01 FLASH读外部数据
mcu norflash读写例程
一、概述随着微控制器单片机（MCU）在嵌入式系统中的广泛应用，对存储器件的需求也日益增加。
在嵌入式系统开发中，常常需要对外部存储器进行读写操作，以实现数据的存储和访问。
而在嵌入式系统中，常用的存储器件之一就是NOR Flash。
开发一套MCU与NOR Flash进行读写操作的例程对于嵌入式系统开发具有重要意义。
二、MCU与NOR Flash介绍1. MCU介绍作为嵌入式系统的核心控制芯片，MCU具有集成度高、功耗低、性能稳定等特点，被广泛应用于各类嵌入式系统中。
MCU通常搭载有内置的存储器，但对于一些应用需求较大的情况，需要外接存储器扩展其存储容量。
2. NOR Flash介绍NOR Flash是一种非易失性存储器，广泛应用于嵌入式系统中。
NOR Flash通常具有较大的存储容量和较高的读写速度，因此被广泛应用于嵌入式系统的代码存储和数据存储中。
三、MCU NOR Flash读写例程设计1. 硬件设计1）选择合适的MCU按照系统需求选择合适的MCU芯片，需要考虑MCU的存储器容量和外设接口支持。
2）连接NOR Flash将NOR Flash与MCU进行连接，通常使用SPI或Parallel等接口进行连接。
3）引脚连接根据MCU和NOR Flash的接口定义进行引脚连接，确保连接正确稳定。
2. 软件设计1）MCU驱动程序设计设计MCU的驱动程序，包括对外部存储器的读写操作。
2）NOR Flash读写算法设计设计NOR Flash的读写算法，包括位置区域编址、数据传输等操作。
3）例程编写编写MCU与NOR Flash进行读写操作的例程，包括初始化、读取数据、写入数据等功能。
3. 调试验证1）例程验证将例程下载到MCU中，通过调试工具对例程进行验证，并观察读写操作的结果。
2）性能测试对MCU与NOR Flash的读写性能进行测试，包括读取速度、写入速度等指标。
四、MCU NOR Flash读写例程实现1. 硬件连接采用STM32F4系列MCU，通过SPI接口连接外部NOR Flash 存储器。
nor flash读工作原理
nor flash读工作原理Nor Flash是一种非易失性存储器，其读取工作原理是指在读取数据时的操作过程和原理。
下面将介绍Nor Flash读取工作原理。
Nor Flash的读取操作主要分为地址寻址和数据读取两个步骤。
首先，在进行读取操作之前，需要通过地址线将要读取的数据的地址发送给Nor Flash。
Nor Flash的存储单元被划分为多个块，每个块又由多个扇区组成。
通过地址寻址，可以确定要读取的数据所在的扇区和块的位置。
在确定了要读取的数据所在的扇区和块的位置后，Nor Flash会通过内部的控制电路将存储单元中的数据读取出来。
Nor Flash的存储单元由一系列的存储单元组成，每个存储单元可以存储一个二进制位的数据。
在读取操作时，Nor Flash会根据地址线指定的位置，将对应存储单元中的数据读取出来。
Nor Flash的读取操作是通过电压的变化来实现的。
具体来说，当读取操作开始时，Nor Flash会将电压控制线设置为读取模式，并将控制电路连接到对应的存储单元。
然后，Nor Flash会将一个特定的电压施加到被选中的存储单元上。
根据存储单元中存储的数据是0还是1，Nor Flash会通过读取电路将对应的电压信号转换为数字信号。
最后，Nor Flash会将转换后的数字信号传递给外部的读取电路。
Nor Flash的读取速度相对较慢，主要受到两个因素的影响。
首先，Nor Flash的存储单元是通过悬空栅效应实现的，这种结构相对复杂，导致了读取速度较慢。
其次，Nor Flash的读取操作需要通过多个步骤完成，包括地址寻址、电压施加和电压转换等。
这些步骤的完成需要一定的时间，进而影响了读取速度。
为了提高Nor Flash的读取速度，可以采取一些优化措施。
例如，可以通过增加读取电路的并行性来提高读取速度。
同时，还可以通过优化控制电路和读取电路的设计，减少读取操作的步骤和延迟，从而提高读取速度。
总结起来，Nor Flash的读取工作原理是通过地址寻址和数据读取两个步骤完成的。
通过c对Flash进行读写操作
一、Flash块结构说明我们所用板子上flash一共划分了259个块，0-254块为128kByte，255-258块为32kByte。
各个块的地址范围如下图：我们要读flash中某个地址的数据，只要发送相关命令即可，下面会详细说明。
向flash 中写数据较复杂，首先必须将目标地址所属块解锁，然后擦除，最后才能写数据，只要解锁与擦除后就可连续往flash中写，但是不能向同一个地址写，这样会写不进去。
以上的解锁与擦除是针对一个块的操作，是将地址所属块全部擦除，写程序的时候注意不要误擦其它块。
写过程详细步骤见（二）。
二、通过c对Flash进行读写操作说明通过高级语言（如c）对flash进行读写，我们开始的想法是自己做一个flash读写的IP 核，然后在c中调用此ip核来实现对flash的读写，但是这种做法比较复杂，一直进展不顺利。
后来一次偶然的试验发现直接向总线写读写flash的命令即可对flash进行读写，也就是说直接将以前在verilog中读写falsh的操作过程搬到c语言中，这大大降低了c中读写flash 的难度。
具体说明如下：1.读flash读取flash包括两个步骤：1，首先向目标地址写x00ff，告诉flash表示要读数据了。
2，通过XIo_In16函数读取目标地址的数据。
