尖峰电压测试方法
IGBT双脉冲测试方法详解
IGBT双脉冲测试方法详解IGBT双脉冲测试方法的意义：1.对比不同的IGBT的参数；2.评估IGBT驱动板的功能和性能；3.获取IGBT在开通、关断过程的主要参数，以评估Rgon及Rgoff的数值是否合适。
通常我们对某款IGBT的认识主要是通过阅读相应的datasheet，但实际上，数据手册中所描述的参数是基于一些已经给定的外部参数测试得来的，而实际应用中的外部参数都是个性化的，往往会有所不同，因此这些参数有些是不能直接拿来使用的。
我们需要了解IGBT 在具体应用中更真实的表现；4.开通、关断过程是否有不合适的震荡；5 评估二极管的反向恢复行为和安全裕量；6.IGBT关断时的电压尖峰是否合适，关断之后是否存在不合适的震荡；7.评估IGBT并联的均流特性；8.测量母排的杂散电感；要观测这些参数，最有效的方法就是：“双脉冲测试方法”！双脉冲测试平台的电路双脉冲测试的基本实验波形双脉冲实验的基本原理（1）：在t0时刻，门极放出第一个脉冲，被测IGBT 饱和导通，电动势U加在负载L上，电感的电流线性上升，电流表达式为：t1时刻，电感电流的数值由U和L决定，在U和L都确定时，电流的数值由t1决定，时间越长，电流越大。
因此可以自主设定电流的数值。
双脉冲实验的基本原理（2）：IGBT关断，负载的电流L的电流由上管二极管续流，该电流缓慢衰减，如图虚线所示。
由于电流探头放在下管的发射极处，因此，在二极管续流时，IGBT关断，示波器上是看不见该电流的。
双脉冲实验的基本原理（3）：在t2时刻，第二个脉冲的上升沿到达，被测IGBT 再次导通，续流二极管进入反向恢复，反向恢复电流会穿过IGBT ，在电流探头上能捕捉到这个电流，如下图所示。
在该时刻，重点是观察IGBT 的开通过程。
反向恢复电流是重要的监控对象，该电流的形态直接影响到换流过程的许多重要指标。
双脉冲实验的基本原理（4）：在t3时刻，被测IGBT 再次关断，此时电流较大，因为母线杂散电感Ls的存在，会产生一定的电压尖峰。
尖峰电压吸收电路
尖峰电压吸收电路尖峰电压吸收电路是一种用于保护电气设备的电路，它可以有效地吸收电路中的尖峰电压，避免对设备的损坏。
本文将从尖峰电压的产生原因、尖峰电压吸收电路的工作原理和常见的尖峰电压吸收电路的应用等方面进行介绍。
尖峰电压是电路中突然出现的高电压脉冲信号，通常是由电气设备的开关操作、电源干扰或雷电等外界因素引起的。
这些尖峰电压会对电路中的元器件和设备产生损坏甚至破坏的影响。
为了保护设备的正常运行，尖峰电压吸收电路应运而生。
尖峰电压吸收电路的工作原理是通过引入吸收元件，将尖峰电压导向地，从而减小对设备的影响。
常见的吸收元件有二极管、金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，简称MOSFET）和气体放电管（Gas Discharge Tube，简称GDT）等。
这些吸收元件在电路中起到一个开关的作用，当电路中出现尖峰电压时，吸收元件会迅速导通，将尖峰电压引向地，从而保护设备不受损坏。
尖峰电压吸收电路的应用十分广泛。
在家庭电器中，常见的电视、冰箱、洗衣机等设备都会使用尖峰电压吸收电路，以保护设备的正常运行。
在工业领域，尖峰电压吸收电路也被广泛应用于电力系统、通信设备以及工厂自动化等领域，以保护设备的安全运行。
除了常见的吸收元件外，尖峰电压吸收电路还可以根据不同的需求进行设计。
例如，可以通过串联多个吸收元件来增强电路的吸收能力；还可以通过添加电阻、电感等元件来对尖峰电压进行滤波和调节。
