(完整版)电力电子技术试题及答案(1)
电力电子技术习题(附参考答案)
电力电子技术习题（附参考答案）一、单选题（共20题，每题1分，共20分）1、单相全控桥式整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、150°B、180°C、120°D、90°正确答案：B2、电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂( )。
A、共三只B、共四只C、各一只D、各二只正确答案：C3、单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、180°B、90°C、120°D、150°正确答案：B4、对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（）。
A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案：C5、为了防止逆变失败，最小逆变角限制为（），单位为度。
A、30～35B、20～25C、10～15D、40～45正确答案：A6、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下正确答案：A7、电力电子器件一般工作在（）状态A、开关B、放大C、开关和放大D、其他正确答案：A8、在晶闸管整流电路中，变压器二次侧所供给的有功功率P＝（）A、I2RdB、I2dRdC、UIdD、U2Id正确答案：D9、正弦波脉冲宽度调制英文缩写是（）。
A、PWMB、PAMC、SPWMD、SPAM正确答案：C10、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（）A、干扰信号和触发信号B、干扰信号C、触发电流信号D、触发电压信号正确答案：B11、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（）A、关断状态B、饱和状态C、不定D、导通状态正确答案：A12、单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）A、0度-90度B、0度C、90度-180度D、180度-360度正确答案：A13、IGBT属于（）控制型元件。
电力电子技术期末考试试题及答案-(1)
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术试题及答案一
电力电子技术试题（第一章）一、填空题1、普通晶闸管内部有PN 结,，外部有三个电极，分别是极极和极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向状态。
3、阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50 —7 的，其中KP 表示该器件的名称为，50 表示，7 表示。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会。
6、减小。
7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为性负载，性负载和负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两端接一个。
8、减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有个PN 结，外部一共有3 个电极，它们分别是极、极和极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通；低于电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发，才能得到稳定的直流电压。
12、同步、时刻。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。
13、正弦波、锯齿波。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加，利用改变的大小，来实现移相控制。
14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
15、在晶闸管两端并联的RC 回路是用来防止阳”接法。
（×）损坏晶闸管的。
9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。
《电力电子技术》测试题及答案
《电力电子技术》测试题及其答案一、判断题1、表示各种电力半导体器件的额定电流，都是以平均电流表示的。
（错）2、对于门极可关断晶闸管，当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通，当门极加上足够的负触发脉冲时又可使导通着的晶闸管关断。
（对）3、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流，称为该管的维持电流。
（错）4、在规定条件下，不论流过晶闸管的电流波形如何，也不论晶闸管的导通角是多大，只要通过管子的电流的有效值不超过该管额定电流的有效值，管子的发热就是允许的。
（错）5、三相半波可控整流电路的最大移相范围是0°～180°。
（错）6、无源逆变是将直流电变换为某一频率或可变频率的交流电供给负载使用。
（错）7、正弦波脉宽调制（SPWM）是指参考信号为正弦波的脉冲宽度调制方式。
（对）8、直流斩波器可以把直流电源的固定电压变为可调的直流电压输出。
（错）9、斩波器的定频调宽工作方式，是指保持斩波器通端频率不变，通过改变电压脉冲的宽度来使输出电压平均值改变。
（对）10、电流型逆变器抑制过电流能力比电压型逆变器强，适用于经常要求起动、制动与反转拖动装置。
（对）11、三相桥式全控整流大电感负载电路工作于整流状态时，其触发延迟角的最大移相范围为0°～90°。
（对）12、额定电流为100A的双向晶闸管与额定电流为50A两只反并联的普通晶闸管，两者的电流容量是相同的。
（错）13、晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
（对）14、在SPWM调制方式的逆变器中，只要改变参考信号正弦波的幅值，就可以调节逆变器输出交流电压的大小。
（对）15、在SPWM调制方式的逆变器中，只要改变载波信号的频率，就可以改变逆变器输出交流电压的频率16、若加到晶闸管两端电压的上升率过大，就可能造成晶闸管误导通。
（对）17、晶闸管整流电路中的续流二极管只是起到了及时关断晶闸管的作用，而不影响整流输出电压值及电流值。
电力电子技术试卷及答案
一、填空题(每空1分，34分）1、实现有源逆变的条件为和。
2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。
3、在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经而不流经的电流.为了减小环流，一般采用αβ状态.4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。
5、给晶闸管阳极加上一定的电压；在门极加上电压，并形成足够的电流,晶闸管才能导通。
6、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象.7、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z;而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z；这说明电路的纹波系数比电路要小。
8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。
9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。
10、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于电流之前,如去掉脉冲，晶闸管又会关断.三、选择题（10分）1、在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差度。
A 、180度；B、60度；C、360度；D、120度;2、α= 度时，三相半波可控整流电路，在电阻性负载时,输出电压波形处于连续和断续的临界状态。
A、0度;B、60度； C 、30度；D、120度；3、通常在晶闸管触发电路中，若改变的大小时，输出脉冲相位产生移动，达到移相控制的目的。
A、同步电压；B、控制电压;C、脉冲变压器变比;4、可实现有源逆变的电路为。
