Accelerating VASP electronic structure calculations using graphic processing units
中文版Exploring-Chemistry-with-Electronic-Structure-M
Exploring Chemistry with Electronic Structure MethodSecond EdithionJames B. ForesmanAeleen FrischGaussian, IncPittsburgh, PA2002年9月25日特别声明本文转自南开大学BBS，在此对译者表示衷心感！！！！用Gaussian研究化学问题说明接触Gaussian已经很久了，但真正用Gaussian做东西还是临近博士毕业时的事情。
当时做计算的时候，就特别希望有一本具体怎么使用从头算的书，可惜一直没有找到。
来到这里后，在新买的Gaussian98包中发现了这本书，感觉如获至宝，也希望能够提供应想用Gaussian做东西的朋友。
我不是专门做量化的，很多术语不清楚怎么翻译，手头又没有中文的资料，错误的地方，只能希望行来指点了。
其实这本书里面介绍的东西，不止限于Gaussian 程序的。
对于从事从头算研究的都有帮助。
容中有很多计算实例，都是在Gaussian94，98程序中提供的。
节译自Exploring Chemistry with Electronic Structure Methos，SecondEdition，作者James B。
Foresman，Eleen FrischGaussian，Inc，USA，1996目录特别声明１用Gaussian研究化学问题１说明１前言1运行Gaussian2Unix/Linux平台2Windows平台2输出文件2第一章计算模型31.1 计算化学概述3分子力学理论3电子结构理论4密度泛函(Density Functional Methods)41.2 化学模型(Model Chemistries)4定义化学模型4模型的组合5第二章单点能计算52.1 能量计算设置5路径5计算的名称6分子结构6多步计算62.3 输出文件中的信息6标准几何坐标。
6能量6分子轨道和轨道能级6电荷分布7偶极矩和多极矩7CPU时间和其他72.4 核磁计算7第三章几何优化93.1 势能面93.2 寻找极小值9收敛标准10几何优化的输入10检查优化输出文件103.3 寻找过渡态103.4 难处理的优化11第四章频率分析134.1 预测红外和拉曼光谱13频率计算的输入13频率和强度13矫正因子和零点能。
半导体微电子专业词汇中英文对照
半导体微电子专业词汇中英文对照Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Acoustic Surface Wave 声表面波Active region 有源区Active component 有源元Active device 有源器件Activation 激活Activation energy 激活能Active region 有源(放大）区A/D conversion 模拟—数字转换Adhesives 粘接剂Admittance 导纳Aging 老化Airborne 空载Allowed band 允带allowance 容限，公差Alloy-junction device合金结器件Aluminum(Aluminum）铝Aluminum – oxide 铝氧化物Aluminum Nitride 氮化铝Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度A M light 振幅调制光，调幅光amplitude limiter 限幅器Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal 退火Anisotropic 各向异性的Anode 阳极Antenna 天线Aperture 孔径Arsenide （As) 砷Array 阵列Atomic 原子的Atom Clock 原子钟Attenuation 衰减Audio 声频Auger 俄歇Automatic 自动的Automotive 汽车的Availability 实用性Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation雪崩激发Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向Backward bias 反向偏置Ball bond 球形键合Band 能带Band gap 能带间隙Bandwidth 带宽Bar 巴条发光条Barrier 势垒Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度Base 基极Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数Base—width modulation基区宽度调制Batch 批次Battery 电池Beam 束光束电子束Bench 工作台Bias 偏置Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor （BJT)双极晶体管Bit 位比特Blocking band 阻带Body — centered 体心立方Body—centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼Bond 键、键合Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃Bottom-up 由下而上的Boundary condition 边界条件Bound electron 束缚电子Bragg effect 布拉格效应Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿Break over 转折Brillouin 布里渊FBrillouin zone 布里渊区Buffer 缓冲器Built-in 内建的Build—in electric field 内建电场Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合Burn-in 老化Burn out 烧毁Buried channel 埋沟Buried diffusion region 隐埋扩散区Bus 总线Calibration 校准，检定，定标、刻度，分度Capacitance 电容Capture cross section 俘获截面Capture carrier 俘获载流子Carbon dioxide （CO2) 二氧化碳Carrier 载流子、载波Carry bit 进位位Cascade 级联Case 管壳Cathode 阴极Cavity 腔体Center 中心Ceramic 陶瓷（的)Channel 沟道Channel breakdown 沟道击穿Channel current 沟道电流Channel doping 沟道掺杂Channel shortening 沟道缩短Channel width 沟道宽度Characteristic impedance 特征阻抗Charge 电荷、充电Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemical etching 化学腐蚀法Chemically—Polish 化学抛光Chemically—Mechanically Polish （CMP）化学机械抛光Chemical vapor deposition (cvd)化学汽相淀积Chip 芯片Chip yield 芯片成品率Circuit 电路Clamped 箝位Clamping diode 箝位二极管Cleavage plane 解理面Clean 清洗Clock rate 时钟频率Clock generator 时钟发生器Clock flip—flop 时钟触发器Close—loop gain 闭环增益Coating 涂覆涂层Coefficient of thermal expansion 热膨胀系数Coherency 相干性Collector 集电极Collision 碰撞Compensated OP-AMP 补偿运放Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接Common—gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接Common—mode gain 共模增益Common-mode input 共模输入Common—mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比Communication 