电工学(下册)电子技术基础 第3章 习题解答讲解
电工学(电子技术)课后答案秦曾煌

第14章晶体管起放大作用的外部条件,发射结必须正向偏置,集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。
2.晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时,其各极电流关系如下:C B I I β≈(1)E B C B I I I I β=+=+C C BB I I I I ββ∆==∆3.晶体管的特性曲线和三个工作区域 〔1〕晶体管的输入特性曲线:晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时,B I 和BE U 之间的关系。
晶体管的输入特性也存在一个死区电压。
当发射结处于的正向偏压大于死区电压时,晶体管才会出现B I ,且B I 随BE U 线性变化。
〔2〕晶体管的输出特性曲线:晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时,C I 随CE U 变化的关系曲线。
在不同的B I 下,输出特性曲线是一组曲线。
B I =0以下区域为截止区,当CE U 比较小的区域为饱和区。
输出特性曲线近于水平部分为放大区。
〔3〕晶体管的三个区域:晶体管的发射结正偏,集电结反偏,晶体管工作在放大区。
此时,C I =b I β,C I 与b I 成线性正比关系,对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压,或者反偏压,集电结反偏压,晶体管处于截止工作状态,对应输出特性曲线的截止区。
此时,B I =0,C I =CEO I 。
晶体管发射结和集电结都处于正向偏置,即CE U 很小时,晶体管工作在饱和区。
此时,C I 虽然很大,但C I ≠b I β。
即晶体管处于失控状态,集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。
14.3 典型例题例14.1 二极管电路如例14.1图所示,试判断二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压值。
设二极管导通电压D U =0.7V 。
25610VD1(a)(b)(c)(d)例14.1图解:○1图〔a 〕电路中的二极管所加正偏压为2V ,大于DU =0.7V ,二极管处于导通状态,则输出电压0U =A U —D U =2V —0.7V=1.3V 。
电子技术基础马磊主编 课后练习填空题整理

示为(������������������������������������������������������������������������)������������������������������������������,用余 3 码可表示为(������������������������������������������������������������������������)余������码。
������������
反 向 电 压 ������������������ =50 ������ V , 若 采 用 桥 式 整 流 电 路 , 二 极 管 承 受 的 最 大 反 向 电 压 ������������������ =50 ������V, 若采用半波整流电容滤波电路, 二极管承受的最大反向电压������������������ =100V, 若采用桥式整流电容滤波电路,二极管承受的最大反向电压������������������ =50 ������V。 (4) 已知负载上的直流电 流 ������������ =100mA ,若采用半波 整流电路,通过二极管 的电流 (5) (6) (7) (8) (9) (10) 第六章 (1) (2) ������������ =100mA,若采用桥式整流电路,通过二极管的电流������������ =50mA。 电容滤波电路中的电容与负载相并联,适用于负载电阻比较大的场合,交 电时间常数越大,输出波形脉动越小。 电感滤波电路中的电感与负载相串联,适用于负载电阻较小的场合。 对二极管产生较大冲击电流的是电容滤波电路,对二极管产生较小冲击电 流的是电感滤波电路。 如果通过稳压管的反射电流小于������������min ,则稳压管工作在截止状态,这时稳 压管不起稳压作用。 串联型稳压电路由采样环节、基准环节、放大环节、调整环节四个环节构成。 三端集成稳压器 W7809 输出正电压 9V,W7909 输出负电压-9V。 数字电路基础 输入有 0 得 1,全 1 为 0 是与非门;输入相同为 0,相异为 1 是异或门。 三极管具有放大、饱和、截止三种状态,在模拟电路中,三极管工作在放大状态, 在数字电路中,三极管工作在截止和饱和状态。
《电工学-电子技术B》习题解答

