模拟电路实验——三极管放大电路
模拟电路讲课+说课

均加反偏。
重点讨论BJT的放大模式,以NPN型为例,讨论结果对PNP型 同样适用,只是所需电压极性相反,产生的电流方向相反。
(2)内部条件:
①发射结为不对称结:e区掺杂浓度远大于b区;
②基区宽度很小;
③集电结面积大于发射结面积(约3~5倍)。
目的: 使E区多子自由电子通过发射结注入、基区扩散(复合)和集电区 收集(通过C结漂移)三个环节将IEN 转化为ICN ,大小仅受E结电压控 制。
许猛华电信1302教学对象主导教材高等教育出版社出版康华光主编电子技术基础模拟部分辅助教材电子线路线性部分第四版高教出版社模拟电子技术基础教学章节第三章三极管及其放大电路放大电路的频率响应二教学对象电气信息类专业大学二年级学生教法教什么直观教学法模像直观三极管实物三教法学法学法学什么实践与理论相结合四教学过程课后学生学习的反馈学生的课堂反应备课
BJT是由两个PN结背对背排列组成的。
实物图像
半导体三极管的型号
3DG110B
用字母表示同一型号中的不同规格 用数字表示同种器件型号的序号
用字母表示器件的种类
用字母表示材料
第二位:A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位:X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管
ENIM
( 2) 共射极
(3共集电极
四、BJT的主要参数
(1)
(2)
(3)
电流 放大系数
极间 反向电流
极限参数
成功需要有一颗探索科学的心
THANK YOU
一、BJT内部的载流子传输过程
1. 因为发射结正偏,所以发射区 向基区注入电子 ,形成了扩散电 流IEN 。同时从基区向发射区也有 空穴的扩散运动,形成的电流为 IEP。但其数量小,可忽略。 所以 发射极电流I E ≈ I EN 。 2. 发射区的电子注入基区后,变成 了少数载流子。少部分遇到的空 穴复合掉,形成 IBN 。所以基极电 流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区 的边缘。
模拟电路实验报告

模拟电路实验报告实验题目:成绩:__________学生姓名:李发崇学号指导教师:陈志坚学院名称:专业:年级:实验时间:实验室:一.实验目的:1.熟悉电子器件和模拟电路试验箱;2.掌握放大电路静态工作点的调试方法及其对放大电路性能的影响;3.学习测量放大电路Q点、A V、r i、r o的方法,了解公发射极电路特性;4.学习放大电路的动态性能。
二、实验仪器1.示波器2.信号发生器3.数字万用表三、预习要求1.三极管及单管放大电路工作原理:2.放大电路的静态和动态测量方法:四.实验内容和步骤1.按图连接好电路:(1)用万用表判断试验箱上三极管的好坏,并注意检查电解电容C1,C2的极性和好坏。
(2)按图连接好电路,将Rp的阻值调到最大位置。
(注:接线前先测量电源+12V,关掉电源后再连接)2.静态测量与调试按图接好线,调整Rp,使得Ve=1.8V,计算并填表心得体会:3.动态研究(一)、按图连接好电路(二)将信号发生器的输入信号调到f=1kHz,幅值为500mVp,接至放大电路A点。
观察Vi和Vo端的波形,并比较相位。
(三)信号源频率不变,逐渐加大信号源输出幅度,观察Vo不失真时的最大值,并填表:基本结论及心得:Q点至关重要,找到Q点是实验的关键,(四)、保持Vi=5mVp不变,放大器接入负载R L,在改变Rc,R L数值的情况下测量,并将计算结果填入表中:实验总结和体会:输出电阻和输出电阻影响放大效果,输入电阻越大,输出电阻越小,放大效果越好。
(1)、输出电阻的阻值会影响放大电路的放大效果,阻值越大,放大的倍数也越大。
(2)、连在三极管集电极的电阻越大,电压的放大倍数越大。
(五)、Vi=5mVp,增大和减小Rp,观察Vo波形变化,将结果填入表中:实验总结和心得体会:信号失真的时候找到合适Rp是产生输出较好信号关键。
(1)Rp只有在适合的位置,才能很好的放大输入信号,如果Rp阻值太大,会使信号失真,如果Rp阻值太小,则会使输入信号不能被放大,反而出现信号减弱的情况。
三极管放大电路_输入电阻_输出电阻_解释说明

三极管放大电路输入电阻输出电阻解释说明1. 引言1.1 概述三极管放大电路是一种常见的电子电路,它在电子设备中起着重要的作用。
