太原科技大学华科学院模拟与数字电子技术课程试卷A卷

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数字电子技术试卷A卷答案

数字电子技术试卷A 卷答案试卷号：45学校：哈尔滨理工大学院系：自动化专业：自动化年级：03 班级： 1~11一. 单项选择题（本大题共 20 小题，总计 40 分）1、本小题2分 (b)2、本小题2分 (a)3、本小题2分 (b)4、本小题2分 (c)5、本小题2分 (a)6、本小题2分 (a)7、本小题2分 (d)8、本小题2分 (c)9、本小题2分 (b) 10、本小题2分 (c) 11、本小题2分(c)12、本小题2分(c)13、本小题2分(a)14、本小题2分( b )15、本小题2分( a )16、本小题2分( b )17、本小题2分( b )18、本小题2分( c )19、本小题2分( a )20、本小题2分( b )二、非客观题（6分）Ωk mI nI V VR IH OH OH CC L 502.031.032.35(max)(max)(min)(max)=⨯+⨯-=+-=（3分） Ωk mI I V V R IL OL OL CC L 676.04.0384.05(max)(max)(max)(min)=⨯--=--=（3分）上拉电阻的取值范围是ΩΩk R k L 676.05≥≥三、非客观题（8分）A B C CB A B C A B C A B C m m m m m Y +=++++=++++=642101（4分） CA BA A B C CBA A B C BA C A B C m m m m Y ++=+++=+++=75302（4分）⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎨⎧+++++++=+++++++=++++=++++=+++=+++=+++=+++=1513119642031412753214107211513900W W W W W W W W DC B AD C B A D C B A D BC A D C B A CD B A D C AB ABCD Y W W W W W D C B A CD B A BCD A D C AB D ABC Y W W W W D ABC D C B A BCD A D C B A Y W W W W ABCD D C AB D C A C A Y （4分）（4分）（4分）五、非客观题（14分）由状态转换图可得电路的状态方程由状态方程得驱动方程32113212112131311Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q n n n =+=+=+++ （6分） 213122311Q Q J Q K J Q K J =====13=K（3分）进位输出 3Q Y = （1分）（4分）A B C D Y 0Y 1Y 2Y 3（a ）九十一进制计数器，两片之间为十六进制。

数字电子技术测试试卷与答案精选全文完整版

可编辑修改精选全文完整版附录D 模拟试卷及参考答案D.1 模拟试卷一、填空（共10小题，每空2分，共40分）1、(8C.4)16 = （）10 =（）8=（）2421BCD 。

2、将160个字符用二进制编码，至少需要（）位二进制码。

3、已知F =A(B +C)+A +C ，则其对偶式为（）；其反函数为（）。

（直接用对偶规则和反演规则）。

4、已知TTL 与非门参数V CC =+5V ，U OH =3.6V ，U OL =0.4V ，U OFF =1.1V ，U ON =1.4V ，高电平输入时的抗干扰容限U NH 为（）。

5、连续异或1999个“1”的结果是（）。

6、如图D.1所示电路的输出函数F 为（）。

（化成最简“与或”式）F图D.1 题一（6）图7、图D.2为三态非门构成的电路，试根据输入条件填写表中的F 栏。

图D.2 题一（7）图表D.1题一（7）真值表D 1EN 1D 2EN 2F8、设计模值为61的自然二进制码计数器、十进制计数器和余3 BCD码计数器分别需要（）级、（）级和（）级触发器。

一个五位二进制加法计数器，由00000状态开始，问经过109个输入脉冲后，此计数器的状态为（）。

9、用（）片1024×4位的RAM可组成8K×8位的RAM，需要增加（）条地址线、（）条数据线。

10、在10位的倒T型电阻网络D/A转换器中，若U REF = ─10V，该D/A转换器能分辨的最小输出电压U LSB=（）mV。

二、选择题（共10小题，每小题2分，共20分）1、有符号位二进制数的补码为（10011），则对应的十进制数为（）。

A、-29B、+13C、-13D、-32、下列说法正确的是（）。

A、n个变量所构成的全部最小项之和恒等于0B、n个变量所构成的全部最大项之和恒等于0C、n个变量所构成的全部最小项之积恒等于1D、n个变量所构成的全部最大项之积恒等于03、下列说法正确的是（）。

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3、PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，PN结反向偏置时，内、外电场方向相同。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。

