半导体集成电路工艺课程设计报告
半导体工艺专业实践报告
半导体工艺专业实践报告2021年12月1日至2022年1月30日一、实践背景与目的半导体工艺专业的实践是培养学生在实际工作环境中掌握半导体工艺流程和技术的重要途径。
本次实践旨在让学生深入了解半导体工艺流程，并掌握常见的工艺仪器的使用方法。
通过实际操作，提高学生的实践能力，为将来从事半导体工艺相关工作打下基础。
二、实践内容1. 工艺流程学习在实践开始前，我们对半导体工艺流程进行了学习。
通过查阅相关资料和参观实验室，我们了解到典型的半导体工艺流程包括器件制备、掩膜光刻、薄膜沉积、清洗和检测等步骤。
我们重点学习了掩膜光刻和薄膜沉积这两个关键的工艺步骤。
2. 实验室操作在实验室操作环节，我们分为小组进行实践操作。
首先，我们学习了掩膜光刻这一关键步骤。
通过练习，我们掌握了光刻胶的涂覆、暴露和显影等基本操作。
我们还学习和掌握了光刻机的基本原理和使用方法。
在实际操作中，我们注意了安全操作规范，并保证了实验室的整洁和有序。
接下来，我们进行了薄膜沉积实验。
通过学习，我们了解了不同材料的薄膜沉积方法，在实践中熟练地掌握了化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)的操作步骤。
我们还学习了相应的设备操作和维护知识，确保了实验的顺利进行。
3. 数据分析与报告撰写在实践过程中，我们采集了大量的实验数据，并进行了分析和总结。
我们学会了使用统计软件进行数据处理和图表绘制。
通过对数据的分析，我们能够判断实验结果是否符合预期，并提出改进的方案。
最后，我们撰写了实践报告，详细描述了实践过程、实验结果和数据分析。
三、实践收获通过这段时间的实践，我收获颇多。
首先，我对半导体工艺流程有了更深入的认识，了解了每个步骤的重要性和操作要点。
其次，我掌握了常见的半导体工艺仪器的使用方法，提高了实验操作的技能。
最重要的是，我在实践中培养了沟通合作和解决问题的能力，提高了团队协作意识。
此外，通过数据分析和报告撰写的过程，我提升了数据处理和科学写作的能力。
集成电路课程设计报告书
K=2N/ Mmax (5-2-5out= k fc/2(5-2-6)
式 中，k 为3 2 位的二进制值 ，可写成 ：
K=A31231+ A30230+…A121+A020(5-2-7)
6）体积小：28引脚的SSOP表面封装；
7）温度围较宽：工业级工作温度-40 -80 ；
8）掉电（Power-down）功能；
二． 应用 ：
1）频率/相敏捷正弦波合成；
2）时钟恢复电路和数字锁定通信；
3）数字控制的ADC编码发生器；
4）敏捷本地振荡器应用；
三． 基本描述
ＡＤ９８５０是ＡＤ公司采用先进的ＤＤＳ技术，推出的高集成度DDS频率合成器，它部包括可编程DDS系统、高性能DAC及高速比较器，能实现全数字编程控制的频率合成器和时钟发生器。接上精密时钟源，ＡＤ９８５０可产生一个频谱纯净、频率和相位都可编程控制的模拟正弦波输出。此正弦波可直接用作频率信号源或转换成方波用作时钟输出。ＡＤ９８５０接口控制简单，可以用８位并行口或串行口直接输入频率、相位等控制数据。32位频率控制字，在125ＭＨｚ时钟下，输出频率分辨率达0.029Ｈｚ。先进的ＣＭＯＳ工艺使ＡＤ９８５０不仅性能指标一流，而且功耗少，在3.3Ｖ供电时，功耗仅为155ｍＷ。扩展工业级温度围为－４０～＋８５摄氏度，其封装是２８引脚的SSOP表面封装。AD9851部方框图（如图1）.
