阻容元件的选择
阻容降压计算阻容降压和开关电源的一些常用知识ZR阻容过电压吸收器选型指南
阻容降压原理及电路将交流市电转换为低压直流的常规方法是采用变压器降压后再整流滤波，当受体积和成本等因素的限制时，最简单实用的方法就是采用电容降压式电源。
一、电路原理电容降压式简易电源的基本电路如图1，C1为降压电容器，D2为半波整流二极管，D1在市电的负半周时给C1提供放电回路，D3是稳压二极管，R1为关断电源后C1的电荷泄放电阻。
在实际应用时常常采用的是图2的所示的电路。
当需要向负载提供较大的电流时，可采用图3所示的桥式整流电路。
整流后未经稳压的直流电压一般会高于30伏，并且会随负载电流的变化发生很大的波动，这是因为此类电源内阻很大的缘故所致，故不适合大电流供电的应用场合。
二、器件选择1.电路设计时，应先测定负载电流的准确值，然后参考示例来选择降压电容器的容量。
因为通过降压电容C1向负载提供的电流Io，实际上是流过C1的充放电电流Ic。
C1容量越大，容抗Xc越小，则流经C1的充、放电电流越大。
当负载电流Io小于C1的充放电电流时，多余的电流就会流过稳压管，若稳压管的最大允许电流Idmax小于Ic-Io时易造成稳压管烧毁.2.为保证C1可靠工作，其耐压选择应大于两倍的电源电压。
3.泄放电阻R1的选择必须保证在要求的时间内泄放掉C1上的电荷。
三、设计举例图2中，已知C1为0.33μF，交流输入为220V/50Hz，求电路能供给负载的最大电流。
C1在电路中的容抗Xc为:Xc=1 /（2 πf C）= 1/（2*3.14*50*0.33*10-6）= 9.65K流过电容器C1的充电电流（Ic）为：Ic = U / Xc = 220 / 9.65 = 22mA。
通常降压电容C1的容量C与负载电流Io的关系可近似认为：C=14.5 I，其中C 的容量单位是μF，Io的单位是A。
电容降压式电源是一种非隔离电源，在应用上要特别注意隔离，防止触电安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全. 它包括了X电容和Y电容。
片式阻容感元件
片式阻容感元件片式阻容感元件是一种电子元件，它具有阻抗和容抗的特性。
在电路中，它能够起到限流和储能的作用，具有广泛的应用。
片式阻容感元件由电容器和电感器组成，通过改变电容器和电感器的参数来得到不同的阻抗和容抗。
电容器由两个导体板和介质组成，当两个导体板之间加上电压时，导体板之间就会形成电场，从而储存电荷。
电感器由导体线圈组成，当电流通过导体线圈时，就会形成磁场，从而储存能量。
片式阻容感元件具有以下几个特点：1. 阻抗和容抗可调节：片式阻容感元件的阻抗和容抗可以通过改变电容器和电感器的参数来进行调节。
通过调节电容器的电容量和电感器的电感值，可以得到不同的阻抗和容抗，从而满足不同电路的需求。
2. 体积小、重量轻：片式阻容感元件相比传统的电感器和电容器，体积更小、重量更轻。
这使得它在电路设计中更加灵活，能够适应更加紧凑的电路布局。
3. 响应速度快：片式阻容感元件由于体积小、重量轻，响应速度更快。
在电路中，它能够快速地响应电流和电压的变化，从而提供更加稳定的电源。
4. 低功耗：片式阻容感元件在工作过程中能够实现低功耗。
这使得它在一些对电池寿命要求较高的应用中更具优势。
片式阻容感元件在电子领域有着广泛的应用。
它常常被用于滤波、隔离和稳压等电路中，起到限流和储能的作用。
例如，在电源管理系统中，片式阻容感元件可以用于稳压电路，确保电路工作在稳定的电压范围内。
在通信设备中，它可以用于滤波电路，削弱或消除高频噪声，提高通信质量。
在电子设备中，它还可以用于隔离电路，实现不同电路之间的电气隔离，提高系统的安全性。
片式阻容感元件是一种具有阻抗和容抗特性的电子元件，具有阻抗和容抗可调节、体积小、重量轻、响应速度快和低功耗等特点。
