VASP经验小结
vasp软件研究表面小分子的吸附解离遇到几个问题
vasp软件研究表⾯⼩分⼦的吸附解离遇到⼏个问题To Vasper：你们好。
我⽤vasp软件研究表⾯⼩分⼦的吸附解离遇到⼏个问题。
1 关于反应物和产物的结构，请问你们是如何构建的？（参考⽂献吗？）能不能介绍⼀下相关的经验，个⼈认为好的开端是成功的⼀半，所以需要更多的经验帮助。
2 关于结构的优化，能量收敛和⼒收敛的标准是否应该⽐默认值⾼，有利于过渡态的搜寻？3 关于结构虚频的处理，通过学习了解了消除虚频的⽅法--将对应原⼦的坐标加到原坐标上。
由于vasp的振动模式不能可视化，所以请问如何找到对应的原⼦？另外关于虚频，⼤家是如何处理的呢。
4 关于images的问题，最近利⽤脚本产⽣了2、4的POSCAR的⽂件，发现只有2的能跑起来，我的服务器是4个核的。
看别⼈发的贴：指定4个cpu同时计算，应该是1个cpu⼀个image 。
为什么我设置4个image跑不起来呢？？1.实验＋经验＋运⽓2.开始的时候可以较⼩，然后验证时再做精确点的计算4.VASP中和我个⼈的感觉是最后⽤1个image，收敛快⽽且可靠点，太多很难受的我是新⼿，分享⼀下体会吧。
不妥的地⽅请⾍友斧正之。
1.据说现在流⾏的过渡态算法多⽤CINEB，vasp⾃带的NEB也可以，但是镜像受⼒优化和势垒精确度以及收敛速度略逊于CINEB，lz可以google到其官⽅⽹站了解。
初始和终了的结构是局部能量最低的构型（vasp做弛豫收敛的构型），⾄于lz所关⼼的是从具体结构之间的过渡的化，⼀是猜测，⼆是⽂献吧。
基本出发点是能量趋向降低的构型。
2.DFT理论计算能量可能更准确，对⼒的计算由于是对能量再求导，涉及数值算法原因可能不准，所以收敛标准基本采⽤默认即可，有时适当提⾼（⼀个量级以内）也是可以的。
在合理的精度范围内讨论出合理的结果就达到⽬的了，这是师兄告我的。
基本上收敛精度⾼于默认值去跑的话，那就god bless you了。
3.虚频没有关注过。
只知道在鞍点位置才应该有⼀个虚频，属于鞍点具有的特性吧。
VASP(计算前的各种测试)
（计算前的）验证一、检验赝势的好坏：（一）方法：对单个原子进行计算；（二）要求：1、对称性和自旋极化均采用默认值；2、ENCUT要足够大；3、原胞的大小要足够大，一般设置为15 Å足矣，对某些元素还可以取得更小一些。
（三）以计算单个Fe原子为例：1、INCAR文件：SYSTEM = Fe atomENCUT = 450.00 eVNELMDL = 5 ! make five delays till charge mixing，详细意义见注释一ISMEAR = 0SIGMA=0.12、POSCAR文件：atom15.001.00 0.00 0.000.00 1.00 0.000.00 0.00 1.001Direct0 0 03、KPOINTS文件：（详细解释见注释二。
）AutomaticGamma1 1 10 0 04、POTCAR文件：（略）注释一：关键词“NELMDL”:A）此关键词的用途：指定计算开始时电子非自洽迭代的步数（即NELMDL gives the number of non-selfconsistent steps at the beginning），目的是make calculations faster。
“非自洽”指的是保持charge density 不变，由于Charge density is used to set up the Hamiltonian, 所以“非自洽”也指保持初始的哈密顿量不变。
B）默认值（default value）:NELMDL = -5 (当ISTART=0, INIWA V=1, and IALGO=8时)NELMDL = -12 (当ISTART=0, INIWA V=1, and IALGO=48时)NELMDL = 0 (其他情况下)NELMDL might be positive or negative.A positive number means that a delay is applied after each ionicmovement -- in general not a convenient option. （在每次核运动之后）A negative value results in a delay only for the start-configuration. （只在第一步核运动之前）C）关键词“NELMDL”为什么可以减少计算所需的时间？