通过对输入信号进行放大,三极管放大电路可以将弱信号增加到足够大小以驱动其他元件或者传递给下一个级联的放大器。
为了深入理解三极管放大电路的工作原理和特性,我们需要探讨其输入电阻和输出电阻。
1.2 文章结构本文主要分为五个部分进行说明。
首先,在引言部分将对文章内容进行概述并介绍目的;然后,我们将详细讨论三极管放大电路的基本原理及其输入电阻和输出电阻;接着,我们将对输入电阻进行定义与计算方法、影响因素分析以及应用实例介绍;随后,我们将对输出电阻进行类似地解释说明;最后,我们会总结本文,并展望未来关于三极管放大电路的研究方向。
1.3 目的本文旨在帮助读者更好地理解三极管放大器中输入电阻和输出电阻的概念、特性和应用,并具体解释其计算方法、影响因素以及相关实例。
通过本文的阅读,读者将能够更全面地了解三极管放大电路,并为相关电子设备的设计和应用提供参考。
2. 三极管放大电路2.1 基本原理三极管放大电路是一种常见的电子放大器。
它由一个三极管、若干个电阻和电容等基本元件组成。
通过合理的接线和参数设置,可以实现信号的放大和处理。
在三极管放大电路中,信号源连接到输入端,输出端连接到负载。
当输入信号进入电路时,它会经过放大器和其他元件的作用发生变化,并在输出端产生放大后的信号。
2.2 输入电阻输入电阻是指三极管放大电路对外部信号源的输入阻力。
简而言之,它代表了电路对外部信号源提供了多少“阻止力”。
在三极管放大电路中,输入信号经过耦合元件(如电容)后进入基极,在基极处又由于二极管内部结构所决定存在着一个共射效应或共基效应。
这些效应导致了输入电阻的形成。
输入电阻可以通过以下公式计算:输入电阻(Rin)= ΔVbe / ΔIb其中,ΔVbe表示基极-发射区间的压降变化量,ΔIb表示基极输入直流偏置变化量。
(完整版)三极管及放大电路原理

测判三极管的口诀三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功,为了帮助读者迅速掌握测判方法,笔者总结出四句口诀:“三颠倒,找基极;PN结,定管型;顺箭头,偏转大;测不准,动嘴巴。
”下面让我们逐句进行解释吧。
一、三颠倒,找基极大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件。
根据两个PN结连接方式不同,可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管,图1是它们的电路符号和等效电路。
测试三极管要使用万用电表的欧姆挡,并选择R×100或R×1k挡位。
图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。
由图可见,红表笔所连接的是表内电池的负极,黑表笔则连接着表内电池的正极。
假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型,也分不清各管脚是什么电极。
测试的第一步是判断哪个管脚是基极。
这时,我们任取两个电极(如这两个电极为1、2),用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻,观察表针的偏转角度;接着,再取1、3两个电极和2、3两个电极,分别颠倒测量它们的正、反向电阻,观察表针的偏转角度。
在这三次颠倒测量中,必然有两次测量结果相近:即颠倒测量中表针一次偏转大,一次偏转小;剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小,这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。
二、PN结,定管型找出三极管的基极后,我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。
将万用表的黑表笔接触基极,红表笔接触另外两个电极中的任一电极,若表头指针偏转角度很大,则说明被测三极管为NPN型管;若表头指针偏转角度很小,则被测管即为PNP型。
三、顺箭头,偏转大找出了基极b,另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。
(1) 对于NPN型三极管,穿透电流的测量电路如图3所示。