《数字电路》A卷参考答案及评分标准

F AB AC CDAB AC CD =++=1n n Q D+=《数字电路》A 卷参考答案及评分标准一、填空题（每空2分，共20分）1、（10110101.11)2、(B5.C)162、最高位符号位不变、后面的位“取反加1”3、（10001001）8421BCD4、AB AB +5、()(())A B C A C B +++、()(())A B C A C B +++6、ABC ABC ABC ABC +++7、32K 、256K二、选择题（每题2分，共10分）1、A2、B3、B4、D5、C三画图题（每题5分，共10分）1、解：（写出表达式得2分）电路图如下所示：（画出电路图得3分） ABCD C F &&&&（答案不唯一，方法正确即可）2、解：D 触发器的次态方程为根据图示的连接关系，可知：1n n n Q D Q +== （写出此式可得2分）则可画出在5个CP 脉冲作用下的波形图如下所示：CPQ （画出正确的波形图得3分，否则酌情给分）A B C F 01000000000111111110000001111111四计算题（每题10分，共20分）1、解，由题意画出卡诺图如下： AB CD 000111100001111000000000由上图的卡诺图，可得到题中的最简或与式为：(,,,)()()F A B C D B C B D =++ （填出正确的卡诺图得2分、画出正确的卡诺圈得4分，读出正确的表达式得4分）2、解：由题意得到真值表如下所示：且通过真值表可得到标准与或式及标准或与式如下：(2,3,4,7)F m =∑ （标准与或式，也可展开）(0,1,5,6)F M =∏（标准或与式，也可展开）（写出真值表得4分，写出标准与或式、或与式各得3分）五分析设计题1、（10分）（此题可使用观察法和卡诺图法进行设计，且答案不唯一，只要设计出的功能是正确的即可酌情给分）一种观察法如下：解：选择A 、B 信号为数据选择器的地址选择端。

模拟电子技术（A卷）

模拟电⼦技术（A卷）《模拟电⼦技术基础》A卷⼀、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有导电性。2. N型半导体中多数载流⼦是，P型半导体中多数载流⼦是，PN结具有特性。3. 当Ucs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为型场效应管。4、当温度升⾼时，三极管的等电极电流I ，发射结压降UBE 。5、差分电路的两个输⼊端电压分别为Ui1=2.00V，Ui2=1.98V，则该电路的差模输⼊电压Uid为 V，共模输⼊电压Uic为 V。6、为了稳定三极管放⼤电路静态⼯作点，采⽤负反馈。为稳定交流输出电压，采⽤负反馈，为了提⾼输⼊电阻采⽤负反馈.。7、负反馈使放⼤电路增益，但增益稳定性。8．在三极管多级放⼤电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是放⼤器，A u2是放⼤器，A u3是放⼤器。

9、差模信号是⼤⼩，极性，差分电路不抑制漂移。10、OCL电路是电源互补功率放⼤电路；OTL电路是电源互补功率放⼤电路。11、共基极放⼤电路的⾼频特性⽐共射极电路，fa= fβ。12、⼄类互补功放存在失真，可以利⽤类互补功放来克服。13、⽤低频信号去改变⾼频信号的频率称为，低频信号称为信号，⾼频信号称⾼频。14、晶体管电流放⼤系数是频率的函数，随着频率的升⾼⽽。共基极电路⽐共射极电路⾼频特性。15、振荡电路的平衡条件是，反馈才能满⾜振荡电路的相位平衡条件。16．如图所⽰的功率放⼤电路处于类⼯作状态；其静态损耗为；电路的最⼤输出功率为；每个晶体管的管耗为最⼤输出功率的

倍。

⼆、选择题（每空2分共30分）1、稳压⼆极管是⼀个可逆击穿⼆极管，稳压时⼯作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。A、正偏B、反偏C、⼤于D、⼩于E、导通F、截⽌2、⽤直流电压表测得放⼤电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）3、对功率放⼤器的要求主要是（）、（）、（）。A、U0⾼B、P0⼤C、功率⼤D、Ri⼤E、波形不失真4、放⼤器的输⼊电阻⾼，表明其放⼤微弱信号能⼒（）。Ａ、强Ｂ、弱Ｃ、⼀般5、共模抑制⽐是差分放⼤电路的⼀个主要技术指标，它反映放⼤电路（）能⼒。A、放⼤差模抑制共模B、输⼊电阻⾼C、输出电阻低６、引⼊并联负反馈，可使放⼤器的（）。Ａ、输出电压稳定Ｂ、反馈环内输⼊电阻增加Ｃ、反馈环内输⼊电阻减⼩7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。A 0.45B 0.9C 1.28、当集成运放线性⼯作时，在两条分析依据（）（）。A U-=U+B I-=I+=0C Uo=UiD Au=19、测量脉冲电压（例如尖脉冲）的峰值应使⽤（）。Ａ、交流毫伏表Ｂ、直流电压表Ｃ、⽰波器、三、分析计算题（ 30分）1、已知电⼒如下图⽰：为理想⼆极管，试分析：①⼆极管导通还是截⽌？②UA0=？（4分）解：

模拟电子技术试题库(附参考答案)

模拟电子技术试题库（附参考答案）一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共射放大电路B、共基放大电路C、共漏放大电路D、共集放大电路正确答案：A2.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）A、错B、对 :正确答案：A3.共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真。

（）A、对 :B、错正确答案：B4.共发射极放大电路的反馈元件是( )。

A、电阻RB;B、电阻RE;C、电阻RC。

正确答案：B5.射极输出器的特点是 ( )A、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大B、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大C、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大D、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小正确答案：A6.若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。

