OLV=0.1V, ILV=1.5V, 因此有:(1) =0< ViILV=1.5V, 属于逻辑门0(2) <1.5V=ViILV, 属于逻辑门0(3) <0.1<ViILV=1.5V, 属于逻辑门0(4) 由于CMOS管的栅极电流非常小, 通常小于1uA,在10kΩ电阻上产生的压降小于10mV即...OLV=0.1V, ILV=1.5V, 因此有:(1) =0< ViILV=1.5V, 属于逻辑门0(2) <1.5V=ViILV, 属于逻辑门0(3) <0.1<ViILV=1.5V, 属于逻辑门0(4) 由于CMOS管的栅极电流非常小, 通常小于1uA,在10kΩ电阻上产生的压降小于10mV即OLV=0.1V, ILV=1.5V, 因此有:(1) =0< ViILV=1.5V, 属于逻辑门0(2) <1.5V=ViILV, 属于逻辑门0(3) <0.1<ViILV=1.5V, 属于逻辑门0(4) 由于CMOS管的栅极电流非常小, 通常小于1uA,在10kΩ电阻上产生的压降小于10mV即...高阻113.1.12 （a）AL11...高阻113.1.12 （a）AL11高阻113.1.12 （a）AL11高阻113.1.12 （a）AL11高阻113.1.12 （a）AL11高阻113.1.12 （a）AL11...1.1.3vmA..≈444Ω...1.1.4vmA..≈444Ω...1111111111110 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 10 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 11 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 1 1 1 0 111112 ）由真值表画卡诺图11112 ）由真值表画卡诺图11112 ）由真值表画卡诺图11112 ）由真值表画卡诺图11112 ）由真值表画卡诺图11112 ）由真值表画卡诺图...输入输出ABCLL=C1111__LC=...输入输出ABCLL=C 01111__ LC=输入输出ABCLL=C 01111__ LC=输入输出ABCLL=C 01111__ LC=第六章习题答案1.1.5已知某时序电路的状态表如表题6．1，6所示，输人为A，试画出它的状态图。
电子技术基础(模拟部分)第五版_第3章_康华光
(a)符号
(b) 伏安特性
稳压原理
R
+
IR
IO
IZ
+
VI
DZ
VO
RL
-
-
RL↓→IO↑→IR↑→↓VO=VI-VR VO↑←IR↓←IZ↓
稳压管的应用
①、稳压管外接正向电压时,导通。 ②、稳压管外接反向电压，且该电压
的幅值小于VBR时，截止。 ③、稳压管外接反向电压，且该电压
于空穴数，因此，N型半导
体又称为电子半导体。
3、多子和少子
数目较多的载流子叫多数载流子，简 称多子。同样，数目较少的载流子叫少数 载流子，简称少子。
在P型半导体中，空穴是多子，而自 由电子是少子。
在N型半导体中，自由电子是多子， 而空穴是少子。
第二节、PN结的形成及特性 一、PN结的形成 二、PN结的特性 三、PN结的伏安特性及表达式
本征激发时，自由电子和空穴总是成对产生， 称为电子空穴对。因此本征激发又叫做电子空穴 对的产生。
3、载流子 能够自由运动的带电粒子。
只有两种载流子：自由电子和空穴。 自由电子带负电 空穴带正电
4、本征浓度
自由电子和空穴相遇时，成对消失的现象称为 载流子的复合。
电子空穴对的产生和复合总是不停地进行着， 最终处于一种平衡，使半导体中载流子的浓度一 定。一定温度下，单位体积内（1cm3）的载流子 个数称为本征浓度。
正偏时，二极管两端短路 反偏时，二极管开路 2、恒压模型 正偏时,二极管从阳极到阴极
VD=VON(导通电压) 反偏时，二极管开路
➢ 图解分析法
1. 理想模型
2. 恒压降模型
第五节、特殊二极管
电子技术基础_第五版(模拟部分)第一章
32
1.5 放大电路的主要性能指标
5. 非线性失真
由元器件非线性特性引 起的失真。
非线性失真系数:
Vo2k
k2 100%
Vo1
VO1是输出电压信号基波分量的有
效值，Vok是高次谐波分量的有效值，k
