半导体器件基础习题答案(完美版)

半导体物理与器件课后练习题含答案

半导体物理与器件课后练习题含答案1. 简答题1.1 什么是p型半导体？答案： p型半导体是指通过加入掺杂物（如硼、铝等）使得原本的n型半导体中含有空穴，从而形成的半导体材料。

具有p型性质的半导体材料被称为p型半导体。

1.2 什么是n型半导体？答案： n型半导体是指通过加入掺杂物（如磷、锑等）使得原本的p型半导体中含有更多的自由电子，从而形成的半导体材料。

具有n型性质的半导体材料被称为n型半导体。

1.3 什么是pn结？答案： pn结是指将p型半导体和n型半导体直接接触形成的结构。

在pn结的界面处，p型半导体中的空穴和n型半导体中的自由电子会相互扩散，形成空间电荷区，从而形成一定的电场。

当外加正向电压时，电子和空穴在空间电荷区中相遇，从而发生复合并产生少量电流；而当外加反向电压时，电场反向，空间电荷区扩大，从而形成一个高电阻的结，电流几乎无法通过。

2. 计算题2.1 若硅片的掺杂浓度为1e16/cm³，电子迁移率为1350 cm²/Vs，电离能为1.12 eV，则硅片的载流子浓度为多少？解题过程：根据硅片的掺杂浓度为1e16/cm³，可以判断硅片的类型为n型半导体。

因此易知载流子为自由电子。

根据电离能为1.12 eV，可以推算出自由电子的有效密度为：n = N * exp(-Eg / (2kT)) = 6.23e9/cm³其中，N为硅的密度，k为玻尔兹曼常数（1.38e-23 J/K），T为温度（假定为室温300K），Eg为硅的带隙（1.12 eV）。

因此，载流子浓度为1e16 + 6.23e9 ≈ 1e16 /cm³。

2.2 假设有一n+/p结的二极管，其中n+区的掺杂浓度为1e19/cm³，p区的掺杂浓度为1e16/cm³，假设该二极管在正向电压下的漏电流为1nA，求该二极管的有效面积。

解题过程：由于该二极管的正向电压下漏电流为1nA，因此可以利用肖特基方程计算出它的开启电压：I = I0 * (exp(qV / (nkT)) - 1)其中，I0为饱和漏电流（假定为0），q为电子电荷量，V为电压，n为调制系数（一般为1），k为玻尔兹曼常数，T为温度。

(完整版)半导体器件基础测试题

第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。

A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。

2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。

A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。

3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。

A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。

A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。

A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。

A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。

7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。

A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。

8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。

A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。

A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。

电路与模拟电子技术课后习题题库期末考试试卷试题及答案详解-常用半导体器件基础习题及解析

第5章常用半导体器件基础习题解析1. 半导体二极管由一个PN 结构成,三极管则由两个PN 结构成,那么,能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能,说说为什么？答：两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管地。

因为,三极管地集电区与发射区虽然掺杂质类型相同,但杂质浓度不同,体积存在差异,且基区制作很薄。

而两个二极管背靠背地连接在一起时,其基区太厚,即使是发射区能向基区发射电子,到基区后也都会被基区中大量地空穴复合掉,根本不可能有载流子继续扩散到集电区,所以这样地“三极管”是不会有电流放大作用地。

2. 如果把晶体三极管地集电极与发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？答：如果把晶体三极管地集电极与发射极对调使用,三极管不会被损坏。

但是,三极管地电流放大能力会大大下降,甚至失去电流放大能力。

3.两个硅稳压管VD Z1与VD Z2地稳压值分别为6V 与10V ,两管地正向电压降均为0.6V,如果想得到1.2V,6.6V ,10.6V 与16V 这四种稳定电压,两个稳压管应如何连接？画出电路图。

解：把两个稳压管正向偏置相串联接在电路中,稳定电压为 1.2V;把VD Z1反向偏置,VD Z2正向偏置相串联后接在电路中,稳定电压为6.6V;把VD Z2反向偏置,VD Z1正向偏置后相串联接在电路中,稳定电压为10.6V;把两个稳压管均反向偏置后相串联接在电路中,稳定电压为16V 。

图略4. 在图5.37所示电路中,已知E =5V ,t u ωsin 10i =V,二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R =0,反向阻断时电阻R =∞）,试对应u i 画出各输出电压u o 地波形。

解：（a ）图：当u i >-E 时,VD 导通,u o =u i +E ;当u i <-E 时,VD 截止,u o =0。

图（b ）：当u i <E 时,VD 导通,u o =u i ;当u i >E 时,VD 截止,u o =E 。

半导体器件自测题及习题题解

第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

1、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（）2、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）3、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）4、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）5、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS 大的特点。

（）6、若耗尽型N 沟道MOS 管的UGS 大于零，则其输入电阻会明显变小。

（）解：1、√ 2、× 3、√ 4、× 5、√ 6、×二、选择正确答案填入空内。

1、PN 结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽2、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是。

A. ISeU B.TU U I eS C.)1e(S －TU U I3、稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏 5、UGS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管解：1、A 2、C 3、C 4、B 5、A C三、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD ＝0.7V 。

解：UO1≈1.3V ，UO2＝0，UO3≈－1.3V ，UO4≈2V ，UO5≈1.3V ，UO6≈－2V 。

四、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA 。

求如图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

解：U O1＝6V ，U O2＝5V 。

五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率P CM ＝200mW ，试画出它的过损耗区。

第1章半导体器件习题答案

习题1-1 （1）什么是P 型半导体？什么是N 型半导体？（2）什么是PN 结？其主要特性是什么？（3）如何使用万用表欧姆档判别二极管的好坏与极性？（4）为什么二极管的反向电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时会明显增大？（5）把一节1.5V 的电池直接到二极管的两端，会发生什么情况？判别二极管的工作状态解：（1）在本征半导体内掺入受主杂质，得到P 型半导体；在本征半导体内掺入施主杂质，得到N 型半导体。

