模拟电路 第4章习题选讲
模拟电路第四章习题解答
用 SPICE 分析： （1） 求电路的静态工作点； （2） 输入取频率为 1 kHz、幅值为 10 mV 的正弦信号，绘出差模输入时，
输出电压 vo1 和 vo2 的波形，并绘出 vo vo1 vo2 的波形； （3） 输入取频率为 1 kHz、幅值为 100 mV 的正弦信号，绘出差模输入时，
vo
而同相输入端的电位为：
u
R2 R1 R2
v1
因为“虚短”，即 u u ，所以
R2 R1 R2
v2
R1 R1 R2
vo
R2 R1 R2
v1 ，整理可求得差分放大器的输入输出关系为
vo
R2 R1
(v1
v2 )
。
题目中，电路增益为-10，因此 R2 10 。 R1
设：IIB 为运放输入偏置电流，IB1，IB2 分别是运放两个输入端的输入偏置电 流，IOs 为输入失调电流。有
vi 1mHz 1V
C1
R1 100KΩ
10uF
+ U1
R5 1KΩ
R2 10KΩ R3 1KΩ
-
U2
vo
+
R4 2KΩ
图 P4.8 解：U1 组成积分电路，U2 组成比例放大电路。
vi 1mHz 1V
C1
R1 100KΩ
10uF
-
U1
+
R5 1KΩ
vo1
R2
10KΩ
R3
1KΩ
-
U2
vo
+
R4 2KΩ
+
M4 Vo1 vo1
-
VEE
这是一个带有密勒补偿的两级运算放大器。放大器采用 PMOS 管输入。 a、低频电压增益；
模拟电子技术第4章习题答案
4 基本放大电路自我检测题一．选择和填空1. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用 A 或C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。
（A ．共射组态，B ．共集组态，C ．共基组态）2．射极跟随器在连接组态方面属共 集电 极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。
3．H 参数等效电路法适用 低 频 小 信号情况。
4．图解分析法适用于 大 信号情况。
5．在线性放大条件下，调整图选择题5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。
（A ．增大， B ．减小，C ．基本不变）（1）当R c 增大时，则静态电流I CQ 将 C ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 C ，输出电阻R o 将 A ；（2）当V CC 增大，则静态电流I CQ 将 A ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 B ，输出电阻R o 将 C 。
6．在图选择题5所示电路中 ，当输入电压为1kHz 、5mV 的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。
回答以下问题。
（1）这种失真是 B 失真。
（A ．截止，B ．饱和，C ．交越，D ．频率） （2）为了消除失真，应 B 。
（A ．增大C R ，B ．增大b R ，C ．减小b R ，D ．减小 CC V ，E ．换用β大的管子）。
R b R c+V CCC 2C 1R Lv iv oT图选择题57. 随着温度升高，晶体管的电流放大系数 _A_，穿透电流CEO I _A_，在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_B _。
（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。
（A ．上移， B ．下移，C ．左移，D ．右移，E ．增大，F ．减小，G ．不变） 9．共源极放大电路的v o 与v i 反相位，多作为 中间级 使用。
扎维模拟CMOS集成电路设计第四章习题
I SS 1103 0.72V 4 0.383510 50 W p Cox L 3
Vout max 3 0.72 2.28V Vout , swing 2Vout max Vout min 22.28 0.673 3.214 V
Chapter 4 习题
4.11
Cox
0 ox
tox
8.851014 F / cm 3.9 7 2 3 . 835 10 F / cm 9 109 m
cm2 F 4 A nCox 350 3.835107 1 . 34225 10 V s cm2 V2 cm2 F 4 A pCox 100 3.835107 0 . 3835 10 V s cm2 V2
b. VDD 0.8V时，M 3截止，Vout 0, AV 0 VDD 0.8V时，M 3导通，M1工作在线性区，VDD ，Vout ， AV 当VDD 上升到一定值时，M1进入饱和区。