为正整数。
end
33
Avo ——负载开路时的电压增益
Ro ——从负载端看进去的放大
电路的输出电阻
戴维宁等效
Ri ——输入电阻
20
1.4 放大电路模型
由输出回路得 则电压增益为
vo
AVOvi
RL Ro RL
AV
vo vi
Avo
RL Ro RL
由此可见 RL
Av 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响，则希望…？ （考虑改变放大电路的参数）
– 基本电路：单管（三种接法）、差分、互补输出级
– 基本方法：等效电路法、图解法
• 反馈
– 概念：反馈、正反馈与负反馈、直流反馈与交流反馈、电压反馈与
电流反馈、串联反馈与并联反馈
– 判断方法
– 深度负反馈放大倍数的估算方法
– 交流负反馈对放大电路性能的影响及引入反馈的方法
– 负反馈放大电路的稳定性及消除振荡的方法
–实验方法
• 常用电子仪器的使用方法 • 电子电路的测试方法 • 故障的判断与排除方法 • EDA软件的应用方法
–上好理论-EDA-实践三个台阶
5
课程在本科生素质教育中的作用
一个电路从信号输入、中间的处理到最后的
• 由于电子技术基础输出课，程各的级基之础间的性增和益广分泛配性、参，数使设之置在、逻
电子技术基础(模拟部分)第五版_第6章_康华光
(3)用电流源做有源负载，可获得增益高、 动态范围大的特性。
(4)用电流源给电容充电，以获得线性电压输出。
(5)电流源还可单独制成稳流电源使用。
(6)在模拟集成电路中，常用的电流源电路有： 镜象电流源、精密电流源、 微电流源、多路电流源等。
IC=0 IC 0 VCC=0 VBB
T
VBB
6.2 差分式放大电路
6.2.0 概述
直接耦合放大电路 零点漂移
差分式放大电路中的一般概念
6.2.1 射级耦合差分式放大电路
电路组成及工作原理 主要指标计算 抑制零点漂移原理 几种方式指标比较
6.2.2 FET差分式放大电路 6.2.3 差分式放大电路的传输特性
集成电路的优点
• 有体积小、功耗小、功能强、可靠 性好的优点，故得到发展。
• 最早源于航天技术的启示和应用。
6.1 模拟集成电路中的 直流偏置技术
BJT电流源
FET电流源
电 流 源 概 述
(1)电流源电路是一个电流负反馈电路， 并利用PN结的温度特性，对电流源电路进行温度补偿， 以减小温度对电流的影响。
4. 多路电流源
R
VCC
组成
IREF
T0
IC T ∑IB T1
IC1
IC2
IC3
公式推导
IC=IREF - ∑ IB/β
T2
Re2 Re3
T3
Re
Re1
当β较大时 IC=IREF 由于各管的β， VBE相同，则 IERE≈IREFRE=IE1RE1=IE2RE2=IE3RE3 所以 IC1≈IE1=IREFRE/RE1 IC2≈IE2=IREFRE/RE2 IC3≈IE3=IREFRE/RE3
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图 3-5
解：（1）二极管恒导通，在恒压降模型情形下，有 vo 2VD 1.4 V 。
则电路中的电流为
（2）小信号模型等效电路如图 3-6 所示，小信号模型中， 阻为
。 ，二极管的微变电
。 由图 3-6 可知， 故
即有 VB＞VA，所以 D 截止。 图（c），根据分压公式，有
即有 VB＜VA，所以 D 正偏导通。
3.4.7 二极管电路如图 3-10（a）所示，设输入电压 vI（t）波形如图 3-10（b）所示， 在 0＜t＜5 ms 的时间间隔内，试绘出 vo（t）的波形，设二极管是理想的。
图 3-10
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第 3 章 二极管及其基本电路
3.2 PN 结的形成及特性
3.2.1 在室温（300 K）情况下，若二极管的反向饱和电流为 1 nA，问它的正向电流为
因此，输出电压 vo 的变化范围为 1.394 V～1.406 V。
图 3-6
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3.4.4 在图 3-5 的基础上，输出端外接一负载 RL＝1 kΩ时，问输出电压的变化范围是多
少?