（2）将P 型半导体与N 型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN 结。

PN 结具有单向导电性。

（3）用欧姆档，测两次电阻（正反测），看电阻有无很大的出入，若有则说明是好的。

当测得电阻很大的时候，对应的红表笔对应的是阴极。

（4）由于二极管的反向电流是由少子漂移产生的，浓度很低，反向电流很容易达到饱和，不随外加电压变化，或说变化很小。

当温度升高时，本征激发增加，少子赠短，反向饱和电流增大。

（5）不能，普通二极管是不能的，一般导通电压为0.7V ，加到1.5V 说明二极管导通了，此时二极管相当于导线，二极管将由于电流过大烧坏，但是二极管有很多分类，有的发光二极管却可以这样接。

1-2 二极管电路如题1-2图所示，D 1、D 2为理想二极管，判断图中的二极管是导通还是截止，并求AO 两端的电压U AO 。

题1-2图解：（a ）假设D 1截止电位V U D 6-=+，V U D 12-=-（由于假设D 1截止，电阻电流=0），V U U U D D D 6=-=-+，则假设不成立，D 1导通，因此V U AO 6-=。

（ｂ）假设D 1截止电位V U D 15-=+，V U D 12-=-（由于假设D 1截止，电阻电流=0），(a)3K 6VD 112VAO(c)O12V D 2D 13K Ω6VA(c)3K 15VD 112VAO(d)O12VD 2D 13K Ω6VAV U U U D D D 3-=-=-+，则假设成立，D 1截止，由于电阻电流=0，因此V U AO 12-=。

14章题库——半导体器件+答案

管正向压降为 0.7V。正确的答案为
。
图 14-2-22
A． D1 导通、D2 截止、UAB=0.7V B． D1 截止、D2 导通、UAB=-5.3V
C． D1 导通、D2 导通、UAB=0.7V D． D1 截止、D2 截止、UAB=12V
23、本征半导体掺入 5 价元素后成为
。
A．本征半导体
B． N 型半导体
图 14-3-10 11、在图 14-3-11 所示电路中，设 D 为理想二极管，已知输入电压 ui 的波形。试画出输出电压 uo 的波形图。
图 14-3-11
12、某人检修电子设备时，用测电位的办法，测出管脚①对地电位为－6.2V；管脚②对地电位为－6V；管脚③对地电位为－9V，见图 14-3-12 所示。试判断各管脚所属电极及管子类型（PNP 或 NPN）。
25、下图 14-1-25 中 D1-D3 为理想二极管，A，B，C 灯都相同，其中最亮的灯是灯。
图 14-1-25
26、测得某 NPN 管的 VBE＝0.7V，VCE＝0.2V，由此可判定它工作在_______区。
27、当 PN 结反偏时，外加电场与内电场方向相
，使空间电荷区宽度变
。
28、测得放大电路中某三极管的三个管脚 A、B、C 的电位分别为 6V、2.2V、2.9V，则该三极管的类型为______，材料为______，并可知管脚______为发射极。
29、某晶体管的发射极电流等于 1mA，基极电流等于 20µA，则它的集电极电流等于 ______mA。
二、选择题
1、判断下图 14-2-1 所示电路中各二极管是否导通，并求 A，B 两端的电压值。设二极
管正向压降为 0.7V。正确的答案为

半导体相关试题及答案大全

半导体相关试题及答案大全一、单项选择题1. 半导体材料中，导电性能介于导体和绝缘体之间的是（）。

A. 金属B. 半导体C. 绝缘体D. 超导体答案：B2. 下列哪种材料不属于半导体材料？（）A. 硅B. 锗C. 铜D. 砷化镓答案：C3. 半导体的导电能力会随着温度的升高而（）。

A. 增强B. 减弱C. 不变D. 先增强后减弱答案：A4. PN结形成后，其内部电场的方向是（）。

A. P区指向N区B. N区指向P区C. 无电场D. 电场方向不确定答案：B5. 半导体二极管的主要特性是（）。

A. 单向导电性B. 双向导电性C. 无导电性D. 导电性随温度变化答案：A二、多项选择题1. 半导体材料的主要特点包括（）。

A. 导电性能介于导体和绝缘体之间B. 导电性能受温度影响较大C. 导电性能受光照影响较大D. 导电性能不受外界因素影响答案：ABC2. 下列哪些因素会影响半导体材料的导电性能？（）A. 温度B. 光照C. 掺杂D. 压力答案：ABCD3. PN结的主要特性包括（）。

A. 单向导电性B. 反向击穿电压C. 内部存在电场D. 内部不存在电场答案：ABC4. 半导体二极管的应用包括（）。

A. 整流B. 稳压C. 发光D. 放大答案：ABC三、判断题1. 半导体材料的导电性能不受温度影响。

（）答案：错误2. PN结在外加正向电压时，内部电场会增强。

（）答案：错误3. 半导体二极管具有双向导电性。

（）答案：错误4. 半导体材料的掺杂可以改变其导电性能。

（）答案：正确四、填空题1. 半导体材料的导电性能介于________和________之间。

答案：导体、绝缘体2. PN结在外加反向电压时，其内部电场会________。

答案：增强3. 半导体二极管的正向导电性是由于________注入。

答案：多数载流子4. 半导体材料的掺杂分为________掺杂和________掺杂。

答案：P型、N型五、简答题1. 简述半导体材料的主要应用领域。