它在电子领域有着广泛的应用，常常被用于滤波、隔离和稳压等电路中。
随着电子技术的不断发展，片式阻容感元件将会有更广阔的应用前景。
bta16可控硅阻容参数
bta16可控硅阻容参数BTA16可控硅是一种常见的电子元件，广泛应用于电力控制和调节领域。
本文将围绕BTA16可控硅的阻容参数展开讨论。
BTA16可控硅是一种三端可控硅器件，由一个控制极、一个阳极和一个阴极组成。
它的阻容参数是指在不同工作条件下，BTA16可控硅的电阻和电容特性。
我们来讨论BTA16可控硅的电阻参数。
电阻是指电流通过时产生的电压降。
BTA16可控硅的电阻参数与其结构、材料和工作条件有关。
一般来说，BTA16可控硅的电阻较小，能够承受较大的电流。
在正常工作条件下，BTA16可控硅的电阻一般稳定，不会发生明显的变化。
我们来讨论BTA16可控硅的电容参数。
电容是指两个电极之间存储电荷的能力。
BTA16可控硅的电容参数与其结构和材料有关。
一般来说，BTA16可控硅的电容较小，能够快速响应电压的变化。
在正常工作条件下，BTA16可控硅的电容一般稳定，不会发生明显的变化。
BTA16可控硅的阻容参数对其在电力控制和调节中的应用起着重要作用。
通过控制BTA16可控硅的阻容参数，可以实现对电流和电压的精确控制。
例如，在交流电路中，通过控制BTA16可控硅的触发角，可以实现对电流的调节；在直流电路中，通过控制BTA16可控硅的电流和电压特性，可以实现对电压的调节。
BTA16可控硅的阻容参数还对其在电子设备中的稳定性和可靠性起着重要影响。
较低的电阻和电容可以减少能量损耗和发热，提高BTA16可控硅的效率和寿命。
因此，在选择和设计电子设备时，需要根据实际需求和工作条件合理选择BTA16可控硅的阻容参数。
BTA16可控硅的阻容参数是评估其性能和应用范围的重要指标。
了解和掌握BTA16可控硅的阻容参数，有助于合理应用和优化设计电子设备。
希望通过本文的介绍，读者能够对BTA16可控硅的阻容参数有更深入的了解。
snubber电路阻容计算
snubber电路阻容计算Snubber电路阻容计算Snubber电路是一种常见的电路保护装置，用于降低电压或电流的峰值，减小开关元件的压力，提高电路的稳定性和可靠性。
其中，阻容是Snubber电路的重要组成部分，用于限制电压或电流的变化速率，起到消除峰值的作用。
本文将介绍Snubber电路阻容的计算方法及其应用。
我们需要了解Snubber电路的工作原理。
Snubber电路一般由电容器和阻性元件（如电阻、电感等）组成。
在工作过程中，当电路中的开关元件（如晶体管、继电器等）切断电流或关断开关时，电路中会产生高峰值的电压或电流。
这些高峰值会对开关元件造成压力，可能导致元件的损坏。
Snubber电路的作用就是通过合理设计的阻容组合，消除这些高峰值，保护开关元件。
对于Snubber电路阻容的计算，一般有两种常见的方法：经验法和计算法。
经验法是根据工程经验和实际测试结果得出的一种近似计算方法。
一般情况下，经验法适用于小功率电路或者对精度要求不高的场合。
具体计算方法是通过试验确定一个合适的电容值，然后根据实际电路参数进行调整。
计算法是根据电路参数和设计要求进行精确计算的方法。
这种方法适用于对电路精度要求较高的场合。
具体计算方法如下：1. 首先，根据电路参数确定所需的阻容值。
一般来说，阻容的选择取决于电路中的元件参数和工作频率。
对于电容值的选择，一般应使其满足以下条件：能够满足电压或电流的变化速率要求，但又不至于过大导致电路效率低下或成本过高。
对于电阻值的选择，一般应使其满足以下条件：能够限制电容器的充放电过程，使电容器能够自然消耗能量，避免电容器过载。
2. 然后，根据所需的阻容值，计算电容器和电阻器的具体数值。
具体计算方法如下：- 对于电容值的计算，可以根据公式C = I * dt / dV，其中C为电容值，I为电流的变化量，dt为变化时间，dV为电压的变化量。