引 言
随着“软件无线电”技术和数字技术的飞速发展，用数字控制方法从一个参考频率源产生多种频率的技术——直接数字合成器（Direct Digital Synthesizer。DDS）被广泛应用。具体体现在相对带宽宽、频率转换时间短、频率分辨率高、输出相位连续、可产生宽带正交信号及其他多种调制信号、可编程和全数字化、控制灵活方便等方面，并具有极高的性价比。现已广泛应用于通讯、导航、雷达、遥控遥测、电子对抗以及现代化的仪器仪表工业等领域。美国AD公司推出的高集成度的采用先进的CMOS技术的直接频率合成器AD9850是DDS技术的典型产品之一。AD9850是高稳定度的直接数字频率合成器件，部 数据输入寄存器、可编程DDS系统、高性能数/模转换器（DAC）及高速比较器，能实现全数字编程控制的频率合成器和时钟发生器，如接上精密时钟源，AD9850可产生一个频谱纯净、频率和相位都可编程控制的正弦信号。AD9850中包含高速比较器，正弦波也可直接用作频率信号源，也可通过比较器转换成方波，作为时钟输出。本文主要介绍了高集成度频率合成器 A D9 8 5 0的工作原理、主要特点及其与 MCS51单片机的接口及应用设计。
半导体工艺专业实践报告
半导体工艺专业实践报告一、引言本报告旨在总结半导体工艺专业的实践经验和学习成果。
通过实践，我对半导体工艺的基本概念、流程和关键技术有了更深入的了解。
下面将对实践过程进行详细描述，并总结所获得的经验和教训。
二、实践内容本次实践主要涉及以下几个方面：1. 半导体材料制备与性能测试：通过实验室的设备和实验技术，我们从初始材料中制备、加工和测试半导体材料。
我们学习了常用半导体材料的性质和特点，包括硅和镓等。
通过制备和测试的过程，我们深入了解了材料的制备流程和测试方法，并掌握了一些常用的物理测试技术。
2. 半导体加工工艺：我们学习了半导体加工的基本工艺，包括化学气相沉积、物理气相沉积、湿法蚀刻等。
通过实践，我们不仅学会了操作设备，还了解了材料表面的改性方法和加工参数对产品性能的影响。
3. 半导体器件制备与测试：我们通过实验制备和测试了一些常见的半导体器件，如二极管和晶体管等。
在制备过程中，我们掌握了半导体制程的步骤和要点，并熟悉了相关的设备操作。
在测试过程中，我们参与了器件的电学测试和性能评估，进一步加深了对半导体器件工作原理和性能的理解。
三、实践经验与教训在半导体工艺专业的实践中，我获得了以下经验和教训：1. 熟悉设备操作：半导体工艺实践过程中，熟悉设备的操作是非常重要的。
在实践前，要仔细学习设备的使用说明书，并向老师和同学请教操作技巧。
在实践中，应严格按照操作步骤进行，确保实验的准确性和安全性。
2. 注意实验数据的记录和整理：在实践过程中，及时准确地记录实验数据是非常重要的。
这些数据对于后续实验结果的分析和论证具有重要的参考价值。
同时，合理整理数据能够更好地展示实践成果，并便于与他人交流和共享。
3. 多角度思考与问题解决能力：实践过程中常常会遇到各种问题和挑战。
我们应该具备多角度思考和问题解决的能力。
可以通过与同学、老师和专业书籍交流，积极寻求解决办法。
同时，灵活运用理论知识，结合实际情况进行分析和判断，能够更好地解决实践中的问题。
集成电路设计实验报告
集成电路设计实验报告院别：电信学院专业：电子科学与技术班级：\ 姓名：学号：\ 组序：52实验（一）题目名称：熟悉L-EDIT软件工具成绩：教师签名：批改时间：一、实验目的：学会使用集成电路版图设计L-EDIT软件工具，熟练画电路版图的操作指令和各种快捷命令，并熟悉应用特定工艺库即工艺文件来实现电路。
通过该实验，使学生掌握L-EDIT的设计方法，加深对课程知识的感性认识，增强学生的设计与综合分析能力，为将来成为优秀的后端工程师做准备。
二、实验要求：如将设计好的电路制成实际使用的集成块，就必须利用版图工具将设计的电路采用标准工艺文件转换成可以制造的版图。
然后再将版图提交给集成电路制造厂家（foundry），完成最后的集成块制造，所以画版图的本质就是画电路原理图。
