模电第4章习题解答 哈工大

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
6 4 2 iD / mA 0 1 Q 2 3 Q 4
(b) 图 4-10 题 4-10 转移特性曲线
uGS / V
iD / mA 6 4 2
U DS 10V
U DS 10V
(a)
4
2 1 0
uGS / V
解: (a)P 沟道增强型 MOSFET 管,开启电压 UGS(th )=-2V, IDO = -1mA。 在工作点(UGS=-5V, ID =-2mA)处,见图 4-10(a)。 gm=
2 I DO I D 1.4mS U GS(th)
(b)N 沟道耗尽型 MOSFET ,夹断电压 U GS(off) 4V , I DSS 4mA 。 在工作点(UGS=-2V, ID =1mA)处,见图 4-10(b)。
gm=
2 I DSS I D =1 mS U GS(off)
I U
图 4-13
R
UD
题 4-13 电路图
解: 该电路利用二极管正向压降具有负温度系数的特性,可用于温度的测量,其温度系数 -2mV/℃。20℃时二极管的正向电压降 UD =660mV,50℃时二极管的正向电压降 UD =660-2(50-20)=600 mV 因为二极管的正向电压降 UD 是温度和正向电流的函数, 所以应使用电流源以稳定电流, 使二极管的正向电压降 UD 仅仅是温度一个变量的函数。
第 4 章 半导体二极管和晶体管 习题解答
【4-1】 填空: 1.本征半导体是 ,其载流子是 和 。两 种载流子的浓度 。 2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ,而少数载流子 的浓度则与 有很大关系。 3.漂移电流是 在 作用下形成的。 4.二极管的最主要特征是 ,与此有关的两个主要参数是 和 。 5 .稳压管是利用了二极管的 特征,而制造的特殊二极管。它工作 在 。 描 述 稳 压 管 的 主 要 参 数 有 四 个 , 它 们 分 别 是 、 、 、和 。 6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将 。 7.双极型晶体管可以分成 和 两种类型,它们工作时有 和 两种载流子参与导电。 8. 场效应管从结构上分成 和 两种类型, 它的导电过程仅仅 取决于 载流子的流动;因而它又称作 器件。 9.场效应管属于 控制型器件,而双极型晶体管是 控制 型器件。 10.当温度升高时,双极性晶体管的β将 ,反向饱和电流 ICEO 将 , 正向结压降 UBE 将 。 11.用万用表判断电路中某个晶体管的工作状态时,测出 最为方便。 12.晶体管工作有三个区域,在放大区时,应保证 和 ; 在饱和区,应保证 和 ;在截止区,应保证 和 。 13 .当温度 升高时 ,晶体管 的共射 输入特 性曲线将 ,输出特性曲线 将 ,而且输出特性曲线之间的间隔将 。 解: 1. 化学成分纯净的半导体,自由电子,空穴,相等。 2. 杂质浓度,温度。 3. 少数载流子,(内)电场。 4. 单向导电性,正向导通压降 UF 和反向饱和电流 IS。 5. 反向击穿特性曲线陡直,反向击穿区,稳定电压(UZ) ,稳定电流(IZmin ) ,最大管耗 (P Zmax) ,动态电阻(rZ) 。 6. 增大。 7. NPN,PNP,自由电子,空穴。 8. 结型,绝缘栅型,多子,单极型。 9. 电压,电流。 10. 变大,变大,变小。 11. 各管脚对地电压。 12. 发射结正偏,集电结反偏;发射结正偏,集电结正偏;发射结反偏,集电结反偏。 13. 左移,上移,增大。
-6
-2.3
-2
解: 晶体管Ⅰ为 NPN 型硅管,1、2、3 管脚依次是 b、e、c ; 晶体管Ⅱ为 PNP 型锗管,1、2、3 管脚依次是 c 、b、e。 【4-7】 如何用指针式万用表判断出一个晶体管是 NPN 型还是 PNP 型?如何判断出管子 的三个管脚?锗管、硅管又如何通过实验区别出来? 解: (1) 先确定基极:万用表调至电阻欧姆×100或×1k挡,随意指定一个管脚为基极,把 任一个表笔固定与之连接, 用另一表笔先后测出剩下两个电极的电阻, 若两次测得电阻都很 大(或很小)。把表笔调换一下再测一次,若测得电阻都很小(或很大),则假定的管脚是 基极。若基极接红表笔时两次测得的电阻都很大,为NPN型,反之为PNP型。 (2) 判断集电极:在确定了基极和晶体管的类型之后,可用电流放大倍数β的大小来确 定集电极和发射极。现以NPN型晶体管为例说明判断的方法。 先把万用表的黑笔与假定的集电极接在一起, 并用一只手的中指和大拇指捏住, 红表笔 与假定的发射极接在一起, 再用捏集电极的手的食指接触基极。 这相当通过人手皮肤的电阻 给基极加电流。记下表针偏转的角度,然后两只管脚对调再测一次。这两次测量中,表针偏 转角度大的一次所假设的晶体管电极是对的。 因为集电区掺杂浓度低, 现在集电极变成发射 极,当然 要降低,表针偏转角度小。 【4-8】在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如题图 4-8 所示,试确定晶体管各电极 的名称;说明它是 NPN 型,还是 PNP 型;计算晶体 1 管的共射电流放大系数。
【4-11】用万用表直流电压挡测得电路中场效应管各极对地电压如题图 4-11 所示,试判 断各场效应管分别处于哪种工作状态(可变电阻区、恒流区、截止区)?
10V 15V 2V 0V
(c) UGS(off)=-4V
1V 2V
8V
3.5V
0V
(a) UGS(th)=2V
3V 1V
(b) UGS(th)=-2V
VD4
u1
u2
VD3
VD 1 i O
VD2
uO
RL
图 4-12
题 4-12 电路图
解: 当 u2 >0 时,VD1 、VD3 导通,VD2 、VD4 截止,uO 为正;当 u2 <0 时, VD2 、VD4 导通, VD1 、VD3 截止,uO 仍为正。实现桥式整流,波形如解图 4-12 所示。
u2 O 2 π 3π
3V
+6V
12V 18V
12.3V
6 V
+5.6V 5.3V 9.3V 8.5V
0.1V
0.2V
图 4-9
题 4-9 晶体管对地电压
解: 晶体管从左到右,工作状态依次为放大、饱和、截止、放大。 【4-10】两个场效应管的转移特性曲线分别如题图 4-10(a)和(b)所示,分别确定这两个场 效应管的类型,并求其主要参数(开启电压或夹断电压,低频跨导) 。测试时电流 iD 的参考 方向为从漏极 D 到源极 S。
0V
(d) UGS(off)=-4V
图 4-11
题 4-11 晶体管各电极对地电压
解:
(a)恒流区,N 沟道增强型; (b)夹断区; (c )可变电阻区; (d)恒流区。 【4-12】试分析题图 4-12 所示电路的工作情况,图中二极管为理想,u2 =10sin100t V。 要求画出 uO 的波形图,求输出电压的平均值 UO(AV)。
I1 1.2mA
解: ①-c ,②-b,③-e ;PNP 型 ;
2

