真空电子器件在100GHz以上频域的应用
真空电子器件的微波滤波器设计考核试卷
答案：
2.真空电子器件中，常用的微波滤波器结构有__________和__________。
答案：
3.在微波滤波器设计中，为了实现较好的带外抑制，可以采用__________耦合方式。
答案：
4.微波滤波器的群时延特性主要与__________和__________有关。
B.耦合系数的不一致性
C.传输线的损耗
D.外界环境的干扰
10.以下哪些技术可以用来减小微波滤波器的体积？()
A.采用微带线技术
B.使用集成滤波器设计
C.减少谐振腔数量
D.增大耦合系数
11.在微波滤波器设计中，以下哪些因素会影响其电磁兼容性？()
A.谐振腔的尺寸
B.耦合系数
C.传输线的布局
D.滤波器的封装
A.光刻技术
B.超精密加工
C.化学蚀刻
D.手工制作
15.微波滤波器的回波损耗性能与以下哪些因素相关？()
A.谐振频率的选择
B.传输线的阻抗匹配
C.耦合系数的优化
D.谐振腔的形状
16.以下哪些滤波器设计方法可以改善带内平坦度？()
A.谐振腔的频率调整
B.传输线的长度变化
C.耦合系数的优化
D.使用宽带的传输线
D.传输线损耗
2.以下哪些滤波器类型属于有源滤波器？()
A.谐振腔滤波器
B.微带线滤波器
C.主动滤波器
D.数字滤波器
3.微波滤波器的设计过程中，以下哪些方法可以用来改善带外抑制？()
A.增加谐振腔的数量
B.减小耦合系数
C.增加传输线长度
D.优化谐振频率
真空电子器件的微波等离子体应用考核试卷
D.噪音控制
14.以下哪些是微波等离子体炬的特点？
A.高温度
B.低气压
C.小体积
D.高化学活性
15.微波等离子体在半导体工业中的用途包括：
A.芯片清洗
B.光刻
C.离子注入
D.膜层沉积
16.以下哪些因素会影响微波等离子体的寿命？
A.微波源稳定性
B.气体纯度
C.真空泵性能
D.设备冷却系统
15. C
16. A
17. C
18. B
19. B
20. A
二、多选题
1. ABCD
2. ABC
3. ABC
4. ABCD
5. ABCD
6. ABC
7. BCD
8. ABCD
9. ABC
10. ABCD
11. ABC
12. ABCD
13. ABC
14. ABCD
15. ACD
16. ABCD
17. ABC
20.以下哪些技术可以用于微波等离子体中的能量耦合？
A.微波天线
B.波导
C.谐振腔
D.磁控管
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.微波等离子体主要由__________、__________和__________组成。
2.真空电子器件中的微波等离子体是由__________与__________相互作用产生的。
3.阐述微波等离子体在生物医学领域的具体应用，包括其工作原理和潜在的好处。
4.分析微波等离子体显示技术的原理，并与目前市场上其他主流显示技术进行比较，讨论其优缺点。
标准答案
一、单项选择题
真空电子器件的微波功率器件热管理考核试卷
B. 器件的耗散功率
C. 散热器的材料
D. 周围环境的温度
2. 真空电子器件的微波功率器件热管理中，以下哪些方法可以用于提高散热效率？（ ）
A. 增加散热面积
B. 使用高热导率材料
C. 采用液体冷却
D. 提高器件的工作频率
3. 在微波功率器件热管理中，散热器设计需要考虑以下哪些因素？（ ）
D. 热管散热
4. 下列哪个材料的热导率最高，适用于微波功率器件的散热器？（ ）
A. 铜
B. 铝
C. 钢
D. 硅
5. 关于微波功率器件热管理，以下哪个说法是正确的？（ ）
A. 提高器件的工作频率可以降低热管理的要求