通信Compact 致密的Compatibility 兼容性Compensation 补偿Compensated impurities 补偿杂质Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路Complementary Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor(CMOS）互补金属氧化物半导体场效应晶体管Computer-aided design (CAD)/test（CAT)/manufacture（CAM）计算机辅助设计/ 测试/制造Component 元件Compound Semiconductor 化合物半导体Conductance 电导Conduction band （edge）导带(底)Conduction level/state 导带态Conductor 导体Conductivity 电导率Configuration 结构Conlomb 库仑Constants 物理常数Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion恒定源扩散Contact 接触Continuous wave 连续波Continuity equation 连续性方程Contact hole 接触孔Contact potential 接触电势Controlled 受控的Converter 转换器Conveyer 传输器Cooling 冷却Copper interconnection system 铜互连系统Corrosion 腐蚀Coupling 耦合Covalent 共阶的Crossover 交叉Critical 临界的Cross—section 横断面Crucible坩埚Cryogenic cooling system 冷却系统Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格Cubic crystal system 立方晶系Current density 电流密度Curvature 曲率Current drift/drive/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curve 曲线Custom integrated circuit 定制集成电路Cut off 截止Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶Czochralski technique 切克劳斯基技术(Cz法直拉晶体J））Dangling bonds 悬挂键Dark current 暗电流Dead time 空载时间Decade 十进制Decibel （dB）分贝Decode 解码Deep acceptor level 深受主能级Deep donor level 深施主能级Deep energy level 深能级Deep impurity level 深度杂质能级Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 简并半导体Degeneracy 简并度Degradation 退化Degree Celsius（centigrade）/Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟Density 密度Density of states 态密度Depletion 耗尽Depletion approximation 耗尽近似Depletion contact 耗尽接触Depletion depth 耗尽深度Depletion effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层Depletion MOS 耗尽MOS Depletion region 耗尽区Deposited film 淀积薄膜Deposition process 淀积工艺Design rules 设计规则Detector 探测器Developer 显影剂Diamond 金刚石Die 芯片（复数dice）Diode 二极管Dielectric Constant 介电常数Dielectric isolation 介质隔离Difference-mode input 差模输入Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance 微分电容Diffusion 扩散Diffusion coefficient 扩散系数Diffusion constant 扩散常数Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉Digital circuit 数字电路Dimension (1）尺寸(2)量钢（3）维，度Diode 二极管Dipole domain 偶极畴Dipole layer 偶极层Direct—coupling 直接耦合Direct—gap semiconductor 直接带隙半导体Direct transition 直接跃迁Directional antenna 定向天线Discharge 放电Discrete component 分立元件Disorder 无序的Display 显示器Dissipation 耗散Dissolution 溶解Distributed capacitance 分布电容Distributed model 分布模型Displacement 位移Dislocation 位错Domain 畴Donor 施主Donor exhaustion 施主耗尽Dopant 掺杂剂Doped semiconductor 掺杂半导体Doping concentration 掺杂浓度Dose 剂量Double—diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS Drift 漂移Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose 剂量Dual—polarization 双偏振，双极化Duty cycle 工作周期Dual-in-line package （DIP) 双列直插式封装Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性Dynamic impedance 动态阻抗Early effect 厄利效应Early failure 早期失效Effect 效应Effective mass 有效质量Electric Erase Programmable Read Only Memory（E2PROM) 电可擦除只读存储器Electrode 电极Electromigration 电迁移Electron affinity 电子亲和势Electron-beam 电子束Electroluminescence 电致发光Electron gas 电子气Electron trapping center 电子俘获中心Electron Volt (eV) 电子伏Electro—optical 光电的Electrostatic 静电的Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半导体Ellipse 椭圆Emitter 发射极Emitter—coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器Empty band 空带Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应Endurance test =life test 寿命测试Energy state 能态Energy momentum diagram 能量-动量（E—K)图Enhancement mode 增强型模式Enhancement MOS 增强性MOSEnteric (低)共溶的Environmental test 环境测试Epitaxial 外延的Epitaxial layer 外延层Epitaxial slice 外延片Epoxy 环氧的Equivalent circuit 等效电路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子Equipment 设备Erasable Programmable ROM （EPROM)可搽取(编程)存储器Erbium laser 掺铒激光器Error function complement 余误差函数Etch 刻蚀Etchant 刻蚀剂Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子Excitation