CMOS反向器版图设计实验报告

上海电力学院VLSI原理和设计报告

题目：CMOS反向器版图设计院系：电子与信息工程学院

专业：电子科学与技术

年级：

姓名：学号：

指导老师：刘伟景

一、实验目的

1、熟悉virtuoso editing、LSW设计窗口及操作

2、熟练掌握设计快捷键的操作

3、培养CMOS数字集成电路设计中减小芯片面积的设计技巧和方法的

能力

4、认识版图数据文件

二、实验设备

硬件环境：奔腾四PC机、SUN BLADE工作站

软件环境：solaris操作系统、Cadence集成电路设计软件

三、实验内容

实验一UNIX上机实验（１）

实验内容及步骤：

1．在主目录/home/student/stu231 或/home/student/stu231创建自己的子目录(姓名全拼)。

注意：以后的新建文件和目录全部都在子目录中进行。

2．对根目录进行详细列表并将结果存入自己的子目录下新文件lsl.log中，并用cat命令显示该文件内容，再用file命令查看该文件类型。

3.用cat命令将自己建立的lsl.log文件扩展3次形成一个新文件ls2.log，并用more命令显示该文件内容，统计该文件的行数，并将此信息追加到文件末尾。

4.对自己的子目录打包后压缩，查看形成的新文件信息后，在进行解压和解包。

5.为自己创建一个新的目录new，将自己原目录下的文件拷贝到新目录new中。

6.删除新目录及其下的所有文件。

7.用定向的方法把who命令形成的结果保存到文件who.log中，并查看该文件内容。

8.用chmod命令修改文件who.log的可执行权限使其成为可执行文件，并运行该文件查看结果。

9.进入VI编辑器再次修改文件who.log的内容，其内容为对目录的详细列表，并使改变who.log的可执行权限，使得其权限形式为“r w x r- x r - -”。并执行之。

实验二：UNIX上机实习（续）

10．进入VI编辑器修改lsl.log文件内容，利用全局替换命令将“root”修改为“stu”。11．利用一条命令来显示根目录列表文件的第8、9、10三行内容。

12．用history命令查询以前执行过的命令，并用历史替换的方法重复执行最近的一条ls 命令。

13．用read命令同时给3个变量赋值。

14．用env命令查询系统中的环境变量。

15．用alias命令为自己建立一个新命令，命令的功能为对自己的子目录进行详细列表。16．编辑一个shell脚本，可以提示用户以下信息：

a.the working directory

b.home directory

c.system time

d.the users of the system

e.we can use the following aliases

the number of the env variables

17．绘制原理图

实验三：CMOS反向器版图设计

1、建立版图文件

使用library manager。首先，建立一个新的库myLib，关于建立库的步骤，在前文介绍cdsSpice时已经说得很清楚了，就不再赘述。与前面有些不同的地方是：由于我们要建立的是一个版图文件，因此我们在technology file选项中必须选择compile a new tech file,或是attach to an exsiting tech file。这里由于我们要新建一个tech file，因此选择前者。这时会弹出load tech file的对话框，如图2-1-1所示。

在ASCII Technology File中填入csmc1o0.tf即可。接着就可以建立名为inv的cell 了。为了完备起见，读者可以先建立inv的schematic view和symbol view（具体步

骤前面已经介绍，其中pmos长6u，宽为0.6u。nmos长为3u，宽为0.6u。model 仍然选择hj3p和hj3n）。然后建立其layout view，其步骤为：在tool中选择virtuoso－layout，然后点击ok。

2、绘制inverter掩膜版图的一些准备工作

首先，在library manager中打开inv这个cell的layout view。即打开了virtuoso editing窗口版图视窗打开后，掩模版图窗口显现。视窗由三部分组成：Icon menu , menu banner ,status banner.

3、绘制版图

一．画pmos的版图（新建一个名为pmos的cell）

1．画出有源区

在LSW中，点击active（dg），注意这时LSW顶部显示active字样，说明active层为当前所选层次。然后点击icon menu中的rectangle icon，在vituoso editing窗口中画一个宽为 3.6u，长为6u的矩形。这里我们为了定标，必须得用到标尺。点击

misc/ruler即可得到。清除标尺点击misc/clear ruler。如果你在绘制时出错，点击需要去除的部分，然后点击delete icon。

2．画栅

在LSW中，点击poly（dg），画矩形。与有源区的位置关系如下图：

0.6u

6u(gate width)

1.5u

3.6u

3．画整个pmos

为了表明我们画的是pmos管，我们必须在刚才图形的基础上添加一个pselect层，这一层将覆盖整个有源区0.6u。接着，我们还要在整个管子外围画上nwell，它覆盖有源区1.8u。如下图所示：

pselect

1.8u