解：外接负载后，二极管中的直流电流为： ID
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解 ： 当 输 入 电 压 v（I t） 6 V 时 ， 二 极 管 截 止 ， 输 出 电 压 vO 6 V ； 当 输 入 电 压
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图 2-2
解：（1）放大器 A2： vO2
vp2
vn2
R1 RW
vO
①
放大器 A1：
vi1 vn1 vn1 vn2
R
Rf
②
vn1
vp1
Rf R Rf
vi 2
③
由式①②③得： vO
10
Rw R1
vi2
vi1
。
（2）当 Rw 的滑动端在最上端时，若 Vi1＝10 mV，Vi2＝20 mV，则
20 lg
AV
40, AV
100, 100 70.7 ， 2
f
fL
70.7Hz ；
(5 1 )
f fH 10 2 70700Hz
二、选择题
1．某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V，接入 12kΩ的负载电阻后，输出电压降
为 3V，这说明放大电路的输出电阻为（ ）。
A．19kΩ
B．2kΩ
20
mV
14
V
R1
143
故 R2max RW R1min 9.86 k 。
2．设集成运放为理想器件，证明图 2-3 所示的电路图为一个双积分电路。
图 2-3
解：设两电阻 R 中间节点为 A，电压为 ul，两电容 C 中间结点 B，电压为 u2。由理想运
放可得 uN＝uP＝0。
A
处电容上的电流为：
图 2-6 解：（1）S 合上，由电路得到 u-＝u+＝0，由电流电压关系列出方程 （2）S 断开，因为是理想运放，所以同相端和反相端没有电流流入或流出。得到 u+＝ u-＝vi 列出电流电压方程 （3）由（1）和（2）的结果可以直接列出方程
极，为使差动放大电路的参数保持对称，应使两个差分对管基极对地电阻尽量一致，因而有
电子技术基础-模拟部分(第五版)期末复习指南
电子技术基础复习指南模拟部分〔第五版〕一、绪论1.3模拟信号和数字信号区别:在时间和幅度上均是连续的信号称为模拟信号，在时间和幅度上不是连续的而是离散的，这种信号称为模拟信号〔数字信号较为稳定〕。
1.4放大电路模型四种增益(1)电压增益————i A υυυ=0 (2)电流增益————i i i A i =0 (3)互阻增益————i r i A =0υ (4)互导增益————ig A i υ=0 1.5放大电路的主要性能指标二、运算放大器2.1传输特性2.2理想运算放大器解题步骤(1)根据虚短 0=id v ⇒ N p v v =(2)根据虚断 0=id i ⇒ 未接反馈端电位(3)列电流方程〔接反馈〕(4)结果例题1：分析(1)根据虚短 N p v v =(2)根据虚断 0=idi ，又接地 0=N v (3)因 f i i i =有：30100R v R v i -=- (4)结果)(0i v f v =;例题2**、二输入运算放大电路（1）根据虚短 N p v v =（2）根据虚断 0=id i ，又接地 0=N v（3）因 f i i i i i =+21 有：402010021R v R v R v i i -=-+- （4）结果),(210i i v v f v=;例题3***、三输入运算放大电路（1）根据虚短 N p v v =（2）根据虚断 0=id i ，又接地 0=N v（3）因 f i i i i i i i =++321 有：402010021R v R v R v i i -=-+- （4）结果),(210i i v v f v=; 三、二极管及其基本电路3.半导体3.1.1 P 型半导体杂质离子:3价元素杂质〔硼〕，空穴数远大于自由电子数，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。
3.1.2 N 型半导体杂质离子:5价元素杂质〔磷，砷 等〕，自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
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第二章运算放大器2.1 集成电路运算放大器2。
1。
1答；通常由输入级,中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能.中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo很大,直线几乎成垂直直线.非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。
理想情况下输出电压+Vom=V+，-Vom=V-。
2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2。
1答：将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。