energy 激发能Excited state 激发态Exciton 激子Exponential 指数的Extrapolation 外推法Extrinsic 非本征的Extrinsic semiconductor 杂质半导体Fabry—Perot amplifier 法布里-珀罗放大器Face — centered 面心立方Fall time 下降时间Fan-in 扇入Fan—out 扇出Fast recovery 快恢复Fast surface states 快表面态Feedback 反馈Fermi level 费米能级Femi potential 费米势Fiber optic 光纤Field effect transistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层Figure of merit 品质因数Filter 滤波器Filled band 满带Film 薄膜Fine pitch 细节距Flash memory 闪存存储器Flat band 平带Flat pack 扁平封装Flatness 平整度Flexible 柔性的Flicker noise 闪烁（变）噪声Flip-chip 倒装芯片Flip— flop toggle 触发器翻转Floating gate 浮栅Fluoride etch 氟化氢刻蚀Focal plane 焦平面Forbidden band 禁带Formulation 列式，表达Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting 正向阻断/导通Free electron 自由电子Frequency deviation noise 频率漂移噪声Frequency response 频率响应Function 函数Gain 增益Gallium—Arsenide(GaAs) 砷化镓Gallium Nitride 氮化镓Gate 门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层Gate width 栅宽Gauss（ian）高斯Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation-recombination 产生-复合Geometries 几何尺寸Germanium(Ge) 锗Gold 金Graded 缓变的Graded (gradual) channel 缓变沟道Graded junction 缓变结Grain 晶粒Gradient 梯度Graphene 石墨烯Grating 光栅Green laser 绿光激光器Ground 接地Grown junction 生长结Guard ring 保护环Guide wave 导波波导Gunn — effect 狄氏效应Gyroscope 陀螺仪Hardened device 辐射加固器件Harmonics 谐波Heat diffusion 热扩散Heat sink 散热器、热沉Heavy/light hole band 重/轻空穴带Hell — effect 霍尔效应Hertz 赫兹Heterojunction 异质结Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体High field property 高场特性High—performance MOS（H—MOS)高性能MOS器件High power 大功率Hole 空穴Homojunction 同质结Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器Hot carrier 热载流子Hybrid integration 混合集成Illumination （1)照明（2）照明学Image - force 镜象力Impact ionization 碰撞电离Impedance 阻抗Imperfect structure 不完整结构Implantation dose 注入剂量Implanted ion 注入离子Impurity 杂质Impurity scattering 杂志散射Inch 英寸Incremental resistance 电阻增量(微分电阻）In—contact mask 接触式掩模Index of refraction 折射率Indium 铟Indium tin oxide （ITO）铟锡氧化物Inductance 电感Induced channel 感应沟道Infrared 红外的Injection 注入Input power 输入功率Insertion loss 插入损耗Insulator 绝缘体Insulated Gate FET(IGFET) 绝缘栅FET Integrated injection logic 集成注入逻辑Integration 集成、积分Integrated Circuit 集成电路Interconnection 互连Interconnection time delay 互连延时Interdigitated structure 交互式结构Interface 界面Interference 干涉International system of unions 国际单位制Internally scattering 谷间散射Interpolation 内插法Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半导体Inverse operation 反向工作Inversion 反型Inverter 倒相器Ion 离子Ion beam 离子束Ion etching 离子刻蚀Ion implantation 离子注入Ionization 电离Ionization energy 电离能Irradiation 辐照Isolation land 隔离岛Isotropic 各向同性Junction FET(JFET) 结型场效应管Junction isolation 结隔离Junction spacing 结间距Junction side—wall 结侧壁Laser 激光器Laser diode 激光二极管Latch up 闭锁Lateral 横向的Lattice 晶格Layout 版图Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变Lead 铅Leakage current （泄）漏电流Life time 寿命linearity 线性度Linked bond 共价键Liquid Nitrogen 液氮Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术Lithography 光刻Light Emitting Diode(LED) 发光二极管Linearity 线性化Liquid 液体Lock in 锁定Longitudinal 纵向的Long life 长寿命Lumped model 集总模型Magnetic 磁的Majority carrier 多数载流子Mask 掩膜板，光刻板Mask level 掩模序号Mask set 掩模组Mass — action law 质量守恒定律Master-slave D flip-flop 主从D 触发器Matching 匹配Material 材料Maxwell 麦克斯韦Mean free path 平均自由程Mean time before failure （MTBF）平均工作时间Mechanical 机械的Membrane （1）薄腊，膜片（2）隔膜Megeto — resistance 磁阻Mesa 台面MESFET-Metal Semiconductor 金属半导体FET Metalorganic Chemical Vapor Deposition MOCVD 金属氧化物化学汽相淀积Metallization 金属化Metal oxide semiconductor (MOS）金属氧化物半导体MeV 兆电子伏Microelectronic technique 微电子技术Microelectronics 微电子学Microelectromechanical System (MEMS）微电子机械系统Microwave 微波Millimeterwave 毫米波Minority carrier 少数载流子Misfit 失配Mismatching 失配Mobility 迁移率Module 模块Modulate 调制Molecular crystal 分子晶体Monolithic IC 单片MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管Mount 安装Multiplication 倍增Modulator 调制Multi—chip IC 