这个公式可以根据具体的电路参数进行调整和计算。
阻容降压0.33uf
阻容降压0.33uf
阻容降压器（RC滤波器）是一种常见的电路元件，用于降低电
路中的噪声和干扰。
在这里，0.33uF代表电容器的电容值，通常以
微法（uF）为单位。
这个数值告诉我们电容器的存储电荷能力，即0.33uF电容器可以存储的电荷量。
在阻容降压器中，电容器和电阻器并联连接，用于减小输入信
号中的高频噪声。
这种滤波器可以有效地去除高频噪声，使得输出
信号更加稳定和清晰。
从电路角度来看，0.33uF电容器的作用是在输入信号中存储电荷，并且对高频信号有较好的响应。
通过与电阻器并联连接，可以
形成一个低通滤波器，将高频信号滤除，从而实现降压的效果。
此外，从应用的角度来看，阻容降压器常用于电源线路或信号
线路中，以减小电路中的噪声干扰，提高系统的稳定性和可靠性。
因此，选择合适数值的电容器对于滤波效果至关重要，0.33uF的电
容值适用于一些需要中等滤波效果的场合。
总的来说，0.33uF的电容器在阻容降压器中扮演着重要的角色，
通过与电阻器配合，可以实现对高频噪声的滤除，从而达到降压的效果。
这种电路在电子设备中有着广泛的应用，能够有效提高系统的抗干扰能力和稳定性。
晶闸管(可控硅)两端并联电阻和电容的作用
晶闸管（可控硅）两端为什么并联电阻和电容一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管（可控硅)电路中，常在其两端并联RC 串联网络，该网络常称为RC 阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管（可控硅）有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。
它表明晶闸管（可控硅）在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管（可控硅）从断态转入通态的最低电压上升率。
若电压上升率过大,超过了晶闸管（可控硅）的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。
即使此时加于晶闸管（可控硅）的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。
因为晶闸管（可控硅）可以看作是由三个PN 结组成。
在晶闸管（可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。
当晶闸管（可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。
如果晶闸管(可控硅）在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管（可控硅)误导通现象,即常说的硬开通，这是不允许的。
因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制.为了限制电路电压上升率过大,确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅) 两端并联RC 阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
因为电路总是存在电感的（变压器漏感或负载电感），所以与电容C 串联电阻R 可起阻尼作用，它可以防止R、L、C 电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。