下面两行代码即可读取flash中地址为dataAddr的数据，保存在value中。
XIo_Out16(FlashBaseAddr+2*dataAddr,0x00ff);u16 value = XIo_In16(FlashBaseAddr+2*dataAddr);其中FlashBaseAddr为flash在硬件设计中分配的基地址，并且读取的数据只能是16位的数据，这是因为flash的数据输入输出出引脚只有16位。
2.写flash向falsh中写数据包括三个步骤：1，对目标地址所属块进行解锁操作（write0x60,write 0xD0）；2，擦除目标地址所属块（write 0x20，write 0xD0）；3，读取寄存器状态（（write0x70，read regstatu）），当寄存器状态值为0x80说明准备就绪，可以下一个操作；4，向目标地址写数据（write 0x0040,write data）,data为你要写如flash的数据。
Flash操作基础
Flash操作基础FLASH所谓Flash，是内存（Memory）的一种，但兼有RAM和ROM 的优点，是一种可在系统（In-System）进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器，同时它的高集成度和低成本使它成为市场主流。
Flash 芯片是由内部成千上万个存储单元组成的，每个单元存储一个bit。
具有低功耗、大容量、擦写速度快、可整片或分扇区在系统编程（烧写）、擦除等特点，并且可由内部嵌入的算法完成对芯片的操作，因而在各种嵌入式系统中得到了广泛的应用。
作为一种非易失性存储器，Flash在系统中通常用于存放程序代码、常量表以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。
常用的Flash为8位或16位的数据宽度，编程电压为单3.3V。
主要的生产厂商为INTEL、ATMEL、AMD、HYUNDAI等。
Flash 技术根据不同的应用场合也分为不同的发展方向，有擅长存储代码的NOR Flash和擅长存储数据的NAND Flash。
一下对NOR Flash和NAND Flash的技术分别作了相应的介绍。
在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备。
然而近年来Flash 全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位。
因为相较ROM而言，Flash有成本低，容易改写等优点。
目前Flash主要有两种 NOR Flash 和 NADN Flash 它们在应用上有所不同因此也用于不同的场合。
读取NOR Flash和读取我们常见的SDRAM是一样的。
它的所有地址都是可见的，你可以读取它任意随机地址的值。
同时它和SDRAM一样你可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这就是作谓的XIP（Execute-In-Place）技术。
因为NOR Flash有这种特性，所以它非常适用于小型嵌入式系统。
你可以把你的代码装载到Flash中，在系统启动的时候直接运行它，而减少SRAM的容量从而节约了成本。
单片机内部flash读写
单⽚机内部flash读写1、⾃定义⼯程名称。
2、选择英⽂路径，否则会丢失启动⽂件⽽⽆法编译通过，需要⼿动添加启动⽂件： startup_stm32l431xx.s3、选择MDK-ARM V5开发软件，即KEIL5软件代码编写说明1、按键KEY1按下时，把数据写⼊MCU的flash2、按键KEY2按下时，把写⼊MCU的flash数据并读取出来，打印数据。
调⽤函数：1、HAL_FLASH_Unlock(void);//解锁2、FLASH_EraseInitTypeDef FLASH_EraseInitSturcture;//配置需要擦除的参数3、HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef pEraseInit, uint32_tPageError);//擦除4、HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data);//写数据到flash5、HAL_FLASH_Lock(void);//锁住6、HAL_GPIO_ReadPin(GPIO_TypeDef* GPIOx, uint16_t GPIO_Pin);//检测按键7、void HAL_Delay(uint32_t Delay);//延时8、HAL_GPIO_TogglePin(GPIO_TypeDef* GPIOx, uint16_t GPIO_Pin);//点亮和熄灭LED9、uint8_t OneWord=(__IO uint32_t)addr;//读取地址数据10、printf();//打印数据到串⼝函数需要重新定义函数fputc();才能正常使⽤printf();int fputc(int ch,FILE*f){uint8_t temp[1]={ch};HAL_UART_Transmit(&huart1,temp,1,2);return HAL_OK;}代码编写说明• FLASH读写流程：1、对FLASH写⼊数据流程：1）解锁FLASH：调⽤HAL_FLASH_Unlock(void);2）擦除FLASH：调⽤HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef pEraseInit, uint32_t PageError);3）写⼊数据到FLASH：调⽤HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data);4）锁住FLASH：调⽤HAL_FLASH_Lock(void);2、FLASH读取数据流程直接读取相应的FLASH地址即可：通过(__IO uint32_t)ADDR读取该地址数据代码编写实现#define strLen sizeof(strWriteToFlash1)/sizeof(uint8_t) //写⼊数据的长度#define ADDR 0x0803f800 //写地址写⼊FLASH数据：void writeflash(int addr, uint32_t* writeFlashData){uint32_t PageError = 0;int i=0; HAL_FLASH_Unlock();FLASH_EraseInitTypeDef f;f.Banks=1;f.NbPages=1;f.Page=255;f.TypeErase=0;HAL_FLASHEx_Erase(&f,&PageError);HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD,addr,writeFlashData[i]);HAL_FLASH_Lock();}代码编写实现while(1)循环内程序：if(HAL_GPIO_ReadPin(KEY1_GPIO_Port,KEY1_Pin)==GPIO_PIN_RESET){HAL_Delay(100);if(HAL_GPIO_ReadPin(KEY1_GPIO_Port,KEY1_Pin)==GPIO_PIN_RESET){printf("KEY1 Press\r\n");writeflash(ADDR,(uint32_t*)&writeFlashData);//擦除并写⼊数据 HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port,LED_Pin);//LED电平翻转}}if(HAL_GPIO_ReadPin(KEY2_GPIO_Port,KEY2_Pin)==GPIO_PIN_RESET){HAL_Delay(100);if(HAL_GPIO_ReadPin(KEY2_GPIO_Port,KEY2_Pin)==GPIO_PIN_RESET){printf("KEY2 Press\r\n"); ReadFlashData(ADDR,sizeof(writeFlashData),R_OldFlash);//读取写⼊的数据HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port,LED_Pin); //LED电平翻转 }}```**读取FLASH数据**：`void ReadFlashData(int addr,uint32_t strSize,uint8_t* ReadData){uint8_t OneWord; for(int i=0;i<strSize;i++){OneWord=*(__IO uint32_t*)addr;ReadData[i]=OneWord;addr++;}printf("Read the flash data:>>%s<<,address:%x\r\n",ReadData,addr-strSize);// 显⽰该地址的数据}`**扩展实验**：将移植flash.c，该⽂件有实现写数据到FLASH的多种⽅式，如写字符串数据到 FLASH等。
STM32内部FLASH读写操作详解
STM32芯片内部的FLASH存储器，主要用于存储我们代码。
如果内部FLASH存储完我们的代码还有剩余的空间，那么这些剩余的空间我们就可以利用起来，存储一些需要掉电保存的数据。
本文以STM32103ZET6为例。
STM32103ZET6属于大容量产品，其闪存模块组织如下：其主存储器大小为512KB，分为256页，每页大小都为2KB。
我们的程序- 般默认烧写到第0页的起始地址(0x08000000)处。
当BOOT0引脚和BOOT1引脚都接GND时，就是从这个地址开始运行代码的。
这个地址在keil中可以看到：回I Options for Target'FLASH'D evic e Target ' Output | Li sting User C/C++ Asm Linkei Debug Utilities ' 假如我们要下载的程序大小为4.05KB,则第0、1、2页用于保存我们的程 序，我们需要掉电保存的数据只能保存在第3〜第255页这一部分空间内。
我们最终要下载的程序大小可在工程对应的.map 文件中看到。