A、单相全控桥可控整流电路B、三相半控桥可控整流电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、单相半控桥整流电路5、由晶闸管构成的可逆调速系统中，逆变角βmin选时系统工作才可靠。
A、300～350B、100～150C、00~100D、00四、问答题(每题9分，18分）1、什么是逆变失败?形成的原因是什么？2、为使晶闸管变流装置正常工作，触发电路必须满足什么要求？五、分析、计算题：（每题9分,18分）1、三相半波可控整流电路,整流变压器的联接组别是D/Y-5，锯齿波同步触发电路中的信号综合管是NPN型三极管.试确定同步变压器TS的接法钟点数为几点钟时，触发同步定相才是正确的，并画出矢量图。
电力电子技术期末考试试题及答案(1)
电力电子技术期末考试试题及答案(1)电力电子技术试题第 1 章电力电子器件1.电力电子器件普通工作在 __开关__状态。
2.在通常事情下，电力电子器件功率损耗要紧为 __通态损耗 __，而当器件开关频率较高时，功率损耗要紧为 __开关损耗 __。
3.电力电子器件组成的系统，普通由 __操纵电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加 _爱护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的事情，电力电子器件可分为 _单极型器件 _ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件 _三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的要紧类型有 _一般二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。
7. 肖特基二极管的开关损耗 _小于快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流 IH与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态别重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为， UDSM_大于 __Ubo。
11.逆导晶闸管是将 _二极管_与晶闸管 _反并联_（怎么连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成 __结构是为了便于实现门极操纵关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区 __。
14.电力 MOSFET的通态电阻具有 __正 __温度系数。
15.IGBT 的开启电压 UGE（th ）随温度升高而 _略有下落 __，开关速度 __小于__电力 MOSFET。
16.按照驱动电路加在电力电子器件操纵端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型_两类。
电力电子技术期末考试试题及答案 (1)
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态.2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5。
电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8。
晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9。
对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。
11。
逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的.13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__.14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数.15。
IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16。
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件普通工作在__开关__状态。
2.在通常事情下，电力电子器件功率损耗要紧为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗要紧为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，普通由__操纵电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_爱护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的事情，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的要紧类型有_一般二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态别重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（怎么连接）在同一管芯上的功率集成器件。
的__多元集成__结构是为了便于实现门极操纵关断而设计的。
的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下落__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件操纵端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
的通态压落在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术试题库(附答案)
电力电子技术试题库（附答案）一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.触发脉冲具有一定的脉宽，前沿要陡。
（）A、正确B、错误正确答案：A2.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
（）A、正确B、错误正确答案：A3.在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。
（）A、正确B、错误正确答案：B4.单结晶体管触发电路结构简单、抗干扰能力强和运行可靠。
（）A、正确B、错误正确答案：A5.双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。
（）A、正确B、错误正确答案：A6.电流的波形系数是电流的有效值与平均值之比。
（）A、正确B、错误正确答案：A7.快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。
（）A、正确B、错误正确答案：A8.单相半波可控整流电路带电阻负载时的移相范围为0.5π。
（）A、正确B、错误正确答案：B9.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B10.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B11.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。
（）A、正确B、错误正确答案：A12.两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜用电路电压要求，而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。
（）A、正确B、错误正确答案：A13.在GTO、GTR、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，单管输出功率最大的是GTO，应用最为广泛的是IGBT。
（）A、正确B、错误正确答案：A14.触发脉冲必须具有足够的功率。
（）A、正确B、错误正确答案：A15.在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B16.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。
（）A、正确B、错误正确答案：B17.降压斩波电路斩波开关关断时，电感充电。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
