垂直腔面发射激光器(VCSEL)的研究探究进展新
2024年VCSEL芯片市场分析现状
2024年VCSEL芯片市场分析现状1. 简介垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片是一种重要的光电子器件，具有高性能和广泛的应用领域。
本文将对VCSEL芯片市场的现状进行分析。
2. 市场规模VCSEL芯片市场近年来快速增长，主要原因是其在通信、传感和人脸识别等领域的广泛应用。
根据市场研究公司的数据显示，2019年全球VCSEL芯片市场规模达到XX亿美元。
预计在未来几年内，VCSEL芯片市场将继续保持稳定增长。
3. 应用领域3.1 通信VCSEL芯片在光通信领域具有重要地位。
其优势包括高速率、低功耗和高集成度等特点。
目前，VCSEL芯片在数据中心和千兆以太网等领域得到广泛应用。
随着5G 网络的部署和对高速光通信需求的增长，VCSEL芯片的市场需求将进一步增加。
3.2 传感VCSEL芯片在传感领域也有广泛的应用。
它可以作为激光雷达、光学测距和手势识别等传感器的关键组件。
这些应用领域的快速发展，推动了VCSEL芯片市场的增长。
3.3 人脸识别随着人脸识别技术的快速发展，VCSEL芯片在人脸识别设备中得到广泛应用。
VCSEL芯片由于其高精度和高稳定性的特点，使其成为人脸识别设备的重要组成部分。
预计未来人脸识别市场的持续增长将进一步推动VCSEL芯片市场的发展。
4. 主要厂商在全球VCSEL芯片市场中，有一些主要的厂商占据着主导地位。
其中，美国公司II-VI、Finisar和Lumentum等厂商是全球最大的VCSEL芯片供应商。
此外，欧洲的ams和德国的VCSEL Technologies等公司也在VCSEL芯片市场中占有较大份额。
5. 持续创新VCSEL芯片市场的竞争激烈，厂商们不断进行创新以提升产品性能。
通过提高功率、增加波长范围和降低成本等策略，VCSEL芯片的市场份额得到不断扩大。
未来，随着技术的进步和市场需求的不断增长，VCSEL芯片市场仍将保持活力。
6. 综述和展望总之，VCSEL芯片市场在通信、传感和人脸识别等领域具有广泛的应用前景。
光泵浦垂直外腔面发射半导体激光技术
光泵浦垂直外腔面发射半导体激光技术——推动激光行业发展的新引擎当今，激光技术已经渗透到各行各业，成为科技领域的重要支撑。
而在不同的激光技术中，光泵浦垂直外腔面发射半导体激光技术（简称OP-VECSEL）作为一种创新的技术手段，备受关注。
它以其特有的优势，正推动着激光行业的发展，成为新一代的激光技术引擎。
1. OP-VECSEL技术的原理OP-VECSEL技术是一种基于半导体材料的激光技术，其核心原理是通过外部光泵浦的激发，实现半导体材料内部载流子的再组合，从而产生激光辐射。
相较于传统的激光技术，其在结构上更加简单，光路更加清晰，能够实现高效的激光发射。
2. OP-VECSEL技术的优势在实际应用中，OP-VECSEL技术具有明显的优势。
其激光输出功率可实现很高的水平，能够满足多种应用领域的需求；其单色性和光束质量优秀，能够实现高精度的激光加工和光通信传输；其结构简单、制造成本低，有望在产业化应用中取得更广泛的应用。
3. OP-VECSEL技术在激光领域的应用在激光领域，OP-VECSEL技术已经被广泛应用。
在激光医疗设备中，其高功率的激光输出能够实现更为精准的治疗效果；在激光显示领域，其高质量的光束能够实现更加清晰、高对比度的显示效果；在激光雷达和光通信中，其单色性和光束质量则能够实现更加稳定的信号传输。
4. 个人观点与展望作为一种新型的激光技术手段，OP-VECSEL技术的发展前景十分广阔。
随着光通信、激光雷达、激光制造等领域的不断拓展，对激光技术提出了更高的要求，而OP-VECSEL技术以其独特的优势，有望在这些领域中得到更加广泛的应用。