《电子技术》习题与解答第二章:半导体二极管和三极管、第三章:基本放大电路一、单项选择题*1.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )A 、正、反向电阻相等B 、正向电阻大,反向电阻小C 、反向电阻比正向电阻大很多倍D 、正、反向电阻都等于无穷大 *2.电路如题2图所示,设二极管为理想元件,其正向导通压降为0V ,当U i =3V 时,则U 0的值( D )。
A 、不能确定B 、等于0C 、等于5VD 、等于3V**3.半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。
A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个5.晶体管的主要特性是具有( D )。
A 、单向导电性B 、滤波作用C 、稳压作用D 、电流放大作用 *6.稳压管的稳压性能是利用PN 结的( D )。
A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性8.对放大电路进行动态分析的主要任务是( C ) A 、确定静态工作点QB 、确定集电结和发射结的偏置电压C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ,r 0D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ,r o *9.射极输出器电路如题9图所示,C 1、C 2足够大,对输入的交流信号u 可视作短路。
则输出电压u 0与输入电压u i 之间的关系是( B )。
A 、两者反相,输出电压大于输入电压B 、两者同相,输出电压小于且近似等于输入电压C 、两者相位差90°,且大小相等D 、两者同相,输出电压大于输入电压 *11.在共射极放大电路中,当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时,电压放大倍数将( B )A 、减少B 、增大C 、保持不变D 、大小不变,符号改变 13.在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路,直流电源也视为短路,这种处理方法是( A )。
题2图题9图A 、正确的B 、不正确的C 、耦合电容视为短路是正确的,直流电源视为短路则不正确。
电工学下册ppt课件

Si
Si
pS+i
Si
多
掺杂后自由电子数目
余 大量增加,自由电子导电
电 成为这种半导体的主要导
子 电方式,称为电子半导体
或N型半导体。
失去一个 电子变为 正离子
磷原子
在N 型半导体中自由电子 是多数载流子,空穴是少数
载流子。
14.1.2 N型半导体和 P 型半导体
Si
Si
BS–i
Si
硼原子 接受一个 电子变为 负离子
++++++ ++++++
对相反的运动 最终达到动态 平衡,空间电
多子的扩散运动
扩散的结果使空 间电荷区变宽。
荷区的厚度固 定不变。PN结 处于相对稳定 的状态。
14.2.2 PN结的单向导电性
1. PN 结加正向电压(正向偏置) P接正、N接负
PN 结变窄
---- - - ---- - - ---- - -
第14章 半导体器件
14.1 半导体的导电特性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 双极型晶体管 14.6 光电器件 本章要求: 一、理解PN结的单向导电性,三极管的电流分配和 电流放大作用; 二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线,理解主要参数的意义; 三、会分析含有二极管的电路。
14.1.1 本征半导体
完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征 半导体。
价电子
Si
Si
共价健
Si
Si
晶体中原子的排列方式
硅单晶中的共价健结构
共价键中的两个电子,称为价电子。
电工学_下册(电子技术)第六版_秦曾煌

1.晶体三极管工作在放大状态时,其发射结处于正…偏置,集URM = 14.1 V ;若采用单相桥式整流电路,则二极管承受的最高反向压降 U RM = 14.1 V 。
5.(57.5) 10= (111001.1 )2=( 39.8 )16。
6.三变量的逻辑函数共有 8个最小项。
其全部最小项之和为 1 。
7.TTL 三态门的输出包括高电平、低电平和高阻态等三种工作状态。
二、选择题:(每题2分,共12分)1.某硅三极管三个电极的电位Ve Vb 和Vc 分别为3V 、3.7V 和6V ,则该管工作在A )状态。
A 饱和B 、截止C 、放大2.工作在甲乙类状态的互补对称功率放大电路,通常提供一个偏置电路以克服(D )失真。
损坏A 、截止3.电路如图1所示,引入的反馈为(B 、饱和 C )负反馈。
C 、截止和饱和交越A 、电压并联B 、电流并联 C 电压串联 电流串联4.下列电路中D )电路。
A 、加法器B 、编码器 C 、译码器计数器5.构成一个十二进制的计数器, )个触发器。
A 、 2B 、 46.摩根定律的正确表达式是:C 、D 12、用代数法化简如下逻辑函数为最简与或式。
