王自成电子器件论文
石墨烯太赫兹波动态调制的研究进展
（ １ ． Ｋ ｅ ｙＬ ａ ｂ ｏ ｒ ａ ｔ ｏ ｒ ｙｏ ｆ Ｏ ｐ ｔ ｏ ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｎ ｉ ｃ ｓ Ｉ ｎ ｆ ｏ ｒ ｍ ａ ｔ ｉ ｏ ｎａ ｎ ｄＴ ｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌ ｏ ｇ ｙ ， Ｍ ｉ ｎ ｉ ｓ ｔ ｒ ｙｏ ｆ Ｅ ｄ ｕ ｃ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ， Ｓ ｃ ｈ ｏ ｏ ｌ ｏ ｆ ， Ｔ ｉ ａ ｎ ｊ ｉ ｎＵ ｎ ｉ ｖ ｅ ｒ ｓ ｉ ｔ ｙ ， Ｔ ｉ ａ ｎ ｊ ｉ ｎ３ ０ ０ ０ ７ ２ ， Ｃ ｈ ｉ ｎ ａ ； Ｐ ｒ ｅ ｃ ｉ ｓ ｉ ｏ ｎＩ ｎ ｓ ｔ ｒ ｕ ｍ ｅ ｎ ｔ ａ ｎ ｄＯ ｐ ｔ ｏ ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｎ ｉ ｃ ｓ Ｅ ｎ ｇ ｉ ｎ ｅ ｅ ｒ ｉ ｎ ｇ ２ ． Ｃ ｅ ｎ ｔ ｅ ｒ ｆ ｏ ｒ Ｔ ｅ ｒ ａ ｈ ｅ ｒ ｔ ｚ Ｗ ａ ｖ ｅ ｓ ， Ｔ ｉ ａ ｎ ｊ ｉ ｎＵ ｎ ｉ ｖ ｅ ｒ ｓ ｉ ｔ ｙ ， Ｔ ｉ ａ ｎ ｊ ｉ ｎ３ ０ ０ ０ ７ ２ ， Ｃ ｈ ｉ ｎ ａ ） ｏ ｒ ｒ ｅ ｓ ｐ ｏ ｎ ｄ ｉ ｎ ｇａ ｕ ｔ ｈ ｏ ｒ ，Ｅ ｍ ａ ｉ ｌ ： ｔ ｉ ａ ｎ ｚ ｈ ｅ ｎ ＠ｔ ｊ ｕ ． ｅ ｄ ｕ ． ｃ ｎ Ｃ Ａ ｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｃ ｔ ：Ｇ ｒ ａ ｐ ｈ ｅ ｎ ｅ ｉ ｓ ａ ｔ ｗ ｏ ｄ ｉ ｍ ｅ ｎ ｓ ｉ ｏ ｎ ａ ｌ ｍ ａ ｔ ｅ ｒ ｉ ａ ｌ ａ ｎ ｄｈ ａ ｓ ｕ ｎ ｉ ｑ ｕ ｅ ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｉ ｃ ａ ｌ ａ ｎ ｄｏ ｐ ｔ ｉ ｃ ａ ｌ ｐ ｒ ｏ ｐ ｅ ｒ ｔ ｉ ｅ ｓ ，ｗ ｈ ｉ ｃ ｈｈ ａ ｓ ｂ ｅ ｅ ｎｗ ｉ ｄ ｅ ｌ ｙｕ ｓ ｅ ｄｉ ｎｔ ｈ ｅｒ ｅ ｓ ｅ ａ ｒ ｃ ｈｏ ｆ ｔ ｅ ｒ ａ ｈ ｅ ｒ ｔ ｚ ｗ ａ ｖ ｅｄ ｙ ｎ ａ ｍ ｉ ｃｍ ｏ ｄ ｕ ｌ ａ ｔ ｉ ｏ ｎｉ ｎｒ ｅ ｃ ｅ ｎ ｔ ｙ ｅ ａ ｒ ｓ ．Ｉ ｎｔ ｈ ｉ ｓ ｐ ａ ｐ ｅ ｒ ，ｗ ｅｒ ｅ ｖ ｉ ｅ ｗ ｓ ｔ ｈ ｅｔ ｅ ｒ ａ ｈ ｅ ｒ ｔ ｚ ｗ ａ ｖ ｅｄ ｙ ｎ ａ ｍ ｉ ｃｍ ｏ ｄ ｕ ｌ ａ ｔ ｉ ｏ ｎｄ ｅ ｖ ｉ ｃ ｅｂ ａ ｓ ｅ ｄｏ ｎｇ ｒ ａ ｐ ｈ ｅ ｎ ｅ ，ａ ｎ ａ ｌ ｙ ｚ ｅｔ ｈ ｅｐ ｒ ｉ ｎ ｃ ｉ ｐ ｌ ｅａ ｎ ｄａ ｄ ｖ ａ ｎ ｔ ａ ｇ ｅ ｓ ａ ｎ ｄｄ ｉ ｓ ａ ｄ ｖ ａ ｎ ｔ ａ ｇ ｅ ｓ ｏ ｆ ｔ ｈ ｒ ｅ ｅｋ ｉ ｎ ｄｏ ｆ ｍ ｏ ｄ ｕ ｌ ａ ｔ ｉ ｏ ｎｍ ｅ ｔ ｈ ｏ ｄ ｓ ｓ ｕ ｃ ｈａ ｓ ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｉ ｃ ａ ｌ ｍ ｏ ｄ ｕ ｌ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ，ｏ ｐ ｔ ｉ ｃ ａ ｌ ｍ ｏ ｄ ｕ ｌ ａ ｔ ｉ ｏ ｎａ ｎ ｄ ｐ ｈ ｏ ｔ ｏ ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｉ ｃ ｈ ｙ ｂ ｒ ｉ ｄｍ ｏ ｄ ｕ ｌ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ． Ｗｅ ｉ ｎ ｔ ｒ ｏ ｄ ｕ ｃ ｅ ａ ｓ ｅ ｒ ｉ ｅ ｓ ｏ ｆ ｒ ｅ ｓ ｅ ａ ｒ ｃ ｈａ ｃ ｈ ｉ ｅ ｖ ｅ ｍ ｅ ｎ ｔ ｓ ｏ ｎｔ ｈ ｅ ａ ｐ ｐ ｌ ｉ ｃ ａ ｔ ｉ ｏ ｎｏ ｆ ｇ ｒ ａ ｐ ｈ ｅ ｎ ｅ ，ｃ ｏ ｍ ｐ ａ ｒ ｅａ ｎ ｄａ ｎ ａ ｌ ｙ ｚ ｅｔ ｈ ｅａ ｄ ｖ ａ ｎ ｔ ａ ｇ ｅ ｓａ ｎ ｄｄ ｉ ｓ ａ ｄ ｖ ａ ｎ ｔ ａ ｇ ｅ ｓｏ ｆ ｉ ｎＴ Ｈ ｚ ｗ ａ ｖ ｅｄ ｙ ｎ ａ ｍ ｉ ｃｍ ｏ ｄ ｕ ｌ ａ ｔ ｉ ｏ ｎｉ ｎｒ ｅ ｃ ｅ ｎ ｔ ｙ ｅ ａ ｒ ｓ ｔ ｈ ｅｍ ｏ ｄ ｕ ｌ ａ ｔ ｉ ｏ ｎｐ ｅ ｒ ｆ ｏ ｒ ｍ ａ ｎ ｃ ｅ ｏ ｆ ｄ ｉ ｆ ｆ ｅ ｒ ｅ ｎ ｔ ｄ ｅ ｖ ｉ ｃ ｅ ｓ ．Ｇ ｒ ａ ｐ ｈ ｅ ｎ ｅ ｔ ｕ ｎ ａ ｂ ｌ ｅ ｍ ｅ ｔ ａ ｍ ａ ｔ ｅ ｒ ｉ ａ ｌ ｐ ｒ ｏ ｖ ｉ ｄ ｅ ｓ ａ ｎ ｅ ｗｗ ａ ｙ ｔ ｏ ａ ｃ ｈ ｉ ｅ ｖ ｅ ｍ ｏ ｒ ｅｒ ａ ｐ ｉ ｄａ ｎ ｄｅ ｆ ｆ ｉ ｃ ｉ ｅ ｎ ｔ ｔ ｅ ｒ ａ ｈ ｅ ｒ ｔ ｚ ｍ ｏ ｄ ｕ ｌ ａ ｔ ｏ ｒ ． Ｋ ｅ ｙｗ ｏ ｒ ｄ ｓ ：ｔ ｅ ｒ ａ ｈ ｅ ｒ ｔ ｚ ； ｇ ｒ ａ ｐ ｈ ｅ ｎ ｅ ； ｍ ｏ ｄ ｕ ｌ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ
导电陶瓷
固相烧结法是一种制备陶瓷材料的传统方法，将陶瓷原料粉末混 合均匀后压制成形，在高温下无压（或有压）烧结，随炉冷却后便得 到所需的陶瓷材料。
王春华等人[6]采用常压法获得致密的碳化硅烧结体，体积密度为 3.12g/cm3， 电阻率为0.165Ω·m；该陶瓷在300～600℃温度范围内 表现出明显的负电阻率温度系数。为提高导电陶瓷的导电能力，常对 陶瓷进行掺杂。刘汉忠研究了Ce 掺杂La0.5-xCexBa0.5CoO3陶瓷时， 发现该陶瓷材料是一种电子、空穴和氧离子混合导电的陶瓷材料； La0.5-xCexBa0.5CoO3的x 在0.1～0.5 变化时，电阻率ρ随Ce的掺杂 量增加而单调上升。图2 给出了烧结温度为1080℃和1100℃时，样品 的室温电阻率ρ（mΩ/cm）与Ce的加入量x的关系。
吴敏艳等人[2]采用溶胶- 凝胶法制备了粒径为30～60nm 的超细 粉，采用速控烧结制度在较短的烧结时间里获得相对密度为98%、平 均晶粒度小于1μm 的致密陶瓷。王歆等人[3]用溶胶-凝胶法，在Al2O3 衬底上制备了导电性能优良的BaPbO3(BPO)导电薄膜。研究发现，升 高热处理温度和增加热处理次数使薄膜中Pb/Ba摩尔比降低和膜厚减
2.3 化学气相扩渗法
为改善陶瓷的导电性能，通常在制备前躯体时掺入其它元素，如 郝素娥等人[8]采用气相化学热扩渗的方法，使稀土元素有效地渗入到 钛酸铅陶瓷中，在陶瓷结构中形成了均匀、细小、弥散的形貌结构特 征；稀土扩渗使钛酸铅基陶瓷的导电性显著增强，其室温电阻率下降 为0.2Ω·m。
2.4 微波烧结法
3 SnO2 基导电陶瓷靶材的制备及应用性能表征 3.1 Sb∶SnO2(ATO)陶瓷靶材的制备