VinCM 1.2V时，满足M1工作在饱和区的最小电 源电压为 VDD min VinCM VTH 1 VGS 3 1.2 0.7 1.607 2.107V
2 I D1 VGS 1 Vod 1 VTH 1 0.7 W nCox L 1 2 0.25103 0.7 0.893 V 4 1.3422510 100
VinCM min VodSS VGS 1 0.273 0.893 1.166 V
a. VinCMmin VodSS VGS1 VinCMmax VDD VGS3 VTH1
模拟电子技术第4章负反馈放大电路
rof
Ut It
It
I
t
Ut
AXid ro
1 AF ro Ut
即
rof
ro 1 AF
忽略反馈网络对It的分流
引入负反馈后的闭环输出电阻是无反馈的输出电阻的
1 1
AF
倍
35
2. 负反馈对输出电阻的影响 (P103)
(2) 电流负反馈使输出电阻增加
忽略反馈网络对Vo’的分压
6
4.1 反馈的概念
4.1.2 反馈类型及判断方法
2．正反馈与负反馈(P93) （1）定义 负反馈：使净输入信号量xid比没有引入反馈时减小了。 正反馈：使净输入信号量xid比没有引入反馈时增大了。 另一角度 正反馈：输入量不变时，引入反馈后输出量变大了。 负反馈：输入量不变时，引入反馈后输出量变小了。
常把区分反馈的正、负，称为区分反馈的极性。
7
2.负反馈与正反馈
负反馈——输入量不变时，引入反馈后使净输入量（直接加 到输入三极管B、E端或运放输入端）减小，放大倍数减小。
例：基本放大器，无反馈，净输入量Vbe=Vi，电压放大倍数为：
Au
β
R'L rbe
引入反馈后，净输入量
Vbe =Vi- Vf ， 电压放大倍数为：
电压串联负反馈
反馈信号 取自哪个 输出量
电压并联负反馈 电流串联负反馈 电流并联负反馈
反馈信号与输入 信号的连接方式
15
4.1.3 负反馈放大器的4种类型P95-98
电压串联
+
_ui
+
u_ id
A
+
uo
_
RL
模电第四习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显变GS小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模电第四章习题答案
模电第四章习题答案模电第四章习题答案模拟电子技术是电子工程中非常重要的一门学科，它涉及到电路的设计、分析和调试等方面。
第四章是模拟电子技术中的一个重要章节，主要讲解了放大器的基本原理和应用。
本文将为大家提供模电第四章习题的详细解答，希望能对大家的学习有所帮助。
1. 题目：一个共射放大器的电流增益为50，负载电阻为2kΩ，输入电阻为1kΩ，求其电压增益。
解答：共射放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 电流增益× 负载电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 50 × 2kΩ / 1kΩ = 100所以，该共射放大器的电压增益为100。
2. 题目：一个共集放大器的电压增益为30，输入电阻为10kΩ，输出电阻为1kΩ，求其电流增益。
解答：共集放大器的电流增益可以通过以下公式计算：电流增益 = 电压增益× 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电流增益= 30 × 1kΩ / 10kΩ = 3所以，该共集放大器的电流增益为3。
3. 题目：一个共基放大器的电流增益为50，输入电阻为1kΩ，输出电阻为10kΩ，求其电压增益。
解答：共基放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 电流增益× 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 50 × 10kΩ / 1kΩ = 500所以，该共基放大器的电压增益为500。
4. 题目：一个共射放大器的输入电阻为1kΩ，输出电阻为2kΩ，求其电压增益和电流增益。
解答：共射放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 2kΩ / 1kΩ = 2共射放大器的电流增益可以通过以下公式计算：电流增益 = 电压增益× 输入电阻 / 输出电阻代入已知数据，得到：电流增益= 2 × 1kΩ / 2kΩ = 1所以，该共射放大器的电压增益为2，电流增益为1。
模电第四章部分习题答案
模电第四章部分习题答案模拟电子技术是电子工程中的重要分支，它研究模拟电路的设计、分析和应用。
在模拟电子技术的学习过程中，习题是检验学生理解和掌握程度的重要方式。
在模电第四章中，有许多习题需要我们认真思考和解答。
本文将对模电第四章部分习题进行解答，帮助读者更好地理解和应用模拟电子技术。
