5电容
2.5uf电容
2.5uf电容
2.5uf电容是一种电容器，其容量为2.5微法（uf），f表示法拉，是电容的容量单位。
uf是微的意思，是百万分之一，1f=1000000uf。
2.5uf电容的作用取决于具体的应用场景，例如在高压汞灯uv固化机中，它用于确保设备的正常运行；在空调外机中，它与外电机一起起到无功功率补偿的作用，提高空调系统的功率因数，减少无功功率消耗，提高系统的效率。
在使用电容器时，建议仔细查看其规格表，并与具体设计要求进行对比，以确保其能够满足所需的电流和电压要求，并适应所需的功率范围。
如有需要，最好咨询电子元件专家或工程师以获取更准确的建议。
第五章 电容元件与电感元件.
1 2
Li2
1 ψ2 2L
结论
(1) 元件方程是同一类型；
(2) 若把 u-i，q- ，C-L互换,可由电容元件
的方程得到电感元件的方程；
(3) C 和 L称为对偶元件, 、q等称为对偶
元素。
电容器和电感器的模型
电容器模型（按照近似程度分） 0 级模型：不考虑损耗和产生的磁场。 I 级模型：考虑损耗不考虑产生的磁场。 II级模型：考虑损耗和产生的磁场。
i
i dq
dt
+
+ dq =Cduc
uc
C
–
–
i C duc dt
uc(
t
)
1 C
t
i
t
dt
uc
(
t
0
)
1 C
t
t 0
i
t
dt
例 5-1 5-2
2. 线性电容的充、放电过程
u,i i u
o
ωt
i ii i
+ u
+u
u
u
- -++
(1) u>0，du/dt>0，则i>0，q , 正向充电(电流流向正极板)；
1 2
Li 2 (t 2)
1 2
Li 2 (t1)
wL( t2 ) wL( t1 )
wL ( t 2 ) wL ( t1 )元件充电，吸收能量
wL ( t 2 ) wL ( t1 )元件放电，释放能量
五、电感电流不能跃变（连续性）
电感 L 储存的磁场能量
wL
常见电容的读数简介
电容的基本单位是F（法），其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。
由于单位F 的容量太大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位。
换算关系：1F＝1000000μF，1μF=1000nF=1000000pF。
电容的标注方法分为：直标法、色标法和数标法。
对于体积比较大的电容，多采用直标法。
如果是0.005，表示0.005uF=5nF。
如果是5n，那就表示的是5nF。
数标法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是10的多少次方。
如：102表示10x10x10 PF=1000PF，203表示20x10x10x10 PF。
如：“473”即47000pF=0.047μF“103”即10000pF=0.01μF等等，一、认识电容1F＝1，000，000uF1uF=1,000nF1nF=1000pF1F=103mF=106uF=109nF=1012pF1、在各种电子设备中，调谐、耦合、滤波、去耦、隔断直流电、旁路交流电等，都需要用到电容器。
电容器通常叫做电容。
电容的种类很多，按结构形式来分，有固定电容、半可变电容、可变电容。
常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容、铝电解电容、钽、铌电解电容等。
2、在电路图中电容单位的标注规则。
通常在容量小于10000pF的时候，用pF做单位，大于10000pF的时候，用uF做单位。
为了简便起见，大于100pF而小于1uF的电容常常不注单位。
没有小数点的，它的单位是pF，有小数点的，它的单位是uF。
例如，3300就是3300pF，0.1就是0.1uF等。
3、电容使用常识。
电容在电路中实际要承受的电压不能超过它的耐压值。
在滤波电路中，电容的耐压值不要小于交流有效值的1.42倍。
使用电解电容的时候，还要注意正负极不要接反。
不同电路应该选用不同种类的电容。
揩振回路可以选用云母、高频陶瓷电容，隔直流可以选用纸介、涤纶、云母、电解、陶瓷等电容，滤波可以选用电解电容，旁路可以选用涤纶、纸介、陶瓷、电解等电容。
电容详细讲解
电容详细讲解电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。
用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF)、皮法拉（pF),1F=10^6uF=10^12pF U8P,V9n k1A一、电容器的型号命名方法c d n2@$[ o q3x(@/^国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。
依次分别代表名称、材料、分类和序号。
a"y O D+u ? k6N(H第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。
l*[ R U/c W8Y lGuest第二部分：材料，用字母表示。
R b8I `6X:i!A+?第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。
&O T W;g;f5E-x L*s4|Guest第四部分：序号，用数字表示。
J1h+}1m rGuest用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 [&{6S(Z"r:`)P CO V$h&U e6F3E-@Guest二、电容器的分类W"D K#u _4Y sGuest1、按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。