Charge density is used to set up the Hamiltonian, then the wavefunctions are optimized iteratively so that they get closer to the exact wavefunctions of this Hamiltonian. From the optimized wavefunctions a new charge density is calculated, which is then mixed with the old input-charge density. A brief flowchart is given below.（参自Manual P105页）一般情况下，the initial guessed wavefunctions是比较离谱的，在前NELMDL次非自洽迭代过程中保持charge density不变、保持初始的哈密顿量不变，只对wavefunctions进行优化，在得到一个与the exactwavefunctions of initial Hamiltonian较为接近的wavefunctions后，再开始同时优化charge density。
VASP参数设置详解解读
VASP参数设置详解计算材料2010-11-30 20:11:32 阅读197 评论0 字号：大中小订阅转自小木虫，略有增减软件主要功能：采用周期性边界条件（或超原胞模型）处理原子、分子、团簇、纳米线（或管）、薄膜、晶体、准晶和无定性材料，以及表面体系和固体l 计算材料的结构参数（键长、键角、晶格常数、原子位置等）和构型l 计算材料的状态方程和力学性质（体弹性模量和弹性常数）l 计算材料的电子结构（能级、电荷密度分布、能带、电子态密度和ELF）l 计算材料的光学性质l 计算材料的磁学性质l 计算材料的晶格动力学性质（声子谱等）l 表面体系的模拟（重构、表面态和STM模拟）l 从头分子动力学模拟l 计算材料的激发态（GW准粒子修正）计算主要的四个参数文件：INCAR ,POSCAR,POTCAR ,KPOINTS,下面简要介绍，详细权威的请参照手册INCAR文件：该文件控制VASP进行何种性质的计算，并设置了计算方法中一些重要的参数，这些参数主要包括以下几类：对所计算的体系进行注释：SYSTEM●定义如何输入或构造初始的电荷密度和波函数：ISTART，ICHARG，INIWA V●定义电子的优化–平面波切断动能和缀加电荷时的切断值：ENCUT，ENAUG–电子部分优化的方法：ALGO，IALGO，LDIAG–电荷密度混合的方法：IMIX，AMIX，AMIN，BMIX，AMIX_MAG，BMIX_MAG，WC，INIMIX，MIXPRE，MAXMIX–自洽迭代步数和收敛标准：NELM，NELMIN，NELMDL，EDIFF●定义离子或原子的优化–原子位置优化的方法、移动的步长和步数：IBRION，NFREE，POTIM，NSW–分子动力学相关参数：SMASS，TEBEG，TEEND，POMASS，NBLOCK，KBLOCK，PSTRESS–离子弛豫收敛标准：EDIFFG●定义态密度积分的方法和参数–smearing方法和参数：ISMEAR，SIGMA–计算态密度时能量范围和点数：EMIN，EMAX，NEDOS–计算分波态密度的参数：RWIGS，LORBIT●其它–计算精度控制：PREC–磁性计算：ISPIN，MAGMOM，NUPDOWN–交换关联函数：GGA，VOSKOWN–计算ELF和总的局域势：LELF，LVTOT–结构优化参数：ISIF–等等。
太原理工大学--VASP--讲解
精析VASP2014/6/18 -目录第一章LINUX命令11.1 常用命令11.1.1 浏览目录11.1.2 浏览文件11.1.3 目录操作11.1.4 文件操作11.1.5 系统信息1第二章SSH软件使用22.1 软件界面22.2 SSH transfer的应用32.2.1 文件传输32.2.2 简单应用3第三章VASP的四个输入文件33.1 INCAR33.2 KPOINTS53.3 POSCAR53.4 POTCAR7第四章实例74.1 模型的构建74.2 VASP计算104.2.1 参数测试（VASP）参数设置这里给出了赝势、ENCUF、K点、SIMGA一共四个参数。