.map 文件可以双 击工程的Target 的名字快速打开，如:下面对STM32内部FLASH 进行简单的读写测试: 内部FLASH 读写测试 流程图如下：本流程图省略异常情况，只考虑成功的情况:由反£419S ( 4P eike ：iSTMicroelectnnics STM32F13GZE1rm乂 ।F -J y.dPtripl\Cn\ifeij sEN32H[h ：_na5hh二| 立府211以一Lr a nd " c^tu J ■EL户 inagt latalsROM Totals耳 QR Ct它 PcOirn.!：T u Tt57HJx_hkp.c wn n Fil K _< a n,= tTn32Fllx cezce 口system.1示例代码:本例的关键代码如下（以读写第255页为例）：/、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、上、上Ki> /力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、Ki^、上、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、上、上Ki> 个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个小* ------------------------------------------- STM32 Demo ------------------------------------------- 工程说明：STM32内部FLASH 实验 作 者：ZhengNian博 客：zhengnianli.github.io 公众号：嵌入式大杂烩Ki^、上、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、上、上Ki> 个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个小Ki^、上、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、上、卜 / 力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、/#define MAIN_CONFIG #include "config.h/* STM32F103ZET6有256页，每一页的大小都为2KB */#define ADDR_FLASH_PAGE_255 ((uint32_t)0x0807F800) /* Page255 2KB */* * * * */* FLASH读写测试结果*/#define TEST_ERROR -1 /* 错误(擦除、写入错误)*/#define TEST_SUCCESS 0 /* 成功*/#define TEST_FAILED 1 /* 失败*/ /* Flash读写测试buf */#define BufferSize 6uint16_t usFlashWriteBuf[BufferSize]={0x0101,0x0202,0x0303,0x0404,0x0505,0x0606};uint16_t usFlashReadBuf[BufferSize] = {0};/*供本文件调用的函数声明*/ static int FlashReadWriteTest(void);小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小** 函数:main** --------------------------------------------------------------------------------------------------------- ** 参数：void**返回：无**说明：主函数小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小int main(void){/*上电初始化*/SysInit();/*内部Flash读写测试*/if (TEST_SUCCESS == FlashReadWriteTest()){printf("Flash test success!\n");}else{printf("Flash test failed!\n");}while (1) {}}小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小**函数:FlashReadWriteTest,内部Flash读写测试函数** ---------------------------------------------------------------------------------------------------------** 参数：void**返回:TEST_ERROR：错误（擦除、写入错误）TEST_SUCCESS：成功TEST_FAILED：失败**说明:无小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小小/*J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* *J* /static int FlashReadWriteTest(void) (uint32_t ucStartAddr;/*解锁*/FLASH_Unlock();/*擦除操作*/ucStartAddr = ADDR_FLASH_PAGE_255;if (FLASH_COMPLETE != FLASH_ErasePage(ucStartAddr)) (printf("Erase Error!