光泵浦垂直外腔面发射半导体激光技术作为一种新型的激光技术手段，以其独特的优势，正成为推动激光行业发展的新引擎。
期待在未来的发展中，能够看到更多激光技术带来的创新应用和行业变革。
激光技术是现代科技领域的重要支撑，而光泵浦垂直外腔面发射半导体激光技术（OP-VECSEL）作为一种创新的激光技术手段，正在成为推动激光行业发展的新引擎。
新型半导体激光器——VCSEL详解
新型半导体激光器——VCSEL详解VCSEL(Vertical-cavity surface-emitting laser)，即垂直腔面发射激光器，是集高输出功率和高转换效率和高质量光束等优点于一身，相比于LED 和边发射激光器EEL，在精确度、小型化、低功耗、可靠性等角度全方面占优。
随着VCSEL 芯片技术的成熟，以其作为核心元件的3D Sensing 走入应用，在活体检测，虹膜识别， AR/VR 技术以及机器人识别和机器人避险、自动驾驶辅助等领域得到发展。
近期，3D Sensing 的主要应用以手机为主，iPhone X 首次搭载3D 结构光模组，引领3D Sensing 消费市场。
目前，全球3D Sensing 供应链趋于完善，VCSEL 设计厂商Lumentum、II-VI 、Finisar、AMS，VCSEL 外延片供应商IQE、全新光电以及台湾晶圆代工厂稳懋、晶电等均纷纷布局3D Sensing 领域。
据预测，未来几年3D Sensing 市场规模将呈几何式增长，到2020 年3D Sensing 市场规模可达到108.49 亿美元2023 年3D 传感的市场空间达到180 亿美元，2018 年-2023 年复合增速达到44%。
其中，3D Sensing 在智能手机市场上的渗透率不断提高，3D Sensing 渗透率有望从2017 年的2.1%提高至2020 年的28.6%。
一、VCSEL 基本结构与工作原理VCSEL 器件有两种基本结构，一种是顶发射结构：采用MOCVD 技术在n 型GaAs 衬底上生长而成，以DBR 作为激光腔镜，量子阱有源区夹在n-DBR 和p-DBR 之间。
由于量子阱厚度小，单程增益小，因此反射镜的反射率较高，一般全返腔镜反射率>99.9%，输出腔镜反射率通过理论计算设定最佳的耦合输出率（一般也大于99%），然后在衬底和p-DBR 外表面制作金属接触层。
vcsel可寻址原理
vcsel可寻址原理VCSEL（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser）是一种垂直腔面发射激光器，其可寻址原理使其在通信、生物医学、传感器等领域具有广泛的应用前景。
VCSEL可寻址原理是指在VCSEL芯片的表面上，通过电流或电压的控制，可以选择性地激发芯片中的某个特定区域发射激光。
这种可寻址的特性使得VCSEL具备了很高的灵活性和可控性，能够满足不同应用场景对光源的要求。
VCSEL的可寻址原理基于其特殊的结构。
VCSEL由多个半导体层组成，包括多个量子阱层和分布布拉格反射镜层。
其中，量子阱层是激发产生激光的关键部分，而分布布拉格反射镜层则起到反射和增强光线的作用。
在VCSEL芯片的表面，通过控制电流或电压，可以使特定区域的量子阱层激发产生激光，而其他区域则不发射激光。
通过VCSEL的可寻址原理，可以实现多通道的光通信。
在光通信领域，VCSEL可以用于构建高速、高密度的光通信网络。
通过控制不同VCSEL芯片的激发，可以选择性地激发特定的通道，实现光信号的传输和调度。
这种可寻址的特性使得光通信网络能够满足不同应用对带宽和传输速率的需求，提高光通信系统的性能。
除了光通信，VCSEL的可寻址原理还在其他领域得到了广泛的应用。
在生物医学领域，VCSEL可用于光动力治疗和光学成像。
通过控制不同区域的VCSEL发射激光，可以精确地照射患病组织，实现精准的治疗。
而在光学成像中，VCSEL的可寻址特性可以用于构建高分辨率的光学成像系统，提高成像的精度和清晰度。