B 、 D 、(6分)2.放大电路电工学期考试卷01-电子技术B、填空题:(每空2分,共30分)并宜负反馈;若想要增加输出电阻,应引入电流 负反馈。
3. 理想运算放大电路工作在线性区时,有 虚断和虚短两个重要概念。
4.已知变压器二次侧电压 U =10V,采用单相半波整流电路,二极管承受的最高反向压降Y = A B^A C C+C D +AB C +B C D解:Y = B(A AC) C(D AD BD)= B(A C) C(D A B)AB CD AC =AB BC C D AC精品文档四、图 2 所示放大电路中,已知V C C=12V,金i=90k Q,吊2=30k Q , F C=2.5k Q , R=1.5k Q , F L=10k Q , 3 =80, U B E = 0.7V。
《电工学-电子技术-下册》习题册习题解答

《电工与电子技术》习题与解答电工电子教研室第九章:半导体二极管和三极管、第十章:基本放大电路一、单项选择题*1.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为(C)A、正、反向电阻相等B、正向电阻大,反向电阻小C、反向电阻比正向电阻大很多倍D、正、反向电阻都等于无穷大*2.电路如题2图所示,设二极管为理想元件,其正向导通压降为0V,当U i=3V 时,则U0的值( D)。
A、不能确定B、等于0C、等于5VD、等于3V题2图**3.半导体三极管是具有( B)PN结的器件。
A、1个B、2个C、3个D、4个5.晶体管的主要特性是具有(D)。
A、单向导电性B、滤波作用C、稳压作用D、电流放大作用*6.稳压管的稳压性能是利用PN结的(D)。
A、单向导电特性B、正向导电特性C、反向截止特性D、反向击穿特性8.对放大电路进行动态分析的主要任务是(C)A、确定静态工作点QB、确定集电结和发射结的偏置电压C、确定电压放大倍数A u和输入、输出电阻r i,r0D、确定静态工作点Q、放大倍数A u和输入、输出电阻r i,r o*9.射极输出器电路如题9图所示,C1、C2足够大,对输入的交流信号u可视作短路。
则输出电压u0与输入电压u i之间的关系是( B)。
A、两者反相,输出电压大于输入电压B 、两者同相,输出电压小于且近似等于输入电压C 、两者相位差90°,且大小相等D 、两者同相,输出电压大于输入电压*11.在共射极放大电路中,当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时,电压放大倍数将( B )A 、减少B 、增大C 、保持不变D 、大小不变,符号改变 13.在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路,直流电源也视为短路,这种处理方法是( A )。
A 、正确的B 、不正确的C 、耦合电容视为短路是正确的,直流电源视为短路则不正确。
D 、耦合电容视为短路是不正确的,直流电源视为短路则正确。
电工学 电子技术
P
内电场 外电场
N
–+
26
2. PN 结加反向电压(反向偏置)P接负、N接正
PN 结变宽
--- - -- --- - -- ---- - -
+++ +++ +++
+++ +++ +++
P
IR
内电场 外电场
–+
N
内电场被加 强,少子的漂 移加强,由于 少子数量很少, 形成很小的反 向电流。
PN 结加反向电压时,PN结变宽,反向电流较小, 反向电阻较大,PN结处于截止状态。
半导体:另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间,称为半导体,如锗、硅、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。
10
半导体的导电特性:
热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强 (可做成温度敏感元件,如热敏电阻)。
光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。
Si
BS–i
Si
硼原子 接受一个 电子变为 负离子
掺入三价元素 空穴 掺杂后空穴数目大量
增加,空穴导电成为这 种半导体的主要导电方 式,称为空穴半导体或 P型半导体。 在 P 型半导体中空穴是多 数载流子,自由电子是少数 载流子。
无论N型或P型半导体都是中性的,对外不显电性。
16
小结:
(1)本征半导体中有两种载流子导电,自由电子和空穴 ,但载流子数目极少, 其导电性能很差。温度愈高, 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。
2
电子技术由模拟电子技术和数字 电子技术两部分构成。
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第3章晶体三极管及其放大电路3.1 测得放大电路中的晶体三极管3个电极①、②、③的电流大小和方向如图3.1所示,试判断晶体管的类型(NPN或PNP),说明①、②、③中哪个是基极b、发射极e、集电极c,求出电流放大系数 。