是都要验证吗？还是只要验证其中一些？114.2.2 晶胞优化(Cu)184.2.3 Cu(100)表面的能量194.2.4 吸附分子CO、H、CHO的结构优化214.2.5 CO吸附于Cu100表面H位244.2.6 H吸附于Cu100表面H位264.2.7 CHO吸附于Cu100表面B位27 4.2.8 CO和H共吸附于Cu100表面29 4.2.9 过渡态计算31第一章Linux命令1.1 常用命令1.1.1浏览目录cd: 进入某个目录。
如：cd/home/songluzhi/vasp/CH4 cd .. 上一层目录；cd / 根目录；ls: 显示目录下的文件。
注：输入目录名时，可只输入前3个字母，按Tab键补全。
1.1.2 浏览文件cat：显示文件容。
如：cat INCAR如果文件较大，可用：cat INCAR | more (可以按上下键查看) 合并文件：cat A B > C (A和B的容合并，A在前，B在后) 1.1.3 目录操作mkdir：建立目录；rmdir：删除目录。
如：mkdir T-CH3-Rh1111.1.4 文件操作rm：删除文件；vi：编辑文件；cp：拷贝文件mv：移动文件；pwd：显示当前路径。
VASP(计算前的各种测试)
（计算前的）验证一、检验赝势的好坏：（一）方法：对单个原子进行计算；（二）要求：1、对称性和自旋极化均采用默认值；2、ENCUT要足够大；3、原胞的大小要足够大，一般设置为15 Å足矣，对某些元素还可以取得更小一些。
（三）以计算单个Fe原子为例：1、INCAR文件：SYSTEM = Fe atomENCUT = 450.00 eVNELMDL = 5 ! make five delays till charge mixing，详细意义见注释一ISMEAR = 0SIGMA=0.12、POSCAR文件：atom15.001.00 0.00 0.000.00 1.00 0.000.00 0.00 1.001Direct0 0 03、KPOINTS文件：（详细解释见注释二。
）AutomaticGamma1 1 10 0 04、POTCAR文件：（略）注释一：关键词“NELMDL”:A）此关键词的用途：指定计算开始时电子非自洽迭代的步数（即NELMDL gives the number of non-selfconsistent steps at the beginning），目的是make calculations faster。
“非自洽”指的是保持charge density 不变，由于Charge density is used to set up the Hamiltonian, 所以“非自洽”也指保持初始的哈密顿量不变。
B）默认值（default value）:NELMDL = -5 (当ISTART=0, INIWA V=1, and IALGO=8时)NELMDL = -12 (当ISTART=0, INIWA V=1, and IALGO=48时)NELMDL = 0 (其他情况下)NELMDL might be positive or negative.A positive number means that a delay is applied after each ionicmovement -- in general not a convenient option. （在每次核运动之后）A negative value results in a delay only for the start-configuration. （只在第一步核运动之前）C）关键词“NELMDL”为什么可以减少计算所需的时间？Charge density is used to set up the Hamiltonian, then the wavefunctions are optimized iteratively so that they get closer to the exact wavefunctions of this Hamiltonian. From the optimized wavefunctions a new charge density is calculated, which is then mixed with the old input-charge density. A brief flowchart is given below.（参自Manual P105页）一般情况下，the initial guessed wavefunctions是比较离谱的，在前NELMDL次非自洽迭代过程中保持charge density不变、保持初始的哈密顿量不变，只对wavefunctions进行优化，在得到一个与the exactwavefunctions of initial Hamiltonian较为接近的wavefunctions后，再开始同时优化charge density。