选用纯度为 99.99％氧化锡粉体（国药集团化学试剂有限公司 99.99％氧化锑粉体（国药集团化学试剂有限公司）为原料，采用Sb2O5 的掺杂量为6%(wt) 进行配样，选用无水乙醇作粘结剂，将得到的 SnO2混合粉末在无水乙醇充分球磨6小时（球磨机型号：XQM 型变频 行星式球磨机），接着在干燥箱80℃下烘干，保持一定的湿度，具有 好的流动性，然后采用型号为769YP-40C 粉末压片机进行成型，压成 φ56mm×6.5mm 的坯体，所得坯体再次采用冷等静压法压成靶材素 坯。最后采用常压、空气烧结方式，德国NaberTherm 公司的HTRV 系 列高温炉烧结。采用的是图5烧结方案进行烧结。此方案在200℃保温 30min，600℃保温60min，1000℃保温60min，然后升温到最终烧结温 度的1250℃保温300min，然后随炉冷却。采用此烧结程序符合物质的 烧结规律，在进入烧结初期时，在200℃保温半个小时，物料自由水 分更有利于挥发；在600℃保温一个小时，各种杂质例如有机物已经 完全挥发，更能让物质进入烧结期做充分准备；在进入烧结中期时， 在1000℃时进行保温一个小时，物质有完全充分的时间进入烧结中 期，缓慢进入烧结终点温度，最后在烧结终点温度1250℃时保温五个 小时，物质充分反应，这种烧结曲线更加符合物质的烧结模型，与文 献的报道是相似的。
双脉冲电子束源实验研究
第16卷 第7期强激光与粒子束Vol.16,No.7 2004年7月HIGH POWER LASER AND PARTIC LE BE AMS Jul.,2004 文章编号: 100124322(2004)0720943204双脉冲电子束源实验研究Ξ夏连胜, 章林文, 黄子平, 高 峰, 石金水, 邓建军(中国工程物理研究院流体物理研究所,四川绵阳621900) 摘 要: 利用现有2MeV直线感应注入器,通过改造,将其次级功率源和8个感应腔分成2组,使之交替工作,建立了一台双脉冲电子束源。
二极管电压脉冲幅度达到1MeV,电子束脉冲持续时间为120ns,脉冲间隔可以根据需要在100～500ns间进行调节。
实验结果表明:该双脉冲电子束源可以产生双脉冲电子束,其电压幅度差值小于2%,束流可达3kA,并且工作稳定,利用该装置可以进行多脉冲二极管物理和天鹅绒多脉冲发射特性实验研究。
关键词: 双脉冲电子束源; 真空二极管; 天鹅绒阴极 中图分类号: T L503.3 文献标识码: A 高功率电子束源在20世纪中后期得到了较大的发展,并成功地建立了多台高功率电子束发生装置[1,2]。
这些装置在高功率微波、高功率激光和闪光X光照相等领域得到了广泛的应用。
随着技术进步和应用需求的发展,目前多脉冲高功率电子束源得到越来越多的关注。
美国最早建立的PHERMEX装置获得了双脉冲强流电子束[3]。
DARHT2Ⅱ装置采用的是长脉冲电子束源,加速后的高能电子束经过踢束(kicker)后可获得4个短脉冲电子束团,用以进行时间分辨闪光照相的研究[4]。
先进闪光照相计划提出在数μs时间内产生10个左右、持续约100ns的短脉冲高能电子束团,以期实现时间和空间分辨闪光照相[5]。
MH z级重复频率强流电子束源是一个重要的研究方向。
本文介绍一台建立在电子能量为2MeV直线感应加速器注入器基础上的高重复频率双脉冲电子束源,以及在该装置上得到的初步实验结果。
高质量单晶薄膜的外延生长和自旋电子器件应用
高质量单晶薄膜的外延生长和自旋电子器件应用摘要：庞磁阻锰氧化物材料,作为一类著名的复杂氧化物体系,由于晶格、自旋、电荷以及轨道等参量之间的强关联效应，普遍存在着多种相互竞争的，能量非常接近的电子态，使得其拥有非常丰富的物理相图以及不同电子态在空间共存的现象。