图3.1 习题3.1图解:(a) ①-c ②-b ③-e PNP β=1.2/0.03=40(b) ①-b ②-e ③-c NPN β=1.5/0.01=1503.2 试判断图3.2所示电路中开关S放在1、2、3哪个位置时的I B最大;放在哪个位置时的I B最小,为什么?+V CC图3.2 习题3.2图解:在①时,发射极相当于一个二级管导通,此时I B就等于此导通电流。
在②时,三极管相当于两个并联的二极管,此时I B等于两个二级管导通电流之和,所以此时的电流最大。
在③时,发射极导通,集电结反偏,集电结收集电子,所以I B电流下降,此时电流最小。
3.3.测得某放大电路中晶体三极管各极直流电位如图3.3所示,判断晶体管三极管的类型(NPN或PNP)及三个电极,并分别说明它们是硅管还是锗管。
解:(a) ①-e ②-c ③-b 硅NPN(b) ①-b ②-c ③-e 锗PNP(c) ①-b ②-e ③-c 锗PNP图3.3 习题3.3图3.4 用万用表直流电压挡测得晶体三极管的各极对地电位如图3.4所示,判断这些晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、放大、截止或已损坏)。
2.7V(a)(b)-5V--0.6V(c)-(d)9V-6V(e)0V(f)图3.4 习题3.4图解:(a) 截止 (b) 饱和 (c) 放大 (d) 饱和 (e) 截止 (f) 损坏3.5 某晶体管的极限参数为I CM = 20mA 、P CM = 200mW 、U (BR)CEO = 15V ,若它的工作电流I C = 10mA ,那么它的工作电压U CE 不能超过多少?若它的工作电压U CE = 12V ,那么它的工作电流I C 不能超过多少?解:)V (1510200,15min ,min C CM (BR)CEO CE =⎭⎬⎫⎩⎨⎧=⎭⎬⎫⎩⎨⎧=I P U U )mA (67.1612200,20min ,min CE CM CM C =⎭⎬⎫⎩⎨⎧=⎭⎬⎫⎩⎨⎧=U P I I3.6 图3.5所示电路对正弦信号是否有放大作用?如果没有放大作用,则说明理由并将错误加以改正(设电容的容抗可以忽略)。
解:(a) 无放大作用。
电容C 使得集电结反偏不成立。
应将电容C 改为阻值合适的电阻。
(b) 无放大作用。
V BB 使得交流输入信号无法加到三极管上。
应在此支路串联一阻值合适的电阻。
(c) 无放大作用。
PNP 三极管要求V C <V B <V E ,同时电容C 使得发射结正偏不成立。
应将V CC 的+12V 改为-12V ,同时将电容C 取消。
(d) 无放大作用。
发射极正偏不成立。
将电阻R b 接地那一端改为接到V CC 。
图3.5 习题3.6电路图3.7 确定图3.6所示电路中的静态工作点I CQ 和U CEQ 的值图3.6 习题3.7电路图解:(a) )μA (6.225007.012bBE(on)CC BQ ≈-=-=R U V I )mA (39.3BQCQ ==I I β)V (61.8139.312C CQ CC CEQ =⨯-=-=R I V U(b) )V (77.2108.17.48.1BQ =⨯+=V)mA (88.11.17.077.2e BE(on)BQ EQ CQ=-=-=≈R U V I I)V (29.2)1.13(88.110CEQ =+⨯-=U3.8 在图3.6(a )所示电路中,假设电路其它参数不变,分别改变以下某一项参数时:(1)增大R b ;(2)增大V CC ;(3)增大β。
试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 和U CEQ 将增大、3.9 图3.7所示为放大电路的直流通路,晶体管均为硅管,判断它的静态工作点位于哪个区(放大区、饱和区、截止区)。
R b R bR 100k Ω(+12V)300k 2k (a)(b)(c)图3.7 习题3.9电路图解:(a) 发射结正偏导通,假设处于放大区)μA (57.822011007.05BQ =⨯+-=I)mA (71.1BQ CQ =⋅=I I β)V (56.15)(5e c CQ CEQ -=+-=R R I U∴假设错误,三极管处于饱和区。
(b) 发射结正偏导通,假设处于放大区)μA (2.325.01013007.012BQ =⨯+-=I)mA (22.3BQ CQ =⋅=I I β)V (95.3)5.02(22.312CEQ =+⨯-=U∴假设成立,三极管处于放大区。
(c) 发射结反偏截止,所以三极管处于截止区。
3.10 画出图3.8所示电路的直流通路和微变等效电路,并注意标出电压、电流的参考方向。
设所有电容对交流信号均可视为短路。
图3.8 习题3.10电路图解:(a)R R CC(b)R R CCoU +-(c)R RCC(d) cR R eCCoU +-3.11 放大电路如图3.9(a)所示。
设所有电容对交流均视为短路,BEQ U = 0.7V ,50β=。