在画版图时，首先要明白工艺文件的含义，每一种工艺文件代表一条工艺线所采用的光刻尺寸，以及前后各个工序等等；其次要懂得所使用的工具步骤及各个菜单及菜单栏的内容，以便熟练使用该软件；最后对所画版图进行验证，确保不发生错误。
此外，还必须了解所使用的版图设计法则，对于不同的工艺尺寸其法则有所不同，这就要求设计者在应用该软件时，必须熟悉相应的设计法则，为完成正确的版图做准备。
该实验原理是画常用的NMOS管，画图时要求熟悉NMOS的工艺过程及设计法则。
三、实验方法：熟悉L-EDIT版图软件工具及工艺库相关内容，熟练该软件工具菜单功能及使用方法。
以PMOS器件为例，在调用相应的工艺文件基础上，画元器件的物理实现版图（如选用几微米的工艺线、设计法则等）,设计完成后运用该软件的设计规则对所画的版图进行DRC验证，并修改不正确的部分，直至设计无错误。
四、实验内容：1.安装L-EDIT仿真软件：先点击Daemon.exe文件，用虚拟光驱将.ISO文件载入，并点击L-EDIT的Setup.exe文件即可。
2.按照Crack方式注册该软件，并运行。
3.以MOSIS提供的morbn20.tdb工艺库为例，从ReadMe中可以了解许多信息：工艺提供制造商、工艺尺寸、设计规则及器件剖面图等。
集成电路工艺项目实训报告
集成电路工艺项目实训报告目录第一章Silvaco TCAD软件 (2)1.1 Silvaco TCAD软件概述 (2)1.2 Athena工艺仿真流程 (2)1.3 ATLAS器件仿真器概述 (2)第二章NMOS管介绍 (3)2.1 NMOS管的基本结构 (3)2.2 NMOS管的工作原理 (3)2.3 NMOS器件仿真器的基本工艺流程 (3)第三章NMOS实训仿真 (4)3.1 器件仿真剖面图及其参数提取 (4)3.1.1 器件剖面图 (4)3.1.2 抽取器件参数提取 (4)3.2 栅极特性曲线输出以及I/V输出曲线 (6)3.2.1 栅极特性曲线 (6)3.2.2 I/V输出曲线 (6)3.3参数变化对器件的影响 (7)3.3.1改变阱浓度所得器件结构及曲线 (7)3.3.2改变快速热退火温度的影响 (8)3.3.3改变调整阈值电压的注入浓度的影响 (8)3.3.4改变源/漏浓度所得的器件结构及曲线 (10)3.4参数对器件影响实验结论 (11)第四章实训总结 (12)附录：........................................................................................................... .. (13)1.剖面图程序............................................................................................................... . (13)2.输出栅极特性曲线.............................................................................................................163.输出曲线组............................................................................................................... . (17)参考文献............................................................................................................... (18)1第一章Silvaco TCAD软件1.1 Silvaco TCAD软件概述用来模拟半导体器件电学性能，进行半导体工艺流程仿真，还可以与其它EDA工具组合起来使用(比如spice)，进行系统级电学模拟。
集成电路课程设计报告