VASP(计算前的各种测试)
（计算前的）验证一、检验赝势的好坏：（一）方法：对单个原子进行计算；（二）要求：1、对称性和自旋极化均采用默认值；2、ENCUT要足够大；3、原胞的大小要足够大，一般设置为15 Å足矣，对某些元素还可以取得更小一些。
（三）以计算单个Fe原子为例：1、INCAR文件：SYSTEM = Fe atomENCUT = 450.00 eVNELMDL = 5 ! make five delays till charge mixing，详细意义见注释一ISMEAR = 0SIGMA=0.12、POSCAR文件：atom15.001.00 0.00 0.000.00 1.00 0.000.00 0.00 1.001Direct0 0 03、KPOINTS文件：（详细解释见注释二。
）AutomaticGamma1 1 10 0 04、POTCAR文件：（略）注释一：关键词“NELMDL”:A）此关键词的用途：指定计算开始时电子非自洽迭代的步数（即NELMDLgives the number of non-selfconsistent steps at the beginning），目的是make calculations faster。
“非自洽”指的是保持charge density不变，由于Charge density is used to set up the Hamiltonian, 所以“非自洽”也指保持初始的哈密顿量不变。
B）默认值（default value）:NELMDL = -5 (当ISTART=0, INIWAV=1, and IALGO=8时)NELMDL = -12 (当 ISTART=0, INIWAV=1, and IALGO=48时)NELMDL = 0 (其他情况下)NELMDL might be positive or negative.A positive number means that a delay is applied after each ionicmovement -- in general not a convenient option. （在每次核运动之后）A negative value results in a delay only for the start-configuration.（只在第一步核运动之前）C）关键词“NELMDL”为什么可以减少计算所需的时间？Charge density is used to set up the Hamiltonian, then the wavefunctions are optimized iteratively so that they get closer to the exact wavefunctions of this Hamiltonian. From the optimized wavefunctions a new charge density is calculated, which is then mixed with the old input-charge density. A brief flowchart is given below.（参自Manual P105页）一般情况下，the initial guessed wavefunctions是比较离谱的，在前NELMDL次非自洽迭代过程中保持charge density不变、保持初始的哈密顿量不变，只对wavefunctions进行优化，在得到一个与theexact wavefunctions of initial Hamiltonian较为接近的wavefunctions后，再开始同时优化charge density。
VASP计算稀土
实例1VASP算稀土永磁材料的磁学性能用哪种算法和赝势比较好？用VASP计算稀土永磁材料（比如Sm-Co）的磁学性能用哪种算法和赝势比较好啊？LDA GGA LSDA+U?PBE PW91?PBE是比较好的交换关联能，但是对于磁性，最后加上U结果可能会好点。
