ny3p035语音芯片
IMP3520DP DATASHEEL
DCBUS(+)
RSUPPLY
DCP2
CVCC RFMIN
VCC
1
COM
2
FMIN
3
Bootstrap FET Driver
15.6V CLAMP
VCO
VCO
4
HighAnd LowSide Driver
CVCO
VB
8
HO
7
VS
6
LO
5
MHS CBS
MLS
DCBUS(-)
CSNUB
TO LOAD
DCP1
TO LOAD
DCP1
LOAD RETURN
7
3520D
自适应整流器控制芯片
应用信息
内部集成在VCC和VB之间的自举MOSFET将决定高压侧驱动电路的电源电压。由电容CSNUB和二极管 DCP1、DCP2组成的外部电荷泵电路将给低压侧驱动电路提供一个额外的电源。为了保证在第一个脉冲到达HO之 前高压侧的电源已经被充电到了高电平，开始的时候的输出脉冲都是有LO脚输出的。可能LO震荡了好几个周期 后，VB-VS的电压才能超过高压侧的欠压钳位阈值VBSUV+ (9 Volts)，这个时候高压侧才能有输出。在整个UVLO模 式期间，高压侧和低压侧的输出HO、LO都是低电平，VCO脚也是被拉到GND电平将启动频率设置成最大值。 频率扫描模式
符号
VB VS VHO VLO IVCO ICC dVS/dt
PD
RthJA
TA TSTG TL
高压侧浮动电源电压 高压侧浮动偏置电压 高压侧浮动输出电压
参数
低压侧输出电压 压控振荡器输入电流(注意 1) 电源电流 (注意2) 偏置电压的压摆率 在 TA <=+25°C，PD=(TJMAX-TA)RthJA时的封装功耗，DIP-8 在 TA <=+25°C，PD=(TJMAX-TA)RthJA时的封装功耗，SOIC-8 芯片到环境的热阻，DIP-8 芯片到环境的热阻，SOIC-8 工作温度
LPRG353资料
VOLTAGE RANGE 100 to 600 Volts LPRG351 THRU LPRG356CURRENT35.0 AmperesTECHNICAL SPECIFICATION ： FEATURES• Low Leakage• Low forward voltage drop • High current capability•High forward surge current capacityMECHANICAL DATA• Technology: Glass passivated chip with vacuum soldered • Case: Copper case• Polarity: As marked of case bottom• Lead: Plated lead , solderable per MIL-STD-202E method 208C• Mounting: Press Fit•Weight: 0.21 ounces, 6.01 gramsMAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS• Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified • Single Phase, half wave, 60HZ, resistive or inductive load •For capacitive load derate current by 20%SYMBOLS LPRG351 LPRG352 LPRG353 LPRG354 LPRG356 UNIT Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 100 200 300 400 600 Volts Maximum RMS Voltage V RMS 70 140 210 280 420 Volts Maximum DC Blocking VoltageV DC 100200300 400600Volts Maximum Average Forward Rectified Current, At Tc=105℃I (AV)35AmpsPeak Forward Surge Current3.3mS single half sine wave superimposed on Rated load (JEDEC method) I FSM 500 Amps Rating for fusing (t ＜8.3ms)I 2t 1038 A 2S Maximum instantaneous Forward Voltage at 100A V F 1.08 Volts 5.0 Maximum DC Reverse Current at Rated TA=25℃ DC Blocking Voltage TA=100℃ I R 450 UA Typical Thermal ResistanceR θJC 0.8 ℃/W Operating and Storage Temperature RangeT J ,T STG(-65 to +175)℃Notes:1. Enough heatsink must be considered in application.VOLTAGE RANGE 100 to 600 Volts LPRG351 THRU LPRG356CURRENT35.0 AmperesRATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES LPRG351 THRULPRG356F1G.2 MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAKFORWARD SURGE CURRENTF1G.1 TYPICAL FORWARD CURRENTDERATING GURVENUMBER OF CYCLES AT 60 Hz1006040201086421P E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T ,(A )A V E R A G E F O R W A R D C U R R E N T ,(A )AMBIENT TEMPERATURE, ()℃12510015017575502500.11.0101000INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,(V)I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T ,(A )F1G.3 TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISTICS80402050403020100604020A V E R A G E P O W E R D I S S I P A T I O N (W )AVERAGE FORWARD CURRENT, (A)F1G.4 FORWARD ROWER DISSIPATION3010。
4935场效应芯片引脚参数
4935场效应芯片引脚参数引言：4935场效应芯片是一款常用的功率场效应晶体管芯片，广泛应用于电子设备中。
了解其引脚参数对于正确使用该芯片具有重要意义。
本文将介绍4935场效应芯片的引脚参数及其作用，帮助读者更好地理解和应用该芯片。
1. 引脚1（GATE）：引脚1是4935场效应芯片的门极引脚，用于控制芯片的导通和截止。
通过给引脚1施加合适的电压，可以改变芯片的导通状态，从而控制电路的工作。
引脚1的电压范围应在芯片规格书中规定的工作范围内。
2. 引脚2（DRAIN）：引脚2是4935场效应芯片的漏极引脚，用于连接负载电路。
负载电路的电流经过引脚2进入芯片，通过芯片的导通状态控制电流的通断。
引脚2的电压和电流应在芯片规格书中规定的范围内，以确保芯片和负载电路的正常工作。
3. 引脚3（SOURCE）：引脚3是4935场效应芯片的源极引脚，用于连接电源。
通过引脚3施加适当的电压，为芯片和负载电路提供所需的电源电压。
引脚3的电压范围应在芯片规格书中规定的工作范围内，以避免芯片和负载电路受到电压过高或过低的影响。
4. 引脚4（NC）：引脚4是4935场效应芯片的无连接引脚，即不需要连接到其他器件或电路。
这个引脚通常被设计为无焊盘，以避免误连接或干扰芯片的正常工作。
在使用芯片时，应注意不要将引脚4与其他引脚连接在一起，以免造成电路故障或损坏芯片。
5. 引脚5（GATE）：引脚5也是4935场效应芯片的门极引脚，与引脚1具有相同的功能。
在特定的应用中，引脚5可以与引脚1连接在一起，以提供更强的控制信号或实现特定的电路功能。
在这种情况下，引脚5的电压应与引脚1保持一致。
6. 引脚6（DRAIN）：引脚6也是4935场效应芯片的漏极引脚，与引脚2具有相同的功能。
在特定的应用中，引脚6可以与引脚2连接在一起，以实现电流的并联或分流。
在这种情况下，引脚6的电压和电流应与引脚2保持一致。
7. 引脚7（SOURCE）：引脚7也是4935场效应芯片的源极引脚，与引脚3具有相同的功能。
WM8978中文资料
目录描述 (5)产品特征 (5)立体声多媒体数字信号编译码器： (5)麦克风前置放大： (5)其他特征： (5)应用 (6)引脚结构 (10)引脚描述 (10)绝对最大额定值 (11)推荐的工作条件 (12)信号的时序要求 (12)系统时钟时序 (12)音频接口时序——主模式 (13)音频接口时序——从属模式 (13)控制接口时序——3线模式 (14)控制接口时序——2线模式 (15)芯片描述 (16)绪论 (16)特征 (16)麦克风输入 (17)PGA和ALC操作 (17)线输入（AUXL、AUXR） (17)ADC (17)HI-FI DAC (17)输出混合器 (17)音频接口 (17)控制接口 (18)时钟配置 (18)电源控制 (18)信号输入路线 (18)麦克风输入 (18)输入PGA音量控制 (20)辅助输入 (21)输入BOOST (21)麦克风偏置电路 (23)模数转换（ADC） (24)ADC数字滤波 (24)可选的高通滤波器 (25)可调陷波滤波器 (25)数字ADC音量控制 (26)输入限幅器/电平自动控制（ALC） (27)ALC芯片保护 (31)噪声门 (31)输出信号线路 (32)数字重放（DAC）线路 (32)数字Hi-Fi DAC音量（增益）控制 (33)DAC 5路均衡器 (34)DAC 3D放大 (34)音量推动 (34)5路图表均衡器 (36)3D立体声放大 (38)模拟输出 (38)左和右通道混合器 (38)耳机输出（LOUT1和ROUT1） (41)扬声器输出（LOUT2和ROUT2） (43)零交叉间歇时间 (46)OUT3/OUT4混合和输出 (46)输出使能 (50)过热保护 (50)未使用的模拟输入/输出 (50)数字音频接口 (53)主属和从属操作模式 (53)音频数据模式 (53)音频接口控制 (56)环回 (56)压缩 (56)音频采样率 (57)主时钟和锁相环（PLL） (58)通用的输入/输出 (59)输出开关选择（插座检测） (60)控制接口 (61)控制模式选择和2线模式地址 (61)3线串行控制模式 (61)2线串行控制模式 (61)芯片复位 (62)电源 (62)推荐的上电/断电顺序 (62)电源管理 (63)通过减少过采样率节省电能 (63)VMID (63)BIASEN (63)源电流估算 (63)推荐应用 (64)封装图 (65)WM8978带扬声器驱动的立体声多媒体数字信号编译码器描述WM8978是一个低功耗、高质量的立体声多媒体数字信号编译码器。
MEMORY存储芯片TMS320F28035PAGT中文规格书
