模电课件第4章

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南邮模电 第四章 差动放大电路和功率放大电路

南邮模电 第四章  差动放大电路和功率放大电路

RC

V1 + Uid1 - -
Uid2
V2
Uid=Uid1-Uid2


11
图4―13基本差动放大器的差模等效通路
U od 1. 差模电压放大倍数 Aud U id 在双端输出时 U od U od 1 U od 2 2U od 1 2U od 2
U id U id1 U id 2 2U id1 2U id 2

~ U i1 U i 2 2 ~ U i1 U i 2 2
~
RE -UEE

U i1 U i 2 2 2
~ U i1 U i 2
32
双端输出时: Uo AudUid Aud (Ui1 Ui 2 )
1 单端输出时: U o1 AudU id Auc (单)U ic 2 1 U o 2 Aud U id Auc (单)U ic 2
6
图4―12 基本差动放大器
RC UC1 U i1 + V1
RL Uo - V2
RC UC2
U CC
U CE1Q U CE 2Q U CC 0.7 I C1Q RC
U C1Q U C 2Q U CC I C1Q RC
静态时,差动放 大器两输出端之 间的直流电压为 零。
7
34
六、放大电路的四种接法

差动放大电路有两个输入端和两个输出端, 所以信号的输入端和输出端有四种不同的连 接方式,即(1)单端输入,单端输出;(2) 双端输入,双端输出;(3)单端输入,双端 输出;(4)双端输入,单端输出。图4.2.6 给出了电路图。
35
(a)双端输入、双端输出 (b)双端输入、单端输出

模电第四章1

模电第四章1
(Metal-Oxide-Semiconductor type Field Effect Transistor)
表面场效应器件
N沟道 金属-氧化物 -半导体场效 应管 (MOSFET) P沟道
增强型
耗尽型 增强型
vGS=0时,不存在导电沟 道 vGS=0时,存在导电沟道
耗尽型
6
第四章
一. 增强型MOS管的结构及工作原理
vi
R2
50K
D
C2 S
RS RL
10K 10K
R2=50k RG=1M RS=10k RL=10k
vo gm =3mA/V
VDD=20V
AV
gm RL 1 gm RL
ri=RG+R1//R2
=[3 (10//10) ]/[1+3 (10//10) ]=0.94
ro

Rs 1 gm Rs
2) 饱和漏极电流IDSS
3) 漏源击穿电压V(BR)DS
4) 栅源击穿电压V(BR)GS
5) 直流输入电阻RGS
6) 最大耗散功率PDM
7) 跨导gm
在vDS为定值的条件下, 漏极电流变化量与 引起这个变化的栅源电压变化量之比, 称为跨
导或互导, 即
g i v m
D
V 常数 DS
GS
12
第四章
§4.1 结型场效应管
体内场效应器件 一. 结型场效应管的结构及工作原理
d 漏极 耗尽层 d
g 栅极
P
P
N
g s
s 源极
N沟道结型场效应管结构和符号
1
第四章
d 漏极 耗尽层
g 栅极
N
N
P

模电课件 第四章 放大电路基础(3)组合放大电路及复合管2013

模电课件    第四章 放大电路基础(3)组合放大电路及复合管2013

R0 = R02 ≈ RC
′ 1 = R e1 || R i 2 RL
Ri 2 = rbe 2 + (1 + β 2 ) Re 2
2013-3-4
当前PDF文件使用【皓天PDF打印机】试用版创建
电气工程学院 苏士美
ÿÿÿÿ
5
Rb
+VCC Rc T1 T2 Re1 Cb2 Re2 + V0 -

R b11
R c1 T1 Re1
R e2 T2
+ V CC + uo
- V EE
3、变压器耦合:
输入、输出之间用变压器耦合传递信号。用于选频放大器、功率放大器等。 特点同阻容耦合。 另外,变压器在传送交流信号的同时,可以实现电流、电压以及阻抗的变 换。变压器耦合体积大、费用高,低频特性差,较少用。
+
ui
+
第一级 A1
第二级 A2
第n级 An
+
uo
+
一、耦合方式:
耦合:即信号的传送。 耦合方式:各单元电路之间的连接方式。
1、阻容耦合: u 各级放大器静态工作点独立。
u输出温度漂移比较小。 u不适合放大直流及缓慢变化的信号, 只能传递交流信号。 u不便于作成集成电路。
2013-3-4
当前PDF文件使用【皓天PDF打印机】试用版创建 @ÿÿ
Ri2
R0
电气工程学院 苏士美
ÿÿ
6
多级放大电路
例题2:如图电路,已知β1、β2,rbe1、rbe2,求AV、Ri、R0。
共射—共基 电路
AV = AV 1 AV 2
AV 1 = − ′1 β1 RL rbe1