但是U的确定需要从文献和其他软件得到我算的磁性没有f电子，这是为什么呢？是赝势的问题还是将f电子限制在芯内了？f电子的确是很深的，一般很难和其他原子的电子相互作用，这也是La系和Ac的元素的化学表现很相似的原因那么怎样才能使磁性计算出现f电子呢？确实让人纠结啊！请问使用PBEsol+U进行优化和性质计算,如何设置INCAR？在vasp5.2手册上找不到PBEsol+U的说明，只有LSDA+U的PBE是GGA类的交换关联能，LSDA的设置是可以同样用于GGA的实例2vasp计算中sigmma值稀土金属怎么取vasp计算中sigmma值稀土金属怎么取啊？计算出来老感觉不对。
取不同的sigma测试，然后，计算结果中取能量的哪一行，sigma-->0跟不趋近0的时候的比较，差别满足你的精度需求就是实例3关于VASP计算用不同赝势产生的能量差异！为啥同一个结构，用不同的赝势文件POTCAR，如PAW_PBE赝势和用US赝势来计算，为啥能量不一样？连初始第一步的能量的差别就很大啊？本人理论知识很浅，各位大侠能说说其中原理吗？这不只是精度的问题，因为能量就不在一个层次上！两套赝势的能量没有可比性.Generally the PAW potentials are more accurate than the ultra-soft pseudopotentials. There are two reasons forthis: first, the radial cutoffs (core radii) are smaller than the radii used for the USpseudopotentials, and second thePAW potentials reconstruct the exact valence wave function with all nodes in the core region.能量绝对值没有任何意义的，不同赝势能量参考态不一样，只有能量之差才有意义。
VASP经典学习教程-有用
VASP 学习教程太原理工大学量子化学课题组2012/5/25目录第一章Linux命令 (1)1.1 常用命令 (1)1.1.1 浏览目录 (1)1.1.2 浏览文件 (1)1.1.3 目录操作 (1)1.1.4 文件操作 (1)1.1.5 系统信息 (1)第二章SSH软件使用 (2)2.1 软件界面 (2)2.2 SSH transfer的应用 (3)2.2.1 文件传输 (3)2.2.2 简单应用 (3)第三章VASP的四个输入文件 (3)3.1 INCAR (3)3.2 KPOINTS (4)3.3 POSCAR (4)3.4 POTCAR (5)第四章实例 (5)4.1 模型的构建 (5)4.2 VASP计算 (8)4.2.1 参数测试 (8)4.2.2 晶胞优化(Cu) (13)4.2.3 Cu(100)表面的能量 (2)4.2.4 吸附分子CO、H、CHO的结构优化 (2)4.2.5 CO吸附于Cu100表面H位 (4)4.2.6 H吸附于Cu100表面H位 (5)4.2.7 CHO吸附于Cu100表面B位 (6)4.2.8 CO和H共吸附于Cu100表面 (7)4.2.9 过渡态计算 (8)第一章Linux命令1.1 常用命令1.1.1 浏览目录cd: 进入某个目录。
如：cd /home/songluzhi/vasp/CH4 cd .. 上一层目录；cd / 根目录；ls: 显示目录下的文件。
注：输入目录名时，可只输入前3个字母，按Tab键补全。
1.1.2 浏览文件cat：显示文件内容。
如：cat INCAR如果文件较大，可用：cat INCAR | more (可以按上下键查看) 合并文件：cat A B > C (A和B的内容合并，A在前，B在后) 1.1.3 目录操作mkdir：建立目录；rmdir：删除目录。
如：mkdir T-CH3-Rh1111.1.4 文件操作rm：删除文件；vi：编辑文件；cp：拷贝文件mv：移动文件；pwd：显示当前路径。
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控制是否输出电子局域函数（ELFCAR文 件） 控制是否输出投影波函数到文件 PROCARHE PROOUT中
NPAR
并行计算band的节点数
INCAR
主要的关键词：
ENCUT,ISTART,ICHARG,PREC,ISMEAR,SIGMA.
对于不同性质的运算要加上对应的关键词。
INCAR例子
SYSTEM = fcc Si ISTART = 0 ENCUT = 240 NELM=200 电子自洽过程中最多迭代次数 EDIFF=1E-04 EDIFFG=-0.02 NPAR=4 并行计算BAND的节点数（一般怎样设置？） NSW=1 离子运动的步数 IBRION=2 ISIF=2 离子驰豫时默认2 ISYM=1