j r-E E5a | G D#s SGuest2、按电解质分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介3O y H-b h d质电容器等。
2d&C7K g6c.k X!rGuest3、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型.u s3o E m)K ` ` ^ H电容器。
1l N} [ w&E4、频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容 q [ R;H(F:B2Y器。
电容d值的一般范围
电容d值的一般范围
【原创实用版】
目录
1.电容 d 值的概念
2.电容 d 值的单位
3.电容 d 值的一般范围
4.常见电容的 d 值范围
5.电容 d 值对电路性能的影响
正文
电容 d 值是指电容器的损耗角正切值，它是表征电容器能量损耗特性的一个重要参数。
电容 d 值的单位是欧姆·角（°）。
电容 d 值的一般范围是在 10^-9 到 10^-2 欧姆·角之间。
其中，10^-9 欧姆·角以下的电容器被称为低损耗电容器，10^-9 到 10^-7 欧姆·角之间的电容器被称为中损耗电容器，10^-7 到 10^-2 欧姆·角之间的电容器被称为高损耗电容器。
常见的电容器类型包括陶瓷电容、钽电容、铝电解电容等。
这些电容器的 d 值范围也有所不同。
例如，陶瓷电容的 d 值范围通常在 10^-9 到 10^-7 欧姆·角之间，钽电容的 d 值范围通常在 10^-7 到 10^-5 欧姆·角之间，铝电解电容的 d 值范围通常在 10^-5 到 10^-3 欧姆·角之间。
电容 d 值对电路性能有着重要的影响。
低损耗电容器在高频电路中具有更好的性能，因为它们的能量损耗较小，不会对电路的稳定性和可靠性产生不良影响。
相反，高损耗电容器在低频电路中使用更为广泛，因为它们的 d 值较大，能够提供更大的电流和更高的功率。
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Turck BC5-S18-Y1X 电容传感器说明书
T 12:21:38+01:00Type code BC5-S18-Y1X Ident no.20060Rated switching distance (flush) 5 mm Rated switching distance (non-flush)7.5 mmAssured switching distance ð (0.72 x Sn) mm Hysteresis1…20 %Temperature drift type 20 %Repeatabilityð 2 % of full scale Ambient temperature-25…+70 °C VoltageNom. 8.2 VDC Non-actuated current consumption ð 1.2 mA Actuated current consumption ï 2.1 mA Switching frequency 0.1 kHzOutput function2-wire, NAMURApproval acc. toKEMA 02 ATEX 1090X Internal capacitance (C ) / inductance (L )150 nF / 150 µHDevice designationÉ II 2 G Ex ia IIC T6 Gb / II 1 D Ex ia IIIC T115 °C Da(max. U = 20 V, I = 20 mA, P = 200 mW)Construction threaded barrel, M18 x 1Dimensions74 mmHousing material plastic, PA12-GF30, PEI Active area materialPlastic, PA12-GF30, yellow Admissible pressure on front cap ð 6 bar Max. tightening torque housing nut 2 Nm Connection cableCable qualityØ 5.2, LifYY , PVC, 2mCable cross section 2 x 0.34 mm Vibration resistance 55 Hz (1 mm)Shock resistance 30 g (11 ms)Protection class IP67MTTF448 years acc. to SN 29500 (Ed. 99) 40 °C Switching stateLED yellow■ATEX category II 2 G, Ex zone 1■ATEX category II 1 D, Ex zone 20■SIL2 as per IEC 61508■Threaded barrel, M18 x 1■Plastic, PA12-GF30■Fine adjustment via potentiometer ■DC 2-wire, nom. 8.2 VDC■Output acc. to DIN EN 60947-5-6 (NA-MUR)■Cable connectionWiring DiagramFunctional principleCapacitive proximity switches are designed for non-contact and wear-free detection of electrically conductive as well as non-conduc-tive metal objects.T 12:21:38+01:00Mounting instructions / Description minimum