A、正确 ;B、错误正确答案：A7.当信号频率等于放大电路的上限频率时,放大倍数的值约下降到中频时的( )A、0.4B、0.9C、0.5D、0.707正确答案：D8.若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结正偏。

B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：C9.虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。

（）A、错B、对 :正确答案：B10.分压式偏置的共射放大电路，若VB点电位偏高，电路易出现（）。

A、截止失真B、饱和失真C、交越失真D、不会失真正确答案：B11.“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。

A、正确 ;B、错误正确答案：B12.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现( )。

A、饱和失真B、截止失真C、晶体管被烧损正确答案：A13.正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。

《模拟电子技术》及《数字电路》试题及答案

relations hip betwee n G overnment a nd busines s. T he "two se ssions", G eneral Se cretary of "Pro", "clear" the w ord succinctly s ummarized the new relati onshi p betwe en G overnme nt and busine ss, a s pur e pol itics, re sha ping t he political relati onshi p specified i n the directi on. District lea ders i n ha ndling pol itical a nd busi nes s relations, e ngage in tradi ng power for money, a nd final ly stumble d, we a l ess on, al ways keep i n mind t hat "Pro", "clea n" practi cing "Pr o", "clear". "Pro" is to ope n a si ncere engagement wit h private e nterpris e to he lp s olve pra ctical difficulties ; " Clear "is to clarify the Div ision of pow er, exerci sed i n accor dance with, private entre preneurs wit h in

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太原科技大学华科学院模拟与数字电子技术课程试卷 A卷
一﹑选择题（每空1分，共10分）
1. 晶体管能够实现放大的外部条件是 ( )。

A.发射结正偏，集电结正偏
B.发射结正偏，集电结反偏
C.发射结反偏，集电结正偏
D.发射结反偏，集电结反偏
2.对于放大电路，在输入量不变的情况下，若引入反馈后( )，则说明引入的反馈是负反馈。

A. 净输入量增大
B. 净输入量减小
3. 工作在放大区的某晶体管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为( )。

A.83
B.91
C.100
D.50
4.对于放大电路，所谓开环是指( )。

A. 无信号源
B. 无反馈通路
C. 无电源
5. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( )。

A. 输入信号所包含的干扰和噪声
B. 反馈环内的干扰和噪声
C. 反馈环外的干扰和噪声
D. 输出信号中的干扰和噪声
6.电压负反馈可稳定输出( )。

A. 电压
B. 电流
7. 在OCL功率放大电路中，输入为正弦波，输出波形如图所示，这说明该电路产生了( )。

A.饱和失真
B.截止失真
C.频率失真
D.交越失真
8. N型半导体中多数载流子是( )。

A.自由电子
B.空穴
9. 稳压管的稳压区是其工作在( )状态。

A.正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
10. N型半导体( )。

A.带正电
B.带负电
C.呈电中性
二﹑分析题（每个5分，共30分）
1.试用相位平衡条件判断下图所示电路是否能振荡。

2.工作在放大状态中的晶体管两个电极的电流如下图所示。

（1）求另一个电极的电流，并在图中标出实际方向。

（2）判断e 、b 、c 极。

3.1mA
100μA
3.根据放大电路的组成原则，分析下图电路是否具有放大功能，并说明原因。

V CC
-VT
R B
u o R C
+
4. 试求下图所示电路的输出电压值U O ，设二极管的性能理想。

5V
VD
+
-3k Ω
U O
VD
7V
5V +
-3k Ω
U O
5V
1V
VD +-3k ΩU O
5. 有两个硅稳压管，VD Z1、VD Z2的稳定电压分别为6V 和8V ，正向导通电压为0.7V ，稳定电流是5mA 。

求下图电路的输出电压U O 。

20V
+
-2k Ω
U O
VD VD z1
z2
20V
+
-U O
VD VD z1
z2
2k Ω
20V
+
-U O VD VD z1
z2
2k Ω
6.下图为一三端集成稳压器组成的直流稳压电路，指出电路在正常工作时的输出电压值。

o
三﹑电路如下图所示，R B1=25k Ω，R B2=5k Ω，R C =5k Ω，R E2=1k Ω，R L =5k Ω， V CC =12V ，晶体管的β=100，r bb′ =100Ω。

（15分）求：（1）求解电路的静态工作点Q
（2）画出微变等效电路，求电压放大倍数。

L
Ω
四﹑说明下图电路级间反馈原件及反馈类型，计算在深度负反馈条件下电路的电压放大倍数（15分）
五﹑求电路输出电压与输入电压的运算关系式。

（10分）
六﹑下图RAMIntel2114的容量是1K×4，若要求构成1K×
8容量的RAM，该如何进行位扩
展？画出连接图。

七﹑下图是由555定时器构成的施密特触发器，VCC=15V,VT+=10V,VT-=5V,试画出输出波形。

Vi
Vi VT-。