多芯片ICMulti—chip module(MCM) 多芯片模块Multilayer 多层Multiplication coefficient 倍增因子Multiplexer 复用器Multiplier 倍增器Naked chip 未封装的芯片（裸片) Nanometer 纳米Nanotechnology 纳米技术Negative feedback 负反馈Negative resistance 负阻Negative—temperature-coefficient负温度系数Nesting 套刻Noise figure 噪声系数Nonequilibrium 非平衡Nonvolatile 非挥发(易失）性Normally off/on 常闭/开Nuclear 核Numerical analysis 数值分析Occupied band 满带Offset 偏移、失调On standby 待命状态Ohmic contact 欧姆接触Open circuit 开路Operating point 工作点Operating bias 工作偏置Operational amplifier （OPAMP）运算放大器Optical photon 光子Optical quenching 光猝灭Optical transition 光跃迁Optical—coupled isolator 光耦合隔离器Organic semiconductor 有机半导体Orientation 晶向、定向Oscillator 振荡器Outline 外形Out—of—contact mask 非接触式掩模Output characteristic 输出特性Output power 输出功率Output voltage swing 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿Over-current protection 过流保护Over shoot 过冲Over—voltage protection 过压保护Overlap 交迭Overload 过载Oscillator 振荡器Oxide 氧化物Oxidation 氧化Oxide passivation 氧化层钝化Package 封装Pad 压焊点Parameter 参数Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillation 寄生振荡Pass band 通带Passivation 钝化Passive component 无源元件Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面Parasitic transistor 寄生晶体管Pattern 图形Payload 有效载荷Peak-point voltage 峰点电压Peak voltage 峰值电压Permanent—storage circuit 永久存储电路Period 周期Permeable — base 可渗透基区Phase—lock loop 锁相环Phase drift 相移Phonon spectra 声子谱Photo conduction 光电导Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池Photoelectric effect 光电效应Photonic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工艺Photoluminescence 光致发光Photo resist （光敏）抗腐蚀剂Photo mask 光掩模Piezoelectric effect 压电效应Pin 管脚Pinch off 夹断Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）Planar process 平面工艺Planar transistor 平面晶体管Plasma 等离子体Plane 平面的Plasma 等离子体Plate 板电路板P-N junction pn结Poisson equation 泊松方程Point contact 点接触Polarity 极性Polycrystal 多晶Polymer semiconductor 聚合物半导体Poly—silicon 多晶硅Positive 正的Potential （电)势Potential barrier 势垒Potential well 势阱Power electronic devices电力电子器件Power dissipation 功耗Power transistor 功率晶体管Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面Print-circuit board(PCB）印制电路板Probability 几率Probe 探针Procedure 工艺Process 工艺Projector 投影仪Propagation delay 传输延时Proton 质子Proximity effect 邻近效应Pseudopotential method 赝势法Pump 泵浦Punch through 穿通Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制Punchthrough 穿通Push—pull stage 推挽级Q Q值Quality factor 品质因子Quantization 量子化Quantum 量子Quantum efficiency 量子效应Quantum mechanics 量子力学Quasi – Fermi－level 准费米能级Quartz 石英Radar 雷达Radiation conductivity 辐射电导率Radiation damage 辐射损伤Radiation flux density 辐射通量密度Radiation hardening 辐射加固Radiation protection 辐射保护Radiative — recombination 辐照复合Radio 无线电射电射频Radio-frequency RF 射频Raman 拉曼Random 随机Range 测距Radio 比率系数Ray 射线Reactive sputtering source 反应溅射源Real time 实时Receiver 接收机Recombination 复合Recovery diode 恢复二极管Record 记录Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器（管）Rectifying contact 整流接触Red light 红光Reference 基准点基准参考点Refractive index 折射率Register 寄存器Regulate 控制调整Relative 相对的Relaxation 驰豫Relaxation lifetime 驰豫时间Relay 中继Reliability 可靠性Remote 远程Repeatability 可重复性Reproduction 重复制造Residual current 剩余电流Resonance 谐振Resin 树脂Resistance 电阻Resistor 电阻器Resistivity 电阻率Regulator 稳压管（器) Resolution 分辨率Response time 响应时间Return signal 回波信号Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置Ribbon 光纤带Ridge waveguide 脊形波导Ring laser 环形激光器Rotary wave 旋转波Run 运行Sampling circuit 取样电路Sapphire 蓝宝石(Al2O3）Satellite valley 卫星谷Saturated current range 电流饱和区Scan 扫描Scaled down 按比例缩小Schematic layout 示意图，简图Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基势垒Schottky contact 肖特基接触Screen 筛选Scribing grid 划片格Secondary flat 次平面Seed crystal 籽晶Segregation 分凝Selectivity 选择性Self aligned 自对准的Self diffusion 自扩散Semiconductor 半导体Semiconductor laser半导体激光器Semiconductor—controlled rectifier 半导体可控硅Sensitivity 灵敏度Sensor 传感器Serial 串行/串联Series inductance 串联电感Settle time 