同时, 避免电容器通过晶闸管（可控硅)放电电流过大,造成过电流而损坏晶闸管（可控硅).由于晶闸管（可控硅）过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的.RC 阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
二、整流晶闸管（可控硅）阻容吸收元件的选择电容的选择：C=(2.5—5)×10的负8次方×IfIf=0.367IdId—直流电流值如果整流侧采用500A 的晶闸管（可控硅)可以计算C=(2。
电子元器件(阻容)可靠性标准
电子元器件（阻容）可靠性设计标准一、电阻1.1、考量点1：电阻精度一般的运用场景，通常使用精度为5%电阻即可，这种精度价格较为便宜。
而对于精度要求的场景，如如AD网络和DCDC反馈网络，则需使用高精度1%或0.5%的电阻，此类电阻价格相关更加贵。
1.2、考量点2：消耗功率电阻器件的耐受功耗和其封装是相关的，应用时必须选择合适的封装，同时考虑到高温条件，还需降额使用（通常按照20%的降额标准执行）。
封装功率尺寸02011/20W～04021/16W 1.0mmx0.5mm06031/10W 1.6mmx0.8mm08051/8W 2.0mmx1.2mm12061/4W 3.2mmx1.6mm1.3、考量点3：工作电压必须根据实际运用场景选择合适的封装，如下表格：封装最大耐电压尺寸040250V 1.0mmx0.5mm060375V 1.6mmx0.8mm 0805150V 2.0mmx1.2mm 1206200V 3.2mmx1.6mm1.4、考量点4：脉冲功率考虑到脉冲电流串入的应用情形，需根据脉冲功率和脉冲时间的曲线选择具体环境下的格式封装。
1.5、考量点5：工作温度运用在汽车行业，车规品推荐采用-40~125℃即可，工规品推荐采用-40℃～85℃，若高温高压环境，必须选用更高规格型号，如军规级别-55℃～150℃。
1.6、考量点6：TCR推荐采用s±50ppm/C，若在高温/高压环境下，必须选用更高规格的型号。
1.7、考量点7：抗腐蚀性1、被离子污染会电离腐蚀，确保生产过程不要有盐分的沉积和沾染(操作时候要戴手套)，不要有助焊剂；2、靠近接插座的有涂布防水的电阻和难以涂布防水的电阻，要考虑使用低驱。
二、电容2.1、考量点1：电容量A、如果该电容用于储能作用，则必须考量EMC实验要求进行选择电容量，并且必须算出电容充放电时间，会影响软件处理的时间；B、如果该电容用于滤波作用，则必须根据电路的频率，选择合适滤波的电容量，可以参考电容频率也电容量的关系。
重料打造300B：三装300B胆机(1)
重料打造300B：三装300B胆机(1)2010-06-15 06:21:00| 分类：胆机| 标签：|字号大中小订阅具有“梦幻之球”美称的300B胆管，多年来一直是广大胆机DIY发烧友的最爱，也是每位爱好者梦寐以求的目标。
她的迷人之处不光是婷婷玉立的身材和其娇艳的音色，更多的是人们对她褒贬不一的争议之词。
在胆机音响界有一种说法，即所谓“不玩300B，就等于没有玩过胆机”；“300B好装，‘太监声’难除”！屈指算来自己打造胆机已有数台，究竟如何避免300B的“太监声”，也一直想亲手尝试一下。
去年初，经过慎重考虑和多方论证，终于下定了打造300B胆机的决心，并一发不可收，连续打造了4台！第一台是以苏制廉价管10Ж12C作为电压推动，第二台其用料及线路完全与第一台相同，只是把前级放大管换为大盾EF37，并适当调整了屏压及工作点。
两台机器其效果与音色均令人满意，得到了一些资深发烧友的充分肯定。
也正是该两台机器的问世，增强了我对把玩300B的信心，迷人的音色及简洁的外表也令我爱不释手。
正好，有朋友喜欢上了这两台机器，问我可否在此基础上，通过提高元器件档次、工艺，使300B进一步发挥潜能，让其高贵、富华的本质得以充分表现？经过反复研究，最终定下决心，要不计成本，迎合当前发烧理念，重料再造300B.一、线路的选择这是决定作品成败与否的根本，也是能够充分体现机器个性的关键。