根据这个原理,用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec,虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔→c 极→b极→e极→红表笔,电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”),所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。
电子电工学——模拟电子技术 第四章 双极结型三极管及发达电路基础

4.1 双极结型三极管BJT
(Bipolar Junction Transistor)
又称半导体三极管、晶 体管,或简称为三极管。
分类: 按材料分:硅管、锗管 按结构分:NPN型、PNP型 按频率分:高频管、低频管 按功率分:小功率、大功率
半导体三极管的型号
国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
c
e V VCE
VCC
V
VBE
也是一组特性曲线
实验电路
1.共射极电路的特性曲线
输入特性 :iB=f(vBE)|vCE=const
(1)VCE=0V时,发射结和集电结均正偏,输入特性相当于两个PN结并联
(2)VCE=1V时,发射结正偏,集电结反偏,收集电子能力增强,发射极发
射到基区的电子大部分被集电极收集,从而使得同样的VBE时iB减小。
ICEO (1 )ICBO 值愈大,则该管的 ICEO 也愈大。
3.极限参数
(1) 集电极最大允许电流 ICM
过流区
当IC过大时,三极管的值要 iC
减小。在IC=ICM时,值下降 ICM
到额定值的三分之二。
PCM = iCvCE
(2) 集电极最大允许耗散功率 PCM
将 iC 与 vCE 乘 积 等 于 规 定 的 PCM 值各点连接起来,可得 一条双曲线。
利用IE的变化去控制IC,而表征三极管电流控制作用的参 数就是电流放大系数 。
共射极组态连接方式
IE UBE
+ Uo
-
49 IC 0.98(mA)
IB
20( A)
共射极接法应用我们得到的结论:
1、从三极管的输入电流控制输出电流这一点看来,这两 种电路的基本区别是共射极电路以基极电流作为输入控制 电流。 2、共基极电路是以发射极电流作为输入控制电流。
三极管及放大电路解析

6. 集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升,消耗功率过大,温升过高会烧坏三极管。 PC PCM =IC UCE
硅管允许结温约为150C,锗管约为7090C。
由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 IC
ICM
ICUCE=PCM
安全工作区 O
ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数
C IC
ICBO
N
ICE IB
P
EC
B
ICEICICBO IC
RB
IBE
N
IBE IBICBO IB
EB
E IE
IC IB ( 1)IC BO IB ICEO
若IB =0, 则 IC ICE0
集-射极穿透电流, 温度ICEO
忽 IC略 E , O IC 有 IB (常用公式)
(3)通频带 衡量放大电路对不同频率信号的适应能力。
由于电容、电感及放大管PN结的电容效应,使放大电路在信号频率较低和较高时电压放大倍数数值下降, 并产生相移。
下限频率
fbwfHfL
(4)最大不失真输出电压Uom:交流有效值。 (5)最大输出功率Pom和效率η:功率放大电路的主要指标参数
上限频率
二、基本共射极放大电路 1、基本放大电路组成及各元件作用
问题:
将两个电源合二为
1. 两种电源
一
2. 信号源与放大电路不“共地”
共地,且要使信号驮载在静 态之上
-+ UBEQ
有交流损失
有直流分量
静态时(ui=0),
UBEQURb1
动态时,VCC和uI同时作用于晶体管的输入回 路。
(2)阻容耦合放大电路
三极管及其放大电路 ppt课件
② 基区:很薄(通常为几微米~几十微米),低
掺杂浓度;(薄牛肉)
c
③ 集电区: 掺杂浓度要比发 射区低;
面积比发射区大;
N
b
P
N
e
ppt课件
7
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
2.1.2 BJT的电流放大作用
1.三极管的偏置 为实现放大,必须满足三极管的内部结构和外部 条件两方面的要求。
c
N
