和17mm的igbt功率模块平台――最
IGBT模块参数datasheet名称解释
(Gate-resistance)
RG
门极串联电阻值（标准值记载在交换时间测定条件中）
门极充电电量
(Gate charge capacity)
Qg
为了使IGBT开通，G—E间充电的电荷量
IGBT管、IGBT模块热特性（Thermal resist ance characteristics）：
VcE(sat)
在指定的VGE下，额定集电极电流流过时的VGE值（通常，VGE=15V，计算损耗时重要值）
静态特性
输入电容(Input capacitance)
Cies
C-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E间外加指定电压时G-E间的电容
输出电容(Output capacitance)
Coes
G-E间交流性短路状态下，G-E间和C-E间外加指定电压时C-E间的电容
动态特性
开通时间
(Turn-on time)
tOn
IGBT开通时，VGE上到0V后，VCE下降到最大值的10%时为止的时间
上升时间
(Raise time)
tr
IGBT开通时，从集电极电流上升到最大值的10%时开始，到VCE下降到最大值的10%为止的时间
tr(i)
IGBT开通时，从集电极电流上升到最大值的10%时开始，到达到90%为止的时间
门极一发射极间的电压(Gate-Emitter voltage)
VGES
在集电极一发射极间处于短路状态时，门极一发射极间能够外加的最大电压（通常±20V max.）
集电极电流(Collector current)
Ic
集电极的电极上容许的最大直流电流
Ic pulse
集电极的电极上容许的最大脉冲电流
IGBT基本参数详解
第一部分IGBT模块静态参数1，：集射极阻断电压在可使用的结温范围内，栅极和发射极短路状况下，集射极最高电压。
手册里一般为25℃下的数据，随着结温的降低，会逐渐降低。
由于模块内外部的杂散电感，IGBT在关断时最容易超过限值。
2，：最大允许功耗在25℃时，IGBT开关的最大允许功率损耗，即通过结到壳的热阻所允许的最大耗散功率。
其中，为结温，为环境温度。
二极管的最大功耗可以用同样的公式获得。
在这里，顺便解释下这几个热阻，结到壳的热阻抗，乘以发热量获得结与壳的温差；芯片热源到周围空气的总热阻抗，乘以发热量获得器件温升；芯片结与PCB间的热阻抗，乘以单板散热量获得与单板的温差。
3，集电极直流电流在可以使用的结温范围流集射极的最大直流电流。
根据最大耗散功率的定义，可以由最大耗散功率算出该值。
所以给出一个额定电流，必须给出对应的结和外壳的温度。
)4，可重复的集电极峰值电流规定的脉冲条件下，可重复的集电极峰值电流。
5，RBSOA，反偏安全工作区IGBT关断时的安全工作条件。
如果工作期间的最大结温不被超过，IGBT在规定的阻断电压下可以驱使两倍的额定电流。
6，短路电流短路时间不超过10us。
请注意，在双脉冲测试中，上管GE之间如果没有短路或负偏压，就很容易引起下管开通时，上管误导通，从而导致短路。
7，集射极导通饱和电压在额定电流条件下给出，Infineon的IGBT都具有正温度效应，适宜于并联。
随集电极电流增加而增加，随着增加而减小。
可用于计算导通损耗。
根据IGBT的传输特性，计算时，切线的点尽量靠近工作点。
对于SPWM方式，导通损耗由下式获得，M为调制因数；为输出峰值电流；为功率因数。
第二部分IGBT模块动态参数1，模块内部栅极电阻为了实现模块内部芯片的均流，模块内部集成了栅极电阻，该电阻值常被当成总的驱动电阻的一部分计算IGBT驱动器的峰值电流能力。
2，外部栅极电阻数据手册中往往给出的是最小推荐值，可以通过以下电路实现不同的和。
IGBT模块参数详解
IGBT模块参数详解一-IGBT静态参数•VCES：集电极-发射极阻断电压在可使用的结温围栅极-发射极短路状态下，允许的断态集电极-发射极最高电压。
手册里VCES是规定在25°C结温条件下，随着结温的降低VCES也会有所降低。
降低幅度与温度变化的关系可由下式近似描述：.模块及芯片级的VCES对应安全工作区由下图所示：文章来源：.igbt8./jc/19.htmlCollector-emitter voltage of the IGBT由于模块部杂散电感，模块主端子与辅助端子的电压差值为，由于部及外部杂散电感，VCES在IGBT关断的时候最容易被超过。
VCES在任何条件下都不允许超出，否则IGBT就有可能被击穿。
•Ptot：最大允许功耗在Tc=25°C条件下，每个IGBT开关的最大允许功率损耗，及通过结到壳的热阻所允许的最大耗散功率。
Ptot可由下面公式获得：。
Maximum rating for Ptot二极管所允许的最大功耗可由相同的方法计算获得。
•IC nom：集电极直流电流在可使用的结温围流过集电极-发射极的最大直流电流。