所以，线路的选择非常重要，切忌盲目跟风或追求时髦，之前最好要与烧友反复讨论和查阅资料，为最终敲定打好理论基础。
我的体会：一是要首先确定自己的装机意向。
也就是你装出的机器主要用来听什么，是主要用来听古典音乐、交响音乐？还是主要突出人声？等等，依自己的要求来正确择选。
二是要大概确定电路的模式之后再有针对性的进行选择。
所谓线路模式，就前级放大讲，包括是用一级放大还是多级？是用五级管还是用三极管？是用大管还是用小管？功率级是选用单端还是推挽？单管还是并管？电源供电是用晶体管还是选用电子管？等等。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
精心整理
整流晶闸管阻容吸收元件的选择
1）电容的选择：（容量通常在0.1~1uF之间,耐压选元件的1.1~1.5倍）
C=(2.5~5)×103-×I
t
式中I
t =0.367I
d
I
d
为直流电流值
总结：阻容吸收电路要尽量靠近晶闸管，引线要短，最好采用无感电容及安规电容。
电容耐压一般
选晶闸管电压的1.1~1.5倍。
整流晶闸管阻容吸收元件的选择
电容的选择:
C=(2.5-5)×103-×If
If=0.367Id
Id-直流电流值
如果整流侧采用500A的晶闸管
可以计算C=(2.5-5)×103 ×500=1.25-2.5μF
选用2.5μF，1kv的电容器
选择
u-
1
※
瞬间出现反向电流，使残留的载流子迅速消失，形成极大的di/dt。
即使线路中串联的电感很小，由于反向电势V=-Ldi/dt，所以也能产生很高的电压尖峰（或毛刺），如果这个尖峰电压超过晶闸管允许的最大峰值电压，就会损坏器件。
对于这种尖峰电压一般常用的方法是在器件两端并联阻容吸收回路，利用电容两端电压不能突变的特性吸收尖峰电压。
阻容吸收回路要尽可能靠近晶闸管A、K端子，引线要尽可能短，最好采用无感电阻，千万不能借用门极回路的辅助阴极导线（因辅助阴极导线的线径很细，回路中过大的电流会将该线烧断）。
※交流侧过电压及其保护
由于交流侧电路在接通断开时出现暂态过程，因此产生过电压。
例如交流开关的开闭，交流侧熔断器熔断等引起的过电压。
对于这类过电压保护，目前普遍的保护方法是并接阻容吸收电路和压敏电阻。
阻容吸收保护应用广泛，性能可靠，但正常运行时电阻上消耗功率，引起电阻发热，且体积较大，对于能量较大的过电压不能完全抑制。
压敏电阻是一种非线性元件，它是以氧化锌为基体的金属氧化物，有两个电极，极间充填有氧化铋等晶粒。
正常电压时晶粒呈高阻，漏电流仅有100uA左右，但过电压时发生的电子雪崩使其呈低阻，电流迅速增大从而吸收了过电压。
一般情况下，其在220V
电路里使用标称470～680V，
AC
电路里使用标称780～1000V的压敏电阻，由于其吸收电能的功率跟其直径有关，直径大在380V
AC
2
于在
,
1.57I
TAV
3
※
晶闸管阻断时，其阴阳极之间相当于存在一个PN结电容，当突加正向阳极电压时会产生充电电容电流，此电流可能导致晶闸管误导通。
因此，对晶闸管施加的最大正向电压上升率必须加以限制。
常用方法是在晶闸管两端并联阻容吸收元件。
※电流上升率（di/dt）
晶闸管开通时，电流是从靠近门极开始导通然后逐渐扩展到整个阴极区直至全部导通，这个过程需要一定的时间。
如果电流上升太快，使电流来不及扩展到整个管芯的有效PN结面，造成门极附近的阴极区局部电流密度过大，发热过于集中，PN结的温度迅速上升形成热点，使其在很短
的时间内超过额定结温导致晶闸管工作失效甚至烧毁，所以必须限定晶闸管通态电流上升率
（di/dt）。
一般是在桥臂中串入电感或铁淦氧磁环。
4、过热保护
电力半导体模块和其它功率器件一样，工作时由于自身功耗而发热。