(1)估算该电路的静态工作点Q ;(2)画出小信号等效电路;(3)求电路的输入电阻i R 和输出电阻o R ;(4)求电路的电压放大倍数uA ;(5)若o u 出现如图3.9(b )所示的失真现象,问是截止失真还是饱和失真?为消除此失真,应该调整电路中哪个元件,如何调整?图3.9 习题3.11电路图解:(1) )μA (7.373007.012BQ =-=I )mA (88.1BQ CQ =⋅=I I β )V (35.6388.112CEQ=⨯-=U(2) )k (0.188.12651300be Ω=⨯+=roU +-U(3) )k (0.1//be be b i Ω=≈=r r R R )k (3c o Ω==R R(4) 600.12//350'//be L be b L c b u -=⨯-=⋅-=-==r R r I R R I U U A i o ββ(5) 此为截止失真,为减小失真,应减小R b 使Q 点上移。
3.12 图3.10所示NPN 三极管组成的分压式工作点稳定电路中,假设电路其它参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、U CEQ 、r be 和uA 将增大、减小还是基本不变。
(1)增大R b1; (2)增大R b2; (3)增大R e ; (4) 增大β。
u iu oBEQ 100β=。
U CES =0.5V (1)估算电路的静态工作点(I CQ ,U CEQ );(2)求电路的输入电阻i R 和输出电阻o R ;(3)求电路的电压放大倍数uA 和源电压放大倍数us A ;(4)求不失真的最大输出电压omax U 。
图3.11 习题3.13电路图解:(1) )V (412603030BQ =⨯+=V)mA (65.127.04EQ CQ =-=≈I I )V (4.5)22(65.112CEQ =+⨯-=U(2) )k (89.165.126101300be Ω=⨯+=roU +-U(3) )k (73.1////be b2b1i Ω==r R R R )k (2c o Ω==R R(4) 55.7089.14//2100'//beL be b L c b u -=⨯-=⋅-=-==r R r I R R I U U A i o ββ73.68usi i us -=+=A R R R A (5){}{}{})V (2.24//265.1,5.04.5min ',min ,min L CQ CES CEQ R F maxo =⨯-=⋅-==R I U U U U U3.14 放大电路如图3.12所示,设所有电容对交流均视为短路。
已知BEQ 0.7V U =,100β=。
(1)估算静态工作点(I CQ ,U CEQ );(2)画出小信号等效电路图;(3)求放大电路输入电阻i R 和输出电阻o R ;(4)计算交流电压放大倍数uA 源电压放大倍数us A 。
图3.12 习题3.14电路图解:(1) )V (412201010BQ =⨯+=V)mA (65.12.08.17.04EQ CQ =+-=≈I I )V (4.5)2.08.12(65.112CEQ =++⨯-=U(2) )k (89.165.126101300be Ω=⨯+=roU +-U(3) )k (12.5])1(//[//e1be b2b1i Ω=++=R r R R R β )k (2c o Ω==R R(4) 04.62.010189.14//2100)1('])1([//e1be L e1be b L c b u -=⨯+⨯-=++⋅-=++-==R r R R r I R R I U U A i o ββββ05.5usi i us -=+=A R R R A 3.15 电路如图3.13所示,设所有电容对交流均视为短路。
已知BEQ 0.7V U =,100β=,r ce 可忽略。
(1)估算静态工作点Q (I CQ 、I BQ 和U CEQ );(2)求解uA 、i R 和o R 。
图3.13 习题3.15电路图解:(1) )V (412603030BQ =⨯+=V )mA (65.127.04EQ CQ =-=≈I I)V (7.8265.112CEQ =⨯-=U )μA (5.16CQ BQ ==βII(2) )k (89.165.126101300be Ω=⨯+=rU(3) )k (45.17]//)1(//[//L e be b2b1i Ω=++=R R r R R R β )(8.271//////sb1b2be e o Ω=++=βR R R r R R(4)986.04//210189.14//2101')1(')1(]//)1([//)1(Lbe L L e be b Le b u =⨯+⨯=++⋅+=+++==R r R R R r I R R I U U A ioββββ3.16 一放大电路如图3.14(a)所示,已知晶体管的U BEQ = 0.7V 、β = 50、r bb' = 100Ω,各电容值足够大。
试求:(1) 静态工作点的值;(2) 该放大电路的电压放大倍数u A 、源电压放大倍数us A 、输入电阻R i 及输出电阻R o ; (3) C e 开路时的静态工作点及uA 、us A 、R i 、R o 。