1.2mA 40 0.03mA
I 3 1.23mA

3
I 2 0.03mA
图 4-8
题 4-8 晶体管电极电流图
【4-9】 用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各极对地电压如题图 4-9 所示, 试判断晶 体管分别处于哪种工作状态(饱和、截止、放大)?
I DB 0, I DA I R
6V 0.6mA 10k
U Y I R R 5.4V
(3) VDA 、 VDB 均导通
IR
5V 0.526mA 9.5k
I DA I DB
IR 0.263mA 2
U Y I R R 4.74V
【4-4】设硅稳压管 VD z1 和 VDz2 的稳定电压分别为 5V 和 10V,正向压降均为 0.7V。求 题图 4-4 中各电路的输出电压 UO 。
1k 25V VDZ1 VDZ2
( a)
1k VDZ1 UO 25V VDZ2
(b)
UO
1k
1k
25V
VDZ1 VDZ2
( c)
UO
25V
VDZ1 VDZ2
(d)
UO
图 4-4
题 4-4 电路图
解: 图(a)15V;
图(b)1.4V;
图(c)5V;
图(d)0.7V。
【4-5】有两个稳压管 VDZ1 和 VD Z2 ,其稳定电压值分别为 5.5V 和 8.5V,正向压降都是 0.5V。如果要得到 3V 的稳定电压,应如何连接? 解: 连接方法如解图 4-5 所示。
【4-2】在题图 4-2 的各电路图中,U=5V,ui =10 sin t V,二极管 VD 视为理想二极管, 试分别画出输出电压 uo 的波形。
R VD VD U
(a) 图 4-2 题 4-2 电路图
ui
uo
ui
R U
(b)
uo
解: 波形如解图 4-2(a) ( b)
u i /V
10
u i /V
10V

π
ωt
uO O
解图 4-12
ωt
U O(AV)
1 10sin td(t ) 6.37V π 0
π
【4-13】分析题图 4-13 所示电路的工作情况,图中 I 为电流源,I=2mA。设 20℃时二极 管的正向电压降 UD =660mV,求在 50℃时二极管的正向电压降。该电路有何用途?电路中 为什么要使用电流源?
1k VDZ1 UI VDZ2 R UO
解图 4-5
【4-6】 有两个晶体管分别接在电路中,已知它们均工作在放大区,测得各管脚的对地电 压分别如下表所示。试判别管子的三个电极,并说明是硅管还是锗管?是 NPN 型还是 PNP 型?
管脚号 电压/V 晶体管Ⅰ 1 4 2 3.4 3 9 管脚 电压/V 晶体管Ⅱ 1 2 3
UA UB
IDA
1k 1k
VDA
IDB
VDB
UY R 9k IR
解图 4-3
题 4-3 电路图
解: (1) VDA 导通, VDB 截止
I DB 0,
I DA I R
10V 1mA (1 9)k
U Y I R R 9V
(2) VDA 导通, VDB 截止
10
O
t
O
t
uo /V
u o /V
5
Oபைடு நூலகம்
5
t
O
t
(a) 解图 4-2
(b)
【4-3】 在题图 4-3 中,试求下列几种情况下输出端对地的电压 UY 及各元件中通过的电 流。 (1)UA =10V, UB=0V; ( 2)UA =6V,U B=5V; (3 )UA =UB=5V。设二极管为理想二极 管。
相关文档
最新文档