1. 题目：已知一个放大电路的输入电压为1V，输出电压为10V，求放大倍数。
解答：放大倍数是指输出电压与输入电压之间的比值。
根据题目中的信息，我们可以得到放大倍数为10。
2. 题目：一个放大电路的放大倍数为20，输入电压为2V，求输出电压。
解答：根据放大倍数的定义，我们可以得到输出电压为放大倍数乘以输入电压，即20乘以2V，等于40V。
3. 题目：一个放大电路的输出电压为20V，放大倍数为10，求输入电压。
解答：根据放大倍数的定义，我们可以得到输入电压为输出电压除以放大倍数，即20V除以10，等于2V。
4. 题目：一个放大电路的放大倍数为50，输入电压为1V，求输出电压。
解答：根据放大倍数的定义，我们可以得到输出电压为放大倍数乘以输入电压，即50乘以1V，等于50V。
5. 题目：一个放大电路的输入电压为0.5V，输出电压为10V，求放大倍数。
解答：根据题目中的信息，我们可以得到放大倍数为输出电压除以输入电压，即10V除以0.5V，等于20。
通过以上的习题解答，我们可以看出放大倍数是一个重要的概念，它描述了放大电路中输入和输出之间的关系。
在实际应用中，我们可以根据放大倍数的大小来选择合适的放大电路，以满足特定的需求。
除了放大倍数，模拟电子技术还涉及到许多其他的概念和知识点，如放大电路的频率响应、输入输出阻抗等。
通过解答习题，我们可以更好地理解和应用这些概念。
总之，模拟电子技术是电子工程中的重要内容，习题的解答是我们学习和掌握模拟电子技术的重要方式。
通过对模电第四章部分习题的解答，我们可以加深对放大倍数等概念的理解，并能够更好地应用于实际工程中。
模拟电路课后第四章答案
模拟电路课后第四章答案第四章习题解答4-1 如题4-1图所⽰MOSFET 转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？答：（a ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 2-=（b ）P-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或统称为开启电压()V V th GS 2)= （c ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 4-=（d ）N-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或也称为开启电压()V V th G S 4)-= 4-2 4个FET 的转移特性分别如题4-2图(a)、(b)、(c)、(d)所⽰。
设漏极电流i D的实际⽅向为正，试问它们各属于哪些类型的FET ？分别指出i D 的实际⽅向是流进还是流出？答：（a ）P-JFET ，D i 的实际⽅向为从漏极流出。
（b ）N-DMOSFET ，D i 的实际⽅向为从漏极流进。
（c ）P-DMOSFET ，D i 的实际⽅向为从漏极流出。
（d ）N-EMOSFET ，D i 的实际⽅向为从漏极流进。
4-3 已知N 沟道EMOSFET 的µn C ox =100µA/V 2，V GS(th)=0.8V ，W/L=10，求下列情况下的漏极电流：（a ）V GS =5V ，V DS =1V ；（b ）V GS =2V ，V DS =1.2V ；（c ）V GS =5V ，V DS =0.2V ；（d ）V GS =V DS=5V 。
解：已知N-EMOSFET 的()108.0,/1002===LWth G S ox n VV V A C µµ（a ）当V V V V D S G S 1,5==时，MOSFET 处于⾮饱和状态()()th G S G S D S V V V -<()()[]()[]mAV V V VI V mA th GS GSLWC D D S D S x o n 7.3118.052101.02221222=-?-??=--=µ（b ）当V V V V D S G S 2.1,2==时，()D S th G S G S V V V V ==-2.1，MOSFET 处于临界饱和()()()()mA V V C I V mA th GS GS L W ox n D 72.08.02101.02221221=-=-?=µ （c ）当V V V V DS GS 2.0,5==时，()D S th G S G S V V V V >=-2.4，MOSFET 处于⾮饱和状态()()()[]()[]mA V V V V C I V m A D S D S th G S G S L W ox n D 82.02.02.08.052101.022212212=-?-??=--=µ（d ）当V V V D S G S 5==时，()th G S G S D S V V V ->，MOSFET 处于饱和状态 ()()()()mA V V C I V mA th GS GS L W ox n D 82.88.05101.02212=-=-?=µ 4-4 N 沟道EMOSFET 的V GS(th)=1V ，µn C ox （W/L ）=0.05mA/V 2，V GS =3V 。