输出特性曲线可以划分为三个区域: 饱和区——iC受vCE控制的区域,该区域内vCE的 数值较小。此时Je正偏,Jc正偏
iC /mA
pp2t课5件℃
=80μA =60μA =40μA
=20μA
vCE /2V0
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
饱和区——iC受vCE显著控制的区域,该区域内vCE的数值较 小。此时Je正偏,Jc正偏。
2.极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM 指BJT的参数变化不超过允许值时集电极允 许的最大电流。
ppt课件
27
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
(1)集电极最大允许电流ICM
指BJT的参数变化不超过允许值时集电极允许的最大电流。
(2)集电极最大允许功率损耗PCM
表示集电极上
过流区
允许损耗功率
Ii
Io
+
+
Rs Vi
放大电路 Ri (放大器)
Vo
RL
-
-
Ri
Ri决定了放大电路从信号源吸取信号幅值的大
小,即它决定了放大电路对信号源的要求。
Ri越大,Ii就越小,放大电路从信号源索取的电流越
小。放大电路所得到的输入电压Vi越接近信号源电压Vs。
模拟电子技术实验报告
桂林电子科技大学模拟电子技术实验报告实验一单级放大电路5、查找三极管9013 资料,在下图中标出9013 的三个引脚(E、B、C),并写出3~5 项你认为重要的参数?四.实验步骤及注意事项1. 测量导线、信号线、电源线好坏。
注意事项:使用台式万用表蜂鸣器档测量导线,不测量将可能导致实验失败!2.检查实验所用的A1 电路板上三极管所在位置的背面是否焊接有三极管。
注意事项:若有则第3、4 步可跳过不做,在表2 中β记为100。
3. 测量三极管9013 的直流放大系数β记录在表2 中。
注意事项:使用UT8803N 台式数字万用表HFE 档位,将三极管插到NPN 一边。
4.将已经测过值的三极管插入A1 电路板对应的三极管插孔中。
注意事项:三极管必须按照正确顺序插入A1 电路板中,不插入或插错将导致实验测量数据全错!5. 连接电路,接通12V 直流电源,但不接入信号源!注意事项:(1)单级放大电路的输入端暂时不能接入信号源。
(2)检查电路无误后,才能接通电源。
(3)所用的12V 要用万用表测量校准。
6. 设置静态工作点。
注意事项:(1)用台式万用表DCV(直流电压)档位监测UEQ电压变化(电路中三极管发射极与“地” 之间的电压,万用表黑表笔接“地”)。
(2)调节电位器RP 的大小,使得UEQ调到约为1.9V,不用非常精确。
7.测量静态工作点注意事项:UBQ、UEQ、UCQ分别表示电路中三极管基极、发射极、集电极与“地”之间的电压,而“ Q”表示的是“静态”而不是“地”,UBEQ= UBQ- UEQ,UCEQ= UCQ- UEQ。
8.测量RP的阻值。
注意事项:测量RP的阻值时,应把RP与电路断开,测完RP后再接回!9.电路输入端接入信号源,输出端将5.1KΩ 负载接上,用示波器双通道同时测量输入输出波形,观察ui、uoL的相位关系,并在一个坐标系上画出波形图。
注意事项:(1)信号源和示波器必须共地,即黑夹子要接地。
三极管方波放大电路
三极管方波放大电路引言:三极管是一种常用的电子元件,广泛应用于各种电路中。
其中,三极管方波放大电路是一种常见的电路结构,能够实现方波信号的放大功能。
本文将对三极管方波放大电路进行详细介绍,包括电路原理、工作方式以及应用场景等。
一、电路原理三极管方波放大电路由三极管、电阻和电容等元件组成。
其基本原理是利用三极管的放大作用,将输入的方波信号进行放大,得到输出的放大方波信号。
二、工作方式三极管方波放大电路的工作方式如下:1. 输入信号:将方波信号作为输入信号,通过电容耦合方式输入到三极管的基极。
方波信号可以是周期性的高低电平变化。
2. 放大作用:当输入信号的高电平时,三极管的基极电压较高,使得三极管进入饱和区。
此时,三极管的集电极电流较大,输出电压较低,实现了对高电平的放大。
当输入信号的低电平时,三极管的基极电压较低,使得三极管进入截止区。
此时,三极管的集电极电流较小,输出电压较高,实现了对低电平的放大。
3. 输出信号:经过放大作用后,输入信号的高低电平得到放大,并输出为放大后的方波信号。