140TMS320C6745,TMS320C6747SPRS377F –SEPTEMBER 2008–REVISED JUNE 2014Submit Documentation FeedbackProduct Folder Links:TMS320C6745TMS320C6747Peripheral Information and Electrical Specifications Copyright ©2008–2014,Texas Instruments Incorporated(1)These parameters are in addition to the general timings for SPI slave modes (Table 6-55).(2)P =SYSCLK2period (3)Figure shows only Polarity =0,Phase =0as an example.Table gives parameters for all four slave clocking modes.(4)SPI0_ENA is driven low after the transmission completes if the SPIINT0.ENABLE_HIGHZ bit is programmed to 0.Otherwise it is 3-stated.If 3-stated,an external pullup resistor should be used to provide a valid level to the master.This option is useful when tying several SPI slave devices to a single master.Table 6-61.Additional (1)SPI0Slave Timings,5-Pin Option (2)(3)No.PARAMATER MIN MAX UNIT 25t d(SCSL_SPC)S Required delay from SPI0_SCS asserted at slave to first SPI0_CLK edge at slave.2P ns 26t d(SPC_SCSH)S Required delay from final SPI0_CLKedge before SPI0_SCS isdeasserted.Polarity =0,Phase =0,from SPI0_CLK falling0.5t c(SPC)M +P +5ns Polarity =0,Phase =1,from SPI0_CLK falling P +5Polarity =1,Phase =0,from SPI0_CLK rising0.5t c(SPC)M +P +5Polarity =1,Phase =1,from SPI0_CLK risingP +527t ena(SCSL_SOMI)S Delay from master asserting SPI0_SCS to slave driving SPI0_SOMI valid P +18.5ns 28t dis(SCSH_SOMI)S Delay from master deasserting SPI0_SCS to slave 3-stating SPI0_SOMI P +18.5ns 29t ena(SCSL_ENA)S Delay from master deasserting SPI0_SCS to slave driving SPI0_ENA valid18.5ns 30t dis(SPC_ENA)S Delay from final clock receive edgeon SPI0_CLK to slave 3-stating ordriving high SPI0_ENA.(4)Polarity =0,Phase =0,from SPI0_CLK falling2.5P +18.5ns Polarity =0,Phase =1,from SPI0_CLK rising 2.5P +18.5Polarity =1,Phase =0,from SPI0_CLK rising2.5P +18.5Polarity =1,Phase =1,from SPI0_CLK falling2.5P +18.5(1)P =SYSCLK2period (2)First bit may be MSB or LSB depending upon SPI configuration.MO(0)refers to first bit and MO(n)refers to last bit output on SPI1_SIMO.MI(0)refers to the first bit input and MI(n)refers to the last bit input on SPI1_SOMI.Table 6-62.General Timing Requirements for SPI1Master Modes (1)No.PARAMATER MIN MAX UNIT 1t c(SPC)M Cycle Time,SPI1_CLK,All Master Modes greater of 3P or 20ns 256P ns 2t w(SPCH)M Pulse Width High,SPI1_CLK,All Master Modes 0.5t c(SPC)M -1ns 3t w(SPCL)M Pulse Width Low,SPI1_CLK,All Master Modes0.5t c(SPC)M -1ns 4t d(SIMO_SPC)M Delay,initial data bit valid on SPI1_SIMO to initial edge on SPI1_CLK (2)Polarity =0,Phase =0,to SPI1_CLK rising5ns Polarity =0,Phase =1,to SPI1_CLK rising-0.5t c(SPC)M +5Polarity =1,Phase =0,to SPI1_CLK falling5Polarity =1,Phase =1,to SPI1_CLK falling -0.5t c(SPC)M +5141TMS320C6745,TMS320C6747 