3.2.4雪崩光电二极管(apd)
光检测器介绍(PIN、APD详细讲解)
因此，检测器不能用于波长范围大于869 nm的系统中。
pin的量子效率
如果耗尽区宽度为w，在距离w内吸收光功率为:
P w P in (1e sw )
当电载流子在材料中流动时，一些电子 - 空穴对会重新
复合而消失，此时电子和空穴的平均流动距离分别为Ln和Lp，
这个距离即扩散长度，分别由下式决定:
LnDn n1/2
LpDp
1/2 p
Dn和Dp分别为电子和空穴的扩散系数，tn和tp为电子和空穴 重新复合所需的时间，称为载流子寿命。
在半导体材料中光功率的吸收呈指数规律:
光检测器介绍
主要内容
光电二极管的物理原理 光检测器噪声 检测器响应时间 雪崩倍增噪声 InGaAs APD结构 温度对雪崩增益的影响
光电检测器的要求
光电检测器能检测出入射在其上面的光功率，并完成光/ 电信号的转换。对光检测器的基本要求是:
- 在系统的工作波长上具有足够高的响应度，即对一定的入 射光功率，能够输出尽可能大的光电流； - 具有足够快的响应速度，能够适用于高速或宽带系统； - 具有尽可能低的噪声，以降低器件本身对信号的影响； - 具有良好的线性关系，以保证信号转换过程中的不失真； - 具有较小的体积、较长的工作寿命等。
目前常用的半导体光电检测器有两种: pin光电二极管和 APD雪崩光电二极管。
6.1 光电二极管的物理原理
光电二极管实际上类似于一个加了反向偏压的pn结。它 在发向偏压的作用下形成一个较厚的耗尽区。当光照射到光 电二极管的光敏面上时, 会在整个耗尽区 (高场区) 及耗尽区 附近产生受激跃迁现象, 从而产生电子空穴对。电子空穴对在 外部电场作用下定向移动产生电流。
apd原理
apd原理APD原理。
APD（Avalanche Photodiode）是一种光电二极管，它具有内部增益，能够将光信号转换为电信号。
在光通信、激光雷达、光谱分析等领域，APD被广泛应用，其原理和特性对于光电子技术有着重要的意义。
APD的工作原理是基于光电效应和雪崩放大效应。
当光子进入APD的活动区时，会激发电子-空穴对的产生，这些电子-空穴对会在电场的作用下被加速，产生电流。
与普通的光电二极管相比，APD具有内部增益，这是因为在电场的作用下，电子-空穴对会发生雪崩放大效应，产生更多的载流子，从而使光信号得到放大。
APD的内部增益使得它具有更高的灵敏度和更低的噪声水平。
这使得APD在低光功率条件下能够提供更好的信噪比，从而提高了光信号的检测性能。
因此，APD在弱光信号检测方面具有明显的优势。
此外，APD还具有快速响应速度和宽波长范围的特点。
由于雪崩放大效应的存在，APD的响应速度比普通光电二极管更快，这使得它在高速光通信和激光雷达等领域有着广泛的应用。
同时，APD对于波长的响应范围也比较宽，能够接收多种波长的光信号，这使得它在光谱分析和光学成像等方面具有重要的作用。
然而，APD也存在一些缺点，比如工作电压较高、温度敏感性强、制造工艺复杂等。
这些缺点使得APD的应用受到一定的限制，需要在实际应用中加以注意和克服。
总的来说，APD作为一种重要的光电器件，在光通信、激光雷达、光谱分析等领域发挥着重要作用。
它的内部增益特性使得它在低光功率条件下具有优越的性能，快速响应速度和宽波长范围也使得它有着广泛的应用前景。
随着光电子技术的不断发展，相信APD在未来会有更广泛的应用和更深入的研究。
apd限流电阻
apd限流电阻
（原创版）
目录
1.APD 限流电阻的概述
2.APD 限流电阻的工作原理
3.APD 限流电阻的优点与应用
4.APD 限流电阻的局限性与未来发展
正文
一、APD 限流电阻的概述
APD（Avalanche Photodiode，雪崩光电二极管）限流电阻，是一种
用于光通信领域中光接收器电路的电阻。
其主要功能是在光接收器电路中，限制雪崩光电二极管（APD）的电流，以保证其在正常工作范围内，避免
因电流过大而导致的损坏。
二、APD 限流电阻的工作原理
APD 限流电阻的工作原理主要基于欧姆定律，即电流 I=电压 U/电阻R。