VCSEL的可寻址原理还可以用于传感器领域。
通过控制不同区域的VCSEL发射激光，可以实现多通道的光传感器。
这种多通道的结构可以提高传感器的灵敏度和选择性，适用于各种环境下的传感需求。
例如，在环境监测中，通过VCSEL的可寻址特性，可以选择性地监测不同区域的环境参数，实现对特定环境的精确监测。
VCSEL的可寻址原理使其具备了很高的灵活性和可控性，在通信、生物医学、传感器等领域具有广泛的应用前景。
光电正反馈下1550nm—VCSEL的动力学特性研究
光电正反馈下1550nm—VCSEL的动力学特性研究基于自旋反转模型（SFM）理论研究1550nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）在光电正反馈下的非线性动力学特性。
在反馈延迟时间和反馈强度的参数空间，画出表示各种动力学状态的色图，从图中可以清晰看出各种状态的演变。
同时随着反馈延迟时间变化，画出激光器输出功率极大值随光电反馈延迟时间变化的分岔图。
仿真结果表明，通过改变光电反馈的延迟时间，1550nm垂直腔面发射激光器沿着一种准周期路径最终进入混沌状态。
标签：自旋反转模型（SFM）；垂直腔面发射激光器（VCSEL）；非线性动力学；光电正反馈引言垂直腔面发射激光器（VCSEL）相对于常规的边发射半导体激光器（EEL）而言具有体积小、阈值电流低、发散角小、可单纵模光输出、易与光纤耦合、易集成等优点[1-3]，在光通信、光互联和光存储等领域具有广阔的应用前景。
近年来的理论和实验研究已表明垂直腔面发射激光器在各种外部扰动（光注入、光反馈和光电反馈）的作用下呈现出了丰富的动力学现象[4-5]。
这些现象主要包括偏振转换和双稳、注入锁定以及各种动力学状态（单周期、准周期和混沌）。
相比于光注入和光反馈，光电反馈由于自身易于电控和对相位变化的稳定性使它变得更加灵活和有效。
光电反馈主要分为光电正反馈和光电负反馈。
在光电负反馈中，反馈电流与偏置注入电流相减，而在光电正反馈中，反馈电流与偏置注入电流相加。
光电反馈作用下垂直腔面发射激光器的动力学特性已经被研究，然而这些研究主要集中于短波长半导体激光器（～800-1000nm），对于长波长半导体激光器的研究较少。
基于此，文章基于自旋反转模型（SFM），数值分析了光电正反馈作用下1550nm-VCSEL的非线性动力学特性以及各动力学态的演化。
1 理论模型光电正反馈作用下垂直腔面发射激光器的原理图如图1所示，其中虚线表示光路径，实线表示电路经。
激光器的输出经过可变衰减器（V A）和光电探测器（PD）后，激光器输出的光信号转化为电信号，然后经过电子放大器（EA）后与激光器的偏置注入电流Idc相加一起注入到激光器中。
vcsel文献综述
VCSEL，即垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），是一种新型的半导体激光器。
与传统的边射激光器相比，VCSEL具有工作电流低、发射功率高、波长稳定性好等优点。
因此，在光通信、光存储、激光雷达等领域得到了广泛应用。
本文将对VCSEL的相关研究进展进行综述。
一、VCSEL的基本结构VCSEL的基本结构如图1所示，它由一个反射镜和一个半透明的输出镜组成，两者之间夹着一个活性层。
当电流通过活性层时，会产生光子并被反射镜和输出镜反复反射，最终沿着垂直于半导体表面的方向发射出去。
由于VCSEL的发射光是垂直于表面的，因此它可以方便地集成在芯片上，而不需要像传统边射激光器那样复杂的耦合结构。
二、VCSEL的制备技术目前，VCSEL的制备技术主要包括金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）和激光转移等。
MOCVD是目前最为常用的制备技术，它可以在大面积衬底上均匀生长VCSEL结构，并且可以控制材料的组成和掺杂浓度。
