半导体常用缩写

半导体常用缩写词汇汇总

EPI 外延PM 设备维护与保养

PCW 工艺冷却水PMC 生产计划与物料控制

PLC 可编程序控制控制器

H2 氢气Sb 锑

N2 氮气As 砷

SiHCl3（TCS）三氯氢硅 B 硼

PH3 磷烷CMOS 互补金属氧化物半导体

HCl 氯化氢CMP 化学机械抛光

Hg 汞（水银）ESD静电释放

HNO3 硝酸H2O2双氧水

HF 氢氟酸MOS 金属氧化物半导体

SPC 统计过程控制PCM 工艺控制监测

MRB 异常评审委员会PCN 工艺变更通知单

CAB 变更评审委员会ECN 工程变更通知单

OCAP 失效控制计划。指制程过程中失控时所应采取的对应措施。是一种受控文件，包含造成异常的因素等

PSG 磷硅玻璃

TF 薄膜PVD物理气相淀积

PHO 光刻PCB 印刷电路板

DIF 扩散RF 射频

II 注入UV紫外线

CVD 化学气相淀积VPE气相外延

SPV 扩散长度Bubbler 鼓泡器

CD 关键尺寸EMO 设备紧急按钮

CD-SEM 线宽扫描电镜ScrubbLer 尾气处理器

ETCH 刻蚀（腐蚀）Coat 包硅

H2-BAKE 氢气烘烤SRP 外延层纵向电阻率分布

1号液：（NH4OH:H2O2：H2O）NH4OH : H2O2 : H2O=1 : 2 : 7，

2号液：（HCl：H2O2：H2O）HCl : H2O2 : H2O=1 : 2 : 5

3号液（Caros清洗液）：(H2SO4:H2O2) H2SO4 : H2O2=3 : 1，

4#号液:H2O:HF=10:1

CV：电容-电压测试

BOE混酸：氟化铵氢氟酸混合腐蚀液液

CZ：切克劳斯基直拉法Wafer：抛光片

FZ：区熔方法THK：膜厚

Rs：电阻TTV:总厚度偏差

TIR：平整度STIR：局部平整度

LTO：背封BOW:弯曲度

CHIP:崩边SLIP：滑移线

MARK:痕迹WARP：翘曲度

CRACK:裂纹SPOT: 斑点

HAZE：发雾CROWN：皇冠，边缘突起物

OISF:氧化诱生层错ORG: 掺As单晶抛光片O2含量径向均匀性OSF：氧化层错BMV：气体流量控制阀

LIFE TIME：寿命POINT DEFECT: 点缺陷

Integrated circuit：集成电路epitaxial layer：外延层

Buried layer：埋层interface：界面

Diameter：直径chemical vapor polish 化学气相抛光

Polished surface ：表面抛光back side ;反面

Front side ：正面INJ：引入气体流量

DIL：稀释气体流量Autodoping：自掺杂

Sccm：毫升/每分钟Slm：升/每分钟

CDA:压缩空气PN2：工艺氮气

Cable：电缆MES：生产过程执行管理系统

SFC：生产车间集中

MDC：生产数据及设备状态信息采集分析管理系统

PDM：制造过程数据文档管理系统

MSA:量具测量系统分析

KPI：关键表现指标, 销售指标

Alarm ：报警

MSA: 使用数据统计和图表的方法对测量系统的分辨率和误差进行分析

QA: 指质量管理、品质的保证、质量的评估/评价

QC: 指质量检验和控制、分析、改善和不合格品控制人员的总称

OOC/oos:

OOS：检验结果偏差超过规格、不合格

OOC : 产品质量失去控制，需要采取返工、召回等手段。处理过程需要加入偏差报告

PDCA: 策划- 实施- 检查- 改造

ROSH: 电子产品中有害物质的含量（如Pb鉛、Cd镉、Hg 汞、六价Cr铬）见下一页！

BPM -----文件审批流程

CAB ------变更评审委员会

COC-----表示产品的一致性，不提供实测数据是一个证明

COA-----实测数据在中体现

EHS-----是环境Environment、健康Health、安全Safety的缩写

EOS------去除边缘氧化层

GRR ----Gauge Reproducibitity and Repwtabitity 测量再现性（测量设备变异）和再生性（测量人员/方法变异）

IQC------对供应商的来料进行检验

MES -----生产制造执行管理系统（面向车间的生产管理技术与实时信息系统。快速反应、有弹性、精细化的制造业环境，提高产品质量降低生产成本。。。。。）MO ----- 没有按制订的规程操作

OEE -----设备实际可利用时间/ 日历可利用时间；-设备理论可利用时间/ 日历可利用时间就是UPTIME

OCC-----质量改进小组

OCAP------对产生错误制订应急计划

PDIC------含光明管集成电路

SPV-----重金属杂质的含量-测试系统

SIA-----美国半导体工业协会

SWR -----special work Requirement 特殊工作需要

TEEP----设备完全有效生产率

TXIF------测量硅表面重金属杂质的含量。是全反X射线荧光分析仪（多元素分析）

WAT-----测试系统

KPI -----绩效指标法(Key Performance Indicator,KPI),它把对绩效的评估简化为对几个关键指标的考核,将关键指标当作评估标准,把员工的绩效与关键

指标作出... 企业关键业绩指标（KPI-Key Process Indication）是通过对

组织内部某一流程的输入端、输出端的关键参数进行设置、取样、计算、

分析，衡量流程绩效...

MRB－Material Review Board 即生产评审委员会，一般由品质部、物料

部、总工办、制造厂、经营部负责人等组成。主要负责对来料及生产中

物料的不合格情况进行评审。MRB----- 所有异常原材料、在制品，客户

退片

PCN --- Process Change Notice 的缩写(工序改动通知)

MSA（MeasurementSystemAnalysis）----测量系统分析。使用数理统计和图表的

方法对测量系统的分辨率和误差进行分

析，以评估测量系统的分辨率和误差对

于被测量的参数来说是否合适，并确定

测量系统误差的主要成分。