集成电路课程设计报告辐射温度计设计专业班级：电子信息工程技术0501班姓名：王云飞王振华王治果温晓剑文严华学号： (80514050) 46 47 48 49 50 时间： 15 ～ 17 周指导教师：李建华2007年 12 月 20日南大共青学院工程技术系电子信息辐射温度计王云飞王振华王治果温晓剑文严华（南大共青学院，工程技术系，电子信息工程技术）摘要：随着时代的进步和发展，集成电路技术已经普及到我们生活，工作，科研，各个领域，已经成为一种比较成熟的技术,本文将介绍一种基于单片机内部功能基础上的计数器关键词：NJL9102F，传感器1 引言随着人们生活水平的不断提高,集成控制无疑是人们追求的目标之一，它所给人带来的方便也是不可否定的，人们对它的要求越来越高，要为现代人工作、科研、生活、提供更好的更方便的设施就需要从数集成电路技术入手，一切向着数字化控制，智能化控制方向发展。
2 总体设计方案2.1设计方案论证NJL9102F/9103是热电堆与与温度补偿二极管集于同一封装内的传感器，与传统的热电堆相比，电路简单，温度补偿的效果好。
原理图是简单的辐射温度计电路。
电路中，传感器的内阻高，约为500K。
A1采用输入阻抗高的运算放大器，任何FET输入型均可。
由于任何温度传感器都会受温度的影响，使用时要进行温度补偿，这里利用二极管正向电压约2mV／℃的温度系数进行补偿。
RP1用于调节零电平，RP2和R1与R2决定传感器输出电压放大的振幅，传感器与被测物体之间距离及测温范围决定RP1的调节范围。
另外，还需调节R1和R2的分压比，使其与RP1的调节范围一致。
在传感器与被测物体相距10㎜时，二极管的补偿固定为10mV∕℃,在150～200℃范围内调节电路的输出灵敏度约为10mV/℃。
电路（a）中的传感器视角范围较大，为50°～90°，其输出随传感器与被测物体之间距离的改变而变化。
电路（b）是采用有透镜的视角范围约为6°的NJL9103传感器的实用温度计电路，传感器的输出不随距离的改变而变化。
半导体工艺专业实践报告
半导体工艺专业实践报告引言：在半导体工艺专业的实践中，我深入了解了半导体制造和处理的各个环节。
通过实践发现，半导体工艺对于现代技术发展具有至关重要的作用。
本文将结合实际经验，从半导体材料选择、晶圆加工、掺杂和薄膜沉积等方面进行详细阐述。
一、半导体材料选择半导体材料是半导体器件制造的基础。
在实践中，我了解到，根据具体应用需求和性能要求，选择合适的半导体材料至关重要。
硅是最常用的半导体材料之一，其稳定性和可加工性使其成为制造半导体器件的首选。
此外，镓化合物半导体如镓砷化镓、砷化铝等也被广泛应用于高频和光电子器件制造当中。
二、晶圆加工晶圆加工是半导体器件制造的基本过程之一。
通过实践我了解到，晶圆加工主要包括切割、抛光和清洗等步骤。
切割时需要考虑晶圆的尺寸和形状要求，同时也要注意避免晶圆的损坏。
抛光则可以提高晶圆表面的平整度和光洁度，为后续工艺步骤提供良好的基础。
清洗则是为了去除晶圆表面的杂质和污染物，以保证后续工艺的准确性和可靠性。
三、掺杂掺杂是制造半导体器件的重要工艺步骤之一。
在实践中，我了解到通过向半导体材料掺入少量的杂质，可以改变半导体的电子性质。
掺杂方式分为离子注入和热扩散两种。
离子注入是将杂质离子加速后注入半导体晶体中，掺杂剂在物理过程中以离子的形式存在，热扩散则是将杂质掺入到半导体晶体中，通过热处理使杂质在晶体内扩散。
掺杂过程要控制好掺杂剂的浓度和扩散深度，以确保器件性能的稳定和优异。
四、薄膜沉积薄膜沉积是半导体器件制造中的关键工艺。
通过实践我了解到，薄膜沉积可以是物理气相沉积（PVD）或者化学气相沉积（CVD）。
其中，PVD主要包括溅射和蒸发两种方式，可以通过高能粒子碰撞或者升华的方式将材料沉积在晶圆表面。
而CVD则是通过将沉积材料的前体气体带入反应室，经过化学反应生成所需的材料薄膜。
薄膜沉积需要控制沉积速率、均匀性和质量，以满足器件的设计要求。
五、实践总结与展望在实践过程中，我深入了解了半导体工艺的各个环节，并对半导体材料的选择、晶圆加工、掺杂和薄膜沉积等方面有了更深入的认识。
模拟cmos集成电路设计研究生课程实验报告