在光接收器电路中，APD 的电压由其内部的光电效应产生，而限流电
阻的作用是限制流过 APD 的电流。
通过调整限流电阻的阻值，可以控制
流过 APD 的电流，从而保证其在正常工作范围内。
三、APD 限流电阻的优点与应用
1.优点：APD 限流电阻具有响应速度快、灵敏度高、抗干扰能力强、体积小等优点，广泛应用于光纤通信领域。
2.应用：APD 限流电阻主要用于光纤通信系统中的光接收器电路，对光信号进行光电转换，并将电信号传输给后级电路进行信号处理。
此外，APD 限流电阻还广泛应用于光纤网络、光纤猫、光纤传输系统等设备中。
四、APD 限流电阻的局限性与未来发展
1.局限性：虽然 APD 限流电阻具有很多优点，但也存在一定的局限性，如受温度影响较大、阻值稳定性较差等。
这些问题在一定程度上限制了 APD 限流电阻的应用范围。
2.未来发展：随着光通信技术的不断发展，对 APD 限流电阻的性能要求也越来越高。
apd原理
apd原理APD原理。
APD（Avalanche Photodiode）是一种特殊的光电二极管，它利用光电效应将光信号转换为电信号。
与普通的光电二极管相比，APD具有更高的灵敏度和更低的噪声，因此在光通信、光雷达、光谱分析等领域有着广泛的应用。
APD的工作原理主要基于光电效应和雪崩效应。
当光子照射在APD的PN结上时，光子的能量被转化为电子的动能，从而在PN结中产生电子-空穴对。
这些电子-空穴对会在电场的作用下被分离，电子被加速向P区，空穴被加速向N区，最终在PN结中产生电流。
这一过程就是光电效应的基本原理。
而在APD中，由于PN结中的电场非常强，当电子-空穴对被加速时，它们会获得足够的能量，使得在碰撞过程中每个电子都能够激发更多的电子-空穴对。
这种现象被称为雪崩效应，它使得APD具有了放大光信号的能力。
因此，APD可以将弱光信号放大到可以被检测的水平，从而提高了光检测的灵敏度。
除了雪崩效应，APD还具有其他一些特点。
例如，由于雪崩效应的存在，APD 的噪声非常低，这使得它在低光水平下的性能优于普通光电二极管。
此外，APD还具有较快的响应速度和较宽的频率响应范围，这使得它在高速通信和高频率信号检测中有着广泛的应用。
在实际应用中，APD的性能受到许多因素的影响。
例如，APD的工作温度、偏置电压、光子入射角度等都会对其性能产生影响。
因此，在设计和使用APD时，需要综合考虑这些因素，以保证其性能达到最佳状态。
总的来说，APD是一种具有放大功能的光电二极管，它利用光电效应和雪崩效应将光信号转换为电信号，并具有灵敏度高、噪声低、响应速度快等特点。
在光通信、光雷达、光谱分析等领域有着广泛的应用前景。
通过对APD工作原理的深入理解，可以更好地发挥其在各种应用中的优势，推动光电子技术的发展。
科学出版社 江文杰编著《光电技术》习题答案
4-7 说明 PIN 管、雪崩光电二极管的工作原理和各自特点。PIN 管的频率特性为什么比普通 光电二极管好? 答：（一）PIN 光电二极管
工作原理：PIN 光电二极管是一种快速光电二极管，PIN 光电二极管在掺杂浓度很高的 P 型半导体和 N 型半导体之间夹着一层较厚的高阻本征半导体 I，其基本原理与光电二极管 相同。但由于其结构特点，PIN 光电二极管具有其独特的特性。如下图所示。
=
SΦ m
R1 RL
=
SΦ m
Rb Rb + RL
=
0.6 × 5 × 125 125 + 125
= 1.5μA
交流输出电压 UL 的有效值
UL = ILmRL / 2 = 1.5μA ×125kΩ/ 2 = 132.6mV
(3)上限截止频率
f HC
=
1 2πR1C1
=
1 2 × 3.14 × 125 ×103 × 6 ×10−12
科学出版社《光电技术》第 1 版习题与思考题及参考解答
第 4 章 光伏探测器
4-1 （1）证明：光电二极管输出的光电流 Ip = eηΦ0 / (hν ) ，式中：Ф0 为入射辐射功率，e
为电子电量，η为量子效率，hv 为入射光子能量；（2）通常光电二极管的内增益 M=1，不会 出现 M>1。试从光伏效应的机理上加以解释。