建立时间Sheet resistance 薄层电阻Shield 屏蔽Shifter 移相器Short circuit 短路Shot noise 散粒噪声Shunt 分流Sidewall capacitance 边墙电容Signal 信号Silica glass 石英玻璃Silicon 硅Silicon carbide 碳化硅Silicon dioxide (SiO2）二氧化硅Silicon Nitride（Si3N4) 氮化硅Silicon On Insulator 绝缘体上硅Silver whiskers 银须Simple cubic 简立方Simulation 模拟Single crystal 单晶Sink 热沉Sinter 烧结Skin effect 趋肤效应Slot 槽隙Slow wave 慢波Smooth 光滑的Subthreshold 亚阈值的Solar battery/cell 太阳能电池Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度Solution 溶液Sonband 子带Source 源极Source follower 源随器Space charge 空间电荷Space Craft 宇宙飞行器Spacing 间距Specific heat（PT) 比热Spectral 光谱Spectrum 光谱（复数)Speed-power product 速度功耗乘积Spherical 球面的Spin 自旋Split 分裂Spontaneous emission 自发发射Spot 斑点Spray 喷涂Spreading resistance 扩展电阻Sputter 溅射Square root 平方根Stability 稳定性Stacking fault 层错Standard 标准的Standing wave 驻波State-of-the-art 最新技术Static characteristic 静态特性Statistical analysis 统计分析Steady state 稳态Step motor 步进式电动机Stimulated emission 受激发射Stimulated recombination 受激复合Stopband 阻带Storage time 存储时间Stress 应力Stripline 带状线Subband 次能带Sublimation 升华Submillimeter 亚毫米波Substrate 衬底Substitutional 替位式的Superconductor 超导（电）体Superlattice 超晶格Supply 电源Surface mound表面安装Surge capacity 浪涌能力Switching time 开关时间Switch 开关Synchronizer 同步器，同步装置Synthetic-aperture 合成孔径System 系统Technical 技术的,工艺的Telecommunication 远距通信,电信Telescope 望远镜Terahertz 太赫兹Terminal 终端Template 模板Temperature 温度Tensor 张量Test 测试试验Thermal activation 热激发Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡Thermal Oxidation 热氧化Thermal resistance 热阻Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动Thick— film technique 厚膜技术Thin- film hybrid IC 薄膜混合集成电路Thin-Film Transistor（TFT) 薄膜晶体Three dimension 三维Threshold 阈值Through Silicon Via 硅通孔Thyistor 晶闸管Time resolution 时间分辨率Tolerance 公差T/R module 发射/接收模块Transconductance 跨导Transfer characteristic 转移特性Transfer electron 转移电子Transfer function 传输函数Transient 瞬态的Transistor aging（stress) 晶体管老化Transit time 渡越时间Transition 跃迁Transition—metal silica 过度金属硅化物Transition probability 跃迁几率Transition region 过渡区Transmissivity 透射率Transmitter 发射机Transceiver 收发机Transport 输运Transverse 横向的Trap 陷阱Trapping 俘获Trapped charge 陷阱电荷Travelling wave 行波Trigger 触发Trim 调配调整Triple diffusion 三重扩散Tolerance 容差Tube 管子电子管Tuner 调节器Tunnel(ing) 隧道（穿）Tunnel current 隧道电流Turn - off time 关断时间Ultraviolet 紫外的Ultrabright 超亮的Ultrasonic 超声的Underfilling 下填充Undoped 无掺杂Unijunction 单结的Unipolar 单极的Unit cell 原(元)胞Unity— gain frequency 单位增益频率Unilateral-switch 单向开关Vacancy 空位Vacuum 真空Valence（value) band 价带Value band edge 价带顶Valence bond 价键Vapour phase 汽相Varactor 变容管Variable 可变的Vector 矢量Vertical 垂直的Vibration 振动Visible light 可见光Voltage 电压Volt 伏特Wafer 晶片Watt 瓦Wave guide 波导Wavelength 波长Wave-particle duality 波粒二相性Wear-out 烧毁Wetting 浸润Wideband 宽禁带Wire 引线Wire routing 布线Work function 功函数Worst-case device 最坏情况器件X-ray X射线Yield 成品率Zinc 锌。
IBM正通过使用石墨烯在预先确定的位置沉积纳米材料继续向前迈进
IBM 正通过使用石墨烯在预先确定的位置沉积纳米
材料继续向前迈进
量子点（红色）、碳纳米管（灰色）和二硫化钼纳米片（白色/灰色）显示为代表性的0D，1D 和2D 纳米材料，可以基于石墨烯基的、电场辅助的沉
积方法将它们大规模地加以组装。
四年前，IBM 宣布将在未来五年内投资30 亿美元用于发展纳米电子学[1]，这笔投资对应的大项目名称是“7纳米及超越7 纳米”。
至少有一家主要
芯片制造商（包括GlobalFoundries）在7 纳米节点碰壁，但IBM 正通过使用石墨烯在预先确定的位置沉积纳米材料，继续向前迈进。
据《自然-通讯》期刊上10 月5 日在线发表的一篇论文[2]所述，IBM 的
研究人员首次使石墨烯带电以便其帮助实现以97%的准确率沉积纳米材料。
“由于这种方法适用于各种纳米材料，我们设想了具有代表纳米材料独特
物理特性的功能的集成器件。
”IBM巴西研究所的管理者Mathias Steiner 说。
“我们还能想到在由纳米材料的光学特性决定的不同波长范围内工作的芯片上光探测器和发射器。
”。
个人非常好的VASP学习与总结
个人非常好的VASP学习与总结VASP（Vienna Ab initio Simulation Package）是一种用于计算材料电子结构和材料性质的第一性原理软件包。
它是由奥地利维也纳大学的Peter Blöchl教授和Jürgen Hafner教授等人开发的。
VASP广泛应用于材料科学、凝聚态物理、表面科学、催化化学等领域，并且已成为当前计算材料科学研究中的重要工具。
我的VASP学习与总结主要包括以下几个方面：一、理论基础在学习VASP之前，我首先了解了从头计算的理论基础。
这包括了量子力学、自旋极化的密度泛函理论、平面波基组和赝势等关键概念。
我通过阅读相关文献和教材，深入理解了这些理论基础，并通过编程实现了一些基本的从头计算算法，如Hartree-Fock法和密度泛函理论。
二、VASP软件架构和输入文件学习VASP的过程中，我详细了解了VASP的软件架构和输入文件的格式。
VASP的软件架构分为主程序和一系列的预处理工具、后处理工具和与其他软件的接口。
对于输入文件，我了解了INCAR文件中的各种参数，如体系的描述、计算方法、收敛准则等；POSCAR文件中的晶体结构描述；KPOINTS文件中的k点网格描述等。
我还学习了如何使用VASP进行周期性边界条件下的能带计算、电子密度计算和弛豫力计算等。