模拟cmos集成电路设计研究生课程实验报告模拟CMOS集成电路设计研究生课程实验报告1. 引言在现代电子工程领域中，模拟CMOS集成电路设计一直是一个备受关注的研究领域。
本文将对模拟CMOS集成电路设计研究生课程实验进行全面评估，并撰写一份有价值的实验报告。
通过这篇文章，我们将深入探讨模拟CMOS集成电路设计的原理、方法和实践，为读者带来深刻而全面的理解。
2. 实验内容本次课程实验旨在通过实际操作，让学生深入理解模拟CMOS集成电路设计的基本原理和流程。
实验包括了对CMOS集成电路的基本认识、基于SPICE仿真工具的电路模拟设计、以及实际电路的布局与布线等内容。
在实验中，学生需要掌握CMOS集成电路的工作原理、信号传输特性、电路设计的基本流程以及布局与布线的关键技术。
3. 深度评估通过对实验内容的深度评估，我们可以认识到模拟CMOS集成电路设计的复杂性和重要性。
学生需要理解CMOS技术在集成电路设计中的核心地位，以及其在实际电路中的应用。
SPICE仿真工具在电路设计中的作用和优势也是本次实验的重要内容。
电路的布局与布线对于电路性能的影响不可忽视，学生需要深入理解布局布线的原理和方法。
4. 文章撰写在文章的撰写过程中，我们将按照知识的文章格式进行，使用序号标注，并在内容中多次提及模拟CMOS集成电路设计这一主题。
在文章的开头，我们将对模拟CMOS集成电路设计的重要性和实验的背景进行介绍，为读者带来对主题的直观了解。
我们将从CMOS集成电路的基本原理和工作特性入手，逐步展开对实验内容的深入解析。
在文章的结尾，我们将总结实验的收获和体会，共享对模拟CMOS集成电路设计的个人观点和理解。
5. 总结与展望通过本文的撰写和深度评估，我们不仅对模拟CMOS集成电路设计研究生课程实验进行了全面解析，同时也为读者带来了对这一领域的深刻理解和启发。
未来，希望能进一步探讨模拟CMOS集成电路设计的前沿技术和发展趋势，为电子工程领域的学术研究和技术应用提供更多有价值的内容。
半导体工艺专业实践报告
半导体工艺专业实践报告
半导体工艺是微电子技术的核心，同时也是现代科技领域中的一项
关键技术。
作为一名半导体工艺专业的学生，我深知理论知识和实践
操作的重要性。
充分的专业知识是实践操作的基础，娴熟的实践操作
技能则是学习成果的真正体现。
因此，我利用课余时间适时进行实践
操作的学习和练习，以期更好地掌握和了解半导体工艺这一专业技术。
一、培养实践操作技能
我深知实践操作技能的重要性，所以在学习理论知识的同时，积极
寻找实践机会。
参观了几个半导体生产企业，了解了半导体制程，如
晶圆制作、光刻、蚀刻、扩散、离子注入等工程过程。
二、理论与实践的结合
通过对实践操作的体验，我充分地了解了半导体制造过程中所需使
用到的各种设备与仪器，同时也领略到了半导体工艺在现代科学技术
中的应用。
三、产学研结合的实践模式
我了解到，产学研结合的实践模式是我们学习半导体工艺很重要的
途径。
通过实习、实训等方式，走进企业，亲身感受和参与到半导体
制程之中，我们可以更加直观地理解和掌握半导体工艺的专业知识与
技能。
对于半导体工艺专业的研学，我认为最重要的是理论与实践紧密结合，通过实地操作来明确理论概念。
在进行实践操作时，我个人的体验是，实践操作不仅对我半导体专业知识的学习有极大的帮助，同时也对我未来的职业生涯和进一步的研究提供了很好的基础。
总结：
通过一段时间的专业实践，我对半导体工艺有了更深的理解，同时实战操作也有了积极的进步。
我相信通过更多的实践，我一定能更好的掌握半导体工艺，服务于未来的科技发展。
集成电路课程设计报告
课程设计班级：姓名：学号：成绩：电子与信息工程学院电子科学系CMOS二输入与非门的设计一、概要随着微电子技术的快速发展，人们生活水平不断提高，使得科学技术已融入到社会生活中每一个方面。
而对于现代信息产业和信息社会的基础来讲，集成电路是改造和提升传统产业的核心技术。
随着全球信息化、网络化和知识经济浪潮的到来，集成电路产业的地位越来越重要，它已成为事关国民经济、国防建设、人民生活和信息安全的基础性、战略性产业。
集成电路有两种。
一种是模拟集成电路。
另一种是数字集成电路。
