集成电路试卷

集成电路考试

一、填空题（10×3）

1、集成电路的出现电子设备向着__微小型化 、_智能化和低功耗 、__高速度___发展，加快了人类进入信息化时代的步伐。

2、集成度大约是每 18_____月翻一番的增长规律，这就是著名的摩尔定律。

3、根据参与导电的载流子可以把MOS 晶体管分成两类：一类是_____n 沟道_____ MOS 晶体管，另一类是___p 沟道_____MOS 晶体管。

4、现代先进双极晶体管的三个基本特征是___自对准工艺_______、_多晶硅发射极技术__________和 ____深槽隔离_______。

5、MOS 晶体管的阈值电压公式V T = 2BM FB F OX

Q V C ϕ-+。 6、MOS 晶体管交流小信号模型中，跨导g m = _D GS

I V ∂∂____________，有栅跨导g mb = ____D BS

I V ∂∂_________。 7、与MOS 工艺兼容的电阻包括___扩散电阻_____、____多晶硅电阻____、____n 阱或p 阱电阻___。

8、集成电路的设计方法主要包括三部分内容：__设计抽象_____、___设计流程_____、__设计方法_______。

9、集成电路的设计方法包括 __PLD 设计方法______、__半定制设计方法____、___定制设计方法_____。

10、在集成电路的加工过程中，图形的加工是通过____光刻______和___刻蚀_________工艺完成的。

二、选择题（5×4）

11、MOS 集成电路都选择<100>晶向的晶片，下列不是选取<100>晶向硅的原因是（A ）

A 、晶界面密度高

B 、缺陷少

C 、迁移率高

D 、有利于器件提高性能

12、RTL 电路的主要问题是（ B ）

A 、速度慢

B 、噪声容限低

C 、功耗低

D 、电路的关门电平高

13、从瞬态特征看，下列哪种反相器的性能最差（ D ）

A、耗尽型负载

B、电阻负载

C、非饱和增强负载

D、饱和增强负载

14、下列哪项不是BTCMOS电路相对于CMOS电路拥有的优点（ A）

A、结构简单，所用器件少

B、没有静态功耗

C、噪声容限低

D、输入阻抗高

15、减少动态功耗最有效的措施是（A ）

A、降低电源电压

B、减少负载电容

C、减少寄生电容

D、防止电荷分享

三、判断题(10×2)

16、SOICMOS可以喝体硅CMOS一样采用LOCOS隔离工艺，但是不需要场区注入。（√）

17、增大栅氧化层厚度将将减少阈值电压，提高衬底掺杂浓度可以增大本征阈值。（×）

18、对NMOS一般可能存在负衬底偏压，负衬底偏压会使阈值电压增大。（√）

19、MOS晶体管的饱和区电流公式I D=K （V GS-V T）2。（√）

20、提高沉底掺杂浓度，减少栅氧化层厚度有利于抑制短沟道效应。（√）

21、饱和区的有效沟道长度随漏电压的增大而减小，使饱和区电流恒定。（×）

22、CMOS反向器件的PMOS管事作为开关器件，在输出高电平时只有PMOS管导通，在输出低电压时，只有NMOS管导通。（√）

23、NMOS器件中的热载流子效应比PMOS器件严重。（√）

24、逻辑电路属于可恢复逻辑电路，它能使偏离理想电平的信号经过n 级电路逐渐收敛到理想工作点，即最终达到合格的逻辑电平。

（×）

25、电路单元包括准单元，宏单元和IP等。（√）

四、简答题(10×1）

解释MOS晶体管的短沟道效应。

MOS晶体管沟道越短，源漏区p n结耗尽层电荷在总的沟道区耗尽层电荷中占的比例越大，使实际由栅压控制的耗尽层电荷减少，造成阈值电压随沟道长度减小而下降，这就是短沟道效应。

五、计算题（10×1）

1、 在交流小信号模型中，已知I C =1mA ，V t =26mV ，βF =100，V A =20V ，

求跨导g m ，输入阻抗r π，输入电阻r 0，基极-集电极电阻r u 。 解：

3

3

10/382610C m I g A V mA Vt --===⨯/v 3202010

D A C V r I -===KΩ 3

100 2.63810F m r g πβ-===KΩ⨯ 10101002020u F o r r β==⨯⨯KΩ=MΩ