8550三极管参数
三极管8550数据手册
PNP NPN区别及S8550 S8050参数
PNP、NPN的区别及三极管S8550和S8050 参数NPN是用B→E 的电流（IB）控制C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C 极电位最高，即VC > VB > VEPNP是用E→B 的电流（IB）控制E→C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C 极电位最低，即VC<VB<VENPN电路中，E最终都是接到地板（直接或间接），C最终都是接到天花板（直接或间接）。
PNP电路则相反，C最终都是接到地板（直接或间接），E最终都是接到天花板（直接或间接）。
这也是为了满足上面的VC 和VE的关系。
NPN基极高电压，集电极与发射极短路。
低电压，集电极与发射极开路。
也就是不工作。
PNP基极高电压，集电极与发射极开路，也就是不工作。
如果基极加低电位，集电极与发射极短路。
NPN和PNP的区别：1.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择npn。
2.如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择pnp。
3.如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择npn。
4.如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择pnp。
S8050和S8550是现在很常用的小功率三极管。
S8050是NPN管，S8550是PNP管。
它们引脚排列完全一样。
你面对字标，自左向右——e；发射极；b基级；c集电极。
指针万用表核对：档位拨到hfe档位，8050插入到NPN测试孔，8550插入到PNP测试孔，万用表正确指示hfe值的，万用表测试孔标定的ebc管脚记下就是了。
S8550 TO-92S8550 SOT-23S8050 TO-92S8050 SOT-23。
8550三极管 电流
8550三极管电流摘要：1.8550 三极管简介2.8550 三极管的电流特性3.8550 三极管在实际应用中的电流表现4.总结正文：【1.8550 三极管简介】8550 三极管是一种常用的半导体元器件，具有放大和开关功能。
它的结构由三个控制电极组成，分别是基极（Base）、发射极（Emitter）和集电极（Collector）。
在电路设计中，8550 三极管广泛应用于放大器、振荡器、脉冲发生器等电子设备。
【2.8550 三极管的电流特性】8550 三极管的电流特性主要表现在两个方面：静态电流和动态电流。
静态电流是指在无输入信号时，三极管所通过的电流。
动态电流则是当输入信号发生变化时，三极管中流过的电流。
静态电流：8550 三极管的静态电流较小，通常在10nA 到100nA 之间。
静态电流的大小主要取决于基极电流，发射极和集电极之间的电压差。
静态电流小意味着8550 三极管具有较低的功耗和较长的使用寿命。
动态电流：动态电流是指在输入信号发生变化时，三极管中流过的电流。
当基极电流发生变化时，发射极和集电极之间的电流也会发生相应的变化。
根据电流放大系数β，可以计算出动态电流的范围。
在实际应用中，8550 三极管的电流放大系数β通常在100 到300 之间。
【3.8550 三极管在实际应用中的电流表现】在实际应用中，8550 三极管的电流特性对电路性能具有重要影响。
例如，在音频放大器中，要求三极管具有较高的电流放大系数，以便放大电信号。
而在开关电路中，要求三极管具有较低的静态电流，以减少功耗和提高电路的稳定性。
【4.总结】8550 三极管作为一种常用的半导体元器件，在电路设计中具有广泛的应用。
了解其电流特性对于优化电路性能至关重要。
8550三极管 电流
8550三极管电流【实用版】目录1.8550 三极管概述2.8550 三极管的电流特性3.8550 三极管的应用领域正文【8550 三极管概述】8550 三极管是一种常见的半导体元器件，具有放大和开关等功能。
它是由两个 n 型半导体（发射极和集电极）和一个 p 型半导体（基极）组成，因此也称为双极型晶体管。
8550 三极管在我国的电子产业中有着广泛的应用，如放大器、振荡器、信号处理器等电子设备。
【8550 三极管的电流特性】8550 三极管的电流特性主要体现在其基极电流、发射极电流和集电极电流之间。
在正常工作状态下，发射极电流约为基极电流的 10-20 倍，集电极电流约为基极电流的 100-200 倍。
这种比例关系使得三极管具有很高的电流放大能力。
当 8550 三极管处于截止区时，基极电流几乎为零，发射极电流也很小，集电极电流几乎为零。
而当三极管处于饱和区时，基极电流足够大，使得发射极电流达到最大值，集电极电流也接近最大值。
在这两种极端情况下，三极管的电流放大能力会受到限制。
【8550 三极管的应用领域】8550 三极管广泛应用于各种电子设备和电路中，主要包括以下几个方面：1.放大器：三极管作为信号放大元件，可以实现信号的放大和传输。
在放大器电路中，8550 三极管通常与其他元器件如电容、电感、二极管等组成不同类型的放大电路，以满足不同场合的需求。
2.振荡器：8550 三极管可以用于构成各种类型的振荡器，如 LC 振荡器、RC 振荡器等。
振荡器是电子设备中产生稳定信号的重要部分，广泛应用于通信、广播、导航等领域。
3.信号处理器：在信号处理器中，8550 三极管可以用于实现信号的调制、解调、滤波等功能。
这些功能在现代通信系统、音频处理设备等方面有着广泛的应用。
4.电源开关：8550 三极管还可以作为开关元件，用于控制电流的通断。
在电源开关电路中，三极管可以实现快速、高效的开关动作，提高电源的效率和稳定性。
SS8550三极管参数 TO-92三极管SS8550规格书
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter voltage
VBE(on) VCE=-1V, IC=-10mA
-1.2
V
-1
V
20
pF
100
MHz
CLASSIFICATION OF hFE(2)
Rank Range
B
85-160
C
120-200
D
160-300
D3
300-400
B,Sep,2011
Typical Characteristics
SS8550
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
TRANSITION FREQUENCY f (MHz) T
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Symbol
A A1 b c D D1 E e e1 L Φ h
Dimensions In Millimeters
Min.