distances Distance D 36 mm Distance W 15 mm Distance S 27 mm Distance G30 mm Diameter of the active area BØ 18 mmThe given minimum distances have been checked in compliance with the standard switching distance.Should the sensitivity of the sensors be changed via potentiometer, the data sheet specifications no longer apply.T 12:21:38+01:00AccessoriesType codeIdent no.DescriptionDesignBS 1869471Mounting bracket for threaded barrel devices; material: PA66-GFBSN 1869472Fixing clamp; material: PA66-GFBST-18B 6947214Fixing clamp for threaded barrel devices, with dead-stop; ma-terial: PA6MAP-M186950012Mounting adapter; material: Polypropylene; sensor replace-ment with filled container possible (adapter remains in con-tainer during sensor replacement)IM1-22EX-R 7541231Isolating switching amplifier, 2-channel; 2 relay outputs; in-put NAMUR signal; selectable ON/OFF mode for wire-break and short-circuit monitoring; adjustable output mode (NO /NC mode); removable terminal blocks; width 18 mm; univer-sal power supply unitT 12:21:38+01:00Operating manual Intended useThis device fulfills the directive 94/9/EC and is suited for use in explosion hazardous areas according to EN60079-0:2012, -11:2012, -26:2007.Further it is suited for use in safety-related systems, including SIL2 as per IEC 61508.In order to ensure correct operation to the intended purpose it is required to observe the national regulations and directives.For use in explosion hazardous areas conform to classificationII 2 G and II 1 D (Group II, Category 2 G, electrical equipment for gaseous atmospheres and category 1 D, electrical equipment for dust atmo-spheres).Marking (see device or technical data sheet)É II 2 G and Ex ia IIC T6 Gb acc. to EN60079-0 and -26 und É II 1 D Ex ia IIIC T115°C Da acc. to EN60079-0Local admissible ambient temperature -25…+70 °CInstallation / CommissioningThese devices may only be installed, connected and operated by trained and qualified staff. Qualified staff must have knowledge of protection classes, directives and regulations concerning electrical equipment designed for use in explosion hazardous areas.Please verify that the classification and the marking on the device comply with the actual application conditions.This device is only suited for connection to approved Exi circuits compliant to EN60079-0 and -11. Please observe the maximum admissible electrical values.After connection to other circuits the sensor may no longer be used in Exi installations. When interconnected to (associated) electrical