这就是我们所熟知的电子相分离。
这些特性使得锰氧化物的物性对于外场有着及其灵敏的响应。
随着科学技术的不断发展，近年来，由强关联氧化物中电子相的调控产生的大量新奇的物理现象，是凝聚态物理中的热门且核心的研究内容。
在锰氧化物中，应变工程控制的相分离能使材料的性质发生巨大变化，这也促使人们追求可逆操控的相转变。
电学方法操控材料的晶格、电荷、自旋已经分别通过压电效应、场效应晶体管和电控磁实现，无论在基础的理论研究还是工业生产中都产生了引人注目的推动作用。
本工作利用电场可逆地操纵了La0.7Sr0.3MnO3的相转变。
这一工作不仅增进了我们对于复杂氧化物体系中强关联作用的认识，同时尝试了通过离子液体门电压对LSMO薄膜的死层进行调控，实现了电场降低LSMO 死层厚度，为自旋电子学等的实际应用更迈进了一步。
关键词：LSMO，激光分子外延生长，离子液体调控，死层第一章绪论1.1 过渡金属氧化物材料的特性和应用相较于传统半导体材料，过渡金属氧化物的晶体结构、相图和离子价态都要更加复杂。
此外，它还具有轨道、电荷、晶格和自旋等多种自由度，这些自由度之间都存在着极强的相互作用，而这种相关性是过渡金属氧化物体系的一个突出特点，如图1.1。
这种相关性使得过渡金属氧化物具有众多的电子相，如铁磁性、超导性以及电荷有序态和自旋有序态。
由于制备过渡金属氧化物薄膜技术和人工异质结制造技术的提高，我们可以通过电场来调控铜、锰这类过渡金属元素的氧化物的磁性、超导性以及金属-绝缘体转变。
这让我们可以设计并制造新奇的电子器件，例如，由金属-绝缘体相的转变，可以发展各式各样的存储和逻辑器件；此外，过渡金属氧化物中的磁性相让我们可以通过调节电场来调控器件的磁性。
石墨烯基太赫兹超表面偏振转换及波前调控器件研究-学位论文终稿
Supervisor：
Prof. Cheng Yongzhi
Wuhan University of Science and Technology Wuhan, Hubei 430081, P.R.China May, 2020
武汉科技大学 研究生学位论文创新性声明
本人郑重声明：所呈交的学位论文是本人在导师指导下，独立进 行研究所取得的成果。除了文中已经注明引用的内容或属合作研究共 同完成的工作外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写 过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文 中以明确方式标明。
高效溶液法制备延迟荧光电致发光器件研究
高效溶液法制备延迟荧光电致发光器件研究谢莉莎;王会;孟令强;陈必强;王鹰【摘要】本文以2-[对-N,N-二苯基氨基-苯基]-S-二氧硫杂蒽酮(TXO-TPA)为发光材料,4,4 ',4”-三(9-咔唑基)三苯胺(TCTA)为主体材料,通过溶液法与真空蒸镀相结合的工艺,制备了高效延迟荧光型电致发光器件.为了考察不同电子传输材料对器件性能的影响,分别选取TmPyPB、TPBI、BCP、Alq3作为电子传输层制备器件,并对器件的性能进行系统的研究.结果表明:由于1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)具有合适的HOMO/LUMO能级、高的电子迁移率以及高的三重态能级,利于电子的传输和激子的阻挡,以其为电子传输层的器件显示出最佳的性能,器件的开启电压低至3.6V,电流效率达到16.2 cd/A,最大的EQE达到5.97％.