MBE则是一种高精度的制备技术，可以实现更加复杂的结构设计和更高的材料质量。
激光转移则是一种新兴的VCSEL制备技术，它可以将已经生长好的VCSEL结构转移到另一个晶片上，从而实现高效率、低成本的制备。
三、VCSEL的性能优化为了进一步提高VCSEL的性能，研究人员提出了很多性能优化的方法。
其中，最为有效的方法是采用光子晶体结构。
光子晶体结构可以通过调整材料的周期性排布来抑制特定波长的光在器件中传播，从而增强VCSEL的单模性能和波长选择性。
此外，还有其他一些方法，如采用高反射镜、优化输出镜结构和调节活性层厚度等方法，也可以有效地提高VCSEL的性能。
四、VCSEL的应用VCSEL由于其发射功率高、波长稳定性好等优点，在光通信、光存储、激光雷达等领域都得到了广泛应用。
在光通信领域，VCSEL 可以用于短距离高速数据传输；在光存储领域，VCSEL可以用于读写头和激光打印机等设备；在激光雷达领域，VCSEL可以用于测距和三维成像等应用。
垂直腔面发射激光器(VCSEL)的研究进展与应用
垂直腔面发射激光器（VCSEL）的研究进展与应用1.VCSEL的发展历史和优势半导体激光器是信息化社会最具有代表性的关键光电子器件之一，已经在许多领域得到广泛的应用，研究人员在边发射激光器( Edge Emitting Laser，EEL) 的研制过程中遇到了阵列制备工艺复杂、器件测试困难以及输出模式和波长难以控制等问题。
因此，在1977年日本东京工业大学教授Klga提出了一种VCSEL的概念，并在1979年采用GaInAsP材料体系在77K温度下首次实现脉冲输出。
VCSEL是一种在与半导体外延片垂直方向上形成光学谐振腔、发出的激光束与衬底表面垂直的半导体激光器结构。
在这样的面发射半导体激光器结构中，光的输出端和器件底端都需要反射镜，而反射镜的高反射率对降低阈值电流密度起着非常巨大的作用。
因此，人们针对高反射率的反射镜进行了各种研究，例如介质膜分布式布拉格反射镜( Distributed Bragg Reflectiors，DBR)、半导体DBR、复合反射镜以及金属膜反射镜等。
GaAs材料体系的VCSEL从1983年开始研究到1986年实现低阈值的微腔操作，这期间采用两种不同类型的膜以四分之一波长的厚度交替生长而成的DBR能实现光强反射，反射率达到了99%以上。
到了1988年VCSELs器件采用多层SiO2/TiO2介质膜DBR首次实现了850nm的室温连续激射；然而，虽然数对介质膜DBR即可实现高反射率，但是这种结构不导电且散热性差，为了改进这一状况，1986年年首次实现了AlGaAs/GaAs DBR 的VCSEL器件，由于p型AlAs/Al0.1Ga0.9AS DBR具有较高的势垒电阻，因此该器件只在n 侧使用半导体DBR，而另一侧反射镜采用Au/SiO2镜面组成。
为了改进半导体DBR的势垒电阻问题，许多研究机构进行了报道，其中代表性的器件是采用高浓度Zn 掺杂的AlAs层制备p型DBR；此外，为了避免DBR的高势垒电阻问题，VCSEL器件采用光泵浦方式工作，或者减少一侧DBR的层数和一个外部输出耦合镜相结合，实现连续输出。
VCSEL星型网络的混沌同步特性研究
• 104•随着通信和信息技术的快速发展，如何提高光通信系统的安全性已经成为当前学术界研究的热点问题。
由于半导体激光器产生的混沌光信号具有独特的类随机性和宽带特性，而垂直腔表面激光发射器(VCSEL)是一类易于二维集成且低成本的新型激光器。
因此，研究VCSEL 网络的混沌同步特性，对于提高光通信的安全性具有重要理论意义和实用价值。
本文主要介绍了VCSEL 的结构和主要工作特性，并对VCSEL 的混沌同步特性进行研究。
通过MATLAB 仿真软件，针对星型网络激光器研究反馈强度、电流强度等参数对同步性能的影响。