equip-ment, it is required to perform the "Proof of intrinsic safety" (EN60079-14).When employed in safety systems to IEC 51408 it is required to assess the failure probability (PFD) of the complete circuitry.Installation and mounting instructionsAvoid static charging of cables and plastic devices. Please only clean the device with a damp cloth. Do not install the device in a dust flow and avoid build-up of dust deposits on the device.If the devices and the cable could be subject to mechanical damage, they must be protected accordingly. They must also be shielded against strong electro-magnetic fields.The pin configuration and the electrical specifications can be taken from the device marking or the technical data sheet.service / maintenanceRepairs are not possible. The approval expires if the device is repaired or modified by a person other than the manufacturer. The most important data from the approval are listed.。
RVT贴片铝电解电容10UF16V4x5规格书
Note: All design and specifications are for reference only and is subject to change without prior notice. If any doubt about safety for your application, please contact us immediately for technical assistance before purchase.注: 以上所提供的設計及特性參數僅供參考，任何修改不作預先通知。
如果在使用上有疑問，請在採購前與我們聯繫，以便提供技術上的協助。
WIDE TEMPERATURE 寬溫品Operating with wide temperature range -40~+105°C 適用於 -40~+105°C 的寬溫範圍 Load life of 1000~2000 hours 負荷壽命1000~2000小時Comply with the RoHS directive 符合RoHS 指令SPECIFICATIONS 特性表Items 項目Characteristics 主要特性Operation Temperature Range 使用温度範圍 -40 ~ +105°C Voltage Range 額定工作電壓範圍 4 ~ 450V Capacitance Range 靜電容量範圍 0.1 ~ 6800μF Capacitance Tolerance 靜電容量允許偏差±20% at 120Hz, 20°C Leakage Current 漏電流Rated Voltage 額定工作電壓 6.3 ~ 100V160 ~ 450VCase size 尺寸 ∅4~∅10∅12.5~∅16∅6.3~∅16Time 時間after 2 min. (application of rated voltage)2分鐘後（施加額定工作電壓）after 1 min. (application of rated voltage) 1分鐘後（施加額定工作電壓） after 5 min. (application of rated voltage)5分鐘後（施加額定工作電壓）Leakage current 漏電流≤0.01CV or 3μA, whichever is greater ≤0.01CV 或3μA ，取較大值≤0.03CV or 4μA, whichever is greater ≤0.03CV 或4μA ，取較大值≤0.04CV+100μA, whichever is greater ≤0.04CV+100μA ，取較大值Dissipation Factor (tan δ) 損耗角正切Measurement frequency 測試頻率: 120Hz, Temperature 温度: 20°C Rated Voltage (V) 額定工作電壓 4 6.31016253550 63 100 160~250350~450tan δ (max.) 