三、VASP计算结果的解析和可视化VASP计算得到的结果需要进一步解析和可视化。
我学习了使用一些常用的后处理工具，如VASP可视化工具、VESTA和XCrysDen等，来分析和可视化VASP计算的结果。
这些工具可以帮助我理解晶体结构、电子能带结构以及电荷分布等。
四、VASP参数优化和计算效率为了得到准确的计算结果，我尝试了调整VASP计算中的一些参数，如波函数截断、k点密度、能量收敛准则等，以获得更准确的计算结果。
此外，我还学习了使用并行计算技术来提高VASP计算的效率，如MPI和OpenMP等，并了解了VASP在高性能计算集群上的使用方法。
Bi2Se3未考虑vdw的错误汇总
Bi2Se3未考虑vdw的错误汇总在没有考虑vdw作用之前，算Bi2Se3材料soc中出现的错误汇总V ASP自旋轨道耦合计算错误汇总静态计算时，报错：VERY BAD NEWS! Internal内部error in subroutine子程序IBZKPT:Reciprocal倒数的lattice and k-lattice belong to different class of lattices. Often results are still useful (48)INCAR参数设置：对策：根据所用集群，修改INCAR中NPAR。
将NPAR=4变成NPAR=1，已解决！错误：sub space matrix类错误报错：静态和能带计算中出现警告：W ARNING: Sub-Space-Matrix is not hermitian共轭in DA V结构优化出现错误：WARNING: Sub-Space-Matrix is not hermitian in DA V 4 -4.681828688433112E-002对策：通过将默认AMIX=0.4，修改成AMIX=0.2（或0.3），问题得以解决。
以下是类似的错误：WARNING: Sub-Space-Matrix is not hermitian in rmm -3.00000000000000RMM: 22 -0.167633596124E+02 -0.57393E+00 -0.44312E-01 1326 0.221E+00BRMIX:very serious problems the old and the new charge density differ old charge density: 28.00003 new 28.06093 0.111E+00 错误：WARNING: Sub-Space-Matrix is not hermitian in rmm -42.5000000000000ERROR FEXCP: supplied Exchange-correletion table is too small, maximal index : 4794错误：结构优化Bi2Te3时，log文件：WARNING in EDDIAG: sub space matrix is not hermitian 1 -0.199E+01RMM: 200 0.179366581305E+01 -0.10588E-01 -0.14220E+00 718 0.261E-01BRMIX: very serious problems the old and the new charge density differ old charge density: 56.00230 new 124.70394 66 F= 0.17936658E+01 E0= 0.18295246E+01 d E =0.557217E-02curvature: 0.00 expect dE= 0.000E+00 dE for cont linesearch 0.000E+00ZBRENT: fatal error in bracketingplease rerun with smaller EDIFF, or copy CONTCAR to POSCAR and continue但是，将CONTCAR拷贝成POSCAR，接着算静态没有报错，这样算出来的结果有问题吗？对策1：用这个CONTCAR拷贝成POSCAR重新做一次结构优化，看是否达到优化精度！对策2：用这个CONTCAR拷贝成POSCAR，并且修改EDIFF（目前参数EDIFF=1E-6）,默认为10-4错误：WARNING: Sub-Space-Matrix is not hermitian in DA V 1 -7.626640664998020E-003网上参考解决方案：对策1：减小POTIM: IBRION=0，标准分子动力学模拟。
VASP参数设置详解
VASP参数设置详解计算材料2010-11-3020:11:32阅读197评论0字号：大中小订阅转自小木虫，略有增减软件主要功能：采用周期性边界条件（或超原胞模型）处理原子、分子、团簇、纳米线（或管）、薄膜、晶体、准晶和无定性材料，以及表面体系和固体l计算材料的结构参数（键长、键角、晶格常数、原子位置等）和构型l计算材料的状态方程和力学性质（体弹性模量和弹性常数）l计算材料的电子结构（能级、电荷密度分布、能带、电子态密度和ELF）l计算材料的光学性质l计算材料的磁学性质l计算材料的晶格动力学性质（声子谱等）l表面体系的模拟（重构、表面态和STM模拟）l从头分子动力学模拟l计算材料的激发态（GW准粒子修正）计算主要的四个参数文件：INCAR,POSCAR,POTCAR,KPOINTS,下面简要介绍，详细权威的请参照手册INCAR文件：该文件控制VASP进行何种性质的计算，并设置了计算方法中一些重要的参数，这些参数主要包括以下几类：✍对所计算的体系进行注释：SYSTEM✍定义如何输入或构造初始的电荷密度和波函数：ISTART，ICHARG，INIWAV✍定义电子的优化–平面波切断动能和缀加电荷时的切断值：ENCUT，ENAUG–电子部分优化的方法：ALGO，IALGO，LDIAG–电荷密度混合的方法：IMIX，AMIX，AMIN，BMIX，AMIX_MAG，BMIX_MAG，WC，INIMIX，MIXPRE，MAXMIX–自洽迭代步数和收敛标准：NELM，NELMIN，NELMDL，EDIFF✍定义离子或原子的优化–原子位置优化的方法、移动的步长和步数：IBRION，NFREE，POTIM，NSW–分子动力学相关参数：SMASS，TEBEG，TEEND，POMASS，NBLOCK，KBLOCK，PSTRESS–离子弛豫收敛标准：EDIFFG✍定义态密度积分的方法和参数–smearing方法和参数：ISMEAR，SIGMA–计算态密度时能量范围和点数：EMIN，EMAX，NEDOS–计算分波态密度的参数：RWIGS，LORBIT✍其它–计算精度控制：PREC–磁性计算：ISPIN，MAGMOM，NUPDOWN–交换关联函数：GGA，VOSKOWN–计算ELF和总的局域势：LELF，LVTOT–结构优化参数：ISIF–等等。
张平第一原理电子结构计算程序VASP.pdf
(4). 做非自洽计算, 求电子结构
• 修改INCAR文件: 将参数ICHARG设为 11 • 修改KPOINTS输入文件 • 运行VASP程序,从输出文件EIGENVAL中提出电子结构
画出电荷密度
VRHFIN =Si: s2p2 LEXCH = CA EATOM = 115.7612 eV, 8.5082 Ry GGA = -1.4125 -1.4408 .0293 -.9884 eV
TITEL = US Si LULTRA = T use ultrasoft PP ? IUNSCR = 1 unscreen: 0-lin 1-nonlin 2-no RPACOR = 1.580 partial core radius POMASS = 28.085; ZVAL = 4.000 mass and valenz RCORE = 2.480 outmost cutoff radius RWIGS = 2.480; RWIGS = 1.312 wigner-seitz radius (au A) ENMAX = 150.544; ENMIN = 112.908 eV EAUG = 241.945 …………
计算,得到输出文件EIGENVAL (5). 提取数据,画图
(1). 生成4个输入文件: POSCAR POTCAR INCAR KPOINTS
Diamond Si 5.5 0.0 0.5 0.5 0.5 0.0 0.5 0.5 0.5 0.0 2 Direct
0.0 0.0 0.0
0.25 0.25 0.25
(2)symmetric setup
Fixed layers (bulk)
(完整word版)VASP使用总结