2。
输出电阻很小，接近零.3.运放的开环电压增益很大。
2.2。
2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。
2。
3 基本线性运放电路2.3。
1答：1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。
2。
由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。
由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。
虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零.2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi—Vf=Vp—Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值,Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo变小了,电压增益Av=Vo/Vi变小了。
由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。
由于虚地是由于一端接地,而且存在负反馈，所以才有Vp≈Vn=0。
2.3。
3答:同相放大电路:1。
存在虚短和虚断现象。
2。
增益Av=Vo/Vi=1+R2/R1,电压增益总是大于1，至少等于1. 3。
输入电阻接近无穷大,出电阻接近于零.反相放大电路：1.存在虚地现象。
2。
电压增益Av=Vo/Vi=—R2/R1，即输出电压与输入电压反相。
3。
输入电阻Ri=Vi /I1=R1.输出电压趋向无穷大。
电路的不同：1.参考P28和P32的两个图。
2。
根据上述各自的特征即可得出它们的区别。
2。
3。
4 参考书本图下面的分析和上述的特点区别。
2.3。
5 答：电路的电压增益约为1，在电路中常作为阻抗变化器或缓冲器。
2.4 同相输入和反反相输入放大电路的其他应用2。
4。
1各个图参考P34-P41,各个电路的输出电压和输入电压的关系参考图下的分析。
2。
4.2成炜：最后一道题不会做，你们房间把它算下吧。
谢了！（*^__^＊) 嘻嘻……第三章二极管3。
2。
1答：空间电荷区是由施主离子，受主离子构成的。
因为在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说耗尽了，因此有称耗尽区.扩散使空间电荷区加宽，电场加强，对多数载流子扩散的阻力增大，但使少数载流子的漂移增强；而漂移使空间电荷区变窄，电场减弱，又使扩散容易进行，故空间电荷区也称为势垒区。
3。
2。
2答：使PN结外加电压VF的正端接P区，负端接N区，外加电场与PN结内电场方向相反，此时PN 出于正向偏置.3。
2.3答：增加。
因为在外加反向电压产生的电场作用下，P区中的空穴和N区中的电子都将进一步离开PN 结，使耗尽区厚度增加。
3。
2.4答:只有在外加电压是才能显示出来。
3.2。
5答：P67页。
3。
3。
1答：P71页3。
3。
23。
3.4答:P71页3.3。
5答:P71页3。
4。
1答:P73页3。
4.2答：P74，76页3。
4。
3答：P83页第四章4.1.1 不可以，因为BJT有集电区、基区和发射区。
4。
1.2 不行.内部结构不同。
4。
1.3 必须保证发射结正偏,集电结反偏。
反偏，都正偏.4。
1。
4 发射区向基区扩散载流子,形成发射极电流IE。
IE=IEN+IEP，IC=ICN+ICBO4。
1。
5（p106)第一问没有找到；BJT输入电流Ic（或IE）正比于输入电流IE（或Ib）。
如果能控制输入电流，就能控制输出电流，所以常将BJT成称为电流控制器件。
第四章4.1。
1 不可以，因为BJT有集电区、基区和发射区.4.1。
2 不行。
内部结构不同。
4。
1.3 必须保证发射结正偏，集电结反偏. 反偏,都正偏。
4.1。
4 发射区向基区扩散载流子,形成发射极电流IE。
IE=IEN+IEP,IC=ICN+ICBO4.1。
5（p106)第一问没有找到;BJT输入电流Ic（或IE)正比于输入电流IE(或Ib）。
如果能控制输入电流，就能控制输出电流,所以常将BJT成称为电流控制器件。
4。
1。
6 (VCE=常熟) a=D IC / D IE(VCB=常熟）4。
1。
8 IC,IE，VCE4。
1.9 IC,IE b上升4.2。
1 微弱电信号放大，信号源,外加直流电源VCC4。
2.2（p119）4。
2.3（p117）4。
2。
4 不能IC，a上升4.3.1 P1204.3.2 P1234。
3。
3 改变Vcc的极性（自己判断是否正确）；截止失真4。
3.4 输入信号电压幅值比较小的条件下,P1284.3.5 找不到,个人理解：放大电路工作可看成是静态工作电路（即直流电路)和交流通路的叠加，所以看成是先将直流通路短路处理，作为交流的地电位.4.3.6 P130公式（4。