最大損耗角正切 ∅4~∅100.420.300.260.220.160.14 0.12 0.10 0.100.20 0.25 ∅12.5~∅160.450.380.340.300.260.22 0.18 0.14 0.100.20 0.25Stability at Low Temperature低溫特性Measurement frequency 測試頻率: 120HzRated Voltage (V) 額定工作電壓 4 6.3101625 35 50~63 100160~250350~450Impedance Ratio 阻抗比ZT/Z20 (max.) ∅4~∅10Z(-25°C)/Z(20°C)7 4 3 2 2 2 2 3 2 3Z(-40°C)/Z(20°C)158 6 4 4 3 3 4 3 6∅12.5~∅16Z(-25°C)/Z(20°C)7 5 4 3 2 2 2 2 2 4Z(-40°C)/Z(20°C)1712108 5 4 3 3 6 10 Load Life 高溫負荷特性After 2000 hrs. (1000 hrs. for ∅4~∅6.3×5.4) application of the rated voltage at 105°C, they meet the characteristics listedbelow. 在105°C 環境中施加額定工作電壓2000小時（∅4~∅6.3×5.4為1000小時）後，電容器的特性符合下表的要求。
电容常见单位
电容常见单位
电容的常见单位有：
1. 皮法（pF）：即一个皮法定义的电容量，1皮法等于1纳法（nF）的十万分之一，也就是10-12法拉（F）；
2. 纳法（nF）：即一个纳法定义的电容量，1纳法等于1微法（μF）的千分之一，也就是10-9法拉（F）；
3. 微法（μF）：即一个微法定义的电容量，1微法等于1毫法（mF）的千分之一，也就是10-6法拉（F）；
4. 毫法（mF）：即一个毫法定义的电容量，1毫法等于1法拉（F）的千分之一，也就是10-3法拉（F）；
5. 法拉（F）：即一个法拉定义的电容量，1法拉等于1安法（AF）的千分之一，也就是10-3安法（AF）；
6. 安法（AF）：即一个安法定义的电容量，1安法等于1000法拉（F），也就是103法拉（F）。
电容种类大全
电容种类大全一、按照结构：固定电容器、可变电容器和微调电容器。
二、按用途：高频旁路、低频旁路、去耦、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。
三、按介质材料分:气体介质电容器、无机介质电容器、有机介质电容器、液体介质电容器、复合介质电容器、电解电容器等。
、和超级电容器。
四、按封装：贴片电容器和插装电容器。
五、按极性：极性电容器和非极性电容器。
一、按照结构分类：固定电容:具有固定电容的电容器。
电容器的实际电容与标称电容的偏差称为误差，在允许的偏差范围内称为精度。
就是我们常用的各种电容。
可变电容：它由一组定片和一组动片组成，它的容量随着动片的转动可以连续改变。
把两组可变电容装在一起同轴转动，叫做双连。
可变电容的介质有空气和聚苯乙烯两种。
空气介质可变电容体积大，损耗小，多用在电子管收音机中。
聚苯乙烯介质可变电容做成密封式的，体积小，多用在晶体管收音机中。
微调电容，又叫微变电容。
在实际的电路应用中又根据其封装方式的不同分为贴片可调电容（SMD），插件可调电容（DIP）；根据制造材料的不同又可分为陶瓷可调电容，PVC 可调电容，空气可调电容等。
实际工程中很少用到可变电容和微调电容。
二、按照功能分类：1）旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。
就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。
为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。
这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。
地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。
2）去耦去耦，又称解耦。
从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。
如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感）会产生反弹，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。
常见电容值
常见电容值【单位pF】39 P 43 P 47 P 51 P 56 P 62 P 68 P 75 P 82 P 91 P100 P 120 P 150 P 180 P 200 P 220 P 240 P 270 P 300 P 330 P360 P 390 P 470 P 560 P 620 P 680 P 750 P【单位nF】1.0 1.2 1.5 1.82.2 2.73.3 3.94.75.6 10 15 18 22 27 33 39 56 68 82【单位uF】0.1 0.15 0.22 0.33 0.47 1.0 (1.5) 2.2常用电容技术参数值大全：1、陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
2、铝电解电容器用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大，能耐受大的脉动电流，容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波。
电容量：0.47～10000u额定电压：6.3～450V主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等3、钽电解电容器（CA）铌电解电容（CN）用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中。
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U 0 Sb
2
2d (d b)
0
即依然吸入。
如果铜板先插入后通电，和断电后再将铜板抽出，情 况又如何？如果插入的是介质板，情况又如何？