VASP计算的理论及实践总结一、赝势的选取二、收敛测试1、VASP测试截断能和K 点2、MS测试三、结构弛豫四、VASP的使用流程（计算性质)1、VASP的四个输入文件的设置2、输出文件的查看及指令3、计算单电能（1）测试截断能（2) 测试K点4、进行结构优化5、计算弹性常数6、一些常用指令一、赝势的选取VASP赝势库中分为：PP和PAW两种势，PP又分为SP（标准）和USPP（超软）。
交换关联函数分为：LDA(局域密度近似)和GGA（广义梯度近似）。
GGA又分为PW91和PBE.在VASP中，其中pot ,pot—gga是属于超软势（使用较少）。
Paw，paw—pbe ,和paw-gga 是属于PAW.采用较多的是PAW-pbe 和PAW—gga。
此外vasp 中的赝势分为几种，包扩标准赝势（没有下标的）、还有硬(harder）赝势（_h）、软（softer）赝势(_s), 所谓的硬（难以赝化),就是指该元素原子的截断动能比较大，假想的势能与实际比较接近，计算得到的结果准确，但比较耗时，难以收敛。
软（容易赝化）,表示该元素原子的截断动能比较小，赝势模型比较粗糙，但相对简单，可以使计算很快收敛（比如VASP 开发的超软赝势)。
即硬的赝势精度高,但计算耗时。
软的精度低，容易收敛，但节省计算时间。
另一种情况：如Gd_3,这是把f电子放入核内处理，对于Gd来说，f电子恰好半满。
所以把f电子作为价电子处理的赝势还是蛮好的（类似还有Lu,全满）。
（相对其他的4f元素来说，至于把f电子作为芯内处理,是以前对4f元素的通用做法。
计算结果挺好)常用的做法是：用两种赝势测试一下对自己所关心的问题的影响情况。
在影响不大的情况下,选用不含4f电子的赝势（即后缀是3)，一来减少计算量，二来避免DFT对4f电子的处理。
【1.赝势的选择：vasp的赝势文件放在目录～/vasp/potentials 下，可以看到该目录又包含五个子目录pot pot_GGA potpaw potpaw_GGA potpaw_PBE ，其中每一个子目录对应一种赝势形式。
加工设计英语
Air compressor 空压机 Air driven pump 气动泵 Air hoister 气动绞车 Air manifold 气包 Air tight test 气密性试验 Aircraft obstruction beacon 航空障碍灯 Air-hose 风带 Alarm buzzer 报警蜂鸣器 Alarm horn 报警喇叭 Aliphatic polyurethane 脂肪族聚酯漆 Allowable stress 许用应力 Aluminum alloy anode 铝合金阳极 Aluminum ingot 铝锭 Aluminum paint 银粉漆 Aluminum sheet 铝皮 Ambient air temperature 环境气温 Ambient temperature 环境温度 Anchor block 地描块 Anchor bolt 地脚螺栓 Anchor pile 锚桩 Anchor profile 磨料喷入母材的深度 Anchor pattern 磨料喷后母材留下的小坑形状 Anchor rack 锚架 Angle of incidence 入设角 Angle of reflection 折射角 Angle probe method 超声波斜射探伤 Angle steel 角钢 Angle valve 角阀 Anode core 阳极芯子 Anode end face geometry 阳极端子几何形状 Anode life 阳极寿命 Anode potential 阳极电位 Anode stand-off post 支架式阳极的立柱 Anodic resistance 阳极电阻\ Anticorrosive paint 防锈漆 Anti-electrostatic floor 防静电地板 Antipollution measures 防污染措施 Apparent batter 斜视度 Applicable API specification API 适用规范 Approach-departure sector 直升飞机起落扇形区 Appurtenance =attachment=accessory= auxiliary 附件 Arc air gouging 碳弧气刨 Arc strike 弧击 Argon arc welding machine 氩弧焊机 Articulated tower mooring system 铰接塔泊系统
lammps分子模拟石墨烯建长键角
lammps分子模拟石墨烯建长键角LAMMPS，也称为Large-scale Atomic/Molecular Massively Parallel Simulator，是一个分子动力学模拟软件，可用于模拟原子和分子系统的动力学行为。
本文将介绍如何使用LAMMPS进行石墨烯的模拟，并着重探讨石墨烯中的长键角。
石墨烯是由碳原子形成的二维晶格结构，具有优异的力学、电子和光学性质。
其中的键角是石墨烯模拟中一个重要的参数，可以影响石墨烯的结构和性质。
通过调整键角的大小，可以改变石墨烯的机械强度、电子传输和能带结构等特性。
在LAMMPS中，我们可以使用Morse势函数来描述石墨烯中的键角。
Morse势函数是一种用于描述分子振动的经验势函数。
它的形式为：V(r) = D * (1 - exp(-a * (r - r0)))^2其中V(r)是势能与键长r之间的关系，D是势阱深度，a是振动频率，r0是平衡键长。
首先，我们需要准备一个初始的石墨烯晶胞。
可以使用LAMMPS提供的工具生成一个石墨烯晶胞文件。
然后，我们可以通过定义一个原子类型和键角类型，在输入文件中使用"read_data"命令来读取晶胞文件。
在LAMMPS输入文件中，可以使用"pair_style"和"pair_coeff"命令定义键角的势函数和参数。
例如，我们可以将石墨烯晶胞文件命名为"graphene.data"，在输入文件中添加以下命令来定义键角：```# Define the potential and parameters for the bond angle pair_style morsepair_coeff * * D a r0# Define the read_data command to read the graphene cell fileread_data graphene.data```在上述命令中，D、a和r0分别是Morse势函数的参数，它们需要根据实际情况进行选择和调整。
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AcceleratingVASPElectronicStructureCalculationsUsingGraphicProcessingUnits
MohamedHacene,[a]AniAnciaux-Sedrakian,[a]XavierRozanska,[b]yDiegoKlahr,[a]zThomasGuignon,*[a]andPaulFleurat-Lessard*[b]
WepresentawaytoimprovetheperformanceoftheelectronicstructureViennaAbinitioSimulationPackage(VASP)program.Weshowthathigh-performancecomputersequippedwithgraphicsprocessingunits(GPUs)asacceleratorsmayreducedrasticallythecomputationtimewhenoffloadingthesesectionstothegraphicchips.Theprocedureconsistsof(i)profilingtheperformanceofthecodetoisolatethetime-consumingparts,(ii)rewritingthesesothatthealgorithmsbecomebetter-suitedforthechosengraphicaccelerator,and(iii)optimizingmemorytrafficbetweenthe
hostcomputerandtheGPUaccelerator.WechosetoaccelerateVASPwithNVIDIAGPUusingCUDA.WecomparetheGPUandoriginalversionsofVASPbyevaluatingtheDavidsonandRMM-DIISalgorithmsonchemicalsystemsofupto1100atoms.Inthesetests,thetotaltimeisreducedbyafactorbetween3and8whenrunningonn(CPUcoreþGPU)comparedtonCPUcoresonly,withoutanyaccuracyloss.VC
2012WileyPeriodicals,Inc.