中南大学模电第4章PPT学习教案

中南大学模电第4章PPT学习教案

T1、T2微至少有一个导通, 无交越失真, 工作在甲乙类状态。
②ui=0时uo=0
第22页/共45页
3.实际电 路
R3
+VCC
T3
R*1
T1
R2
T4
T2 RL
+ uo
R4
VEE
第23页/共45页
4.功率和效率
由于甲乙类互补对称功率放大电路的静态电 流很小,其工作原理与分析方法与乙类功率放大 电路近似相同。
1. 典型应用参数: 直流电源: 4 12 V 额定功率: 660 mW 带 宽: 300 kHz 输入阻抗: 50 k
18 27 36 45
引脚图
第36页/共45页
2. 内部电路
电压串 联负反

1. 8 开路时, Au = 20
(负反馈最强)
1. 8 交流短路 Au = 200
(负反馈最弱)
第37页/共45页
T1 微导通 充分导通 微导通

T2 微导通 截止 微导通。
当 ui > 0 ( 至 ),
T2 微导通 充分导通 微导通

T1 微导通 截止 微导通。
第20页/共45页
2.克服交越失真的电 路
T3
T1
T4
T2
利用二极管消除交越失 真
R
T1
R1 2
T3
T2
UBE的倍增电路
U 对
BE 倍增电路有:UCE3
第6页/共45页
4.2.2 OCL电路的组成与工作原理 (OCL — Output Capacitorless)
电路组成及工作原理
+VCC T1 iC1
ui = 0 T1 、 T2 截 u止i > 0 T1 导通 T2 截止 io = iE1 = iC1, uO =

模电第四版ppt(康华光)第四章4汇编

模电第四版ppt(康华光)第四章4汇编
# 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多?
4.1 结型 场效应管
4.1.2 JFET的特性曲线及参数
iD f ( vDS ) vGSconst. iD f ( vGS ) vD Sconst. vGS 2 iD I DSS (1 ) VP
(VP vGS 0)
1. 输出特性 2. 转移特性
1. 结构
N型导电沟道
符号
P P型区 型区 # 符号中的箭头方向表示什么?
4.1.1 JFET的结构和工作原理
1. 结构
D
P N P
D G S
G
S
4.1 结型 场效应管
2. 工作原理
(以N沟道JFET为例)
③V V 和VDS同时作用时 ② ① 对沟道的控制作用 GS GS DS
当 VV < 0 时 时, VDS ID GS=0 GS 当 <V 导电沟 P GS<0 时, PN 结反偏 G 、D间 PN耗尽层加厚 结的反向电 道更容易夹断, 对于同样 压增加,使靠近漏极处的 的沟道变窄。 VDS , ID的值比VGS=0时 耗尽层加宽,沟道变窄, VGS继续减小,沟道 的值要小。 从上至下呈楔形分布。 继续变窄 在预夹断处 当VDS增加到使VGD=VP 当沟道夹断时,对应 时,在紧靠漏极处出现预 VGD=VGS-VDS =VP 的栅源电压VGS称为夹断 夹断。 电压VP ( 或VGS(off) )。 此时VDS 夹断区延长 对于 N沟道的 JFET ,VP <0。 沟道电阻 ID基本不变
所以
V 1 1 T Ro R // 1 IT gm gm R
4.4 结型 场效应管
3. 三种基本放大电路的性能比较
BJT CE CC CB BJT CE:

模电——负反馈

模电——负反馈
➢ 串联反馈还是并联反馈,取决于反馈网络与输入信 号的连接方式。如果反馈量与输入量均为电压则它 们是串联比较求和,因而一定为串联反馈;反之, 如果反馈量与输入量均为电流,它们是并联比较求 和,则为并联反馈。
➢ 正反馈和负反馈(一般指在中频段)可采用瞬时极性法。 如果引入反馈后使净输入信号减小,则为负反馈; 如果净输入增加,则为正反馈。
➢ 按反馈信号在输入回路中叠加的方式来分:
若按电流比较求和,则为并联反馈; 若按电压比较求和,则为串联反馈。
➢ 按反馈通路分:
如果反馈量只含有直流量则称为直流反馈; 如果反馈量只含有交流量,则为交流反馈。
或者说, 仅在直流通路中存在的反馈称为直流反馈, 仅在交流通路中存在的反馈称为交流反馈。
综上所述,负反馈分四种组态:电压串联负反馈、电压并 联负反馈、电流串联负反馈、电流并联负反馈
➢ 比较求和的二种型式
电压比较求和 串联反馈
Vi Vs Vf
电流比较求和
并联反馈
Ii Is If
二、反馈放 大器的分类
➢ 按反馈的极性来分:
若输入反馈后,使净输入增加,则为正反馈; 若输入反馈后,使净输入减小,则为负反馈。
➢按反馈信号对输出回路的取样对象来分:
若反馈量正比于输出电压时为电压反馈; 若反馈量正比于输出电流时为电流反馈。
对于深度负反馈( |1 AF |1 )
A f
X o X s
1
A A F
1 F
X f A FX i (1 A F ) X i X s
净输入:X i X s X f 0
对于串联负反馈,X i Vi 0 ,称为“虚短”。 对于并联负反馈,X i Ii 0 ,称为“虚断”。
一、由集成运放构成的各种运算电路

模电4版华成英课件4-7


华成英 hchya@
一、集成运放的特点
集成运算放大电路,简称集成运放,是一个高性能的直接 耦合多级放大电路。因首先用于信号的运算,故而得名。 (1)直接耦合方式,充分利用管子性能良好的一致性采用 差分放大电路和电流源电路。 (2)用复杂电路实现高性能的放大电路,因为电路的复杂 化并不带来工艺的复杂性。 (3)用有源元件替代无源元件,如用晶体管取代难于制作 的大电阻。 (4)采用复合管。
U BE1 U BE0 , I B1 I B0 I C1 I C0 I C
I R I C 0 I B 0 I B1 I C
IC
2IC
2

IR
电路中有负反 馈吗?
若 2 ,则 I C I R
华成英 hchya@
输出级的分析
准互补输出级,UBE倍增电路消除交越失真。
电流采样电阻
D1和D2起过流保护作用,未 过流时,两只二极管均截止。
U D 1= U BE 14 i O R 9 U
R7
iO增大到一定程度,D1导 通,为T14基极分流,从而保 护了T14。 特点: 输出电阻小 最大不失真输出电压高
华成英 hchya@
hchya@
华成英 hchya@
第五章 放大电路的频率响应
华成英 hchya@
第五章 放大电路的频率响应
§5.1 频率响应的有关概念 §5.2 晶体管的高频等效电路 §5.3 放大电路的频率响应
华成英 hchya@
'
C μ (1 g m R L ) C μ
华成英 hchya@
输入级的分析
T7的作用:抑制共模信号 放大差模信号 + + _ + + + + + T5、T6分别是T3、T4的有源负 载,而T4又是T6的有源负载,增 大电压放大倍数。 _ _ 特点: 输入电阻大、差模放大倍数大、 共模放大倍数小、输入端耐压高, 并完成电平转换(即对“地”输 出)。

课件:模电第四章(1)

24
§5.3 场效应管及其放大电路
与三极管一样, 根据输入、 输出回 路公共端选择不同, 将场效应管放大电 路分成共源、 共漏和共栅三种组态。 本节主要介绍常用的共源和共漏两种 放大电路。
25
共源放大电路
1. 电路组成及直流偏置
自偏置式共源放大电路
由于栅极电栅加阻极至电栅上阻极无:将直流Rs压电降流, 因而
27
28
2. 动态分析
放大电路的动态参数可由微变等效电路求出。 1) 场效应管的微变等效电路 2) 共源放大电路的微变等效电路 3)求动态参数
29
场效应管的微变等效电路
id
D
G
v gs
vds
S
G
Vgs
S
D
Id
gmVgs
Vds
rds
rds= VDS / ID 很大,可忽略。
30
场效应管的微变等效电路
当VDS增加到使VGD=VGS-VDS =VP 时,在紧靠漏极处出现预夹断点
8
二. 特性曲线
场效应管的特性曲线分为转移特性曲线和输出特性曲线。
1) 输出特性 输出特性是指栅源电压vGS一定, 漏极 预夹断点 电流iD与漏源电压vDS之间的关系, 即
iD/ mA 5
4
可 变