压，负载电阻 50Ω 自身的噪声电压）：
U
2 in
=
2eiΔf
⋅
R2
+
4kT Δf
⋅
R
=
APD光电二极管特性测试实验
APD光电二极管特征测试实验一、实验目的1、学习掌握APD光电二极管的工作原理2、学习掌握APD光电二极管的基本特征3、掌握 APD光电二极管特征测试方法4、认识 APD光电二极管的基本应用二、实验内容1、 APD光电二极管暗电流测试实验2、 APD光电二极管光电流测试实验3、 APD光电二极管伏安特征测试实验4、 APD光电二极管雪崩电压测试实验5、 APD光电二极管光电特征测试实验6、 APD光电二极管时间响应特征测试实验7、 APD光电二极管光谱特征测试实验三、实验仪器1、光电探测综合实验仪 1 个2、光通路组件 1 套3、光照度计 1 台4、光敏电阻及封装组件 1 套5、 2#迭插头对（红色，50cm）10 根6、 2#迭插头对（黑色，50cm）10 根7、三相电源线 1 根8、实验指导书 1 本9、示波器1台四、实验原理雪崩光电二极管APD— Avalanche Photodiode是拥有内部增益的光检测器，它能够用来检测轻微光信号并获取较大的输出光电流。
雪崩光电二极管能够获取内部增益是鉴于碰撞电离效应。
当PN结上加高的反偏压时，耗尽层的电场很强，光生载流子经过时就会被电场加快，当电场强度足够高( 约 3x105V／ cm) 时，光生载流子获取很大的动能，它们在高速运动中与半导体晶格碰撞，使晶体中的原子电离，进而激发出新的电子一空穴对，这类现象称为碰撞电离。
碰撞电离产生的电子一空穴对在强电场作用下相同又被加快，重复前一过程，这样多次碰撞电离的结果使载流子快速增添，电流也快速增大，这个物理过程称为雪崩倍增效应。
图 6-1 为 APD的一种构造。
外侧与电极接触的P 区和 N 区都进行了重混杂，分别以P+和 N+ 表示；在 I 区和 N+区中间是宽度较窄的另一层P 区。
APD工作在大的反偏压下，当反偏压加大到某一值后，耗尽层从N+-P 结区向来扩展 ( 或称拉通 ) 到 P+区，包含了中间的 P 层区和 I 区。
浅析APD光电二极管基本特性测试研究
浅析APD光电二极管基本特性测试研究发表时间：2019-05-05T16:47:16.533Z 来源：《电力设备》2018年第31期作者：蔡智[导读] 摘要：APD光电二极管是在光探测研究中使用的一种重要的光伏探测器元件，在光电系统领域中有着举足轻重的地位，我国光电领域的科研人员对APD光电二极管的研究十分重视，如何对APD光电二极管的性能进行测试成为了科研人员需要攻破的首要难关。
（汉口学院光电信息科学与工程专业湖北省武汉市 430212）摘要：APD光电二极管是在光探测研究中使用的一种重要的光伏探测器元件，在光电系统领域中有着举足轻重的地位，我国光电领域的科研人员对APD光电二极管的研究十分重视，如何对APD光电二极管的性能进行测试成为了科研人员需要攻破的首要难关。
本文主要介绍的针对APD光电二极管的部分特性测试，主要包括暗电流、光电流的测试、APD光电二极管的电压特点、APD光电二极管的光照性能测试、APD光电二极管的达到什么条件会击穿的测试以及APD光电二极管的响应度与倍增因子情况的测试研究。
关键词：APD光电二极管；结构；特性；测试1.简析APD光电二极管的概念与优点1.1 APD光电二极管的定义Avalanche Photo Diode的中文译名为雪崩光电二极管，又称APD光电二极管，主要应用与光电工程领域，APD光电二极管的生产材料主要是半导体材料硅或锗为主，APD光电二极管被称为雪崩光电二极管的原因是因为在光探测中，在APD光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，测试的光被APD光电二极管中的P-N结构吸收后，形成的光电流在改变反向偏压后，会造成光电流成倍的激增的现象，因为视觉上形同“雪崩”，所以APD光电二极管又称为雪崩光电二极管。