SPRS377F –SEPTEMBER 2008–REVISED JUNE 2014Submit Documentation FeedbackProduct Folder Links:TMS320C6745TMS320C6747Peripheral Information and Electrical SpecificationsCopyright ©2008–2014,Texas Instruments IncorporatedTable 6-62.General Timing Requirements for SPI1Master Modes (1)(continued)No.PARAMATERMIN MAX UNIT 5t d(SPC_SIMO)M Delay,subsequent bits valid on SPI1_SIMO after transmit edge of SPI1_CLK Polarity =0,Phase =0,from SPI1_CLK rising5ns Polarity =0,Phase =1,from SPI1_CLK falling5Polarity =1,Phase =0,from SPI1_CLK falling5Polarity =1,Phase =1,from SPI1_CLK rising56t oh(SPC_SIMO)M Output hold time,SPI1_SIMO valid after receive edge of SPI1_CLK Polarity =0,Phase =0,from SPI1_CLK falling0.5t c(SPC)M -3ns Polarity =0,Phase =1,from SPI1_CLK rising0.5t c(SPC)M -3Polarity =1,Phase =0,from SPI1_CLK rising0.5t c(SPC)M -3Polarity =1,Phase =1,from SPI1_CLK falling0.5t c(SPC)M -37t su(SOMI_SPC)M Input Setup Time,SPI1_SOMI valid before receive edge of SPI1_CLK Polarity =0,Phase =0,to SPI1_CLK falling0ns Polarity =0,Phase =1,to SPI1_CLK rising0Polarity =1,Phase =0,to SPI1_CLK rising0Polarity =1,Phase =1,to SPI1_CLK falling08t ih(SPC_SOMI)M Input Hold Time,SPI1_SOMI valid after receive edge of SPI1_CLK Polarity =0,Phase =0,from SPI1_CLK falling5ns Polarity =0,Phase =1,from SPI1_CLK rising5Polarity =1,Phase =0,from SPI1_CLK rising5Polarity =1,Phase =1,from SPI1_CLK falling 5(1)P =SYSCLK2periodTable 6-63.General Timing Requirements for SPI1Slave Modes (1)No.PARAMATER MIN MAX UNIT 9t c(SPC)S Cycle Time,SPI1_CLK,All Slave Modes greater of 3P or 40ns ns 10t w(SPCH)S Pulse Width High,SPI1_CLK,All Slave Modes 18ns 11t w(SPCL)S Pulse Width Low,SPI1_CLK,All Slave Modes 18ns。
QN8035pdf
players. It integrates FM receive functions, auto-seek and clear channel scan. Advanced digital architecture enables
superior receiver sensitivity and crystal clear audio.
Confidential Information contained herein is covered under Non-Disclosure Agreement (NDA).
Advance Technical Information. This is a product under development. Characteristics and specifications are subject to change without notice.
• Robust Operation • -250C to +850C operation • ESD protection on all input and output pads
• 1 KHz Tone Generator Inside
， ___________________________ Typical Applications ________________________
4
QQ： Control Interface Protocol .............................................................................................................................14
常用芯片（基准源+运放）
常⽤芯⽚（基准源+运放）⼀、基准源1%级：MC1403，LM336，TL4310.1%：REF43等0.05%：AD780，ADR421等LM385是美国国家半导体公司⽣产的精密基准电压源集成电路，其可以提供1.2v或2.5v的精密基准电压源可以⽤常见的TL431间接代换，⽤ICL8069、LM335直接代换。