根据最大耗散功率的定义，可以由Ptot的公式计算最大允许集电极电流。
因而为了给出一个模块的额定电流，必须指定对应的结和外壳的温度，如下图所示。
请注意，没有规定温度条件下的额定电流是没有意义的。
Specified as data code: FF450R17ME3在上式中Ic及VCEsat Ic都是未知量，不过可以在一些迭代中获得。
考虑到器件的容差，为了计算集电极额定直流电流，可以用VCEsat的最大值计算。
计算结果一般会高于手册值，所有该参数的值均为整数。
该参数仅仅代表IGBT的直流行为，可作为选择IGBT的参考，但不能作为一个衡量标准。
•ICRM：可重复的集电极峰值电流最大允许的集电极峰值电流（Tj≤150°C），IGBT在短时间可以超过额定电流。
IGBT模块：技术、驱动和应用课件：机械安装指导
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环境影响
考虑了负载和直流母线端子固定点的安装结构
IGBT Modules– Technologies, Driver and Application
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环境影响 气体和液体：IP00
硫化氢腐蚀镀铜层，可能会导致开路或短路
IGBT Modules– Technologies, Driver and Application
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连接技术
导热硅脂的粘度对金属接触也有影响，应该选择中等粘度的导热硅脂
IGBT Modules– Technologies, Driver and Application
13
连接技术
直接冷却模块安装（Direct Cooled PinFin Base Plate）
IGBT Modules– Technologies, Driver and Application
2
简介
IGBT模块的外部连接和结构: PCB板、电缆、母线排和散热器等外部 组件的连接技术; 环境对模块的运行以及对储存和运输的影响。
IGBT Modules– Technologies, Driver and Application
3
连接技术
电气连接 在实际应用中，选择连接方法受到多方面的制约：
8
连接技术
散热器安装和导热硅脂
如果涂抹硅脂后，需要利用一种特殊的齿形抹刀垂直于涂 抹层，插到硅脂中，稍微停顿，这样浸湿牙齿的顶部和非湿 牙齿的底部之间的距离就是涂层的厚度
IGBT Modules– Technologies, Driver and Application
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连接技术
散热器安装和导热硅脂
14
连接技术
换流阀子模块IGBT短路测试系统分析与设计
换流阀子模块IGBT短路测试系统分析与设计欧阳有鹏;谢晔源;朱铭炼;姜田贵;付俊波【摘要】绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)是换流阀子模块的核心器件,研究其抗短路能力对于提高换流阀可靠性具有重要意义.根据模块化多电平换流阀的运行机理,设计了一种换流阀子模块IGBT短路试验回路与系统,进行了换流阀在稳态运行下IGBT短路故障试验,从而实现对IGBT的稳态应力和短路故障下的暂态应力综合考核.最后通过试验平台进行验证,结果表明所提试验回路和系统的正确性.【期刊名称】《江苏电机工程》【年(卷),期】2018(037)004【总页数】5页(P109-113)【关键词】统一潮流控制器;模块化多电平换流器;绝缘栅双极型晶体管;短路试验【作者】欧阳有鹏;谢晔源;朱铭炼;姜田贵;付俊波【作者单位】南京南瑞继保电气有限公司,江苏南京211102;南京南瑞继保电气有限公司,江苏南京211102;南京南瑞继保电气有限公司,江苏南京211102;南京南瑞继保电气有限公司,江苏南京211102;南京南瑞继保电气有限公司,江苏南京211102【正文语种】中文【中图分类】TM7110 引言统一潮流控制器(unified power flow controller，UPFC)作为目前功能最全面的柔性交流输电系统(FACTS)设备，在潮流控制上具有较大的优势。
既可以快速控制输电线路有功和无功潮流，提高线路输送能力，也可以提高系统电压稳定性，改善系统阻尼，提高功角稳定性[1-2]。
目前，国内外首套基于模块化多电平换流器(modular multilevel converter，MMC)技术的UPFC工程已经在南京西环网220 kV UPFC实现示范应用，为南京电网供电能力提升发挥了重要作用。
为了提高苏州南部500 kV电网供电能力、特高压直流功率消纳等问题，第一个500 kV 的苏南UPFC工程也在2017年12月19日成功投运[3-5]。