3.7B）P111公式(4。
1。
11A）不是4。
3.7 P126 P1324.4.1 电源电压的波动，元件参数的分散姓及元件的老化，环境温度4.4.2 基极分压式射极偏置电路(理由见P135)，含有双电源的射极偏置电路，含有恒流的射极偏置电路（理由见P139）4。
4。
3 不能（答案不确定)4。
4.4 不能，Ce对静态工作点没有影响,对动态工作情况会产生影响,即对电阻Re上的电流信号电压有旁路作用4.5。
1 有共射，共基和共集;判断方法P147,4。
5.34。
5.2 P147，4.5。
3的24.5.3 P141的4.5.1的2.动态分析4.5。
4 可以，根据式(4.4.1)—（4。
4。
4），可见静态电流Icq只与直流电压及电阻Re有关，以此温度变化时，Icq基本不变.4。
7.1书上155页第一段,这主要是由BJT的极间电容、耦合电容和旁路电容的开路和短路引起。
4.7.2 频带宽度BW是等于上限截止频率减去下限截止频率，数学表达式是：BW=f(H)-f(L）4.7。
3 低频时，1/wc不可忽略，所以射极旁路电容是低频响应的主要影响因素.高频是不会4.7。
4 直接耦合可以把原信号不作改变地放大，所以可以改善低频响应;共基极放大电路中不存在密勒电容效应，所以共基极放大电路具有比较好的高频响应特性.4.7。
54。
7.6书上176第五章5.1.1答：二氧化硅是绝缘体5。
1。
2答：P2375.1。
3答：P2375。
1.4答：P2075.2。
1答：P226 JFET 不能BJT不能P205耗尽型MOSFET 可以答案在P205画波浪线处5.3.4答：P237 a图为BJT5.3.5答：P237第六章6。
1.1 257页第1段5行起6。
1.2图6.1。
1 ，6.1。
2 ，6.1.3 微电流源微电流源6.1.3 259页最后一段6.2.1 263页6.2。
2 100微安，0, 100微伏,1000微伏6.2.3 Vo=AvdVid+AvcVic得出6。
2。
4 温度6。
2。
5 264页最后两；，ro越大，即电流源Io越接近理想情况，Avc1越小,说明他抑制共模信号的能力越强;ro 差模短路，共模2ro6。
2。
6 Kcmr=|Avd/Avc|，268页第一段,6。
2。
7 266页波浪线6.2。
8 课件33 、34页6。
2.9 275页中间段;276第一段;10的9次方；10的5到6次方6。
3.1 （P277）(1）当vi1—vi2=vid=0时,vo1=vo2=Vcc-（Io/2)Rc,电路处于静态工作状态，。
（2）Vid在0~±VT范围内，vo1、vo2与vid间呈线性关系,放大电路工作在放大区。
(3）vid在VT～4VT间和- VT～4VT间，vo1、vo2与vid间呈非线性。
电路工作在非线性区。
(4）vid〈- VT和vid〉+VT，曲线趋于平坦。
Vid的范围书上没说,只说了差分放大电路呈现良好的限幅特性，即范围很大。
6.3.2等于差分放大电路的差模电压增益Avd1=—1/2gmRc,Avd2=1/2gmRc6．4．1由源极耦合差分放大输入级，输入级偏置电流源，共源放大输出级构成。
作用:输入级：输入级差分放大输入信号.电流源：为差分放大输入级提供直流偏置。
输出级:放大输出信号6．4．2由输入级，偏置电路，中间级，输出级组成。
电流源作用:1)主偏置电路中的T11 和T10 组成微电流源电路,由Ic10 供给输入级中T3，T4 的偏置电流。
2）T8和T9组成镜像电流源,供给输入级T1，T2 的工作电流。
3）T12和T13构成双端输出的镜像电流源，一路供给中间级的偏置电流和作为它的有源负载，另一路供给输出级的偏置电流。
6．4．3输入级，电压放大级和输出级电路的基本形式分别是：差分式放大电路，共集电极电路和共射集放大电路，互补对称电路。
保护电路有:T15，T21，T22,T23，T24B6.5。
1答:在室温（25°C)及标准电源电压下，输入电压为零时，为了使集成运放的输出电压为零，在输入端加的补偿电压叫做失调电压Vio,其大小反映了运放制造中电路的对称程度和电位配合情况，其值愈大说明电路的对称程度愈差.输入偏置电流是指集成运放两个输入端静态电流的平均值，从使用角度来看，偏置电流愈小由于信号源内阻变化引起的输出电压变化也愈小，故它是重要的技术指标.输入失调电流是指Iio是指当输入电压为零时流入放大器两输入端的静态基极电流之差，Iio愈小愈好,它反映了输入级差分对管的不对称程度.6。
5。
2答：要求输入失调电压和输入失调电流都比较小，可采用调零电位器的方法减小输出端的误差电压.不能用外接人工调零电路的方法完全抵消.6。
5.3 (1）LM741等一般运放 (2)高输入电阻的运放.（3)输入失调电压Vio小的运放(4）失调电压电流小的运放6。
5.4转换速率的大小与许多因素有关，主要与运放所加的补偿电容、运放本身各级BJT的级间电容、以及放大电路提供的充电电流等因素有关，通常要求运放的SR大于信号变化斜率的绝对值.6.5。