1 垂直腔面发射激光器的结构及其主要工作特性VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)，全名为垂直腔面发射激光器，它的主要材料是砷化镓半导体，具有广泛的应用前景，VCSEL 结构如图1所示。
VCSEL 具有阈值特性。
与传统光源相比，阈值电流低，只有几毫安。
当偏置电流小于阈值电流时输出光光线十分微弱且为非相干光，光谱范围大，频率成分多。
当偏置电流大于阈值电流时，激光器正常工作，输出光为一种频率的相干光。
VCSEL 具有偏振开关特性。
由于VCSEL 结构的特异性，研究发现，垂直腔面激光发射器在各个方向上的差异性比较小，在整个横模空间内可以说是对称的，根据输出光互相垂直的特性，将这两种偏振模式分别定义为X 模式和Y模式。
这两种不同的偏振模式对外界条件图1 典型的VCSEL结构示意图图2 VCSELs星型混沌网络系统模型图中国电子科技集团公司第二十研究所 党 杰 李宏亮VCSEL 星型网络的混沌同步特性研究• 105•的改变比较敏感，电流强度、反馈强度的改变都会引起偏振模式的改变。
为了解决这个问题，研究者发现可以用偏振分束器将VCSEL的这个偏振特性的不利之处转换为有利的特性，X，Y两种不同的偏振模式恰好是两个不同的信道，可以利用这两个不同的信道来实现双信道数据传输。
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Optoelectronics 光电子, 2017, 7(2), 50-57Published Online June 2017 in Hans. /journal/oehttps:///10.12677/oe.2017.72008Research Progress of VCSELYang Wang, Bifeng Cui, Tianxiao FangKey Laboratory of Opto-Electronics Technology, Ministry of Education, Faculty of Information Technology,Beijing University of Technology, BeijingReceived: May 20th, 2017; accepted: Jun. 3th, 2017; published: Jun. 8th, 2017AbstractThis paper gives an introduction to the progress of VCSEL mainly including the VCSEL commercial products and performance optimization of research area in recent years based on overall review of recent research reports for the VCSEL and the commercial VCSEL products of major companies.KeywordsVCSEL, High Power, Application, Array垂直腔面发射激光器(VCSEL)的研究进展王阳，崔碧峰，房天啸北京工业大学信息学部，省部共建光电子技术教育部重点实验室，北京收稿日期：2017年5月20日；录用日期：2017年6月3日；发布日期：2017年6月8日摘要通过对近几年研究单位报道的VCSEL的研究成果以及目前各大公司的商用VCSEL产品进行分析总结，重点介绍了VCSEL的商用产品以及研究领域其性能优化情况，综述了近几年VCSEL的研究进展。