DOI:10.1002/jcc.23096
IntroductionComputationalchemistryevolvedtobecomeahighlyvaluabletoolforthecharacterizationandanalysisofmaterialsandchemicalphenomena.Quantumchemicalcalculationsarenowroutinelyusedtocomplementexperiments.[1,2]Becausethe
studiedsystemsareincreasinglycomplex,reducingthecom-putationtimeisanimportantissue.Knownbottlenecksinquantumchemical-physicssimulationsattheatomisticlevelarematrixproducts,vectoroperations,andFastFourierTransforms(FFTs).Twoapproachesmaybefollowedtoreducetheoverallcomputationtimeandtoallowsimulatinglargerchemicalsystems.Inthefirstone,wecouldoptimize(i)themathematicalapproximationsforthetheoreti-calchemicalequations(e.g.,resolutionofidentitydensityfunc-tionaltheory(DFT),[3–6]waveletDFT,[7,8]linearscaling
approaches[9]),and(ii)thephysicochemicalapproximationsfor
thechemicalsystemand/oritsenvironment(e.g.,cluster,peri-odicorhybridapproaches,implicitelectrostaticenvironments).Inthesecondone,wecould(re)designcompletelyorpartiallythesoftwaretotakeadvantageofthenewesthardwaretech-nologies.Wegoforthelatter.CurrenthardwaredesignsincludemulticoreCPU(thatisCentralProcessingUnitcontainingmorethantwocores),manycoreCPU(morethan32coresperCentralProcessingUnit),andGPU(GraphicsProcessingUnits)platforms.Hetero-geneousGPU-basedmulticoreplatformsarecomposedofGPUsandmulticoresCPUs.Theefficiencyofthesearchitec-turesisdemonstratedbydifferentbenchmarkslikeFFTorSparseMatrix-Vectormultiplicationtestsforinstance.[10,11]In
thisarticle,westudytheheterogeneousGPU-basedmulticorearchitectureperformanceinnumericalsimulationsofchemicalsystems.Duringthepastyears,theoreticalchemistrysoftwareshavebeenmodifiedordevelopedfromscratchtobenefitfromthe
massivelyparallelGPUtechnology.[8,12–24]TheViennaAbinitio
SimulationPackage(VASP)isanefficientplane-wavecodebasedonperiodicDFT.[25–28]Itallowstheoreticalstudyof
chemicalsystemsviaenergyandforcescalculations,whichpermitgeometryoptimizations,moleculardynamicssimula-tions,anddeterminationofawiderangeofphysicochemicalpropertiesforsolidsorsurfaces.[1,2,25–29]Itshowsgoodper-
formanceonCPUhardwareandcouldgainattractivenessafterbeingportedtoGPUhardware.Maintzetal.[24]recentlyported
theVASPBlocked-DavidsonwavefunctionoptimizationtoGPU.Theirmodificationresultedinacomputationtimereduc-tionbyafactorof7onaC2050graphiccard(Fermiarchitec-ture)incomparisontoanIntelXeonX55602.8GHzprocessor.However,theRMM-DIISalgorithmismoreefficientforlargechemicalsystemsandmoleculardynamicssimulations.[28]Itis
thusdesirabletoportthisalgorithmtoGPU.Therefore,inthiswork,wefocusontheroutinesinvolvedintheelectronicminimizationandtheirbehavioronGPU-basedclusters.Inparticular,westudytheGPUversionoftheblockedDavidson(ALGO¼Normalkeyword),RMM-DIIS(ALGO¼
[a]M.Hacene,A.Anciaux-Sedrakian,D.Klahr,T.GuignonIFPEnergiesNouvelles,1et4avenuedeBois-Preau,F-92852Rueil-MalmaisonCedex,FranceE-mail:Thomas.Guignon@ifpen.fr[b]X.Rozanska,P.Fleurat-LessardLaboratoiredeChimiedel’ENSdeLyon,UniversitedeLyon,UMRCNRS5182,46Alleed’Italie,F-69364LyonCedex07,FranceE-mail:Paul.Fleurat-Lessard@ens-lyon.fr†Presentaddress:MaterialsDesign,18ruedeSaisset,F-92120
Montrouge,France.‡Presentaddress:TotalE&P,CentreScientifiqueetTechniqueJ.Feger,
AvenueLarribau,F-64000Pau,France.
Contract/grantsponsor:KingAbdullahUniversityofScienceandTechnology(KAUST,AwardNo.UK-C0017).
VC
2012WileyPeriodicals,Inc.
JournalofComputationalChemistry2012,33,2581–25892581