物化

名词解释
1 同质多晶现象：同一种化学成份，由于形成条件不同，晶体结构上
有很大差别，这种现象叫做同质多晶。
2 烧结：在表面张力下的扩散蠕变。
3 胶体双电层：带点胶粒分散在电解质中时，由于静电吸引力，在胶
粒的周围形成反号电荷的离子层，胶粒表面的电荷与周围的离子层就
构成了胶体的双电层。
4 晶界：同种材料相同结构的两个晶粒之间的边界。
5 均匀成核：指晶核从均匀的单相熔体中产生的几率处处是相同的成
核过程。
6 相：在系统内部物理和化学性质相同而且完全均匀的部分。
7 扩散：一种由热运动所引起的杂质原子的输运过程。
8 界面偏析：对有一个多晶材料（如陶瓷体）在界面（晶界，相界或
表面）上的组成不同于平均的或体内的组成，这种现象被称为晶界偏
析。
9 非化学计量化合物：原子或离子的比例不成简单的整数比即偏离化
学式的化合物。
10：肖特基缺陷：原子脱离正常的格点位置，跳到晶体表面，形成空
穴，这种缺陷就叫做肖特基缺陷。
11弗伦克尔缺陷：原子脱离正常的格点位置，跳到邻近的原子间隙
中去，形成了间隙原子和空穴的这种缺陷就叫做弗伦克尔缺陷。
12 本征缺陷：温度在0K以上，一个纯净的和严格的化学配比的晶体，
在没有外来因素的作用，仍然固有存在的缺陷。
13 非本征缺陷：非晶体所固有的，而是由各种外来因素造成的缺陷。
14 不稳定扩散，浓度不随时间变化的扩散。
15 矿化剂在反应过程中能够加速或减慢反应速度，或者能控制反应
方向的物质称为矿化剂。
16 表面：是指物体对真空或本身的蒸气接触的面。
17 相界;指结构不同的两块晶体或结构相同而点阵参数不同的两块
晶体接合所形成交界面。
18 界面：两个独立体系的相交处，它包括表面，相界和晶界。
19 表面改性：利用固体表面吸附特性通过各种表面处理改变固体表
面结构和性质，以适应各种预期要求。
20 动电电位：在固相表面上的双电层固定层（或密实内层）与胶团
内非固定部分与溶液之分界面上的电位称为动电电位。
填空题
1根据水和粘土作用以后，水在粘土胶粒周围距离增大可将其分为：
（牢固结合水），（弱结合水或渗透结合水），（自由水）。
2热力学函数是（状态函数、G、H、T）的一种结合。
3根据硅氧骨干的型式，硅酸盐晶体结构有以下几种类型：（岛状），
（组群状），（链状），（层状），（架状）。
4若已知铝往单硅中扩散时，Q=305432J/MOL。D0=1.55CM2/S，当温
度为（156.39）时其扩散系数为1*10-10CM2/S。【D＝D０e-Q/RT】
５范德华力是固体表面产生物理吸附的原因，他主要来源于三个不同
的效应，这三个效应分别是（定向作用力），（诱导作用力），（分散作
用力）。
６按照现代观点，粘土——水系统中的水存在形式有（牢固结合水），
（弱结合水），（渗透结合水），（毛细管水），（自由水）。
７多项反应一般包括（物质传输到晶面），（相界面上形成产物层），
（反映产物传输离开晶界面）三个阶段。
８固体表面力吸引作用力主要有（范德华力）和（化学力）两类，其
中（范德华力）是固体表面产生物理吸附主要原因。
９晶体热缺陷有（肖特基缺陷）和（弗伦克尔缺陷）两类，热缺陷浓
度与温度的关系式为（Cs=exp(得特S/2kT)
10在1000摄氏度的Al2O3基片上涂有银奖，若保温时间由1小时增
加到3小时，银层渗透深度将由原来的1mm增加到（根号3*e1/3）
【C(x,t)=fai0/根号下2*得特t】
11粘土荷电原因主要由（同晶代换），（断键）和（表面分子解离）
引起的。
12定向作用主要发生在（极性分子）和（极性分子）之间，诱导作
用力主要发生在（极性分子）和（非极性分子）之间，分散作用力主
要发生在（非极性分子）和（非极性分子）之间。
13弯曲表面上附加压力得特P总是指向曲面的（曲率中心）当曲面
为凸面时为（正值），凹面时为（负值）。
14硅酸盐结构是以（【SiO4】-4）共项连接架状，链状等结构形成。
15凝聚态相图的测试方法主要有（动态法）和（淬冷法）。
16菲克第二定律的基本数学表示式为（得特c/得特t-得特平方c/得
特x的平方）它适用于描述在（不稳定扩散）条件下，介质中各点作
用时间函数的扩散物质聚集过程。