B. 增加器件的耗散功率可以提高热管理效果
C. 热管理措施不会影响器件的性能
D. 合理的热管理措施可以提高器件的可靠性和寿命
A. 器件的封装材料
B. 散热系统的热膨胀系数
C. 器件内部的应力分布
D. 周围环境的温度变化
20. 以下哪些措施可以提高微波功率器件在极端温度条件下的热管理效果？（ ）
A. 使用耐高温材料
B. 优化器件的布局
C. 增加散热系统的冗余设计
D. 采用主动冷却技术
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
6. 以下哪种方法可以有效地降低微波功率器件的温度？（ ）
A. 提高器件的工作电压
B. 减小器件的耗散功率
C. 增加器件的封装面积
D. 提高器件的工作频率
7. 在微波功率器件热管理中，以下哪个部件起到关键作用？（ ）
A. 散热器
B. 热管
C. 硅控整流器
D. 微波源
真空技术在高科技领域中的应用
真空技术在高科技领域中的应用在当今科技日新月异的时代，真空技术是高科技领域中至关重要的一环。
它的应用范围广泛，包括半导体工业、电子、光学、航空航天等领域。
本文将系统地探讨真空技术在这些领域中的应用。
一、真空技术在半导体工业中的应用随着电子行业的飞速发展，半导体工业已经成为现代电子行业的基础。
在半导体制造过程中，对真空技术的要求非常高。
半导体行业中的很多设备必须在真空环境下工作，因而真空技术被广泛应用于半导体制造中。
在半导体生产过程中，通常需要使用真空单晶炉、真空镀膜机、真空回火炉、真空溅射机等设备。
这些设备需要能够快速抽出气体，将压力降至10^-3Pa以下。
此外，这些设备需要具有高温度稳定性和长时间的工作生命周期。
二、真空技术在光学领域中的应用光学领域对于真空技术的要求是非常高的。
光学领域中使用的很多精密仪器需要在真空环境下运作，以保证它们的精度和可靠性。
例如，薄膜光学镀膜机需要在真空环境下工作，以确保光学镜片的反射率和透过率。
此外，真空环境还能够对光学仪器进行保护。
在大气中，光学仪器表面会被污染和腐蚀，从而影响其精度和稳定性。
因此，真空环境下能够保证光学仪器的稳定性和精度。
三、真空技术在航空航天领域中的应用航空航天领域对于真空技术的需求更是极高。
在太空中，没有大气压力和随之而来的氧气，因此需要在太空中工作的太空舱需要一个真空环境。
太空中的航天器需要在大气层外部和大气层内部进行工作和运营，而前者需要在极低压力的环境下工作，因此对真空技术的要求非常高。
除此之外，燃料、发动机和导航设备等也需要在真空环境中工作。
例如，火箭发动机中的推进剂需要被置于真空容器中，以免被污染或氧化，影响其性能。
导航设备需要使用惯性测量仪，在真空环境中工作以确保其精度和可靠性。
四、真空技术在其它领域中的应用除了半导体制造、光学和航空航天领域之外，真空技术还广泛应用于许多其它领域。
例如，在防腐行业中，真空技术被用于防腐包装和存储食品。
漫谈“电子电器”中的应用技术
漫谈“电子电器”中的应用技术摘要:作者根据多年教学《家用电器与维修》课程经验,论述了家用电子电器发展简史和家用电子电器中的基本应用技术。
关键词:电子半导体电子技术电器电子电器依赖于电子技术,而电子技术发端于电子真空管的发明。
1904年,英国科学家佛来明制造出第一只真空二极管,开启了电子技术大门。
1907年,美国科学家福雷斯特制造出第一只真空三极管,真空管的应用、发展开始实现。
1920年开始有无线电广播,1933年发明电视,1940年诞生电脑。
当时的电子产品从收音机到电脑无一不采用真空管来实现制造。
直到1947年,美国贝尔实验室发明了用半导体材料制成的晶体管,真空管才渐渐退出了人们的视线。
当前,人们所说的电子电器都是由硅、锗等半导体制成的晶体管、集成电路组装而成的。