1.2 APD光电二极管的优点普通的光电二极管在在光学反映中的性能测试中的性能较差，主要原因是普通光电二极管的灵敏度不高，对光电流的敏感性不强，APD光电二极管则是通过技术改良，增强了光电二极管的灵敏度，提高了对光电流的敏度，对我国光电领域的精密测量提供了技术前提。
雪崩光电二极管安全操作及保养规程
雪崩光电二极管安全操作及保养规程雪崩光电二极管（APD）是一种具有放大增益的光电探测器，被广泛应用于光通信、雷达、光学传感等领域。
本文将介绍雪崩光电二极管的安全操作和保养规程。
安全操作1. 驱动电压雪崩光电二极管的驱动电压通常较高，为几百伏至数千伏。
操作人员在使用雪崩光电二极管前，应仔细阅读相关操作手册，熟悉驱动电压的范围和操作方法。
2. 光功率雪崩光电二极管的响应速度和灵敏度与光功率有关。
在操作时，应根据实际需要选择合适的光功率，避免对雪崩光电二极管产生过大的光功率，导致雪崩放大过程失控。
3. 温度雪崩光电二极管的响应特性与温度有关，一般在操作时应将其在规定的温度范围内工作。
在使用过程中，禁止在高温环境下操作或存放，以免损坏雪崩光电二极管。
4. 静电雪崩光电二极管对静电极为敏感，应在防静电环境下操作，避免因静电放电产生的电磁干扰和损坏。
保养规程1. 清洁在操作过程中，应保证设备表面清洁干燥，防止灰尘、油污等影响设备工作。
定期使用干净柔软的棉布清洁设备表面。
2. 防尘在长时间不使用雪崩光电二极管时，应使用防尘罩或特定的密封罐储存，避免尘埃、水分等物质对设备的损害。
3. 防潮雪崩光电二极管对潮湿环境也较为敏感，遇潮湿环境时，应使用干燥剂进行干燥处理，保证设备的稳定和长寿命。
4. 维护保养定期对设备进行检查和维护，避免因长期使用或磨损产生故障和损坏。
同时，应及时更换易损件，延长设备寿命。
总结雪崩光电二极管作为一种高灵敏度、高增益的光电探测器，在科研和工程应用中被广泛使用。
作为操作人员，在使用或保养设备时，应根据规程进行操作，保证设备的完好和安全，同时在发现异常情况时，应及时停止使用并寻求专业人员的帮助和维修。
APD芯片介绍以及应用
APD芯片介绍以及应用APD芯片即雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode）芯片，是一种用于光电转换的器件。
与一般的光电二极管（PD）相比，APD芯片具有更高的增益和更高的灵敏度，能够检测较低强度的光信号。
本文将介绍APD芯片的工作原理、特点以及主要应用领域。
首先，我们来了解APD芯片的工作原理。
APD芯片内部包含一个P-N结构的高掺杂区，该区域被称为雪崩区。
当光子进入APD芯片时，它们会激发出电子和空穴对。
在高电场的作用下，这些电子和空穴会加速，形成电子雪崩和空穴雪崩效应。
这种雪崩效应会引起更多的电子和空穴对生成，从而产生较高的电流。
因此，APD芯片能够放大和检测较弱的光信号。
APD芯片的特点主要包括以下几个方面。
首先，与普通PD相比，APD芯片具有更高的增益。
普通PD的增益通常在10左右，而APD芯片的增益可以达到几百或上千倍。
这意味着APD芯片可以检测到较低强度的光信号。
其次，APD芯片具有更高的灵敏度。
这是因为APD芯片利用雪崩效应放大了光信号，增加了光电流。
此外，APD芯片还具有高速响应、低噪声和宽波长响应范围等特点。
APD芯片在许多领域有着广泛的应用。
首先，在光通信领域，APD芯片被广泛应用于光纤通信系统中的光接收机。
其高增益和高灵敏度使得APD芯片能够接收到远距离传输的光信号，并保持较低的误码率。
其次，在光电子领域，APD芯片被用于激光雷达系统中的目标检测和跟踪。
由于APD芯片的高增益和灵敏度，它能够检测到较远距离的目标，并提供更准确的测量结果。
此外，APD芯片还被应用于光谱分析、医学成像和科学研究等领域中。
总结起来，APD芯片是一种具有高增益和高灵敏度的光电转换器件。
通过利用雪崩效应，APD芯片能够放大和检测较弱的光信号。
其在光通信、光电子和其他领域中的广泛应用，使得APD芯片在现代科技中起着重要的作用。
随着科技的不断发展，相信APD芯片将会在更多领域中展示其优势，推动技术的进步与创新。