\n");return TEST_ERROR;)else(ucStartAddr = ADDR_FLASH_PAGE_255;printf("擦除成功，此时FLASH中值为：\n");for (int i = 0; i < BufferSize; i++) (usFlashReadBuf[i] = *(uint32_t*)ucStartAddr;printf("ucFlashReadBuf[%d] = 0x%.4x\n”, i, usFlashReadBuf[i]);ucStartAddr += 2;))/*写入操作*/ucStartAddr = ADDR_FLASH_PAGE_255;printf("\n往FLASH中写入的数据为：\n");for (int i = 0; i < BufferSize; i++)(if (FLASH_COMPLETE != FLASH_ProgramHalfWord(ucStartAddr, usFlashWriteBuf[i]))(printf("Write Error!\n");return TEST_ERROR;)printf("ucFlashWriteBuf[%d] = 0x%.4x\n", i, usFlashWriteBuf[i]);ucStartAddr += 2;)/*上锁*/FLASH_Lock();/*读取操作*/ucStartAddr = ADDR_FLASH_PAGE_255;printf("\n从FLASH中读出的数据为：\n");for (int i = 0; i < BufferSize; i++)(usFlashReadBuf[i] = *(_IO uint16_t*)ucStartAddr;printf("ucFlashReadBuf[%d] = 0x%.4x\n”, i, usFlashReadBuf[i]); ucStartAddr += 2;)/*读出的数据与写入的数据做比较*/for (int i = 0; i < BufferSize; i++)(if (usFlashReadBuf[i] != usFlashWriteBuf[i])(return TEST_FAILED;))return TEST_SUCCESS;)/、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、上、上/力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、、上、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、上、上个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个小** End Of File、上、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、上、上个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个个小、上、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、卜、上、卜 / 力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、力、/ (1)进行解锁操作STM32的闪存编程是由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理，这个模块包含的寄存器如下：STM32复位后，FPEC模块是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器；通过写入特定的序列到FLASH_KEYR寄存器可以打开FPEC模块(即写入KEY1和KEY2),只有在写保护被解除后，我们才能操作相关寄存器。
RealTek tool读FLASH中数据及保存方法
针对把CODE放在外部Flash的IC，如RTD2271/2270, RTD2476等，可用RTD的烧录TOOL 把显示器中的FLASH数据读出来，保存后可再次烧录。
RTD2120/RTD2122不能使用此方法，因为它们的CODE存放区域为IC自带的内部FLASH，Tool无法读到数据。
设置如下：
1：当使用的是2M的FLASH时，下图中的Total Bank 选择4 ，4M的FLASH则选择8。
FLASH TPYE可以使用默认，Tool可以自动检测到不同的FLASH，不需要设置。
2：如下图所示，选择Read Total ,则会把设置的所有BANK中的DATA读出来
3：正在读FLASH。
4：如下图所示，选择Save Total，可把读出来的FLASH数据保存下来。
5：另存为文件，此处取名为test。
6：可得到test.bin文件，用Beyond Compare对比发现，除了BANK3的数据有一些差异外，Bank 0/1/2 数据完全一样，因为Bank3存放的是一些user data ,真正的CODE数据存放在Bank0/1/2.
7：可再把test.bin文件烧录到Monitor。
如下两个文件，供对比参考。
01Flash MX 2004 简介
Flash MX 2004 简介
Flash 是创作性的工具，它是Macromedia 公司推出的网页动画制作软件， 可以创建 简单的动画到复杂的交互式 Web 应用程序。 在创作的过程中可以发挥个人的创意与 Flash的技术结合做出有声有色的动画作品 来。
Flash的历史
Flash 最早期的版本称为Future Splash Animator，当时Future Splash Animator最 大的两个用户是微软（Microsoft）和迪斯 尼（Disney）。1996年11月，Future Splash Animator卖给了MM （），同时改名为 Flash1.0 。