如果不采取适当措施将这种热量散发出去，就会引起模块管芯PN结温度急剧上升,致使器件特性恶化，直至完全损坏。
晶闸管的功耗主要由导通损耗、开关损耗、门极损耗三部分组成。
在工频或400Hz以下频率的应用中最主要的是导通损耗。
为了确保器件长期可靠地工作，设计时散热器及其冷却方式的选择与电力半导体模块的电流
1
R
th(h ：
－a)
R
th(h
代入即可。
）（这是单个模块用散热器热阻，若散热器上安装几个模块，则用nP
T（AV）
后，选定散热器型号规格，其热阻应比计算出的热阻小，查散热器的热阻曲线即可求出R
th(h－a)
选得合适散热器尺寸。
2、固态继电器配套散热器的选择
一般而言，某一型号的固态继电器或模块要配什么型号的散热器，其实两者之间并没有完全一致的对应关系，因为固态继电器或模块的发热量只跟负载的实际电流有关，而与其本身的电流等级大小并不完全一致。
发热量的计算公式（两种）
1、发热量=实际负载电流(安培)×1.5瓦/安培
以上公式适合于单相固体继电器、单相交流调压模块，而对三相固体继电器、三相交流调压模块，其实际负载电流应为三相负载电流之和。
2、发热量=实际负载电流(安培)×3.0瓦/安培
以上公式适合于单相全控整流模块。
阻器外形图如图1.1所示。
图1.1?常用电阻器外形图
精心整理
2?电阻器的分类及特点
1．薄膜类
在玻璃或陶瓷基体上沉积一层碳膜、金属膜、金属氧化膜等形成电阻薄膜，膜的厚度一般在几微米以下。
（1）金属膜电阻（型号：RJ）。
在陶瓷骨架表面，经真空高温或烧渗工艺蒸发沉积一层金属膜或合金膜。
其特点是：精度高、稳定性好、噪声低、体积小、高频特性好。
且允许工作环境温度范围大（-55～+125℃）、温度系数低（（50～100）×10-6/℃）。
1/2W、
1W、
（2
（3
?），
±20％，2
（1
（2
±0.001
3．合成类
将导电材料与非导电材料按一定比例混合成不同电阻率的材料后制成的电阻。
该电阻的最突出的优点是可靠性高，但电特性能比较差。
常在某些特殊的领域内使用（如航空航天工业、海底电缆等）。
合成类电阻种类比较多，按用途可分为通用型、高阻型和高压型等。
（1）金属玻璃釉电阻(型号：RI)。
以无机材料做粘合剂，用印刷烧结工艺在陶瓷基体上形成电阻膜。
该电阻具有较高的耐热性和耐潮性，常用它制成小型化贴片式电阻。
（2）实芯电阻（型号：RS）。
用有机树脂和碳粉合成电阻率不同的材料后热压而成。
体积与相同功率的金属膜电阻相当，但噪声比金属膜电阻大。
阻值范围为4.7?～22M?，精度等级为±5％、±10％、±20％。
（3）合成膜电阻（RH）。
合成膜电阻可制成高压型和高阻型。
高阻型电阻的阻值范围为10M?～106M?，允许误差为±5％、±10％。
高压型电阻的阻值范围为47??～1000??，耐压分10kV和35kV两挡。
（4
工艺，
4
3?
1
2．文字符号法
传统的电阻器文字符号标注是将电阻器的阻值、精度、功率、材料等用文字符号在电阻体上表示出来。
如阻值单位用?、k?、??表示,精度用等级J（±5％）、K（±10％）、M（±20％），电阻器的材料可通过外表的颜色予以区别等。
随着电子元件的不断小型化，特别是表面安装元器件（SMC和SMD）的制造工艺不断进步，使得电阻器的体积越来越小，其元件表面上标注的文字符号也作出了相应
改革。
一般仅用三位数字标注电阻器的数值，精度等级不再表示出来（一般小于±5％）。
具体规定如下：
（1）元件表面涂以黑颜色表示电阻器。
（2）电阻器的基本标注单位是欧姆（?），其数值大小用三位数字标注。
（3）对于十个基本标注单位以上的电阻器，前两位数字表示数值的有效数字，第三位数字表示数值的倍率。
如100表示其阻值为10×100＝10?；223表示其阻值为22×103
＝22k?。
（4）对于十个基本标注单位以下的元件，第一位、第三位数字表示数值的有效数
3．
I F＝
图
解：。