此外，尖峰电压吸收电路还可以与其他保护电路结合使用，如过流保护电路、过压保护电路等，以提高整个电路的安全性和稳定性。
尖峰电压吸收电路的设计和应用需要考虑多个因素。
首先，需要了解电路中可能出现的尖峰电压的幅值和频率，以选择合适的吸收元件。
其次，需要根据设备的特性和工作环境来确定吸收电路的参数和布局。
最后，还需要进行严格的测试和验证，确保吸收电路能够正常工作，并有效地保护设备。
高频逆变器尖峰的解决方法及处理流程
高频逆变器尖峰的解决方法及处理流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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rc 尖峰脉冲吸收电路
rc 尖峰脉冲吸收电路
RC尖峰脉冲吸收电路是一种用于吸收开关或电感器在断开或接通时产生的尖峰电压和脉冲电流的电路。
这种电路主要由一个电阻（R）和一个电容（C）串联组成，然后并联在需要保护的开关或电感器两端。
当开关断开或接通时，由于电感器的电流不能突变，会在电感器两端产生尖峰电压。
这个尖峰电压可能会对开关或其他电路元件造成损坏。
此时，RC吸收电路中的电容会起到缓冲作用，吸收尖峰电压的能量，并通过电阻将能量转化为热能消耗掉。
具体来说，当开关断开时，电感器中的能量会通过开关的寄生电容充电，导致开关电压上升。
当电压上升到吸收电容的电压时，吸收二极管导通，从而将开关电压钳位在一个较低的水平（约为1V左右）。
同时，电感器中蓄积的能量也对吸收电容充电，进一步吸收尖峰电压的能量。
在开关接通时，吸收电容会通过开关放电，此时放电电流会被吸收电阻所限制，从而防止电流过大对电路造成损坏。
需要注意的是，RC吸收电路的吸收能力是有限的，只能吸收一定范围内的尖峰电压和脉冲电流。
因此，在设计电路时需要根据实际情况选择合适的电阻和电容值，并进行充分的测试和调试，以确保电路的稳定性和可靠性。
此外，在不同的应用场景中，可能需要使用不同类型的尖峰吸收电路。
例如，在正激开关电源中，一般使用RC尖峰吸收电路来吸收主绕组上产生的尖峰电压；而在反激式开关电源中，可能需要使用RCD吸收电路来同时吸收电压和电流尖峰。
因此，在选择尖峰吸收电路时需要根据具体的应用场景和需求进行综合考虑。
rcd尖峰吸收电路设计详解
rcd尖峰吸收电路设计详解RCD尖峰吸收电路是一种常用的电路保护装置，用于保护电气设备免受过电压冲击和尖峰电流的损害。
该电路设计的目的是通过引导电流和吸收过电压，从而保护设备的电子元件和电路板。
RCD尖峰吸收电路的设计主要包括以下几个方面：1. 尖峰电压分析：在设计RCD尖峰吸收电路之前，需要先对尖峰电压进行分析和测量。
通过对系统中的电压波形进行观察和测量，可以了解到尖峰电压的振幅和频率等参数。
这些参数将直接影响到后续电路设计的选择和配置。
2. 选择合适的元件：基于尖峰电压的分析结果，需要选择合适的电感、电容和电阻等元件来构建RCD尖峰吸收电路。
电感主要用于限制尖峰电流的上升速度，电容则用于吸收和储存电能，电阻用于限制电流的流动。
在选择元件时，需要考虑电路的额定电压和电流等参数，以确保电路的可靠性和稳定性。
3. 电路连接和布局：在将各个元件连接到一起时，需要注意电路的连接方式和布局。
保证电路中的电阻、电感和电容正确连接，并避免产生不必要的干扰和信号损失。
此外，还需要注意电路的地线和屏蔽，以减少噪音和干扰的影响。
4. 测试和验证：完成电路布局和连接后，需要对电路进行测试和验证。
通过使用测试设备和测量仪器，可以测试电路的吸收能力和稳定性。