雪崩光电探测器
雪崩光电探测器雪崩光电探测器光电探测器是将光信号转变为电信号的器件，雪崩光电探测器采用的即是雪崩光电二极管(APD)，能够具有更大的响应度。
APD将主要应用于长距离或接收光功率受到其它限制而较小的光纤通信系统。
目前很多光器件专家对APD的前景十分看好，认为APD的研究对于增强相关领域的国际竞争力，是十分必要的。
雪崩光电探测器的材料1)SiSi材料技术是一种成熟技术，广泛应用于微电子领域，但并不适合制备目前光通信领域普遍接受的1.31mm,1.55mm波长范围的器件。
2)GeGe APD虽然光谱响应适合光纤传输低损耗、低色散的要求，但在制备工艺中存在很大的困难。
而且，Ge的电子和空穴的离化率比率（）接近1，因此很难制备出高性能的APD器件。
3)In0.53Ga0.47As/InP选择In0.53Ga0.47As作为APD的光吸收层，InP作为倍增层，是一种比较有效的方法[2]。
In0.53Ga0.47As材料的吸收峰值在1.65mm, 在1.31mm,1.55mm 波长有约为104cm-1高吸收系数，是目前光探测器吸收层首选材料。
In0.53Ga0.47As光电二极管比起Ge光电二极管，有如下优点：（1）In0.53Ga0.47As是直接带隙半导体，吸收系数高；（2）In0.53Ga0.47As介电常数比Ge小，要得到与Ge光电二极管相同的量子效率和电容，可以减少In0.53Ga0.47As耗尽层的厚度，因此可以预期In0.53Ga0.47As/InP光二极管具有高的效应和响应；（3）电子和空穴的离化率比率（）不是1，也就是说In0.53Ga0.47As/InP APD噪声较低；（4）In0.53Ga0.47As与InP晶格完全匹配，用MOCVD方法在InP 衬底上可以生长出高质量的In0.53Ga0.47As外延层，可以显着的降低通过p-n结的暗电流。
（5）In0.53Ga0.47As/InP异质结构外延技术，很容易在吸收区生长较高带隙的窗口层，由此可以消除表面复合对量子效率的影响。
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2020/6/25
常用光伏探测器分类
硅光电池常用光伏探测器光电二极管光电三极管
2020/6/25
照度(lx)
2020/6/25
照度(lx)
3.2.2 硅光电二极管
2 伏安特性
在无光照的条件下，给硅光电二极管加电 压，电流-电压（伏-安）特性，如图中曲线①。 受到光的照射事曲线①会向曲线②的方向移动， 光再变强向曲线③平行移动。
2020/6/25
电流－电压特性
3.2.2 硅光电二极管
光电二极管在大多数场合都是加反向偏压工作 的。如果加正向偏压，它就与普通二极管一样，只 具有单向导电性，而表现不出它的光电效应。
2020/6/25
3.2.1 光电池
光电池特性
(1)光电特性
光电池开路电压与入射光照度成对数关系，在
弱光情况下短路电流与入射光照度成线性关系。 光电流在弱光照射下与光照度成线性关系。在
光照增加到一定程度后，输出电流达到饱和。
开路电压和短路电流与 开路电压和短路电流与
入射光的照度关系
光电池受光面积的关系
3.2.2 硅光电二极管
硅光电二极管是最简单、使用最广泛、最具有 代表性的光伏效应的光半导体器件。
硅光电二极管的基本结构和工作原理
a) 2DU型光电二极管结构原理 b) 工作原理
2020/6/25
3.2.2 硅光电二极管
根据右图的等效电路可得
出I0的公式：
I0
IL
ID
I"
IL
IS
eVD e kT
在低反向偏压下光电流随反向偏压的变化较为 明显；当进一步增加反向偏压时，光电流趋于饱和。 这时光电流仅决定入射光的功率，而几乎与反向偏 压无关。
2020/6/25
光电二极管的伏安特性曲线
3.2.2 硅光电二极管
3 暗电流
光电二极管在无光照射时的暗电流就是二极
管的反向饱和光电流I0，暗电流对温度变化非常敏
频率（Hz）
光电池的响应频率受极间电容、内阻以及负载 电阻的限制，一般不会太高，硅光电池的最高截止 频率仅为数千赫。