【期刊名称】《影像科学与光化学》【年(卷),期】2015(033)004【总页数】8页(P292-299)【关键词】溶液法;延迟荧光器件;电子传输层;有机发光二极管【作者】谢莉莎;王会;孟令强;陈必强;王鹰【作者单位】北京化工大学生命科学与技术学院,北京100029;中国科学院理化技术研究所光化学转换功能材料重点实验室,北京100190;中国科学院理化技术研究所光化学转换功能材料重点实验室,北京100190;中国科学院理化技术研究所光化学转换功能材料重点实验室,北京100190;北京化工大学生命科学与技术学院,北京100029;中国科学院理化技术研究所光化学转换功能材料重点实验室,北京100190【正文语种】中文自1987年Tang［1］报道了有机电致发光二极管（Organic Light－Emitting Device，OLED）以来，OLED以其柔性、超薄、自主发光、视角宽、能耗低以及可大面积加工等优点，作为新型的显示照明技术而受到广泛关注。
在早期的荧光发光器件中［2］，由于受电子自旋统计规律的限制，理论上仅有25%的单重态激子可以以辐射跃迁的形式而发光，而其中75%的三重态激子则由于T1→S0的自旋禁阻而无法得到利用，导致荧光OLED器件的内量子效率（Internal Quantum Efficiency，IQE）最高仅为25%。
自聚焦PVDF超声换能器制作与研究
自聚焦PVDF超声换能器制作与研究针对目前常用的压电陶瓷换能器加工难度大、制作周期长、成本高等问题，文章设计制作了一种基于PVDF压电薄膜的自聚焦超声换能器，充分利用PVDF 薄膜成本低、易加工、耐腐蚀等优点。
文章进行的声场测试表明，制得的自聚焦PVDF超声换能器尺寸达到了7mm，中心频率为5MHz，纵向分辨率为0.38mm，横向分辨率为1mm，和模拟值相符。
相比于常用的压电陶瓷换能器，文章极大程度上降低了制作成本，并有改造成内窥用超声换能器的潜力。
标签：光声成像；超声换能器；PVDF；自聚焦1 概述光声成像技术是一种新型的无损成像技术，结合了普通光学成像和超声成像的优点，具有穿透深度大、成像分辨率高、安全无损等众多优点，在血管生物学[1]、肿瘤学[2]等方面已经得到了广泛的应用。
光声成像技术的主要原理是目标物体接受短脉冲激光照射迅速吸收激光照射产生的能量，之后产生热能而振动对外发出超声信号，光声成像的结果实际反映的是目标物体各位置的光吸收系数，光声成像技术所产生的超声信号可以用超声换能器来接收。
压电原理是超声换能器设计制作中常用的原理，压电原理指的对某种材料施加电场会引起材料本身的形变，而材料本身如果发生形变又会使材料产生电场，这种材料就叫做压电材料。
PVDF压电薄膜是压电换能器制作中常用的压电材料，已经被广泛应用在生物医学检测中，虽然PVDF压电薄膜的中心频率通常不如另外一种常用的压电材料-压电陶瓷，但PVDF压电薄膜的加工难度与加工成本远低于压电陶瓷，其本身易弯曲的特性也使它能适用于多种形状的压电换能器，而且其本身的声阻抗值和人体组织更加匹配，所以本文选择适用PVDF压电薄膜来作为压电材料。
聚焦超声换能器又是超声换能器的一大重要分支，实现聚焦的方式主要有主动式聚焦、被动式聚焦和相控阵聚焦。
主动式聚焦是指通过改变换能器本身形状来实现聚焦，一般是将换能器的压电单元制成球面或柱面；被动式聚焦主要实现方式是使用一些辅助手段聚集超声能量来实现聚焦，目前国内外的主要手段是在换能器前部添加一个声透镜；相控阵聚焦是指通过电子控制排列超声换能器阵列来实现聚焦，它可以调节换能器的焦距、焦斑大小等。
THz滤波器件研究
鲍景富
评阅人
注 1：注明《国际十进分类法 UDC》的类号。REΒιβλιοθήκη EACH ON THZ FILTERS