具有卓越性能与高可靠性的1700V X系列HVIGBT功率模块
43 《变频器世界》 July , 2019具有卓越性能与高可靠性的1700 V X系列HVIGBT功率模块简介机车牵引应用需要高品质和高效率的元件，尤其是变换器驱动部分必须采用具有高可靠性与高鲁棒性的开关器件。
一般情况下，母线电压低于1000V 的2电平应用系统以及母线电压高于1000V 的3电平应用系统会采用1700V IGBT 模块进行开发。
三菱电机着力于从以下3个方面来不断提高其IGBT 功率模块的品质：• 充分考虑模块安全工作区的裕量，采用高鲁棒性设计；• 采用最新功率芯片以降低模块整体功耗；• 采用专用生产线及可追溯性管理进行质量控制。
三菱电机从本世纪初就着力于开发机车牵引用三菱电机欧洲公司Eugen Wiesner, Dr. Nils Soltau三菱电机株式会社 Nobuhiko Tanaka1700V IGBT 模块，至今拥有多年研发经验与开发历史，并于2018年发布了为满足机车牵引应用的苛刻要求所开发的最新一代1700V IGBT 功率模块：X 系列HVIGBT 。
图1给出了三菱电机1700V IGBT 模块的发展历程，从图中可看出模块正向导通压降得到持续降低。
IGBT 正向导通压降减小有助于降低变换器整体功率损耗，三菱电机在各个产品系列的开发过程中不断实现IGBT 正向导通压降的降低，其中显著降低正向导通压降的措施是在2000年初采用了全新的沟槽栅结构[1]。
为了进一步降低正向压降，三菱电机对其IGBT芯片结构进行了优化并使芯片更薄。
全新1700V X 系列HVIGBT 模块采用了三菱电机最先进的第7代芯片技术，进一步降低IGBT 芯片的厚度，并对芯片背面（集图 1 1700 V IGBT 芯片正向导通压降优化进程44 THE WORLD OF INVERTERS细说产品Product Presentation电极侧）进行了多次优化。
1700V X 系列HVIGBT 目前共有3种封装形式，其中第1种与第2种分别是尺寸为190 mm ×140 mm 与130 mm ×140 mm 的传统封装，而第3种封装则是140 mm ×100 mm 的LV100全新标准双管封装。
IGBT模块型号参数大全
各品牌IGBT模块型号参数大全
一.IGBT模块
1.富士IGBT N系列(高速,低导通压降) P系列 S系列
2.EUPEC(西门子）IGBT 电流参数据库85C标称
DN2：标准系列
KE3：低导通压降系列
KS4：高速系列
DLC：低导通压降系列
PIM:三相桥+七单元+NTC GP系列 FP系列
大功率IGBT模块
CHOPPER=IGBT+二极管 GAL=IGBT+C接二级管 GAR=IGBT+E接二极管
3.三菱IGBT模块
H系列
H系列
A系列
NF系列
U系列
MDX系列
MD3:单相桥+六单元 MD1:三相桥+六单元 MD:三相桥+七单元
E3系列
4.SEMIKRON(西门康)IGBT
低损耗型(频率:0-4KHZ)
沟道式超低损耗型(频率0-6KHZ)
标准系列（频率：4-12KHZ）
软穿通式高速型（频率：5-20KHZ）
CHOPPER GAL=IGBT+C串二极管 GAR=IGBT+E串二极管
MiniSKiiP系列
SEMIX系列
SEMITOP系列
GAL=IGBT+C串二极管 GAR=IGBT+E串二极管
SKIM系列
超高速型(频率:30KHZ)
大功率集成装置(SEMISTACK)
5.IXYS(艾赛斯)IGBT
ID=IGBT+C串二极管 DI=IGBT+串二极管
6.APT IGBT
7.DYNEX IGBT
8.ABB IGCT
模块的基本参数，IGBT模块中文资料参数.。
igbt模块工作原理
igbt模块工作原理
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块是一种高压、高
电流功率开关器件，常用于驱动大功率电机和电力电子系统。
其工作原理如下：
1. IGBT 模块由一个 IGBT 和一个免费轴二极管组成。
IGBT 的构成类似于 MOSFET 和 BJT 的结合体，结合了两者的优点。
具有 MOSFET 的高输入阻抗和低驱动功率特点，和 BJT 的高
电流驱动特点。
2. IGBT 模块的输入端由一个金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和一个二极管组成。
MOSFET 控制 IGBT 的导通和截断，当 MOSFET 导通时，IGBT 会进入导通状态。
当MOSFET 截断时，IGBT 将会处于截断状态。
3. IGBT 的输出端连接在大功率电路中，用于控制电流的流动。
当 IGBT 导通时，电流可以通过 IGBT 模块。
当 IGBT 截断时，电流将被阻止通过。
4. IGBT 模块的驱动电路需要一个适当的电源，以提供所需的