(完整版)模拟电路部分习题答案
1．放大电路的静态工作点ICQ和UCEQ计算如下。
根据题3-9图所示电路列写直流负载线方程如下：
分别令IC=0，UCE=0，代入直流负载线方程，得到负载线上两个坐标点，M（3，0），N（0，1），连接M、N得到直流负载线。
根据直流通路，得基极静态工作电流为
直流负载线MN与iB=IB=15.3μA的输出特性曲线的交点Q就是静态工作点。Q点坐标为
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
（8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？
2．RL=∞时，输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值的计算。
若RL=∞，交流负载线斜率与直流负载线斜率相同，为
如题3-9图b所示。
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3．若RL=7kΩ，交流负载线斜率为
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3-6如题3-12图所示放大电路中，已知晶体管的β=100，UBE=－0.3V。
3．输入电阻和输出电阻。
解：
1．静态工作点计算
2．电压增益AU。
本题目电路中，有旁路电容C，此时放大电路的电压增益为，
3．输入电阻和输出电阻的计算。
解：
a不能。没有直流偏置，不能提供合适的静态工作点。
电路与模拟电子学课后习题详解 第4章
编辑：徐进
2012.02
4.1
已知 uA 200cos 314tV , uB １ 00 2 cos(314t 120 )V 。求：
(1)写出它们的有效值、初相、频率和周期； (2) uA 和 uB 的相位差； (3)在同一坐标平面上画出 uA 与 uB 的波形图。 解 (1)依题意：
容易得到：
U1 40 30 V ，U2 V 2 2
所以由 U U1 U 2 ，得到
2 U U12 U 2 U1U 2 cos 90
U 50 V ， arctan 2 37 U1 2
故 u 的瞬时表达式为
u 50cos(t 37 )V
(复数计算)由题意：
iS u
R
C
电压的相量形式
U =5 20 V=5 2V
题图 4.11
故有
Z
所以解得：
U
5 (1 j) Is 2
R 5 ， C=0.1F
4.12 电路如题图 4.12 所示，已知电流表 A1 的读数为 3A ， A 2 的读数为 4A ，
求电流表 A 的读数。若此时电压表 V 的读数为 100V ，求电阻的复阻抗及负 导纳。 解 由题意，设
u
V
4
Z (6+j L)Ω
所以电压的读数为
U1 U 40 4 (6 j L)V Z 36 ( L) 2
V1
2
L
题图 4.10
故
40 36 ( L)2 4 2 36 ( L)
解得
L 8mH
相量图略。 4.11 题图 4.11 所示电路中，若 is 2 2 cos(2t 45 )A ， u 10cos 2tV ，试确
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IA
反。即电流IB IA为流入， IC为 流出。 故此BJT为NPN管。
IC
IB
Bb
根据电流分配关系可
Ce
知，A是集电极，B是 基极，C是发射极。
Ic
IB
2mA 0.04mA
50
4.2.2 电路如图所示，设BJT的β=80，VBE=0.6V， ICEO、VCES可忽略不计，试分析当开关S分别接通A、B、 C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，
并求出相应的集电极电流Ic。
12V
解:(1)S接通A时：
IB
(12 0.6)V 40K
0.3mA
I BS
I CS
Vcc / R c
0.038mA
500kΩ 40kΩ
B
A
S
C
20kΩ
4kΩ
T β=80
IB>IBS，∴BJT工作在饱和区
12V
Ic
Vcc Rc
12V 4K
3mA
S接通B时：
12V
(12 0.6)V IB 500K 0.023mA
五、电路静态工作点的稳定性问题 解法：分析电路的直流通路，看温度升高时电
路能否自动地适当减小基极电流IBQ即可。 若能自动减小IBQ，则静态工作点稳定。这也 就是后面要讲的所谓直流负反馈。
六、放大电路的频率响应
掌握通频带、上限截止频率、下限截止频率和由 典型表达式或波特图求通频带和上限截止频率、 下限截止频率。见图4.7.12和图4.7.14。