A Master Thesis Submitted to University of Electronic Science and Technology of China
Major: Author: Advisor:
第二章 双通带滤波器基础理论 .................................................................................... 9 2.1 微波滤波器理论 ............................................................................................... 9 2.1.1 滤波器的归一化低通原型 ..................................................................... 9 2.1.2 Chebyshev 响应......................................................................................11 2.1.3 滤波器的频率变换 .............................................................................. 12 2.1.4 耦合谐振腔带通滤波器 ....................................................................... 14 2.2 滤波器的微波电路实现 ................................................................................. 16 2.2.1 K 变换器 ............................................................................................... 17 2.2.2 并联电感耦合波导滤波器 .................................................................. 17 2.3 双通带滤波器的实现 ..................................................................................... 18 2.4 本章小结 ......................................................................................................... 19
磁控溅射薄膜的过渡层与高速钢及镁基体结合强度的研究
磁控溅射薄膜的过渡层与高速钢及镁基体结合强度的研究摘要论文题目:磁控溅射薄膜的过渡层与高速钢及镁基体结合强度的研究学科专业:材料学研究生:王新征签名:圣当丝指导教师:梁戈副教授签名: 涩壅摘要本文以高速钢与镁合金与磁控溅射薄膜过渡层的结合强度为研究重点，利用,,,，表面轮廓仪，划痕仪等方法研究了离子清洗工艺参数对高速钢及镁合金基体的影响，评价了不同离子清洗工艺后沉积过渡,,层的结合强度;利用,,,，,,,等手段观察分析了过渡层与基材的结合界面，最后从晶体学及力学性能角度出发，探讨了影响镁合金基体上镀层结合强度的关键影响因素。
结果表明:离子清洗对高速钢基体结合强度影响不明显，但对镁合金基体影响显著。
离子清洗中，过高的清洗电压对基材表面结构破坏程度加剧;电压过低，基材表面污染及氧化物清洗不够完全。