一百多年来,半导体制造技术日新月异,创新不断。
1958年美国德州仪器公司基尔比研制出世界上第一块集成电路,成功地实现了把电子器件集成在一小块半导体材料上的构想,大大缩小了体积,让电子电器掌中化、微型化成为可能;1971年,世界上第一台微处理器在美国硅谷诞生,它不但开创了个人PC时代,还让电器智能化成为趋势。
微型化、智能化已成为当前电子技术的主要发展动力,技术更新之快简直可以用飞速来形容,琳琅满目家用电子电器已成为当今人们生活中必不可少的良伴。
1 基本电子元件及其应用技术1.1 真空管真空管是所有电子元件的鼻祖,虽说它已渐渐退出了大多数人的视线,但在一些特殊场合还是能见到它的身影,比如:家用的高级甲类功放器。
这是因为真空管功放比起其它半导体功放来说还原性更好,音色更饱满。
缺点是真空管需高电压驱动、耗电,体积大、引脚多,辨识、使用都较为困难,产品价格昂贵,非一般家庭所乐意购买。
1.2 晶体管包括二极管和三极管,其中:二极管分正、负两极,三极管分基极、发射极、集电极三个极。
一般同型号管子各极位置相对固定且有所标识,便于工人安装时识别。
但对陌生的管子,人们还是需要使用万用表欧姆档来测定、比较其引脚间的正、反向阻抗来进行鉴别,也可用图示特性仪来检测其特性曲线。
大功率微波真空电子器件的应用
强 激 光 与 粒 子 束
Ｈ Ｉ Ｈ ＰＯ Ｗ ＥＲ ＬＡ ＳＥＲ Ａ Ｎ Ｄ ＰＡ Ｒ Ｔ Ｉ Ｇ ＣＬＥ ＢＥＡ Ｍ Ｓ
Ｖｏ ． １ ２３，ＮＯ ８ ． Ａｕ ｇ．，２０ １１
文章 编 号 ： １ ０ — ３ ２ ２ １ ） ８１ ８ — ７ ０ １４ ２ （ ０ １ ０ — ９ ９０
中 图 分 类 号 ： ＴＮ９ ９ 文 献 标 志码 ： Ａ ｄ ｉ １ ． ７ ８ ＨＰ Ｐ ２ ｌ ２ ０ ． ９ ９ ｏ：０ ３ ８ ／ Ｌ Ｂ ０ １３ ８ １ ８
微 波 真空 电子 器件 是利 用 电子注 与微 波 电磁 场相互 作 用产 生和 放大微 波 的 电子器 件 ， 有高 工作频 率 、 具 高 峰 值功 率 和高平 均 功率 等特 点 ， 已经 广泛 应用 于雷 达 、 信 、 通 电子 对抗 、 电视广 播 、 子加 速器 、 控热核 聚 变装 粒 可 置、 微波 遥感 和微 波 能应 用等 微波 电子 系 统 。大功 率微 波 真空 电子器 件 ， 特别 是大 功率 速调 管 和 回旋 管 的发 展
与 可控 热核 聚变 等 离子 体加 热研究 直 接相关 。大功 率微 波真 空 电子器 件 的发展 对 国民经 济和 人们 的 日常生 活
也有 很 大影 响 。例 如 ， 用磁 控管 的微 波 炉 已成 为普 通 家庭 的必备 用 具 ， 用速 调管 和磁 控管 的治 癌用 医用 加 应 应
速 器 已成 为各大 医 院 的重 要 医疗设 备 ， 应用 速调 管 和磁 控 管 的工业 辐 照 加速 器 已广 泛 应用 于材 料 和半 导 体 器
＊综 述 ＊
大 功 率 微 波 真 空 电 子 器 件 的 应 用
真空电子器件的研究与开发
真空电子器件的研究与开发随着电子技术的不断发展和进步，真空电子器件也因其高功率、高频率和高可靠性的优点，越来越受到广泛关注。
其在航天、医疗、能源、通信等领域都有着广泛的应用。
在现代科技发展的浪潮中，真空电子器件的研究和开发已经成为一个不可或缺的重要环节。
一、真空电子器件的发展历程真空电子器件的历史可以追溯至19世纪，最早的真空电子器件是荧光灯。
后来，洛伦兹发现用孔径减小的金属板隔开的高真空室中，电子束能够穿过金属板，这就是著名的洛伦兹效应，从而开创了真空电子器件的研究和发展的历史。
随着真空技术的不断进步和发展，真空电子器件在20世纪初得到了广泛的应用，包括三极管、放大管、半导体器件等。