⑶求电容C
E 0 Q S 0 U Ed Qd S 0
Q U
1.平板电容器的电容 已知S,d
d
- - - - -Q
+ + + +Q
S
C Q U S 0 d
2.圆柱形电容器电容已知l, R1 ,R2 ,0 柱对称 E
E
2 rl
qi
Q 2 rl 0
并联
Q=Q1+Q2 V=V1=V2
1 C
1 C1
1 C2
C C1 C 2
介电质对电场的影响
E E0
相对介电常数r 介电常数
r
0 r
介电质的极化
附加场E’
化合物分子 单原子分子
有极分子
无极分子
E0
- + - + - + -+ + - E - + + -
- + - + - + + -E - + - +
C
d
（说明C与铜片位置无关） d b
1 2 Q (
2
0S
W
1 C
1 C0
)
1 2
Q b / 0S
2
( 2 ) 外力做负功（电场力做
正功，电场能减少）
W 外力
1 2
Q b / 0S
2
吸入
(3) W
1 2
U (C C 0 )
2 2
1 2
U 0S ( d1b
C=Q/V
S d ' ( d d ' ) r
方法二 与贴着插入电容相同
C1
C
S d'
C 1C 2 C1 C 2
C2
S 0 d d'
S 0 r
d ' ( d d ' ) rDFra bibliotek量及其高斯定理
真空 E0 dS
S
s
qi
0
用串联公式计算？？
例
E1
1 1
已知S，d，r1 ，r2 。求电容。
Q1 S 2 2Q1 S r 1 0
E2
2Q 2 S r 2 0
1
r1
2Q 2d S 0 r 2
r2
并联U不变 U
Q1 Q2
E1d E 2 d
2 Q1d S 0 r1
极化电荷
E0
介质中，总场强为E = E0 E’
r
例
E1
已知S，d，r1 ，r2 。求电容。
1
d
Q S r 1 0 E2 Q S r 2 0
r1 r2
Qd 1 1 U E1 E 2 2 2 2 S 0 r1 r 2 d 2 S 0 r 1 r 2 C U d r1 r2 Q
D E 0 r E
电位移矢量 电位移通量
r E dS
s
s
qi
0
E dS
S
S
qi
D dS
qi
S
S
介质高斯定理
引入辅助量 D E 0 r E
D 矢量—称电位移矢量。方向与E相同 形状与E线相同， D 线—称电位移线。 但比E线疏倍 与介质无关 D 通量—称电位移通量。
一般空间
V
V
2
2 1
E dV
2
例 球形电容两极板带电±Q，内外径R1 和R2间充满r，求电容储存的W 。
W
R2
2
1
E dV
2
E
Q
4 r
2
2
R1
1
Q 2 4 r dr 2 2 4 r
2
dV 4 r dr
-Q
Q
r
1 1 R 8 1 R2 Q
R2
0
Q Q
l
2 l 0 ln R2 R1
U E dl
R2
E dr
R1
C
Q U
R1
2 rl
Q
dr
0
Q 2 l 0
ln
R2 R1
3.球形电容器 已知R1 ,R2 ,0 2 球对称： 4 r q i 0 E E
U E dl
r1
r2
C2
C C1 C 2
例 插入S，相对常数介电r, 厚度为d’（d’<d)的介质
Q
E0
E
E0
-Q
先要说明电容大小与插入的位置无关
方法一
Q E V C
E0 Q S 0 E Q S r 0
V Ed ' E 0 ( d d ' )
Q S r 0 d ' Q S 0 (d d ')
2
2
E
Q 4 r 0
2
(2)画出电力线和 电位移线并比较。
r
q
0
比较： E线--在介质内 变疏r倍。
D线--在介质内外 不变，疏密一致。
E
q
0
D
电容器的能量 电容器的电能
dA=u . dq
Q Q
dq
2
A
u
0
dq
0
C
q
dq
Q
+q u -q
2C
W
Q
2
1 2
CU
2
2C
电源不断开 U不变； 电源断开 Q不变。
介电质中电场的能量
由平板电容器引入：
W 1 2 CU
2
S +
1 2
E
+
2
-
+ 1
2
d
+
2
1 S 2 d
Ed
2
E Sd
E V
电场能量密度： w
W V
1
E
2
电场能量：W wdV
D
S
D dS
q
S
i
D的高斯定理
导体球R带电Q (1)求E、D的分布。
球对称 E 4 Ⅰ Ⅱ qi Q
Ⅲ qi Q
r
2
qi
0 R ⅠⅡ Ⅲ
d
D= E DⅠ=0
2
EⅠ=0
E Q 4 r
D
D
Q 4 r
Q 4 r
2
1 d
)
U 0 Sb 2d (d b)
2
电源提供的能量为： 电源 Q U C C 0） U W （
W 外力 W 电源 W , W 外力 W W 电源
W 外力 U 0 Sb
2
2d (d b)
U 0 Sb
2
d (d b)
r1 r2
Q Q1 Q 2
Q 1 r 1 r 2
r1
C
Q U
Q E1d
Q 2 Q1d S 0 r1
S 0 2d
r 1 r 2
或用并联公式计算:
C1 S1 2d S1 2d S 0 r 1 2d S 0 r 2 2d
Q 4 0 r
2
R2
Edr
Q 4
0
R1
R2
Q 4
Q
0
dr r
2
R1
1 1 R 1 R2
Q
-Q
R1 R 2 C 4 0 R R U 1 2
电容器的联接
Q -QQ -Q
Q
-Q
串联 特点: V=V1+V2 Q=Q1=Q2
2
电容器
1 1 W R 8 1 R2 2C
Q
2
Q
2
R1 R 2 C 4 R R 1 2
C 解（1） 未插入时， 0
0S
d
，
b
1 1 1 1 1 S S， 插入后， 0 0 C C1 C2 d1 d2
电容器和介电质
电容器及其电容 电容器的连接 介电质对电场的影响 介电质的极化 D矢量及其高斯定律 电容器的能量 介电质中电场的能量
电容器及其电容 一. 电容器的电容
C
1 F 10
6
Q U
（F）
12
法拉
F 10 微法
pF
皮法
二. 电容的计算 步骤： ⑴求E；⑵求电压U E d l