半导体制造工艺流程简介

半导体制造工艺

NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。

PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查（tox）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——铝下CVD——QC检查（tox、R□）——前处理——HCl氧化——前处理——氢气处理——三次光刻——QC检查——追扩散——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——QC检查（ts）——五次光刻——QC检查——大片测试——中测——中测检查（——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查）——综合检查——入中间库。

GR平面品种（小功率三极管）工艺流程为：

编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区干氧氧化——QC检查（tox）——一GR光刻（不腐蚀）——GR硼注入——湿法去胶——前处理——GR基区扩散——QC检查（Xj、R□）——硼注入——前处理——基区扩散与氧化——QC检查（Xj、tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——发射区干氧氧化——QC检查（tox）——磷注入——前处理——发射区氧化和再扩散——前处理——POCl3预淀积（R□）——后处理——前处理——铝下CVD——QC检查（tox）——前处理——氮气退火——三次光刻——QC检查——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——正向测试——五次光刻——QC检查——大片测试——中测编批——中测——中测检查——入中间库。

双基区节能灯品种工艺流程为：

编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区干氧氧化——QC检查（tox）——一硼注入——前处理——基区扩散——后处理——QC检查（Xj、R□）——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化与扩散——QC检查（Xj、tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——磷注入——前处理——发射区氧化——前处理——发射区再扩散——前处理——POCl3预淀积（R□）——后处理——前处理——HCl退火、N2退火——三次光刻——QC检查——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——四次光刻——QC检查——前处理——氮氢合金——氮气烘焙——正向测试（ts）——外协作（ts）——前处理——五次光刻——QC检查——大片测试——测试ts——中测编批—

—中测——中测检查——入中间库。

变容管制造的工艺流程为：

外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查——N+光刻——QC检查——前处理——干氧氧化——QC检查——P+注入——前处理——N+扩散——P+光刻——QC检查——硼注入1——前处理——CVD（LTO）——QC检查——硼注入2——前处理——LPCVD——QC检查——前处理——P+扩散——特性光刻——电容测试——是否再加扩——电容测试——......（直到达到电容测试要求）——三次光刻——QC检查——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——铝反刻——QC检查——前处理——氢气合金——氮气烘焙——大片测试——中测——电容测试——粘片——减薄——QC检查——前处理——背面蒸发——综合检查——入中间库。

P+扩散时间越长，相同条件下电容越小。

稳压管（N衬底）制造的工艺流程为：

外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查——P+光刻——QC检查——前处理——干氧氧化——QC检查——硼注入——前处理——铝下UDO——QC检查——前处理——P+扩散——特性光刻——扩散测试（反向测试）——前处理——是否要P+追扩——三次光刻——QC检查——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——大片测试——中测。

P+扩散时间越长，相同条件下反向击穿电压越高。

肖特基二极管基本的制造工艺流程为：

编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——P+光刻——QC检查——硼注入——前处理——P+扩散与氧化——QC检查（Xj，R□，tox）——三次光刻——QC 检查——前处理——铬溅射前泡酸——铬溅射——QC检查（tcr）——先行片热处理——先行片后处理——特性检测（先行片：V BR，I R）——热处理——后处理——特性测试（VBR，IR）——前处理——钛/铝蒸发——QC检查（t Al）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金先行（V BR，I R）——氮气合金——特性测试（V BR，I R）——大片测试——中测——反向测试（抗静电测试）——中测检验——如中转库。

目录

外延 (6)

气相外延生长机理 (6)

外延层的杂质分布 (6)

外延系统和工艺过程 (7)

外延质量和检验 (7)

三扩 (8)

清洗处理 (8)

前处理 (9)

腐蚀 (9)

预淀积 (9)

中处理 (9)

主扩散 (9)

后处理 (10)

氧化 (10)

检验 (10)

修片 (10)

编批打标 (10)

氧化 (11)

一、二氧化硅结构 (11)

二、二氧化硅性质 (11)

三、二氧化硅应用 (11)

四、二氧化硅薄膜的制备 (12)

五、氧化装置 (14)

六、二氧化硅薄膜质量 (14)

扩散 (15)

CSD涂源扩散（硼源） (15)

POCl3扩散 (15)

离子注入再扩散 (16)

先行片 (16)

结特性参数异常 (17)

重要的工艺参数 (17)

扩散质量 (17)

离子注入 (18)

正面蒸铝 (20)

一、前处理 (20)

二、正面蒸铝 (20)

三、合金化 (21)

四、正面蒸铝后QC检验 (22)

光刻 (22)

前处理 (22)

涂胶 (23)

对版曝光 (24)