KPOINTS
1.手工输入(一般不用) 2.自动生成 Automatic mesh 0 Monkhorst—Pack 4 4 4 0 0 0 3.Line模式（一般计算能带
时用） k-points along high symmetry lines 21 倒格矢为单位，以C开 Line-mode 头是直角坐标为单位 rec 0 0 0 !gamma 0 0 0.5 !X
INCAR主要参数
SYSTEM NWRITE ISTART ICHARG ISPIN MAGMON INIWAV ENCUT PREC 系统的名字 控制输出到OUTCAR信息的多少 0：新作业。1：restart作业。 如何产生初始电荷密度 自旋 initial mag moment / atom 控制如何产生波函数 截断能 精确度 VASP.4.5 also: normal, accurate
NELM, NELMIN, NELMDL
电子自洽过程中最多迭代次数
EDIFF
EDIFFG
总能计算中的允许误差
离子驰豫的结束条件 离子运动的步数
NSW
NBLOCK and KBLOCK
inner block; outer block
决定离子是否运动及运动的方法
在离子运动中计算应力张量（当IBRION=0时，其默 认值0，其他情况为2）
ISMEAR=0 在大的体系或K点很少时用0，计算半导体或绝缘体时用-5 计算金属时用1或2
ALGO =Normal 原子个数大于20时用Fast 小于20 时用Normal LREAL=F 原子个数大于20时用Auto 小于20 时用F(alse)
VASP 超原胞晶体结构 band relax
NELECT
NUPDOWN EMIN, EMAX ISMEAR SIGMA
电子数
自旋向上向下个数的差别 DOSCAR 文件中的能量范围 确定如何设置每个波函数的部分占有数 展开的宽度（单位：eV)
LREAL ROPT GGA VOSKOWN DIPOL AMIX, BMIX LWAVE,LCHARG and LVTOT LELF LORBIT
LORBIT:同RWIGS一起设置，决定了PROCAR或PROOUT文件是否 输出。也就是对每个能带的波函数进行spd和site分解或投影。默认 值为.FALSE.也就是0。 Vasp.4.6版本10，11或12只是针对采用PAW势的计算
计算单个原子和分子时： INCAR里 这几个参数需要注意 ISMEAR=0 在大的体系或K点很少时用0，计算半导体或绝缘体时用-5 计算金属时 用1或2，见手册65 66面。 ALGO =Normal 原子个数大于20时用Fast 小于20 时用Normal LREAL=F 原子个数大于20时用Auto 小于20 时用F(alse) Kpoints可取 1*1*1
POTCAR
Vasp已经产生了一套赝势，只需将它们 拷贝到相应的计算机名录就可以了。 注意事项：各元素的赝势的顺序需要与 POSCAR中的元素坐标顺序保持一致。
POSCAR
• 其包含了晶胞基矢和原子坐标。
Diamond Si 5.5 0.0 0.5 0.5 0.5 0.0 0.5 0.5 0.5 0.0 2 Direct 0.0 0.0 0.0 0.25 0.25 0.25
怎样设置ENCUT
• ENCUT energy cutoff in eV : default taken from POTCAR-file important! 重要到几乎最好不要手工去设置 除非文献告诉你要用多少，或者经过结果可靠性的 验证 当然，为了测试一下提交的任务，也不妨先设个较 小的值 附加说明： 当且仅当POTCAR里头没有设置ENCUT时(其实貌似 没有才是常态)，才受PREC设置影 响从POTCAR里找出相应的ENMAX/ENMIN值来设置。 PREC= Low Medium Accurate High ENCUT= ENMIN ENMAX ENMAX 130%ENMAX 对于多个元素的POTCAR不同的ENMAX/ENMIN， 都取最大值
输入文件
self
DOS
INCAR POSCAR POTCAR KPOINTS
输出文件
OUTCAR output CHGCAR DOSCAR等
能带图 电子结构 态密度图 电荷密度图
总能量：
计算结果
OSZICAR, OUTCAR
原子位型：
电子态密度： 电子密度：
CONTCAR, OUTCAR
主要输出文件