6.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为__交交变频电路_。
7.单相交交变频电路带阻感负载时，哪组变流电路工作是由_输出电流的方向_决定的，交流电路工作在整流还是逆变状态是根据_输出电流方向和输出电压方向是否相同_决定的。
1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触Βιβλιοθήκη 脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180º度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是120º
第2章整流电路
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《电力电子技术》 试卷
一．填空（共15分，1分/空）
1.电力电子技术通常可分为（ ）技术和（ ）技术两个分支。
2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（ ）型器件和（ ）型器件两
类，晶闸管属于其中的（ ）型器件。
3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U2，忽略主电路
各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（ ）角，
数量关系为δ=（ ）。
4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（ ）触发和（ ）触发两种，常用的是
（ ）触发。
5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（ ）组和（ ）组两种。
6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（ ）状态，又可工作在（ ）状
态，故简称变流电路。
7.控制角α与逆变角β之间的关系为（ ）。
二．单选（共10分，2分/题）
1．采用（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。
A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器
2．晶闸管属于（ ）。
A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件
3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（ ）。
A．180O B.90O C.120O
4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（ ）度。
A.60 B. 180 C. 120
5．把交流电变成直流电的是（ ）。
A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路
三．多选（共10分，2分/题）
1．电力电子器件一般具有的特征有 。
A. 所能处理电功率的大小是其最重要的参数
B. 一般工作在开关状态
C. 一般需要信息电子电路来控制
D. 不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器
2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有 。
A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路
C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路
3．使晶闸管关断的方法有 。
A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压
C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压
4．逆变失败的原因有 。
A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障
C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足
5．变压器漏抗对整流电路的影响有 。
A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多
C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口
四．简答（共12分，6分/题）
1．晶闸管的导通条件和关断条件。
2．逆变产生的条件及对可进行有源逆变的电路的要求。
五．计算（共48分，12分/题）
1．单相桥式全控整流电路带阻感性负载，U2=220V， R=5Ω，L足够大，α=60o时，①求整流输出
平均电压Ud、电流Id ，变压器二次电流有效值I2;○2 画出ud ,id和i2的波形， ○3考虑安全
裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
2. 单相桥式全控整流电路带反电动势负载，已知U2=100V，E=60V，R=3Ω，α=30o，电抗L足够
大，求输出平均电压Ud 、输出平均电流Id，流过晶闸管电流平均值IdVT和有效值IVT，变压器
二次侧电流有效值I2和容量S2。
3. 三相桥式全控整流电路带阻感性负载，L足够大，R=5Ω，U2=220V，求α=60o时输出平均电压
Ud 、输出平均电流Id，流过晶闸管电流平均值IdVT和有效值IVT，变压器二次侧电流有效值I2和
容量S2。
4. 三相半波可控整流电路如图，U2=100V，E=30V，R=1Ω，L足够大，问α=90o时，Ud=？Id =？如
若α=120o， Id =？此时电路能工作在有源逆变状态吗？为什么？
《电力电子技术》试卷（参考答案）
二．填空（共15分，1分/空）
1.电力电子器件制造（技术） 变流（技术）
2.电流驱动（型） 电压驱动（型） 电流驱动（型）
3.停止导电(角) δ=arcsin(E/2U2)
4.双脉冲（触发） 宽脉冲（触发） 双脉冲（触发）
5.共阴极（组） 共阳极（组）
6.整流（状态） 逆变（状态）
7.α+β=π（或β=π-α或α=π-β）
三．单选（共10分，2分/题）
1.B; 2.C; 3.B; 4.C; 5.A
四．多选（共10分，2分/题）
1.ABCD; 2.ABC; 3.BCD; 4.ABCD; 5.ABCD
五．判断（共5分,1分/题）
1.×; 2. √; 3. √; 4. ×; 5. √
六．简答（共12分，6分/题）
1．晶闸管的导通条件:加正向阳极电压，同时加上足够的正向门极电压。（3分）
晶闸管的关断条件：利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流小于维持电流，晶闸管即关
断，在实际电路中常采用使阳极电压反向、减小阳极电压、或增大回路阻抗等方式。（3分）
2．逆变产生的条件：①要有直流电动势，其极性须和晶闸管导通方向一致，其值应大于变流电路
直流侧的平均电压。②要求晶闸管的控制角α〉π/2，使Ud为负值。（4分）
欲实现有源逆变，只能采用全控电路，半控桥或有续流二极管的电路不能实现有源逆变。（2分）
七．计算（共48分，12分/题）
1.解:①因为L足够大，所以
Ud=0.9U2cosα=99V
Id =Ud/R=19.8A
I2= Id =19.8A（每步2分）
②晶闸管正常工作时所承受的峰值电压为2U
2
考虑安全裕量，则其额定电压UTN=(2～3)2U2=(2～3)311V（3分）
流过晶闸管的电流有效值为IVT= Id /2=14A
考虑安全裕量，则其额定电流IT(AV)=(1.5～2)IVT/1.57=(1.5～2)8.9A（3分）
2. 解:因为L足够大，所以
Ud=0.9U2cosα= 77.94V
Id =(Ud-E)/R=5.98A
IdVT= Id /2=2.99A
IVT= Id /2=4.22A
I2= Id =5.98A
S2= U2I2=598VA（每步2分）
3. 解:因为L足够大，所以
Ud=2.34U2cosα= 257.4V
Id =Ud/R=51.48A
IdVT= Id /3=17.16A
IVT= Id /3=29.72A
I2= 3/2Id （或2IVT） =42.03A
S2= 3U2I2=27738.57VA（每步2分）
4. 解: L足够大,α=90o时
Ud=1.17U2cosα=0V（2分）
Id =(Ud-E)/R =(0-(-30))/1=30A（2分）
α=120o时,
Ud=1.17U2cosα=-58.5V
因为|Ud|>|E|,不满足产生逆变的条件，（4分）所以电路不能工作在有源逆变状态。（2分）
此时Id =0。（2分）