三、应用场景三极管方波放大电路在实际应用中有着广泛的用途,主要包括以下几个方面:1. 音频放大:三极管方波放大电路可以用于音频放大,将音频信号放大到合适的电平,以驱动扬声器等音频设备。
2. 信号处理:三极管方波放大电路可以用于信号处理,如信号幅度调节、滤波等,以满足不同信号处理需求。
3. 脉冲发生器:三极管方波放大电路可以用于脉冲发生器的设计,生成各种频率的脉冲信号,广泛应用于计时、测量等领域。
4. 数字电路接口:三极管方波放大电路可以用于数字电路和模拟电路之间的接口,将数字信号转换为模拟信号或将模拟信号转换为数字信号。
四、注意事项在设计和应用三极管方波放大电路时,需要注意以下几点:1. 电路稳定性:三极管方波放大电路的稳定性对于输出信号的质量至关重要,因此需要合理选择元件参数,尽量避免温度、电源变化等因素对电路的影响。
放大电路测试三极管β值
一、设计任务1.1 设计目的:(1)、掌握设计放大电路测试三极管β值的方法,以及组装与调试方法。
(2)、进一步熟悉模拟,数字集成电路的使用方法。
1.2 设计内容及要求1、设计制作一个自动测量三极管电流放大系数β值范围的装置,将被测NPN 型三极管β值分三档;β值的范围分别为80~120及120~160,160~200对应的分档编号分别是1、2、3;待测三极管为空时显示0,超过200显示4。
2、用数码管显示β值的档次及三极管的β值;3、组装、调试三极管β值测试仪。
4、画出完整的电路图,写出设计报告。
二、设计方案2.1 设计思路设计电路测量三极管的β值,将三极管β值转换为其他可用仪器测量的物理量来进行测量(如电压,根据三极管电流IC=βIB的关系,当IB为固定值时,IC 反映了β的变化,电阻RC上的电压VRC又反映了IC的变化)。
因为题目要求分三档显示三极管的β值(即 值的范围分别为80~120、120~160及160~200,对应的分档编号分别是1、2、3),所以对转换后的物理量进行采样,将取样信号同时加到具有不同基准电压的比较电路输入端进行比较,相应的一个比较电路输出高电平,其余比较器输出为低电平,实现AD转换。
比较后再进行分档显示。
要实现分档显示,则必须对比较器输出的高电平进行二进制编码和显示译码器译码,驱动数码管显示出相应的β值档次代号。
从而实现该档次代号的显示。
在发挥部分,设计电路测量三极管的β值,将三极管β值转换为其他可用仪器测量的物理量来进行测量,如电压,根据三极管电流IC=βIB的关系,当IB为固定值时,IC反映了β的变化,电阻RC上的电压VRC又反映了IC的变化,对VRC 进行伏频转换,转换后的频率f就反映了β值的大小,然后再用计数器对f的信号进行一定时间的计数,最后通过计数器的保持输出经译码电路就可以显示β值。
关键一:将变化的β值转化为与之成正比变化的电压或电流量,再取样进行比较、分档。
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模拟电路实验——三极管放大电路————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:模拟实验三三极管及其放大电路一.实验目的1.对晶体三极管(3DG6、9013)、场效应管(3DJ6G)进行实物识别,了解它们的命名方法和主要技术指标。
2.学习用数字万用表、模拟万用表对三极管进行测试的方法。
3.用图3-10提供的电路,对三极管的β值进行测试。
4.学习共射、共集电极(*)、共基极放大电路静态工作点的测量与调整,以及参数选取方法,研究静态工作点对放大电路动态性能的影响。
5.学习放大电路动态参数(电压放大倍数、输入电阻、输出电阻、最大不失真输出电压)的测量方法。
6. 调节CE电路相关参数,用示波器观测输出波形,对饱和失真和截止失真的情况进行研究。
7.用Multisim软件完成对共射极、共集电极、共基极放大电路性能的分析,学习放大电路静态工作点的测试及调整方法,观察测定电路参数变化对放大电路的静态工作点、电压放大倍数及输出电压波形的影响。
加深对共射极、共集电极、共基极基本放大电路放大特性的理解。
二.知识要点1.半导体三极管半导体三极管是组成放大电路的核心器件,是集成电路的组成元件,在电路中主要用于电流放大、开关控制或与其他元器件组成特殊电路等。
半导体三极管的种类较多,按制造材料不同有硅管、锗管、砷化镓管、磷化镓管等;按极性不同有NPN 型和PNP型;按工作频率不同有低频管、高频管及超高频管等;按用途不同有普通管、高频管、开关管、复合管等。
其功耗大于1W的属于大功率管,小于1W的属于小功率管。