Max.3.3003.7001.100Seal the box with the tape
QA Label
Outer Box: 350 mm× 340mm× 250mm
Label on the Outer Box
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Inner Box: 240 mm×165mm×９５mm
1.400
0.380
三极管8550发射极基极电压
三极管8550发射极基极电压【最新版】目录1.三极管简介2.8550 三极管发射极基极电压的特点3.三极管 8550 发射极基极电压的测量方法4.应用领域正文【1.三极管简介】三极管，又称双极型晶体管，是一种常见的半导体元器件。
它具有三个控制电极，分别是发射极、基极和集电极。
根据构造和工作原理的不同，三极管可分为两类：NPN 型和 PNP 型。
在电路设计中，三极管被广泛应用于信号放大、开关控制、振荡等电路。
【2.8550 三极管发射极基极电压的特点】8550 是一种常见的 NPN 型三极管。
在其工作过程中，发射极基极电压是一个重要的参数。
发射极基极电压是指在静态工作状态下，发射极与基极之间的电压。
对于 8550 三极管，发射极基极电压通常在 0.7V 左右。
需要注意的是，这个电压值会受到温度、电流等条件的影响，因此在实际应用中，需要对电压值进行一定的修正。
【3.三极管 8550 发射极基极电压的测量方法】测量三极管 8550 发射极基极电压的方法有多种，以下是两种常用的方法：（1）使用万用表测量：将万用表调至二极管档或三极管档，然后将红表笔接触到发射极，黑表笔接触到基极。
在正确连接的情况下，万用表上显示的数值即为发射极基极电压。
（2）使用示波器测量：将示波器探头连接到发射极和基极，调整示波器垂直偏置旋钮，使波形稳定显示。
通过观察示波器上的波形，可以读取发射极基极电压的数值。
【4.应用领域】8550 三极管广泛应用于各种电子设备和电路中，如放大器、振荡器、信号处理器等。
发射极基极电压作为三极管的一个重要参数，对于电路的设计和性能分析具有重要意义。
FOSAN富信电子 三极管 PXT8550-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.PXT8550SOT-89Bipolar Transistor双极型三极管▉Features特点PNP Power Amplifier功率放大▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO-40V Collector-Emitter Voltage集电极发射极电压V CEO-25V Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO-5V Collector Current集电极电流I C-1500mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)500mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA250℃/WJunction and Storage TemperatureT J,T stg-55to+150℃结温和储藏温度■Device Marking产品打标PXT8550=Y2ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.PXT8550■ElectricalCharacteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage集电极基极击穿电压(I C =-100uA ，I E =0)BV CBO -40——V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(I C =-1mA ，I B =0)BV CEO -25——V Emitter-Base Breakdown V oltage发射极基极击穿电压(I E =-100uA ，I C =0)BV EBO -5——V Collector-Base Leakage Current集电极基极漏电流(V CB =-40V ，I E =0)I CBO ——-100nA Collector-Emitter Punch Throng Current 集电极发射极穿透电流(V CE =-20V ，V BE =0)I CES ——-100nA Emitter-Base Leakage Current发射极基极漏电流(V EB =-5V ，I C =0)I EBO ——-100nADC Current Gain直流电流增益(V CE =-1V ，I C =-100mA)H FE （1）85—400DC Current Gain直流电流增益(V CE =-1V ，I C =-1500mA)H FE （2）40——Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(I C =-1500mA ，I B =-150mA)V CE(sat)——-0.6V Base-Emitter Saturation V oltage 基极发射极饱和压降(I C =-1500mA ，I B =-150mA)V BE(sat)——-1.2V Transition Frequency特征频率(V CE =-10V ，I C =-50mA)f T 100——MH Z Output Capacitance输出电容(V CB =-10V ，I E =0,f=1MH Z )C ob—20—pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.PXT8550■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.PXT8550■Dimension外形封装尺寸。
代换相应的8050或8550三极管
代换相应的8050或8550三极管(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN 型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
如是象9013 ，9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚，黑表笔接一个极，用红笔分别接其它两极，两个极都有5K阻值时，黑表笔所接就是B极。
这时用黑红两表笔分别接其它两极，用舌尖同时添（其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸，反正都不卫生）黑表笔所接那个极和B极，表指示阻值小的那个黑表所接就是C极。
（以上所说为用指针表所测，数字表为红笔数字万用表内部的正负级是和指正表相反的。
）9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。
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8550三极管参数
对于三极管8550来说，其主要参数包括：
1. 最大耐压（Vceo）：该参数表示三极管的集电极与发射极
之间最大可承受的工作电压。
对于8550，其最大耐压为60伏。
2. 最大电流（Ic）：该参数表示通过三极管集电极与发射极之
间的最大电流。
对于8550，其最大电流为0.7安。
3. 最大功率（Pc）：该参数表示三极管能够承受的最大功率，通常由最大电流和最大耐压决定。
对于8550，其最大功率为0.625瓦。
4. 最大频率（fT）：该参数表示三极管能够可靠放大信号的最高频率。
对于8550，其最大频率为150兆赫。
5. 增益（hfe）：该参数表示三极管的放大能力，也称为直流
电流放大倍数。
对于8550，其典型增益为100。
这些参数可用于评估8550三极管的性能和适用范围，以确保
其在特定应用中的正常工作。