3阻

恒流区(放大区) vGS=0 V -1 V -2 V
V i V gs
负号表示输出输入反相
ro


V o gm V gs (RD // RL )

gm V i RL' 37
电压放大倍数估算

Av gm R'L
R’L=RD//RL

模电第四章3(第五版)——康华光.ppt


.
Re
. r be Ib
Re
Rcb
+5V
+ . Rc + Vo . _
Vo _
极性错
3
Vi1 + _ + _ Vi2
Vo
+ . Vi _
Re
Rc
+ . Vo _
3
4
16
第三章 三极管及放大电路基础 例:Vo的波形出现下列三种情况。说明各是什么失真?应调节什么 参数才能使失真改善?如果电路改为 PNP 管电路,这三种情况各是 vo 什么失真? v i
T
vs
vBE
vCE v o
RL
4kΩ
共射极放大电路
ib
vce Rc RL vo
ic i b
rbe Rc RL vo
vi
Rb
交流等效电路
微变等效电路
12
放大电路如图所示。已知BJT的 ß =40, Rb=300k , Rc=2k, VCC= +12V,求: (1)放大电路的Q点。 (2)Av、Ri、Ro (3) 若RL开路,Av如何变化
ib 0
Ro = Rc
β ib 0
9
4.3.2 小信号模型分析法
第三章 三极管及放大电路基础
3. 小信号模型分析法的适用范围 放大电路的输入信号幅度较小,BJT工作在其V-T特性 曲线的线性范围(即放大区)内。H参数的值是在静态工作 点上求得的。所以,放大电路的动态性能与静态工作点参数 值的大小及稳定性密切相关。 优点: 分析放大电路的动态性能指标(Av 、Ri和Ro等)非常方便, 且适用于频率较高时的分析。 缺点: 在BJT与放大电路的小信号等效电路中,电压、电流等 电量及BJT的H参数均是针对变化量(交流量)而言的,不能用 来分析计算静态工作点。