封装:sot-23.PRODUCT VOLTAGE (V)REF3012 1.25REF3020 2.048REF3025 2.5REF3030 3.0REF3033 3.3REF3040 4.096⼆、运放低成本：AD8541零漂移：8551⾼驱动能⼒：8531⾼端电流检测芯⽚INA138INA196 带放⼤10倍5VRail to Rail:AD820 AD8223VRail to Rail:ADA4528OP184:兼⾼精度和REF3030输出3.0V，REF3033，输出3.3V，驱动能⼒25mA，SOT23封装，可以直接接到VDDA上⾯，做为模拟电源和基准电源。
如果系统有运放，可以⽤轨到轨，如果5V系统，直接5V供电，如果锂电池系统就⽤3.7V供电，实在不⾏，还可以选⽤3.0V的，然后运放⽤3.3V，轨到轨运放也有很便宜的啊3V的电压基准，除了TI还可以考虑其它公司，⽐如MAXIM的：MAX6003。
MAX6003的初始精度<1%，⽐REF2930来得好。
⼜找了⼀下，MAX6010B更好：超低电源电流：5µA (最⼤值)3.2V输⼊下输出3V⼩尺⼨、3引脚SOT23封装初始精度：±0.4% (最⼤值)低温漂：50ppm/°C (最⼤值)200mV低压差负载调节(7mA源出电流)：200µV/mA (最⼤值)输⼊调节3.2V⾄5.5V：350µV/V (最⼤值)。
lnk303p小功率acdc恒压恒流开关电源控制芯片
LNK303P恒压/恒流原边控制功率开关SOP8 v1.6LNK303P内部功能简单框图封装示意图DRAINCOMP CS FB HVDD GNDGND DRAIN管脚说明名称 管脚序号 功能说明DRAIN 7、8 内置高压MOS 管的DRAIN ，同时芯片启动时，也做芯片的启动CS 1 电流检测输入FB 2 反馈输入，反映系统的输出电压，PWM 占空比变化取决于FB 误差放大和SENSE 脚的输入电压 COMP 3 恒压环路补偿管脚 VDD 4 芯片电源 GND5、6芯片地极限参数（极限参数(TA= 25℃)符号说明范围单位V DS(max)芯片DRAIN脚最高耐压-0.3~730 VVDD 芯片工作电压-0.3~34.0 VIDD clamp芯片钳位电流10.0 mAV FB FB输入电压-0.3~7.0 VV COMP COMP输入电压-0.3~7.0 VV CS CS输入电压-0.3~7.0 VT A工作温度-20~85 ℃T stg存储温度-40~150 ℃V ESD人体放电模式＞4000 VRθja热阻SOP8 65 ℃/W电气工作参数（除非特殊说明，下列条件均为T A=25℃）符号参数测试条件最小值典型值最大值单位芯片VDD工作部分I DDstart启动充电电流VDD=5V - 200 - μA I DDop工作电流FB=2V，CS=0V，VDD=20V - 1.5 - mA V DDOFF VDD关闭电压7.0 8.0 9.0 VV DDON VDD启动电压13.5 14.5 16.0 VV DDclamp VDD钳位电压I DD=5mA - 34 - VV DDOVP VDD过压保护电压- 32 - V CS电流检测测输入部分T LEB LEB时间- 500 - ns Vth_oc 过流阈值870 900 930 mV T_ss 软启动时间- 10 - ms 频率部分Freq_Nom 开关频率- 63 - KHz Freq_startup 待机频率FB=0V，COMP=5V - 18 - KHz Δf/Freq 抖频范围- 4 - % FB误差放大器部分V ref_EA EA参考电压 1.97 2.00 2.03 VI COMP_MAX最大补偿电流FB=2V，COMP=0V - 42 - μA 功率管部分BVds MOS击穿电压730 -- - V Rdson MOSFET导通电阻- 30 - Ω功能表述◆ 芯片是应用于离线式小功率AC/DC 开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片，全电压输入范围内，恒压恒流输出精度均小于±3%。
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ny3p035语音芯片
NY3P035是一种语音芯片，它具有许多先进的功能和技术，
适用于语音识别和语音合成领域。
以下是关于NY3P035语音
芯片的详细介绍。
首先，NY3P035语音芯片采用了先进的语音识别技术，可以
实现高效准确的语音识别。
它能够识别不同语种的语音输入，并将其转化为对应的文本。
这在很多场景下都非常有用，比如语音助手、语音指令控制等。
此外，NY3P035语音芯片还具备强大的语音合成功能。
它可
以将文本转化为自然流畅的语音输出。
这使得人机交互更加便捷和人性化，用户可以通过语音与设备进行对话和指令传达。
在技术层面上，NY3P035语音芯片采用了先进的神经网络算法。
这让芯片能够具备更高的识别和合成精度。
与传统的基于规则的方法相比，神经网络算法能够更好地处理复杂的语音数据，提高了系统的性能和稳定性。
另外，NY3P035语音芯片还具备低功耗和小尺寸的特点。
它
可以在嵌入式设备中广泛应用，如智能手机、智能音箱、智能家居等。
由于芯片的功耗低，它能够延长设备的电池续航时间。
此外，芯片的小尺寸也使得它可以轻松地嵌入到各种电子设备中。
除此之外，NY3P035语音芯片还支持多种接口和应用程序编
程接口（API）。
这使得开发者可以方便地将语音识别和合成
功能集成到自己的应用程序中。
开发者可以利用芯片提供的接口和API，快速开发出具有语音交互功能的应用程序。
总之，NY3P035语音芯片是一款功能强大且性能优越的语音芯片。
它采用先进的神经网络算法，具备高效准确的语音识别和流畅自然的语音合成能力。
低功耗和小尺寸的设计使得它广泛适用于各种嵌入式设备中。
通过支持多种接口和API，它还能够方便地集成到各种应用程序中，为用户提供更好的语音交互体验。