关键词VCSEL，大功率，应用，阵列文章引用:王阳, 崔碧峰, 房天啸. 垂直腔面发射激光器(VCSEL)的研究进展[J]. 光电子,2017, 7(2): 50-57.王阳等Copyright © 2017 by authors and Hans Publishers Inc.This work is licensed under the Creative Commons Attribution International License (CC BY)./licenses/by/4.0/1. 引言自1977年，日本东京工业大学的伊贺健一(Kenichi Iga)提出VCSEL的概念开始，VCSEL各个方面的研究到现在均获得了长足的进展。
VCSEL的光学谐振腔与半导体芯片的衬底垂直，能够实现芯片表面的激光发射，有阈值电流低、稳定单波长工作、易高频调制、易二维集成、无腔面阈值损伤、动态单模工作、圆形对称光斑和光纤耦合效率高等优点。
典型的VCSEL为顶发射结构。
结构示意图如下图1所示。
VCSEL从诞生起就作为新一代光存储和光通信应用的核心器件，为互联网的需求和光学存储密度的不断提高提供了一条新途径。
随着VCSEL的研究深入以及应用需求的拓展，VCSEL不仅在手机、消费性电子等领域发挥越来越重要的作用，VCSEL还可以用来进行人脸识别、3D感测、手势侦测和VR(虚拟现实)/AR(增强现实)/MR(混合现实)等。
当然，VCSEL将来也可以大量应用在物联网、5G通信、RF元件、ADAS(先进驾驶系统)等，所以VCSEL未来应用和市场热度应该会受到更多的重视。
尤其是近期苹果公司宣布iphone8即将采用VCSEL半导体激光器技术，VCSEL更是引起广泛关注。
业界认为VCSEL产品进入苹果产业链不仅是产业公司业务的重大突破，更是以VCSEL技术为代表的半导体激光技术在消费领域的重大突破，VCSEL激光器将进入iphone产业链，光器件也将从工业领域走向消费领域[1]。
为了满足市场对各种VCSEL产品的需求，对其性能进行优化得到各方研究人员的重视。
世界上各大公司也是重点把握住VCSEL市场，及时地制备出各种满足市场需求的产品，抢占先机。
本文将从商用和实验室研究两大方面对VCSEL进行概括描述。
2. 商用VCSEL在当下这个VCSEL产品被广泛需求的时代，世界上各家致力于VCSEL研究与制造的公司均推出了各有千秋的VCSEL产品。
本节重点对Princeton optronics，Vixar，Ⅱ-Ⅵ，Finisar，Philips Photonics、华芯半导体科技有限公司这几家公司的最新产品进行介绍。
Princeton Optronics [2]：该公司成立于1993年，一直致力于高效率，低功耗VCSEL器件及模块尖端技术的研发，是一家主要从事VCSEL以及基于VCSEL的光学组件和模块的私营公司。
在深度摄像机应用方面，公司开发了830 nm、850 nm和945 nm三种波长的VCSEL器件。
其中波长为830 nm的VCSEL阵列连续输出功率为20mW，具有光谱宽度为2.5 nm和成像分辨率高的优点。
波Figure 1. Schematic diagram of the top launch VCSEL图1.顶发射VCSEL结构示意图王阳等长为850 nm的VCSEL阵列连续输出功率为1 W，具有光谱宽度为0.8 nm、波长输出稳定和可靠性高的优点。
波长为945 nm的VCSEL阵列连续输出功率为2 W，具有光谱宽度小于1 nm、波长输出稳定和可靠性高的优点。
这三款器件在3D成像、照明、导航、安全和监控摄像机以及VR方面有着很好的应用。
此外，公司还开发了波长为860 nm和940 nm的VCSEL阵列，输出功率分别为2 W和6 W，主要应用于3D成像。
在雷达应用领域，公司开发了波长为808 nm的1 × 8 VCSEL阵列，其准连续输出功率(在200ns脉冲宽度、1%占空比的操作条件下)大于300 mW，具有光谱宽度小于1 nm、波长输出稳定、可靠性高和能够在高达80℃的温度下工作的优点，该产品主要应用在激光雷达、激光制导和无人驾驶汽车方面。
在红外照明应用领域，公司开发了波长为808 nm、850 nm、945 nm、975 nm以及1064 nm的VCSEL 器件。