模电第4章 FET

N 沟 道 绝 增 缘 强 型
栅 场 效 应 管
P 沟 道 增 强 型
16
绝 缘 栅 场 效 应 管
N 沟 道 耗 尽 型
P 沟 道 耗 尽 型
17
§2 结型场效应三极管
一、结型场效应三极管的结构 JFET的结构与MOSFET相似,工作机理则相同。 JFET的结构如图所示,它是在N型半导体硅片 的两侧各制造一个PN结,形成两个PN结夹着一个N 型沟道的结构。一个P区即为栅极,N型硅的一端是 漏极,另一端是源极。
22
(a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 图 N沟道结型场效应三极管的特性曲线 动画(2-6) 动画(2-7)
23
结 型 场 效 应 管
N 沟 道 耗 尽 型
P 沟 道 耗 尽 型
24
四、场效应三极管的参数和型号 (1) 场效应三极管的参数
① 开启电压VGS(th) (或VT) 开启电压是MOS增强型管的参数,栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 ② 夹断电压VGS(off) (或VP) 夹断电压是耗尽型FET的参数,当VGS=VGS(off) 时, 漏极电流为零。 ③ 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电
12
(a) 结构示意图 (b) 转移特性曲线 N沟道耗尽型MOSFET的结构 和转移特性曲线
13
沟道耗尽型MOSFET 三、P沟道耗尽型 沟道耗尽型 P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同,只不过导电的载流 子不同,供电电压极性不同而已。这如 同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。
流。
④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值,对于 结型场效应三极管,反偏时RGS约大于107 ,对于 绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109~1015 。 ⑤ 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用, 这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在转 移特 性曲线上求取,单位是mS(毫西门子)。 ⑥ 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定,与双极型 三极管的PCM相当。
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Roc Rc
为了衡量差分放大电路放大差模信号、抑制共模信号的能 力 , 引 入 了 一 个 指 标 参 数 —— 共 模 抑 制 比 ( Common-Mode
Rejection Ratio),用KCMR表示。
K CMR
Aud Auc
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路 共模抑制比越大,表明差分放大电路对共模信号的抑制能 力越强。这在直接耦合的放大电路中是很有意义的。因为温度、 电源电压等所引起的零漂,以及外界干扰信号等对两管的影响 是相同的,所以可等效地看成是作用在差放输入端上的共模信 号,从而在输出端被抑制掉,使差模输入的有用信号得到放大。
压放大倍数为
uoc uoc1 uoc 2 Auc 0 uic uic
单端输出时的共模电压放大倍数为
Auc1
uoc1 Rc Rc uic Rb rbe (1 ) 2 Re 2 Re Auc 2 Auc1
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路 共模输入电阻是将两输入端并联后,由输入端到地之间的 等效输入电阻, 即 1 Ric [ Rb rbe (1 ) 2 Re ] (1 ) Re 2 单端输出的共模输出电阻为
1℃所产生的折合到输入端的等效零漂电压,即
uo Au T
V / C
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路
4.2 差分放大电路
4.2.1 差分放大电路的电路组成 图3-7是一个基本的差分放大电路,它由两个理想对称的共 射放大电路,通过公共的射极电阻Re耦合而成,因此称为射极耦 合差分放大电路。由于射极电阻接负电源-UEE,就好像拖着一个
UEE=IBQRb+UBEQ+2IEQRe
(4-4)
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路 通常情况下,Rb 阻值很小(很多情况下Rb 为信号源内阻), IBQ 也很小,故Rb 上的压降可忽略不计,发射极电位UEQ≈-UBEQ ,
则发射极的静态电流为
I EQ
U EE U BEQ 2 Re
(4-5)
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路
第4章 集成运算放大电路
4.1 集成运放的组成
4.2 差分放大电路 4.3 电流源电路 4.4 功率放大电路 4.5 集成运算放大电路
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路
4.1 典型模拟集成电路
1)集成运算放大器组成
图 4-1 运放组成方框图
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路 2) 零点漂移问题 人们在实验中发现,在直接耦合放大电路中,若将输入端短 路,用灵敏的直流表测量输出端,有一个相当可观的、随时间缓
为输出端的漂电压折合到输入端后来衡量。 对于电源电压的波动、元件的老化所引起的零漂可采用高 质量的稳压电源或经过老化实验的元件来减小,因此温度变化 所引起的半导体器件参数的变化是产生零点漂移的主要原因,
故也将零点漂移称为温度漂移,简称温漂,定义为温度每变化
耦合放大电路中,这种缓慢变化的漂移电压会被毫无阻隔地传
输到下一级, 并且被逐级放大,以致于有时在输出端很难分辨 出哪个是有用信号,哪个是漂移电压。换句话说,有用信号被 漂移电压“淹没”了,放大电路不能正常工作。
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路
uo
O
t
图 4-4 零点漂移现象
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路 一般来说,直接耦合放大电路的零点漂移主要取决于第一 级,而且级数越多,放大倍数越大,零点漂移越严重。通常, 零点漂移的大小不能以输出端漂移电压的绝对大小来衡量。因