均不利于结合强度的提高。
长时间的离子清洗，溅射靶材粒子开始沉积于基材表面，对基体的形貌改变并没有太大影响，长时间离子清洗并无必要。
所设计的离子清洗工艺中，,,,的最佳清洗工艺为,,,, ,，,, ,,,,，镁合金为(,,, ,，,, ,,,。
,,,对过渡层与基体界面的观察结果说明:,,,，,,,,镁合金与过渡,,层的结合机制是以离子注入方式形成的梯度，混合界面层产生的物理结合力为主，同时离子清洗增加了镀层与基材之间的机械咬合力，机械结合也对结合强度做出了贡献。
分别选用,,，灿过渡层探讨了,,基材沉积镀层时过渡层材料的选择原则。
与,,具有相同晶格类型，晶格常数的,,过渡层的结合强度与沉积,,过渡层的结合强度相当，而选用与,,具有相近硬度的舢过渡层，可获得与高速钢(;,过渡层相当的结合强度。
镁基材上沉积镀层时，过渡层材料的弹性模量与其结合强度并无太大联系。
过渡层材料与镁合金基材的硬度匹配是在镁合金基体上获得高结合强度镀层的关键。
关键词:高速钢;镁合金;结合强度;结合机制;过渡层 ,,,,,,;, ,———————————————————,———————————,—,?,—,———————,,,,————,——————,———————一,,,,,:,,,,, ,, ,,,,,，,, ,, ，,,,,,,,,, ，, ,,,,,,,,,,,,,〔,,,, ,,,,，,,, ,, ,，,,(,,,,, ,,,,, ,,, ,,,,,,，,,,,,,,,,,,,,,,,,,:,,, ,,,,,, ,;,,,;, ,啪,,,,,:丝班匆 ,啪,,,,,,毕,,,,:,,,, ,,,,,,,,,,,,,,,,,,;,,,,;,,,, ,,,,(,,,,, ,, ,,,,,,;, ,,, ,,,, , ,,, ,,,, , ,,,,,, ,,,,,,,, ,,, ,,,,,,,, ,, ,,,,,,,,,, ,, ,,,,,,,,,, ,, ,,,(,,,),,, ,,,,,,,,, ,,,,,,,,,,(，,,,,,,;,, ,, ,,, ;,,,, ,, ,,,,,;, ,, ,,, ,,, ,,, ,,,,,,,,,,,,,,,,,,, ,,,, ,,,,,,,,,,,, ,, ,,,，,,,,,,, ,,,,, ,,, ,;,,,;, ,,,,(,,,,,,,, ,, ,, ,,,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,, ,,,,, ,,,,,, ,,, ;,,,, ,,,;,,,,, ,,, ,,,,,,,,,(,,, ,,,,,,,;, ,,,,,,, ,,,,,,,,,,,,, ,,,,, ,,,, ,,,, ,,,,,,,, ,,, ,,,,,,,, ,, ,,, ,,, ,,,(,,,, ,,, ,,, ,, ,,,,,,, ,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,, ,, ,,,,,,,,, ,,,,,,,,, ,,,, ,,,;,,,,, ,,,, ,,, ,,,;,,,,, ,, ;,,,,,,,,,,,,,,,,,;, ,,, ,,;,,,,; ,,,;,( ,,, ,,,,,,, ,,,,;, ,,, ,,,,:,,, ;,,,, ,,,, ,,, ,,,,;, ,,, ,,,,,,,, ,, ,,,,,,,,,, ,, ,,, ,,, ,;, ,, ,,, ,,,,,,,, ,, ,,,,,,,,,(,, ,,,,,,,, ,,,,,,, ,, ,,, ;,,,, ,,,,,, , ,,,,,, ,,,,,,,,, ,,,,,,,,