本论文讲的是数字集成电路版图设计的基本知识。
然而在数字集成电路中CMOS与非门的制作是非常重要的。
二、CMOS二输入与非门的设计准备工作1.CMOS二输入与非门的基本构成电路使用S-Edit绘制的CMOS与非门电路如图1。
图1 基本的CMOS二输入与非门电路2.计算相关参数所谓与非门的等效反相器设计，实际上就是根据晶体管的串并联关系，再根据等效反相器中的相应晶体管的尺寸，直接获得与非门中各晶体管的尺寸的设计方法。
具体方法是：将与非门中的VT3和VT4的串联结构等效为反相器中的NMOS 晶体管，将并联的VT 1、VT 2等效PMOS 的宽长比(W/L)n 和(W/L)p 以后，考虑到VT3和VT4是串联结构，为保持下降时间不变，VT 3和VT 4的等线电阻必须减小为一半，即他们的宽长比必须为反相器中的NMOS 的宽长比增加一倍，由此得到(W/L)VT3,VT4=2(W/L)N 。
因为考虑到二输入与非门的输入端IN A 和IN B 只要有一个为低电平，与非门输出就为高电平的实际情况，为保证在这种情况下仍能获得所需的上升时间，要求VT 1和VT 2的宽长比与反相其中的PMOS 相同，即(W/L)VT1,VT2=(W/L)P 。
至此，根据得到的等效反向器的晶体管尺寸，就可以直接获得与非门中各晶体管的尺寸。
如下图所示为t PHL 和t PLH ，分别为从高到低和从低到高的传输延时，通过反相器的输入和输出电压波形如图所示。
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彭淑瑾 0700404128
目录
1.传输门简介 2.传输门版图 3.传输门工艺流程 4.BJT和CMOS工艺 5.可调电阻版图
一.传输门的简介
CMOS传输门如图所示是由 一对互补MOS晶体管构成. CMOS传输门是较为理想的 开关,它可以将信号无损失的 传输到输出端. 工作时,NMOS衬底接地, PMOS管的衬底接电源,且 NMOS管的栅压与PMOS管的 栅压极性相反.
四.BJT和CMOS工艺
(2)双阱CMOS工艺
5.形成场隔离区,生长一层薄氧化层,淀积一 层氮化硅,光刻场氧化区,场区离子注入. 6.形成多晶硅栅:生长栅氧化层,沉积, 光刻和刻蚀多晶硅栅.
7.形成N管漏源区.P阱中的NMOS管光刻, 注入磷或砷并扩散,形成N管漏源区.
8.形成P管漏源区.用光刻胶将NMOS管 保护起来,光刻N阱中的PMOS管,注入 硼并扩散形成P管漏源区.
8.93 ×1010 扩散时间 t = = 8.93 ×103 S ≈ 2.48h 1013
多晶硅薄层的方块电阻值Rs=20Ω/□
附1:翻译
L-EDIT操作手册 第5页
建议:本教程的目的是教会你如何使 用L-EDIT.为了节省时间,你不需要了解 每个层的名字和功能的不同.只需要根据 这个教程所述的方法绘制对象. 3. 分别在n型区/p型区上画出源区/漏 区和衬底有源区.基区不能直接连接到 金属层,所以我们需要在连接处生成n 型或者p型掺杂层.注意n型选择区可以 正交穿过多晶硅栅,因为在芯片受到n 型掺杂原子轰击的时候多晶硅栅可以阻 止n型原子淀积在栅下.
L1版,多晶硅版
L2版,金属1反刻版
L3版,有源区版
L4版,N型注入区版
二.传输门版图
L5版,P型注入区版
L6版,多晶硅接触孔版
L7版,金属2反刻版
L8版,扩磷版
二.传输门版图
L9版,金属接触孔版
L10版,有源区接触孔版
二.传输门版图
总版图图形 X轴长度32m,Y轴长度56m, 图形有效面积为1792m L1,L3,L4,L5,L6,L7,L8,L9,L10版, 有色区域为光刻版的不透光区. L2,L7版,为金属反刻版 图形有色区域为光刻版的透光区.
四.BJT和CMOS工艺
四.BJT和CMOS工艺
(1)双极型晶体管工艺流程
1.衬底选择.选用P型Si衬底. 2.第一次光刻(N+掩埋层扩散孔光刻)
3.外延层淀积去除氧化层,在衬底上外延 生长出N型硅
4.第二次光刻(P+隔离扩散孔光刻),在硅衬底 上形成许多孤立的外延岛区,以实现各元件间 的电隔离.隔离扩散后的芯片剖面图.