+UCC
Rb IBQ2
图 4-8 图4-7的直流通路 (a) 直流通路; (b) Re等效变换后的直流通路
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路 由2.3节静态工作点稳定电路的分析可知, 发射极电阻越大, 每管工作点的稳定性越好,所以差分放大电路每边的静态工作 点比单管放大电路稳定,抑制温漂性能也好。 由IEQ可求得IBQ、ICQ和UCEQ, 即
管的集电极电位将同时上升或下降相同的数值。若采用双端输
出,输出电压将保持为零。也就是说,差分放大电路是利用电
路的对称性来将两管的温漂相互抵消的。
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路 若采用单端输出,由于射极电阻Re 的作用,将大大抑制每 只三极管的温漂。例如,温度升高使三极管集电极电流增加, 将引起如下过程:
输入共模信号的差分放大电路如图4-10(a)所示。在共模
信 号 作 用 下 , ΔiE1=ΔiE2 , 流 过 射 极 耦 合 电 阻 Re 的 电 流 总 量
ΔiRe=ΔiE1+ΔiE2=2ΔiE1 ,Re上的共模信号电压为uRe=2ΔiE1·Re, 即
对共模信号而言,每管发射极等效接入一个2Re的电阻。由此可 得交流等效电路如图4-10(b)所示。
由式(4-5)可知,就静态而言,对于每只三极管,发射极 相当于接入一个2Re的电阻,射极耦合电阻折算到每管发射极后 的静态等效电路如图4-8(b)所示。
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路
+UCC Rc Rb IBQ1 IEQ1 Re -UEE (a) (b) IEQ2 ICQ1 V1 ICQ2 V2 Rc Rb IBQ2 Rb IBQ1 2R e IEQ1 IEQ2 -UEE 2R e Rc ICQ1 V1 ICQ2 V2 Rc
i E1
Re
i E2
图 4-9 输入差模信号的差分放大电路 (a) 电路图; (b) 交流通路
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路 在差模输入信号作用下,差模输出电压的变化量Δuod与输入 电压的变化量Δuid之比定义为差模电压放大倍数Aud,即
uod Aud uid
(4-9)
压放大倍数与单管共射放大电路相同,也就是说它是以牺牲一 只管子的电压放大倍数为代价来换取抑制温漂的。若从单端输 出, 则差模电压放大倍数为
Aud 1
uod 1 uid uod 2 uid
RL Rc // 1 1 2 Aud 2 2 Rb rbe RL Rc // 1 1 2 Aud 2 2 Rb rbe
尾巴,故也称为长尾式差分放大电路。电路中通常采用正、负两
个极性的电源供电,且UCC=|UEE|,V1 管和V2 管的特性、参数完 全相同。两个输入端,分别用作输入电压信号ui1和ui2,若两端都
有信号输入,称为双端输入;若一端有信号输入,另一端接地,
则称为单端输入。两个输出端,若输出信号从V1管和V2管集电极 之间取出,则称为双端输出;若输出信号从V1管或V2管的一个集 电极取出,则称为单端输出。
极电流iC1增加,V2管的集电极电流iC2就减小。若两边电路完全
对称,则ΔiC1=-ΔiC2,ΔiE1=-ΔiE2,流过发射极电阻Re上的电流总
量ΔiRe=ΔiE1-ΔiE2=0, Re上的差模信号电压降为零。因而对差模信
号而言,Re可视为短路。考虑到两管集电极输出电压也是大小相 等,极性相反,故负载RL的中点,RL/2处可看成是零电位,即虚 地。这样,在差模输入信号作用下,差分放大电路的交流通路如 图4 - 9(b)所示,图中uod表示差模输出电压。
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路 2) 对共模信号的抑制作用 在差分放大电路的两个输入端分别加入一对大小相等、极性
相同的信号, 即ui1=ui2,这种输入方式称为共模输入。两输入端
分别对地的信号称为共模信号(Common-Mode Signal),用uic 表示,ui1=ui2=uic。
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路
+UCC Rc + i C1 V1 u oc - i C2 V2 Rc Rc u oc 1 Rb u i2 + u ic i E1 Re i E2 -UEE (a) (b) - 2R e Rb V1 i E1 i E2 + u od Rc - V2 2R e u oc 2 Rb
由图4-9(b)可知, 双端输入、双端输出的差模电压放大倍数为
uod uod 1 uod 2 Aud uid ui 1 ui 2
RL Rc // 2 Rb rbe
(4-10)
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路
可见,差分放大电路虽然采用了两只三极管,但是差模电
慢变化的不规则信号输出, 即输出电压在静态值上下随机偏离, 如图3-4所示。这种输入电压为零,输出电压不为零且缓慢变化
的现象称为零点漂移,简称零漂。
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路 在放大电路中,任何参数的变化,如电源电压的波动、元 件的老化、器件参数随温度的变化等,都会产生零点漂移。在 阻容耦合的放大电路中,这种缓慢变化的漂移电压被耦合电容 阻隔, 不会传送到下一级放大电路进一步放大。但是,在直接
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路
+UCC Rc + u od - Rc Rc u od1 Rb u i2 + u id -UCC (a) - + u i1 - - u i2 + (b) Rb V1 + u od - RL V2 Rc u od2 Rb
Rb u i1
i C1 R L i C2 V1 V2
Rb u i1
图 4-10 输入共模信号的差分放大电路 (a) 电路图; (b) 交流通路
第4章 多级放大电路和集成运算放大电路
在共模信号作用下,共模输出电压的变化量Δuoc与输入电压
的变化量Δuic之比定义为共模电压放大倍数Auc, 即
uoc Auc uic 由图4-10(b)可见,只要电路对称,双端输出时的共模电
I BQ
I EQ 1
(4-6) (4-7) (4-8)
I CQ I EQ U CEQ U CQ U EQ U CC I CQ Rc U BEQ
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