MX意味着Macromedia以此尝试一些新的事物， 就我的观点来看，Flash MX不仅仅是一次革命性 的升级，还是Macromedia一个重大演变的一部分。 我不能说得太多，因为Flash MX仅仅是一个开始， 接下来的几个月中会更有体现。
最后一句“MX意味着Macromedia以此尝试一些 新的事物”，暴露出Macromedia Experience的 意思，也就有理由猜测，MX可能是Macromedia X的意思，即Macromedia的未来之路， Macromedia正试图展开一次全新的革命。
1、所有的产品都搭载上MX绰号，是因为它们都 是一个完整产品家族的一部分，而且，我们相信 通过整套前台和后台综合的产品，可以让用户更 高效得完成各种复杂项目。 2、比起仅仅从版本号升级，例如Flash由5升级到 6，用MX标签可以体现更重要的升级，看起来用 户好象得到了全新的产品，从5到了MX！
名称 含义 --------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------Flash MX 与Flash Player 6同时发布的 Flash制作工具版本 --------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------Flash MX 2004 与Flash Player 7同时发布的 Flash制作工具标准 版本。一般来 讲，"FlashMX 2004"既 指标准版(Flash MX 2004),又指专业版(Flash MX Professional 2004)。当谈到一个只有Flash Professional 2004才有的功能的时候,会明确说明这一点。
实验一：扩展RAM及FLASH读写实验指导
实验一：扩展RAM及FLASH读写实验一、实验目的1. 理解F28335在硬件上如何扩展RAM内存。
2. 理解F28335在扩展RAM存储器上的编程。
二、实验设备1．装有CCS5.2的计算机一台。
2．ZQ28335开发板、XDS100V2 USB仿真器、USB接口线及5V电源。
三、实验原理F28335的片上存储器和片外存储器采用统一编址方式。
当片内RAM存储器不够用时，可外接芯片扩展。
扩展存储器只能在0x00 4000~0x00 5000的XINF 区域0、0x10 0000~0x20 0000的XINF 区域6和0x20 0000~0x70 0000的XINF 区域7，如图1所示。
1．外扩RAM电路选用的RAM型号为IS61LV25616AL，256K×16bit大小。
这里使用A17~A0，共18根地址线，最大为256K；数据线为D15~D0。
片选信号CE接F28335的XZCS7引脚，写WE 由XWE提供，RD（OE，Output Enable）信号均XRD提供。
有硬件电路可知，外扩的RAM 地址范围为0x20 0000~0x23 FFFF。
由于没有使用A19~A18地址线，在仿真时，凡低18位地址相同的单元，读出的内容都是同一个单元内容,如0x240000~0x27FFFF，0x280000~0x2BFFFF和0x2C0000~0x2FFFFF上读出的内容与0x200000~0x23FFF的内容相同。
2．外扩FLASH电路FLASH存储器掉电后数据不会丢失，用于存放程序和需要保存的数据。
本实验板选用的FLASH型号为SST39VF800，512K×16bit大小。
这里使用A18~A0，共19根地址线，最大为512K；数据线为D15~D0。
片选信号CE接F28335的XZCS6引脚，写WE由XWE 提供，RD（OE，Output Enable）信号均XRD提供。
有硬件电路可知，外扩的FLASH地址范围为0x10 0000~0x17 FFFF。
stm32 flash 读取数据 初始化函数
stm32 flash 读取数据初始化函数STM32是一款32位ARM Cortex-M系列的微控制器，具有强大的性能和丰富的外设。
在STM32中，Flash存储器是一种用于存储程序代码或配置数据的非易失性存储器。
在本文中，我们将讨论如何读取Flash存储器中的数据，并分享一些与初始化函数相关的内容。
一、Flash存储器读取数据为了读取Flash存储器中的数据，首先需要了解存储器的基本结构。
在STM32中，Flash存储器被分为多个扇区（Sector）。
每个扇区的大小通常为2KB或4KB，并通过一个Flash地址来访问。
读取Flash存储器的一种常见方法是使用指针操作。
首先，您需要定义一个指向Flash存储器地址的指针变量。
然后，您可以使用该指针访问存储器中的数据。
以下是一个简单的示例代码：c#include "stm32f4xx.h"#define FLASH_ADDRESS 0x08008000 Flash存储器的起始地址uint32_t *flash_data = (uint32_t *)FLASH_ADDRESS; 定义一个指向Flash 存储器的指针变量int main(void){uint32_t data = *flash_data; 读取存储器中的数据在这里可以进行后续操作...while (1){主循环}}在上述示例中，我们首先定义了一个Flash存储器的起始地址`FLASH_ADDRESS`，然后将其转换为指向32位数据类型的指针变量`flash_data`。
接下来，我们通过间接引用指针`flash_data`来读取存储器中的数据，并将其存储在`data`变量中。
您可以在后续的代码中使用`data`变量进行进一步的操作。
需要注意的是，读取Flash存储器中的数据时，需要确保访问的地址处于有效范围内，并且使用正确的数据类型进行读取。