半导体三极管的参数主要有电流放大倍数β、极间反向电流I CEO、极限参数(如最高工作电压V CEM、集电极最大工作电流I CM、最高结温T jM、集电极最大功耗P CM)以及频率特性参数等。
有关三极管命名、类型以及参数等可查阅相关器件手册。
下面给出几种常用三极管的参数举例如表3-01所示:表3-01 几种常用三极管的参数参数P CM(mW)I CM(mA)V BRCBO(V)I CBO(μA h FE f T(MHz)极性3DG100D 100 20 40 1 4 0.01 NPN3DG200A 100 20 15 0.1 25~270 0.01 NPNCS9013H 400 500 25 0.5 144 150 NPNCS9012H 600 500 25 0.5 144 150 PNP参数V P(V)I DSS g m(mA/V)P DM(mW)r GS(Ω)f M3DJ6G -9 3~6.5 1 100 10830 N沟道2.半导体三极管的识别与检测半导体三极管的类型有NPN型和PNP型两种。
可根据管子外壳标注的型号来判别是NPN型,还是PNP 型。
在半导体三极管型号命名中,第二部分字母A、C表示PNP型管;B、D表示NPN型管;而A、B表示锗材料;C、D表示硅材料。
另外,目前市场上广泛使用的9011~9018系列高频小功率9012、9015为PNP 型,其余为NPN型。
半导体三极管的型号和命名方法,与半导体二极管的型号及命名方法相同,详见康华光第四版P44页附录或者参考有关手册。
(1)三极管的电极和类型判别1) 直观辨识法。
半导体三极管有基极(B)、集电极(C)和发射极(E)三个电极,如图3-11所示,常用三极管电极排列有E-B-C、B-C-E、C-B-E、E-C-B等多种形式。
2) 特征辨识法。
如图3-01所示,有些三极管用结构特征标识来表示某一电极。
如高频小功率管3DGl2、3DG6的外壳有一小凸起标识,该凸起标识旁引脚为发射极;金属封装低频大功率管3DD301、3AD6C的外壳为集电极等。
图3-11 三极管结构特征标识极性3) 万用表欧姆档判别法如图3-12所示,选用指针式万用表欧姆档R×lkΩ档。
首先判定基极b方法:用万用表黑表笔碰触某一极,再用红表笔依次碰触另外两个电极,并测得两电极间阻值。
若两次测得电阻均很小(为PN结正向电阻值),则黑表笔对应为基极且此管为NPN型;或者两次测得电阻值均很大(为PN结反向电阻值),但交换表笔后再用黑笔去碰触另两极,也测量两次,若两次阻值也很小,则原黑表笔对应为管子基极,且此管为PNP型。
注意:指针式万用表欧姆档时,黑表笔则为正极,红表笔为负极;这与(a)(b)数字式万用表不同。
图3-12 万用表欧姆档判别法其次,判别集电极和发射极。
其基本原理是把三极管接成基本放大电路,利用测量管子的电流放大倍数值β的大小,来判定集电极和发射极。
以NPN管为例说明,如图3-12b所示,基极确定后,不管基极,用万用表两表笔分别接另两电极,用100kΩ的电阻一端接基极,电阻的另一端接万用表黑表笔,若表针偏转角度较大,则黑表笔对应为集电极,红表笔对应为发射极。
也可用手捏住基极与黑表笔(但不能使两者相碰),以人体电阻代替l00kΩ电阻的作用(对于PNP型,手捏红表笔与基极)。
上面这种方法,实质上是把三极管接成了正向偏置状态,若极性正确,则集电极有较大电流。
(2)硅管、锗管的判别根据硅材料PN结正向电阻较锗材料大的特点,可用万用表欧姆R×1kΩ档测定,若测得PN结正向阻值约为3~l0kΩ,则为硅材料管;若测得正向阻值约为50~1kΩ,则为锗材料管。
或测量发射结(集电结)反向电阻值,若测得反向阻值约为500kΩ,则为硅材料管;若测得反向阻值约为100k Ω,则为锗材料管。
3.三极管场效应管放大电路共射极放大电路既有电流放大作用,又有电压放大作用,故常用于小信号的放大。
改变电路的静态工作点,可调节电路的电压放大倍数。
而电路工作点的调整,主要是通过改变电路参数(R b 、R c )来实现。
(负载电阻R L 的变化不影响电路的静态工作点,只改变电路的电压放大倍数。
)该电路信号从基极输入,从集电极输出。
输入电阻与相同材料的二极管正向偏置电阻相当,输出电阻较高,适用于多级放大电路的中间级。
共集电极放大电路信号由晶体管基极输入,发射极输出。
由于其电压放大倍数A v 接近于l ,输出电压具有随输入电压变化的特性,故又称为射极跟随器。