• OUTCAR——总能量、体积、纳米能级。。。 • CONTCAR OUTCAR——离子驰豫时，每次移 动后体系的晶格参数 • DOSCAR——体系的态密度 • EIGENVAL——体系的本征值 • CHG CHGCAR——电荷密度 • WAVECAR——电子波函数 • PCDAT—— pair correlation函数
ENCUT 选择的ENCUT应使得总能变化在0.001eV左右为宜。 注意：试探值最小为POTCAR中的ENMAX（多个时，取最大的），递增间隔50； 另外，在进行变体积的结构优化时，最好保证ENCUT＝1.3ENMAX，以得到 合理精度。 PREC 控制计算精度的最重要参数，决定了（未指定时）ENCUT、FFT网格、ROPT取 值。 一般计算取NORMAL；当要提高Stress tensor计算精度时，HIGH 或ACCURATE， 并手动设置ENCUT。 ISTART ＆ ICHARGE ISTART = 1, ICHARG = 11：能带结构、电子态密度计算时； ISTART =0, ICHARG = 2：其余计算 ISTART = 1，ICHARG = 1（其他所有不改变）：断点后续算设置 ISMEAR & SIGMA
DOSCAR CHG, CHGCAR
Kohn-Sham本征值： EIGENVAL 对分布函数(for MD)：PCDAT
局域势(电势)：
LOCPOT
计算能带：ICHARG = 11 导体的话，用ISMEAR=1； 半导体或绝缘体，用ISMEAR=0 。 计算 DOS： ICHARG = 11 ISMEAR = -5
进行任何静态计算时，且K点数目大于4，ISMEAR＝－5； 当原胞太大，导致K点数目小于4时，ISMEAR = 0，并且要设置一个SIGMA； 对绝缘体和半导体，不论是静态计算还是结构优化，ISMEAR = -5； 对金属体系，SMEAR=1和 2，并且设置一个SIGMA； 能带结构计算，用默认值：ISMEAR＝1，SIGMA＝0.2； 一般来说，对于任何体系，任何计算，采用ISMEAR＝0，并选择合适的SIGMA都会得 到合理结果。 选择的SIGMA应使得entropy T*S EENTRO 绝对值最小。K 点数目变化后，SIGMA需再 优化。 一些重要的参数在默认下的值NSW =0，IBRION＝－1，ISIF＝2：静态计算。 电子态密度 这也是在自恰完成后的非自恰静态计算： 准备好K点，增加网络； 准备好INCAR，注意RWIGS取值； 利用自恰得到的电荷密度，进行非自恰的静态计算； 得到DOSCAR；
设置完成后进行计算，计算完后，得到包含了态密度值的DOSCAR文件， 采用split_dos对态密度文件DOSCAR进行分割，得到总态密度 DOS0，各个原子的分波态 密度DOS1，DOS2……。 另外在运行split_dos程序对DOSCAR文件分割时，要保证当前目录下有对应的 OUTCAR和 POSCAR文件。分割后的DOS0，DOS1…等文件的能量值是以费米能级作为能量参考零点。 DOS0的第一列数据是能量值，单位为eV；第二列数据是总态密度的值，单位 State/eV.unit cell；第三列数据是总态密度的积分值，也就是电子数，单位为electrons。DOS1是第一个 原子的分波态密度值，其中的第一列数据是能量值，单位为eV；第二、三、四列数据分别 对应于s、p、d态的分波态密度值，单位为State/eV.atom。其他的DOS文件与DOS1类似。
IBRION=0时为分子动力学离子运动时间步长， IBRION=1,2,3时为作用在力上的比例系数。
TEBEG, TEEND 温度
SMASS NPACO, APACO POMASS ZVAL RWIGS 控制速度在模拟过程中如何变
对关联函数的跟踪数，计算对关联函数的最大间 距.
每种元素的质量 每种元素的价电子数 分波态密度
VASP
功能简介
• 计算物质的电子态密度、能带和电荷密 度 • 分析一种物质在另外一种物质表面的吸 附 • 优化晶格结构
VASP计算文件夹
• • • • DOS ——计算态密度 RELAX ——驰豫 BAND ——计算能带 SELF ——系统自洽
输入文件
• • • • INCAR—最核心部分，控制做什么、怎么做 POSCAR—原子坐标位置 POTCAR—赝势文件 KPOINTS—K点选取
决定投影操作在实空间还是倒空间进行
number of grid points for non-local proj in real space 对LDA方法生成的赝势进行GGA计算