制药分离工程期末考试

《制药分离工程》课程思考题

姓名专业年级学号得分

*答题必须做在答题纸上，做在试卷上无效。

一、填空题（每空1分，计20分）

1、制药过程包括和两个阶段。

2、中药材中所含的成分十分复杂，概括为、、、。

3、超临界萃取（填：适用/不适用）于分离热敏性物质。

4、超声协助浸取的三大理论依据是、、。

5、破乳的原理主要是破坏和。

6、人们最感兴趣的超临界萃取操作区，大致在对比压力为对比温度为。

7、树脂的交联度越大，在水中树脂（填：容易/不容易）溶胀。

8、用精馏法除去乙醇中的水分，共沸精馏可选用的夹带剂为、萃取精馏选用的溶剂为。

9、晶形指晶体宏观形状，他受到结晶条件如：、的影响较大。

10、蒸馏技术是利用液体混合物各组分的不同实现分离的技术。

1

A.

C.

2A-B混合物，选用

图

3

4、在超滤过程中，主要的推动力是（）

A.浓度差

B.电势差

C.压力

D.重力

5、下列关于吸附剂的说法，不正确的是（）

A.分子筛可作为吸附剂

B.多孔性的固体

C.

6、描述吸附平衡的Langmuir

A.吸附一旦达到饱和，则无法进行吸附。

B.

身浓度无关。

7、软化水工艺中，除去水中的Ca+、Mg2+使用的离子树脂类型是（）

A.强酸性阳离子型

B.弱酸性阳离子型

C.强碱性阴离子型

D.弱碱性阴离子型。

8、大多数情况下，交联度增大，离子交换时的离子亲和力（）

A.增加

B.降低

C.不变

D.无法判断

9、下列物质那种不适合做超临界流体（）

A.水

B.二氧化碳

C.庚酸

D.乙醇

10、温度（），有利于减少浓差极化现象。

A.升高

B.降低

C.没有影响

D.恒温

11、间歇精馏生产时，回流比应该（）

A.始终维持不变

B.逐步增大

C.逐步减小

D.根据出馏分的情况适当增大或减小

12、萃取是利用原料中组分在溶剂中的差异而进行的一种分离操作。

A.溶解度

B.分配系数

C.挥发度

D.压力

13、含有浸出物质25%的药材100kg，第一级溶剂加入量与药材量之比为5:1，求浸取一次后药材中所剩余的可浸出物质的量为，设药材中所剩余的溶液量等于其本身的重量。

A.5kg

B.1kg

C.2.5kg

D.0.08kg

14、在上题中,药材浸取一次后，浸出率为。

A.80%

B.50%

C.40%

D.90%

15、要提取当归中的挥发油组分，不可以采取的提取方法是。

A.超临界CO2萃取

B.水蒸气蒸馏

C.微波协助浸取

D.分子蒸馏

16、下列有关超临界流体的说法不正确的是。

A.超临界流体的密度接近于气体。

B.超临界流体的粘度与液体接近。

C.超临界流体的扩散系数比气体大。

D.由于超临界萃取在临界点附近操作，因而有利于传热和节能。

17、在三角形相图中，三角形内的任一点M表示。

A.三组分混合物

B.两组分混合物

C.单一组分

D.无法确定

18、在图3所示的三角相图中，下列说法正确的是。

图3

A.E点表示A-B混合物中B占0.3

B.E点表示A-B混合物中B占0.7

C.G点表示B-S混合物中B占0.3

D.M点表示A-B-S三元混合物中B占0.3

19

A.

D.间歇精馏不是利用液体物质在一定条件下的

20

A.

C.

21

A.

D.

22

A.加入的溶剂沸点应该尽量与产物沸点接近。

B.加入的溶剂沸点应该尽量与产物沸点有明显差别。

C.应该一次性从塔釜加入全部的溶剂。

D.

23

A.结晶

B.离子交换

C.吸附

D.膜分离

24、关于结晶下列说法不正确的是（）

A.过饱和度是结晶推动力。

B.介稳区内，溶液不会自发产生晶核。

C.冷却结晶时，冷却速度太快，不有利结晶分离生产。

D.根据蒸发结晶和冷却结晶的基本原理，在生产中常可以互换。

25、下列关于离子交换错误的是（）

A.弱酸性树脂，常用来分离强碱性产物。

B.强酸性树脂，常用来分离弱碱性产物。

C.强碱性树脂，常用来分离强酸性产物。

D.在不影响交换容量的前提下，可尽量提高交联度。

三、判断题（每题1分，计15分，对的填A,错的填B）

1、微波和声波一样，是一种机械波。（）

2、在中药的多级逆流浸取过程中，浸取效果只与浸取级数有关，而与浸取的溶剂量无关。（）

3、在三角形相图中，联结线的斜率越大，表明萃取分离的效果越好。（）

4、道南理论把树脂与外部溶液间的界面假设看做为某种半透膜。（）

5、药材粒度的粗细，对浸出的速度和量均有极大关系，因此，为了提高浸取效果，药材粉碎得越细越好。（）

6、多级逆流萃取是指多个单级萃取串联，原料一次性加入第一级萃取器内，萃取相收集，萃余相进入下一级继