这些测试结果将帮助我们了解电路的工作状态和性能，进一步优化和改进设计。
除了上述具体的设计步骤，还可以参考一些相关的书籍和资料，提供更多关于RCD尖峰吸收电路设计的详细信息。
例如：1. 《电气保护技术手册》（作者：李晓军）：本书从基础理论到实际应用，详细介绍了各种电气保护装置的设计和使用方法，包括RCD尖峰吸收电路的设计原理和实践。
2. 《电机与电气设备保护手册》（作者：王智）：本书系统介绍了电机和电气设备的保护原理和方法，包括尖峰吸收电路的设计和应用，具有一定的实用性和指导意义。
3. 《电磁兼容与射频电路设计》（作者：陈一平）：本书详细讲解了电磁兼容和射频电路设计的基本原理和方法，包括尖峰吸收电路在电磁兼容设计中的应用。
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富士450A IGBT模块测试结果
测试项目：
1.大电流时，关断的尖峰电压波形Vcep。
2.短路状态下，关断尖峰电压Vcep，以及短路保护反应时间。
3.不同吸收电容，关断尖峰差异对比。
一、8月15日，英飞凌450A模块测试结果。
1.大电流下关断尖峰电测试。
测试条件：Vce=540V,下管用线圈短路。
CH1：Vge; CH2:Vce; CH3:Ic;
双脉冲设置：T1=14us,T2=6us,T3=14us,Ic=488A时，关断尖峰电压Vcep=948V
双脉冲设置：T1=14us,T2=6us,T3=32us,Ic=798A时，关断尖峰电压Vcep=1010V
2.英飞凌模块短路测试结果。
测试条件：Vce=540V, 下管用1m长导线短路起来。
CH1：Vge; CH2:Vce;
CH3:Ic; CH4:Vge(信号源)。
短路时，关断尖峰电压Vcep=928V，从测试结果看，英飞凌短路测试短路电流Isc=1590A，基本为3.6倍的额定电流Ic.
二、8月16日，富士450A模块测试结果。
2.大电流下关断尖峰电测试。
测试条件：Vce=540V,下管用线圈短路。
CH1：Vge; CH2:Vce; CH3:Ic。
双脉冲设置：T1=14us,T2=6us,T3=14us,Ic=523A时，关断尖峰电压Vcep=719V,
ΔVcep=179V
双脉冲设置：T1=14us,T2=6us,T3=28us, Ic=767A时，关断尖峰电压Vcep=731V，ΔVcep=187V。
3.富士450A模块短路测试结果。
测试条件：Vce=540V, 下管用1m长导线短路起来。
CH1：Vge; CH2:Vce;
CH3:Ic; CH4:Vge(信号源)。
富士模块短路时，短路电流为Isc=2000A, 基本为4.5倍的额定电流Ic。
短路时关断尖峰电压为756V，ΔVcep=210V。
短路时产生的
ΔVcep=210V
富士IGBT关断尖峰电压的软关特性4.不同吸收电容，关断尖峰差异对比。
从对比结果可以看出，在相同条件下测试，采用0.47uF 富士佳提供的电容ΔVcep=187V, 采用客户自己的吸收电容ΔVcep=237V. 关断尖峰电压减少了50V。
富世佳提供的电容型号如下：
结论：
1.死区时间测试结果（没有改任何驱动电阻值）。
以上数据说明，模块的死区时间是足以保证的。
我们推荐，开通时间和关断时间在500ns~1us是比较合适的。
2.大电流下测试结果。
大电流下测试，富士的IGBT产生的ΔVcep大概为200V，所以，客户在实际使用时非常安全的。
3.短路测试结果。
4.采用富世佳提供的吸收电容，可以关断尖峰电压降低50V。