IBQ
Vcc VBEQ Rb
40A
ICQ IBQ 4mA
Rb
VCEQ VCC ICQ RC
12V 4mA 2k
300kΩ Cb1
4V
RS +
VS
-
Rc 2kΩ
-12V Cb2
T
+
RL VO -
(2)简化的H参数小信号等效电路图：
b ib
ic
c
+
+
RS +
Vi Rb
rbe
VS
--
(3)求电路的电压增益Av、输入电阻Ri、输出电阻Ro；(4) 若Vo中的交流成分出现图题4.3.11b所示的失真现象，问
是截止失真还是饱和失真？为消除此失真，应调整电路
中的哪个元件？如何调整？
-12V
Vs
Rb
Rc
O
t
300kΩ
2kΩ
Cb2
Cb1
T
+
Vo
RS
RL VO
t
+
-
O
VS
-
解： (1)估算Q点
图解法步骤：1、在输入特性曲线所在坐标中，画
VCC iB Rb vBE ,即iB f vBE 直流方程 ，得IBQ。
2、在输出特性曲线所在坐标中，画负载线方程
VCE VCC iC RC ，得负载线与iB＝IBQ输出特性
曲线的交点，即为Q点，三个要素即可得到。
四、放大电路的动态分析
解法：也有小信号等效电路分析法和图解法两种。
ห้องสมุดไป่ตู้
4.1.2 某放大电路中BJT三个电极A、B、C的电流如图
题4.1.2所示，用万用表直流电流档测得IA=-2mA， IB=-0.04mA，IC=+2.04mA，试分析A、B、C中哪个是 基极b、发射极e、集电极c，并说明此管是NPN还是
PNP管，它的 =？
Ac
解：IA=-2mA，IB=-0.04mA可 知IA 、IB的方向与实际方向相
e
Rc
RL
βib
Vo
-
Rb 300kΩ
Cb
1
RS +
VS -
-12V
Rc
2kΩ
Cb
2
T
+
RL V
O
-
(3)求Av、 Ri、 Ro
BJT的输入电阻：
rbe
rbb'
(1
)
26(mV) IEQ (mA )
200
(1100 )
26mV 4mA
857
Av
(R c ||
rbe
RL)
155 .6
R i R b || rbe 857 R o R c 2k
所以，该电路可以稳定Q点。
第4章习 题 选 讲
2006.10.30
第4章主要题型及解法
一、判断BJT是何管型及电极是发射极、集电 极还是基极
解法：根据电流的大小关系可以确定电极的属性； 根据电流流经发射极的方向可以确定是NPN管还是 PNP管。
二、判断BJT工作在其输出特性曲线的哪个区域(放 大区、饱和区、截止区)
解法：可通过加在发射结、集电结的电压情况来判 断发射结、集电结是正偏还是反偏，从而来判断 BJT工作在哪个区域。
（T升高时，Rt减小）
解： 对图(a)，T升高时，一方面导致 ICQ 增加，另一方面：
T R t R t || R b2
VCC
VBQ
Rt
R t || R b2 || R b2 R b1
VCC
Rb1
Rc
VBEQ (VBQ V EQ )
T
IBQ ICQ
θ Rt Rb2
Re
即T升高引起Rt下降使得ICQ下降，
小信号等效电路分析法步骤：1、画出放大电路的 小信号等效电路；2、由工作点参数确定小信号等 效电路中的元件（rbe等）参数值；3、由小信号等 效电路求AV，Ri，RQ；
图解法步骤：
在输入输出特性曲线所在坐标中，过Q点画交流负 载线，然后在输入特性曲线坐标画输入信号波形， 可在输出特性曲线所在坐标中得到对应输出信号波 形，分析之。 对多级放大器，分级求解，但要注意各级间的相互 联系：前级输出电压是后级的输入电压，后级的输 入电阻是前级的负载电阻。等等。
500kΩ 40kΩ
B
A
4kΩ
S
T
IB<IBS， ∴BJT工作在放大区。 C 20kΩ
β=80
IC=βIB=80×0.023mA=1.84mA 12V
<3mA S接通C时：
BJT的发射结反偏，工作在截 止区，IC≈0
4.3.11 电路如图所示，已知BJT的β=100,VBEQ=-0.7V。(1) 估算电路的Q点；(2)画出简化的H参数小信号等效电路；
(1)发射结正偏且集电结反偏，则工作在放大区； (2)发射结、集电结均正偏，则工作在饱和区； (3)发射结、集电结均反偏，则工作在截止区；
三、放大电路的静态分析 解法：有解析法和图解法两种。
解析法步骤：1、画出放大电路的直流通路；2、由 基极回路求IBQ或VBQ(对射极偏置电路）；3、求 ICQ和VCEQ，对射极偏置电路，则求 VEQ→IEQ→ICQ→IBQ和VCEQ；
Vs
该图中BJT为PNP管。BJT O
t
管在负半周失真，是由于
静态工作点过低引起，即 Vo
IBQ过小，因此是截止失真。 O
t
为消除失真，则要增大 IBQ ，所以应减小Rb
Rb 300kΩ
Cb1
RS +
VS -
Rc 2kΩ
-12V Cb2
T
+
RL VO -
4.4.2 如图所示的偏置电路中，热敏电阻Rt具有负温 度系数，问能否起到稳定工作点的作用？