五.可调电阻版图
L1版,多晶硅版
L2版,金属反刻版
L3版,金属反刻版
五.可调电阻版图
L4版,接触孔版
L5版,接触孔版
五.可调电阻版图
工艺参数值: 工艺参数值: 衬底类型为N型 硅片电阻率取 ρ =70 /cm 扩散深度Xj= 2um 扩散温度T=1300℃ 衬底掺杂浓度 CB = 5 × 1013 cm 3
四.BJT和CMOS工艺
(2)双阱CMOS工艺
10.形成金属层 淀积金属层,光刻定义出连线图形.
9.形成接触孔 硅片表面淀多晶硅版 L2版,金属反刻版 L3版,金属反刻版 L4版,接触孔版 L5版,接触孔版
用L2版时,R=333.6Ω 用L3版时,R =657.2Ω
四.BJT和CMOS工艺
(1)双极型晶体管工艺流程
5.第三次光刻(P型基区扩散孔光刻),通过光 刻和离子注入,形成P基区和P型扩散电阻. 6.第四次光刻(N+发生区扩散孔光刻) 第四次光刻是为了在基区中制造N+掺杂的发射区 留下开孔,同时还包括N型电阻的接触孔和外延层 的反偏孔.
7.第五次光刻(引线接触孔光刻) 目的是为了给电极和电阻引线留下 位置. 8.第六次光刻(金属化内连线光刻)
四.BJT和CMOS工艺
(2)双阱CMOS工艺
1.衬底准备,衬底氧化后形成二氧化硅 层,在SiO2层上再生长氮化硅层. 2.通过光刻定义出P阱区域,刻蚀P阱区 Si3N4层,P层离子注入形成P阱.
3.在P阱区扩散并生长厚SiO2层,其他区 域被Si3N4层保护而不会被氧化
4.形成N阱:去掉光刻胶及Si3N4层, N阱区进行离子注入形成N阱.
附2:BJT参数测量
8050管输出特性曲线
附2:BJT参数测量
8550管输出特性曲线
参考文献
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谢 谢 指 导
《半导体器件》课程设计报告 彭淑瑾 0700404128
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CMOS( CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor), ),互补金属氧化物半导 Semiconductor), 体,电压控制的一种放大器件.是组成 CMOS数字集成电路的基本单元. CMOS 以CMOS CMOS为单元的CMOS CMOS集成电路具有功 CMOS CMOS 耗低,抗干扰能力强和速度快的优点, 在一般逻辑电路,大规模存储器以及未 处理器等领域都得到了广泛的应用.
一.传输门的简介
1.传输高电平分为3个阶段: ⑴ Vout≤-VTP NMOS和PMOS都饱和 ⑵- VTP<Vout <VDD-VTN NMOS饱和, PMOS线性 ⑶ Vout ≥VDD-VTN NMOS截止, PMOS线性 2.传输低电平分为3个阶段: ⑴ Vout≥-VTP NMOS和PMOS都饱和 ⑵ VDD- VTN>Vout>-VTP NMOS饱和, PMOS线性 ⑶ Vout ≤-VTN NMOS线性, PMOS截止
直流电压传输特性
二.传输门版图
L1版,多晶硅版 L2版,金属1反刻版 L3版,有源区版 L4版,N型注入区版 L5版,P型注入区版 L6版,多晶硅接触孔版 L7版,金属2反刻版 L8版,扩磷版 L9版,金属接触孔版 L10版,有源区接触孔版
二.传输门版图
具体分版图如下图所示:
四.BJT和CMOS工艺
双极性晶体管有四种工作状态:
1.发射结正偏,集电结反偏时, 为放大工作状态; 2.发射结正偏,集电结正偏时, 为饱和工作状态; 3.发射结反偏,集电结反偏时, 为截止工作状态; 4.发射结反偏,集电结正偏时, 为反向工作状态;
四.BJT和CMOS工艺
(2)CMOS简介
三.传输门工艺流程
三.传输门工艺流程
三.传输门工艺流程
三.传输门工艺流程
三.传输门工艺流程
三.传输门工艺流程
三.传输门工艺流程
三.传输门工艺流程
三.传输门工艺流程
三.传输门工艺流程
三.传输门工艺流程
四.BJT和CMOS工艺
(1)双极性晶体管简介
在半导体的晶体中形成两 个靠的很近的PN结即可构成 双极性晶体管. 这两个晶体管将半导体分 成三个部分,他们的排列顺 序是N-P-N或者P-N-P.