电流和电压来控制 IGBT 的导通和截断。
驱动电路通常由电路
电源、电流放大器和电位差源组成。
5. IGBT 模块具有快速开关速度、高耐压能力和较低的导通电阻。
在开关过程中，当驱动信号施加在 MOSFET 上时，开关
时间短，使得 IGBT 在导通和截断过程中的功耗降低。
综上所述，IGBT 模块通过 MOSFET 控制 IGBT 的导通和截断
状态，实现电流的开关控制，适用于高压、高电流的功率应用。
IGBT单管及IGBT模块的区别在哪？
IGBT单管及IGBT模块的区别在哪?目录1.IGBT概念 (1)2.IGBT单管及IGBT模块的区别 (2)3.IGBT单管、IGBT模块、IPM模块他们各自的区别 (3)11GBT概念绝缘栅双极晶体管(InSUIate-GateBipo1arTransistor—IGBT)综合了电力晶体管(GiantTranSiStOr-GTR)和电力场效应晶体管(PoWerMOSFET)的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。
绝缘栅双极晶体管(InSUIate-GateBipo1arTransistor—IGBT)综合了电力晶体管(GiantTranSiStOr—GTR)和电力场效应晶体管(PoWerMoSFET)的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。
IGBT(Insu1atedGateBipo1arTransistor]⅛MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。
IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流IOA以上、频率为IkHZ以上的区域。
多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器(逆变器)、照相机的频闪观测器、感应加热(IndUCtionHeating)电饭锅等领域。
根据封装的不同，IGBT大致分为两种类型，一种是模压树脂密封的三端单体封装型,从TO—3P到小型表面贴装都已形成系列。
另一种是把IGBT与FWD(F1eeWheeIDiode)成对地(2或6组)封装起来的模块型，主要应用在工业上。
模块的类型根据用途的不同，分为多种形状及封装方式，都已形成系列化。
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。
MOSFET由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(On)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
IGBT基本参数详解解读
IGBT基本参数详解解读第一部分 IGBT模块静态参数1,,集射极阻断电压在可使用的结温范围内,栅极和发射极短路状况下,集射极最高电压。
手册里一般为25?下的数据,随着结温的降低,会逐渐降低。
由于模块内外部的杂散电感,IGBT在关断时最容易超过限值。
2,,最大允许功耗在25?时,IGBT开关的最大允许功率损耗,即通过结到壳的热阻所允许的最大耗散功率。
其中,为结温,为环境温度。
二极管的最大功耗可以用同样的公式获得。
在这里,顺便解释下这几个热阻,结到壳的热阻抗,乘以发热量获得结与壳的温差,芯片热源到周围空气的总热阻抗,乘以发热量获得器件温升,芯片结与PCB间的热阻抗,乘以单板散热量获得与单板的温差。
3,集电极直流电流在可以使用的结温范围流集射极的最大直流电流。
根据最大耗散功率的定义,可以由最大耗散功率算出该值。
所以给出一个额定电流,必须给出对应的结和外壳的温度。
)4,可重复的集电极峰值电流规定的脉冲条件下,可重复的集电极峰值电流。
5,RBSOA,反偏安全工作区IGBT关断时的安全工作条件。
如果工作期间的最大结温不被超过,IGBT在规定的阻断电压下可以驱使两倍的额定电流。
6, 短路电流短路时间不超过10us。
请注意,在双脉冲测试中,上管GE之间如果没有短路或负偏压,就很容易引起下管开通时,上管误导通,从而导致短路。
7, 集射极导通饱和电压在额定电流条件下给出,Infineon的IGBT都具有正温度效应,适宜于并联。
随集电极电流增加而增加,随着增加而减小。
可用于计算导通损耗。
根据IGBT的传输特性,计算时,切线的点尽量靠近工作点。
对于SPWM方式,导通损耗由下式获得,M为调制因数,为输出峰值电流,为功率因数。
第二部分 IGBT模块动态参数1,模块内部栅极电阻为了实现模块内部芯片的均流,模块内部集成了栅极电阻,该电阻值常被当成总的驱动电阻的一部分计算IGBT驱动器的峰值电流能力。
2,外部栅极电阻数据手册中往往给出的是最小推荐值,可以通过以下电路实现不同的和。