其中808 nm的VCSEL阵列最高准输出功率达800 W，光谱宽度为3 nm。
波长为850 nm的VCSEL 阵列最高连续输出功率达4 W，具有光谱宽度小于2 nm、可靠性高以及能在高温(80℃)下工作的优点。
波长为945 nm的VCSEL阵列最高准连续输出功率达8 W，光谱宽度小于1 nm。
波长为975 nm的VCSEL 阵列最高连续输出功率达100 W，具有光谱宽度小于1 nm、可靠性高、低热阻(~0.16˚C/W)以及能在高温(80℃)下工作的优点。
波长为1064 nm的VCSEL阵列最高连续输出功率达40 W，具有光谱宽度小于2 nm、可靠性高以及能在高温(80℃)下工作的优点。
这些器件均可应用于夜间和雾天的辅助驾驶、安全和监控摄像机，有些还可应用于医疗以及固态激光泵等方面。
由于VCSEL在红外照明方面的应用广泛，该公司还针对具体应用开发了多种照明器，比如波长为808 nm和976 nm的二维VCSEL照明器件。
针对短程监控应用，开发了波长为808 nm和976 nm的紧凑型瓦级照明器模块,全发散角约为20˚(1/e2值全宽)；针对诸如爆炸或尘云的不利条件进行检测的军事应用，开发了波长为976 nm的千瓦级照明器，该照明器使用9个高功率VCSEL阵列制作，其中每个阵列的连续输出功率都大于1200 W；针对大于200 m长距离范围的照明，开发了波长为808 nm的100瓦级照明器。
在医疗应用领域，开发了波长为650 nm的高功率(15 W)红色激光器件和阵列，这些阵列具有功率转换效率大于20%、光谱宽度约为1 nm和具有18˚发散角(全角)的圆形光束的特点，可以用于医疗和照明。
除此之外还开发了两款波长为688 nm的VCSEL器件，一款为连续输出功率为1 mW的单器件VCSEL，另一款为连续输出功率为2 W的VCSEL阵列。
在2015年该公司应用新技术开发了780 nm，795 nm和850 nm三种波长的单频VCSEL [3]，其输出功率大于100 mW，线宽小于100 kHz，这类VCSEL器件应用于原子钟。
Vixar[4]：该公司成立于2005年，在VCSEL技术研发与制造方面战绩颇丰，为生物医学、工业、办公产品、汽车和消费品行业的传感器等应用制造波长在650 nm至1000 nm之间的VCSEL。
在激光测量应用领域，开发了波长为670~690 nm和830~860 nm的单模VCSEL，连续输出功率分别为0.7 mW和1 mW，线宽分别为小于100 MHz和约为50 MHz。
在数据通信应用领域，开发了两款VCSEL，一款是波长为670~690 nm的多模VCSEL，连续输出功率为3.5 mW，调制速度高达10 Gb/s，光谱宽度为1 nm。
另一款是波长为765~780 nm的VCSEL，连续输出功率为3 mW，调制速度高达10 Gb/s，光谱宽度为1 nm。
在低光激光治疗应用领域，开发了波长为670~690 nm的多模VCSEL以及高功率VCSEL阵列，连续输出功率分别为6 mW和300 mW，光谱宽度为1 nm。
在原子钟应用领域，开发了波长为790~800 nm和885~905 nm的单模VCSEL，连续功率均为0.1 mW，线宽分别为小于50 MHz和约为50 MHz。
王阳等在手势识别传感器、安全红外照明和3D扫描等应用领域，开发了波长为830~860 nm的多模VCSEL 阵列，公布的VCSEL阵列输出功率有10 mW, 750 mW, 2 W和10 W，线宽约为1 nm。
Ⅱ-Ⅵ公司[5]：II-VI激光企业有限公司是一家全球性的运营和创新公司，2016年初收购了Anadigics 公司，主要进行VCSEL的研发与生产，为业界提供领先的VCSEL激光解决方案。
在数据通信和光互连应用领域，开发了波长为850 nm的高速多模VCSEL，光输出功率为2.5 mW，数据传输速率高达10Gb/s，满足了高速数据通信的严格要求。