该电路输入电阻高,输出电阻低,适用于多级放大电路的输入级、输出级,还可以作为中间阻抗变换级。
共基极放大电路信号由晶体管发射极输入,集电极输出。
其电流放大倍数A i 接近于1但恒小于1,(又叫电流跟随器),电压放大倍数A v 共射极放大器相同,且输入电压与输出电压同相。
其输入电阻低,只有共射放大电路的l /(1+β)倍,输出电阻高,输入端与输出端之间没有密勒电容,电路频率特性好,适用于宽带放大电路。
下面以图3-13基本共射放大电路为例进行说明。
(1)放大电路静态工作点的测量和调试 由于电子元件性能的分散性很大,在 制作晶体三极管放大电路时,离不开测量 和调试技术。
在完成设计和装配之后,还 必须测量和调试放大电路的静态工作点及 各项指标。
一个优质的放大电路,一个最 终的产品,一定是理论计算与实验调试相 结合的产物。
因此,除了熟悉放大电路的 理论设计外,还必须掌握必要的测量和调 试技术。
放大电路的测量和调试主要包括放大 电路静态工作点的测量和调试、放大电路 图3-13 基本共射放大电路(固定偏置式)各项动态指标的测量和调试、消除放大电路的干扰和自激等。
在进行测试之前,务必先检查 三极管的好坏,并确定具体的β值。
1)静态工作点Q 的测量放大电路静态工作点的测量是在不加输入信号(即VI =0)的情况下进行的。
静态工作点的测量是指三极管直流电压V BEQ 、V CEQ 和电流I CQ 的测量。
应选用合适的直流电压表和直流毫安表,分别测量三极管直流电压V BEQ 、V CEQ 和I CQ 。
为了避免更改接线,采用电压测量法来换算电流。
例如,只要测出实际的R b 、R C 的阻值,即可由RbV VCC I BEQBQ -=;BQ CQ I I β=;(或RcV VCC I CEQCQ -=)提示:在测量各电极的电位时最好选用内阻较高的万用表,否则必须考虑到万用表内阻对被测电路的影响。
2)静态工作点的调整测量静态工作点I CQ 和V CEQ 的目的是了解静态工作点的设置是否合适。
若测出V CEQ <0.5 V ,则说明三极管已进入饱和状态;如果V CE ≈VCC ,则说明三极管工作在截止状态。
对于一个放大双极性信号(交流信号)的放大电路来说,这两种情况下的静态偏置都不能使电路正常工作,需要对静态工作点进行调整。
如果是出现测量值与选定的静态工作点不一致,也需要对静态工作点进行调整。
否则,放大后的信号将出现严重的非线性失真和错误。
通常,VCC 、R c 都已事先选定,当需要调整工作点时,一般都是通过改变偏置电阻R b 来实现。
应当注意的是.如果偏置电阻R b 选用的是电位器,在调整静态工作点时,若不慎将电位器阻值调整过小(或过大),则会使I C 过大而烧坏管子,所以应该用一只固定电阻与电位器串联使用。
图3-18电路中是用R b1和电位器R b2串联构成R b 。
2.放大电路的动态指标测试放大电路的主要指标有电压放大倍数A v 、输入电阻R i 、输出电阻R o ,以及最大不失真输出电压VO (max)等。
在进行动态测试时,各电子仪器与被测电路的连接如图3-14所示。
实验电路则如后面的图3-18所示。
图3-14 实验电路与各测试仪器的连接提示:为防止干扰,各仪器的公共接地端与被测电路的公共接地端应连在一起。
同时,信号源、毫伏表和示波器的信号线通常都采用屏蔽线,而直流电源VCC 的正、负电源线可只需普通导线即可。
(1)电压放大倍数A v 的测量输入信号选用1KHz 、约5 mV 的正弦交流信号,用示波器观察放大电路输出电压VO 的波形,在输出信号没有明显失真的情况下,用毫伏表测得VO 和VI ,于是可得VIVOA V =。
(2)最大不失真输出电压的测量放大电路的线性工作范围与三极管的静态工作点位置有关。
当I CQ 偏小时,放大电路容易产生截止失真;而I CQ 偏大时,则容易产生饱和失真。
需要指出的是,当ICQ 增大时,VO 波形的饱和失真比较明显, 波形下端出现“削底”,如 图3-15a 所示。
而当I CQ 减小时,VO 波形将出现截 止失真,如图3-15b 所 示,波形上端出现“削顶”。
(a ) (b ) (c ) 当放大电路的静态工作点调 图3-15 静态工作点对输出电压V o 波形的影响 整在三极管线性工作范围的 (a) VO 易出现饱和失真 (b)VO 易出现截止失真 中心位置时,若输入信号 (c) VO 波形上下半周同时出现失真VI 过大,VO 的波形也会出现失真,上下同时出现“削顶”和“削顶”失真,如图3-15(c)所示。