此外，读取Flash存储器中的数据与写入数据不同，不需要先擦除相应的扇区。
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FLASH读外部数据（文本|XML|ASP）
前言：
因为工作缘故，好久没有写什么象样的东西了！最近发现论坛有个通病，就是某问题问个千遍万遍也不倦（总有些朋友思想懒惰，到这里直接提问，连搜索都不用，这里向这些朋友提出批评，原因您比我更清楚）。
根据本人多方面观察，所以想最后一次，完全的周详的对某些问题实际应用问题来个“围剿活动”。
本节就讲“FLASH和外界联系”的教程！本教程只供初级学习的朋友参考，高手可进行批点（最好帮助修改我的错误或指出更为简单的方法，或把文档归整为AS2.0类），如急切需要原文档者请绕行（废话到此结束）
第一讲：最基本的读取
loadVariables()
loadVariablesNum()
用法
loadVariables ("url" , target [, variables])
loadVariablesNum ("url" ,level [, variables])
区别：
太理论的东西我就不讲了，大家都知道FLASH里有层级（level），也有影片剪辑（MC）那么：
假如您想让FLASH读取到的数据放到某个影片剪辑中，那您就用第一个loadV ariables 假如您想让FLASH读取到的数据放到某个特定的级别，那您就用第二个loadVariablesNum
FLASH 4就有的语法，这个函数的功能就是从外部文档（例如文本文档，或由CGI 脚本、Active Server Page (ASP)、PHP 或Perl 脚本生成的文本）中读取数据，并配置目标影片剪辑中变量的值。
此动作还可用于使用新值更新活动SWF 文档中的变量。
举例说明：
1、我们先准备一个TXT记事本。
在里面写以下内容：
t_name=tommyheng&t_age=25岁&t_from=辽宁沈阳
解释：上面的文本内容我定义了3个变量t_name t_age t_from 并且分别让给他们赋予了一个值。
而且中间用了& 分隔开了，不明白的朋友就会问了？用&分开是啥意思？那我就来告诉您，FLASH读取外部数据，当外部数据被程式载入的时候，FLASH会自动根据& 来分割数据也就是说上面文本里的东西假如被FLASH读取到，FLASH就自动认识他们是3个变量。
2、我们新建一个FLASH文档，在第一个桢写上：
loadVariables("tommyheng.txt", "_root");
或（选一个就行，别2个都写哦）
loadVariablesNum("tommyheng.txt", 0);
解释：用2种方法把tommyheng.txt载入到FLASH中。
第一种方法：把文本中的数据载入到FLASH的主场景中(_root 其实就是FLASH的主场景，当然，假如您想把数据放到FLASH中的某个MC中，您能够把他修改成，_root.mc 意思就是载入到主场景中的一个叫做MC的影片剪辑)
第二种方法：把文本中的数据载入到FLASH的场景中的第0个级别。
选好上面任一种方法后，然后，在第5桢处插入一个关键空白桢，里面写(注意按照as
标准写就行了，开始出错是因为前面有空格)
trace(t_name);
trace(t_age);
trace(t_from);
stop();
解释：trace()是FLASH里是个信息输出函数，在制作FLASH的时候，研发者能够通过这个函数，把程式返回的结果（变量）直接输出来观察运行的是否正确等等，但是他只能在FLASH里使用（也就是说按CTRL+ENTER的时候）您才能看到他的功能。
把FLASH和tommyheng文本保存到同一个文档夹中。
按CTRL+ENTER直接测试影片，您会发现会输出一下结果：
tommyheng
25
辽宁沈阳
假如您想把这些结果显示到文本框中，而不是输出来看，那能够又2种方式：
第一种方式：直接分配方式
就是直接做3个动态文本框，分别点选每个文本框，在其属性中找到变量，并分别填写：t_name t_age t_from
第二中方式：自定分配方式
同样建立3个动态文本框，但是不同的是，分别点选每个文本框，在其实例名称处分别填写随便的3个名字比如：a1 a2 a3
然后在这桢上写如下程式（？？？？？？）：
a1.text =t_name
a2.text = t_age
a3.text = t_from
这样FLASH就完成了读取外部数据的功能!!!
特别提示：
某些朋友根据我的文档进行测试或学习，会出现一个问题，那就是英文和数字显示很正常，但是中文就显示不正常变正了乱码（这个是编码问题，很高难的哦）。
不要怕，我们有办法对付他，在第一桢处写上：
eCodepage=true;
这句话的意思就是让FLASH认识中文（嘿嘿），按照理论上讲就是让FLASH使用运行播放器的操作系统的传统代码页来解释外部文本文档。
本讲结束语：
虽然我只写了FLASH读取文本TXT文档，但是他同样试用其他的格式文档的读取。
假如您愿意，您能够把文档的扩展名修改成.dat 甚至您能够把他修改成.tommyheng 更有，也能够是ASP了。
但是假如想读取ASP 那您必须要会ASP哦。
起码把要ASP的输出结果也是t_name=tommyheng&t_age=25岁&t_from=辽宁沈阳
从此我们不难看出，其实FLASH读取什么都无所谓，重要的一点，这个文档输出来的东西要能被FLASH认识也就是被& 分开来的变量格式！。