2020/6/25
3.2.1 光电池
(4)光谱特性
光电池对光的响应表现出选择特性光，其光谱 响应都存在着短波阈、峰值波长和长波阈（红限波 长）。这主要与光电池材料、生长工艺有关。
常见几种硅光池的光谱曲线
相对响应度（%）
2020/6/25
波长(μm）
3.2.1 光电池
(5)温度特性
光电池的参数与温度有关，其参数值随环境温 度改变而变化。如图给出了短路电流和开路电压与 温度的关系曲线。
光电池温度特性
温度(℃）
光电池作为探测器件时，应适当采取温度补偿措 施，以保证测量数据的精度。
2020/6/25
开路电压 UOC(mV) 短路电流 ISC(mA)
公式表示如下：
I SC
IL
I
S
exp
e
I
SC kT
RS
1
I SC RS RSh
2020/6/25
3.2.2 硅光电二极管
光电二极管的基本特性
1 光电特性（光电灵敏度）
光电二极管的电流灵敏度定义为输出电流 与入射到光敏面上辐射通量之比 。
一般有下面的关系式： 硅光电二极管光电特性曲线
Si
2DR型硅光电池结构
外形
符号
以P型硅为衬底，然 后在衬底上扩散磷而 形成N型层并将其作 为受光面。
2020/6/25
硅光电池受光面的输出
电极多做成梳齿状或 “E”字型电极，以减小 硅光电池的内电阻。
3.2.1 光电池
当光作用于PN结时，耗尽区内的光生电子与空
穴在内建电场力的作用下分别向N区和P区运动，在
因此，如要获得大的 光电线性范围，负载电阻 不宜取得过大。
电流密度J/mAmm-2
2020/6/25
照度(lx)
3.2.1 光电池
(2)伏安特性
光电池输出电压、输出电流 和输出功率随负载电阻变化
的关系曲线
硅光电池的伏安特性
2020/6/25
相对输出
3.2.1 光电池
(3)频率特性
硅光电池的频率特性
dI
d
q
hc
1 ead
光电流(μA)
可知，光电流灵敏度与
材料对光的吸收系数a有关。
2020/6/25
照度(lx)
3.2.2 硅光电二极管
同时，光电流灵敏度与入射光辐射波长λ也 有关系，通常将其峰值波长的电流灵敏度作为光
电二极管的电流灵敏度。 短路电流和光照度的关系 开路电压与光照度的关系
短路电流(μA ) 开路电压(mV)
1
I"
等效电路原理图
IS：二极管反向饱和电流，e：电子电荷， K：波耳兹曼常数，T：绝对温度
2020/6/25
3.2.2 硅光电二极管
开放端电压VOC，即I0=0时的输出电压，
其公式表示如下：
VOC
kT e
ln
IL I" IS
1
注意：微弱光检测时，此式关系不成立。
短路电流ISC是当RL=0、V0=0时的输出电流，其
闭合的电路中产生输出电流IL，且负载电阻RL上产
生电压降为U。
硅光电池工作原理示意图
PN结获得的偏置电
压U与光电池输出电流IL 及负载电阻RL有关，即
U=ILRL
2020/6/25
3.2.1 光电池
光电池输出电流IL包括光生电流IP、扩散 电流与暗电流等三部分，即
qILR L
IL IP ID (e KT 1)
扩散型光电二极管 PIN型光电二极管 雪崩光电二极管(APD) 肖特基光电二极管 异质结型光伏器件
3.2.1 光电池
2020/6/25
光敏面
3.2.1 光电池
能提供较大电流的大 面积光电池
2020/6/25
3.2.1 光电池
光电池的基本结构和工作原理
按硅光电池衬底材料的不同可分为2DR型和
2CR型。
感。
暗电流与温度关系曲线
暗电流Id(μA)
2020/6/25
温度 (℃）
3.2.2 硅光电二极管
另外，暗电流也与所加偏压有关。 暗电流与偏压关系曲线
S2551
S2281
暗电流 暗电流
偏压 (v)
开路电压(mV) 短路电流(mA) 开路电压(mV) 短路电流(mA)
入射光照度(mW/cm2)
2020/6/25
受光面积(mm2)
3.2.1 光电池
输出电流出现饱和的光照度与负载电阻有关， 负载电阻大时，容易出现饱和，负载电阻小时，能 够在较宽的范围内保持线性关系。
在不同负载电阻下的输出 电流与光照的关系曲线