同济大学823电子学基础历年考研试题
南京航空航天大学_823电工电子2014考研复习题(整理)概要
第十四章半导体器件3007在PN 结中形成空间电荷区的正、负离子都带电，所以空间电荷区的电阻率（ A ）。
(a)很高(b) 很低(c)等于N 型或P 型半导体的电阻率11023型号为2CP10 的正向硅二极管导通后的正向压降约为（ C ）。
(a) 1V (b) 0.2 V (c) 0.6 V15039电路如图1 所示，已知U = 6V，u =18sintV，波形如图2，二极管正向导通时的压降可忽略不计，则二极管两端电压uD 的波形为图3 中（）。
22061温度稳定性最好的稳压管是（A ）。
(a) 稳定电压UZ = 6 V 的管子(b) 稳定电压UZ > 6 V 的管子(c) 稳定电压U < 6 V 的管子23064稳压管的动态电阻rZ 是指（ B ）。
(a) 稳定电压与相应电流IZ 之比(b) 稳压管端电压变化量UZ 与相应电流变化量IZ 的比值(c) 稳压管正向压降与相应正向电流的比值24065动态电阻rZ 是表示稳压管的一个重要参数，它的大小对稳压性能的影响是（B ）。
(a) rZ 小则稳压性能差(b) rZ 小则稳压性能好(c) rZ 的大小不影响稳压性能34084晶体管的主要特点是具有（ B ）。
(a) 单向导电性(b) 电流放大作用(c) 稳压作用35086如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流（ B ）。
(a) 反向(b) 近似等于零(c) 不变(d) 增大36088 晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为（ B ）。
(a)发射结反偏集电结正偏(b) 发射结、集电结均反偏(c) 发射结、集电结均正偏(d) 发射结正偏，集电结反偏38091 晶体管的穿透电流ICEO 是表明（ A ）。
(a) 该管温度稳定性好坏的参数(b) 该管允许通过最大电流的极限参数(c) 该管放大能力的参数39093 表明晶体管质量优劣的主要参数是（）。
40095某晶体管的集电极的最大允许耗散功率PCM = 500 mW，集电极最大允许电流ICM = 500 mA，在实际应用线路中测得它的集电极电流IC =100 mA，UCE = 6 V，其后果为（ A ）。
暨南大学试题
2011年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题******************************************************************************************** 学科、专业名称：081001 通信与信息系统、081002 信号与信息处理、430109电子与通信工程研究方向：01光电子与光通信、02通信网络与信息系统、03微电子器件与集成电路设计、04多媒体技术与信息安全、05无线通信与传感技术；01机器人与测控系统、02量子信息与量子系统、03信息技术与智能仪器、04通信信号处理及SoC设计、05图像处理与应用系统；01光通信与无线通信、02网络与多媒体技术、03微电子技术与集成电路设计、04测控系统与智能仪器、05信息系统与信息处理技术考试科目名称：823 电子技术基础下图中的哪些接法可以构成复合管？若将复合管等效为单管,效管的类型（如NPN型、PNP型）及管脚（b、e、c或d、g、(a) (b) (c)考试科目：823 电子技术基础共 5 页，第 1 页2、下图为简化的集成运放电路原理图，试指出输入级、中间级和输出级电路分别是什么电路，并说明图中各晶体管的主要作用。
考试科目：823 电子技术基础共 5 页，第 2 页2．图示电路中，各晶体管的参数均相同，β= 100，R 1=R C1=R C2=10k V cc =V EE =10V,r be =300(Ω)+β×26(mV)/I e (mA)，U BE ≈0。
问：(1)哪些三极管构成镜像电流源？(2)估算I E 、I C1 、I C2；(3)若在输出端加R L =20K Ω,估算差模电压增益。
Q Q R C1-V EE R C2+V CCQ a Q b v A v Bv o R 1I EI C1I C2考试科目：823 电子技术基础 共 5 页，第 3 页T a T b T R TM 565K ΩR L I c 1 I c 2与输入电压u I 的运算关系式。
同济大学821专业课2020年真题
2020年821同济大学材料科学基础真题
简答题（7*10）
1、从相结构的角度分析，化合物、晶体、固溶体和混合物之间的区别
2、试分析水泥或陶瓷材料的显微组织，以及显微组织对材料和性能的影响
3、分析红外光谱影响吸收谱带的因素，为什么不用水做溶剂
4、分析X射线、红外、紫外所吸收的能级以及所能收集的微观信息
5、晶体缺陷，可以用什么仪器（研究方法）分析观察
6、聚合物高弹态中分子运动的特点，可以说熵弹性吗？为什么
7、X射线能够使物质发出什么样的物理信号，并计算面间距
分析题（4*15）
1、NACL CSCL CAF2 为例，分析结晶学定律对晶体结构的影响，各自的具体晶体结构，并画出晶体结构图
2、电子显微镜比光学显微镜的分辨率高的原因？电子束在材料上产生哪些信号？扫描电镜中那些信号可以进行形貌分析，分辨率的大小？
3、金属材料的四大强化机制及其检测方法
4、高分子的应力松弛现象，举例分析分子内部的运动怎么防止或减少
综合题（20）
金属、陶瓷、高分子、混凝土，选择分析其组成结构性能效能？对其组成结构性能的试验方法。
《厦门大学821电子电路历年考研真题及答案解析》
厦门大学 2010 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷答案解析................................ 29 厦门大学 2011 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷答案解析................................ 44 厦门大学 2012 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷答案解析................................ 54 厦门大学 2013 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷答案解析................................ 66 厦门大学 2014 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷答案解析................................ 79
目录
Ⅰ 历年考研真题试卷................................................................................................................. 2
厦门大学 2010 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷...................................................2 厦门大学 2011 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷...................................................7 厦门大学 2012 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷................................................ 12 厦门大学 2013 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷................................................ 17 厦门大学 2014 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷................................................ 22
吉林大学通信工程学院900电路与数字信号处理历年考研真题专业课考试试题
2014年电子科技大学815电路分析基础考研真题
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目 录
第一部分 吉林大学电路与数字信号处理考研真题 2009年吉林大学875电路与数字信号处理考研真题 2008年吉林大学892电路与数字信号处理考研真题 2007年吉林大学809电路与数字信号处理考研真题（部分） 2006年吉林大学824电路与数字信号处理考研真题 2005年吉林大学823电路与数字信号处理考研真题 2004年吉林大学825电路与信号系统考研真题 2003年吉林大学825电路与信号系统考研真题 2002年吉林大学488数字信号处理考研真题
2014年北京交通大学920数字信号处理考研真题
2014年北京交通大学920数字信号处理考研真题
第一部分 吉林大学电路与数字信号处理 考研真题
2009年吉林大学875电路与数字信号处理字信号处理考研真题
2007年吉林大学809电路与数字信号处理考研真题 （部分）
2006年吉林大学824电路与数字信号处理考研真题
第二部分 兄弟院校电路与数字信号处理考研真题 2015年电子科技大学815电路分析基础考研真题 2014年电子科技大学815电路分析基础考研真题 2014年重庆大学840电路原理一（上册）考研真题 2015年上海交通大学819信号系统与信号处理考研真题及详解 2015年南京航空航天大学821信号系统与数字信号处理考研真题
2005年吉林大学823电路与数字信号处理考研真题
2004年吉林大学825电路与信号系统考研真题