, ,,,,,;,;,,,,,,, , ,,,,, ,,,,,,, ,,,,,, ,, ,,;,,,,,,, ;,,,,,, ,,,,,;,(,,,, ,,,,,, ,,, ,,,,,,, ,,, ,,,,,,,,,,, ,, ,, ,,,,,,(,,,,, ,, ,,,,,?, ,, ,,,,, ;,,,,,, ,,,,,,,,,,,,, ,, ,,,,,,,,,,，，,?, ,,,,,,, , ,,,, ,,,, ,,, ,,,,，,,,;,,,,,, ,,;,,,, ,,, ,,,,,,,,,,,,,,;,,, ,,,, ,,,,,,, ,,,,, ,, ,,,,,,, ,,, ,,,,, ,,,,(，, ,,, ,,,,,,,,,,, ;,,,,,, ,,, ,, ,,,, ,,,,,，,,, ,,,,,,,(,,, ,,,, ,,,;,,, ,,, ,,, ,,，,, ,,,，,,, ,,, ,,,,,,,,,,,,, , ,, ,,,, ,,,( ,,, ,,, ,,,,,, ,,, ,,,,,,,;, ,,,,,,, ,,,,,,,,,, ,,, ,,,,,,,,, ,,,,;,,, ,,,, ,,, ,,,,,,,,,,;,,,,,, ,,, ,, ,,,,,,,,,, ,, ,,,，,,, , ,,, ,,,,,, ,, ,,,,,, ,,,,,;,, ,,,,, ,,,;, ;,,,,, ,, ,,, ,,,,,,,,，,,,,,, ,,, ,,,,;, ,, ,,, ,,,,,,,,,,,,，,,;,,,,;,, ,,,,, ;,,,,, ,, ,,;,,;,,,,; ,,,,, ,,,,,,,,, ,,,,,;, ,,,,, ,,, ;,,,, ,,,, ,,, ;,,,,,,,,,,, ,, ,,,,,,,,(,,，,, ,,,,,,,,,,, ,,,, ?,,,, ,, ,,,,,,,,,,, ,,, ,, ,,,,,, , ,,,,,, ,,,,,, ,, ,, ,,,,,,,,, ,,,,,,,,,(,, ,,,,,,,,,,，,,,;, ,, ,,,,,,, ,,,, ,, ,,,,,, ,,,, ,, ,,,,,;, ,,,, ,,, ,,,,,;, ;,,,,,,,，,,,,, ,,, ;,,,,,,,,,,,,,,,,,, ;,,,,,,, ,,,, ,, ,,,,,,,,,,(,,, ,， ,,,,,,,,,,，,,,;, ,, ,,,,,,, ,,,, , , ,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,,，,,,,, , ,,;, ,,,,,,,, ,,,,,,,, ,,,, ,, ,,,,,,,, ,,(,, ,,,,,, , ,,,,,, ,,,,,,,, ,,,;,,,,,,, ,,, ,,,,,,,,, ,,,,,,,,,,，,,, ,,,; ,,,,,,, ,,,, ,,, ,,,,;, ,,, ,,,,,,,, ,, ,,;, ,,,,,,,,,,(,,, ,,,;, ,, ,,,,, ,,,,,,,, ,, ,,, ,,, ,,,,,,,,, ,, ,,, ,,, ,, ,,,,,, , ,,,,,,,,, ,,,,,(,,, ,,,,,:,,,,—,,,,, ,,,,,，,,, , ,,,,,,,,,，，,,,,,,,,,，,,,,,,,,，,,,,,,,, ,,;,,,,,,( ? 独创性,声明，一秉承祖国优良道德传统和学校的严谨学风郑重申明:，本人所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的成果。