但是随着半导体技术的突飞猛进，真空电子器件在一段时间内逐渐被淘汰。
但是由于真空电子器件具有更高的功率、更高的频率和更好的温度稳定性等优点，近年来真空电子器件得到了很大的发展，这主要得益于真空技术的不断进步和新材料的不断涌现。
二、真空电子器件的分类真空电子器件可以分为四类：注电子器件、场发射器件、热发射器件和冷发射器件。
其中，注电子器件又可以细分为热阴极管、普通阴极管、阴极射线管、伏安管、热阴极二极管、双三极管等。
场发射器件主要有场致发射管、垂直场致发射器等。
热发射器件主要有热阴极管和热阴极阱。
冷发射器件主要有半导体电致冷发射器等。
三、真空电子器件的优点与不足真空电子器件的主要优点是具有高功率、高频率、耐辐照、抗电磁干扰和长寿命等特点，在高功率微波、射频放大器、非线性电路、微波天线以及雷达和导弹控制等领域有着广泛的应用。
另外，真空电子器件在低温与高真空环境下仍可正常工作，适用于航空航天、核反应堆等恶劣环境。
与此同时，真空电子器件的不足之处在于体积、重量和制造成本高，还存在着工作温度范围窄等问题，由此限制了其在某些方面的应用。
四、真空电子器件的应用前景今天，随着科技的不断进步和发展，人们对真空电子器件的需求与日俱增。
目前，主要应用领域包括高功率微波、射频放大器、非线性电路、微波天线、雷达和导弹控制等方面。
真空电子器件的微波集成电路封装技术考核试卷
B.信号串扰
C.信号衰减
D.以上都是
14.以下哪种材料不适用于微波集成电路的封装？()
A.硅
B.铝
C.铜合金
D.塑料
15.真空电子器件的阴极材料通常采用以下哪种材料？()
A.金属
B.半导体
C.绝缘体
D.磁性材料
16.微波集成电路封装技术中，以下哪种方法可以提高信号传输效率？()
A.降低封装的介质损耗
()
5.微波集成电路封装过程中，为了提高信号的完整性，需要尽量减少_______和_______。
() ()
6.电磁波在真空电子器件中的传播速度主要取决于_______和_______。
() ()
7.在微波集成电路封装设计中，_______和_______是两个关键的电气性能指标。
() ()
8.真空电子器件的阴极通常需要具备高_______和低_______的特性。
9.电气热性能
10.稳定性可靠性
四、判断题
1. √
2. ×
3. √
4. ×
5. ×
6. ×
7. ×
8. √
9. ×
10. √
五、主观题（参考）
1.电子枪通过加热阴极产生电子，并通过聚焦线圈控制电子束的形状和大小，进而实现微波的放大和振荡。在微波集成电路中，电子枪是产生和放大微波信号的核心部件。
2.信号完整性问题通常由封装材料的损耗、信号线的设计不当、信号反射等因素引起。解决方法包括：使用低损耗材料、优化信号线布局、添加匹配电路等。
真空电子器件的微波集成电路封装技术考核试卷
考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________
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最 近 太赫 兹 （ ＴＨｚ 技 术 发 展 受 到 特 别 的 关 ）
作 频 点 ， 是真 空 电子器件 发展 历史 中 的重要节 点 ， 也
隐藏 武器 的探测 、 高分 辨 率 成像 、 空探 测 、 深 医学 诊
断 和材料 研究 等 。从 武 器 装备 的发 展 和 应用 来 看 ，
３ ０ＧＨｚ ０ 以下 频 域 可 能 是 在 近 十 年 中 应 当特 别 关 注 的领域 ， 因为微波 频段 的拥挤 ， 使我 们要 开辟 毫 迫
统 的信 噪 比又 和天 线增 益 的平 方 成 正 比 ， 管高 频 尽 率时传 输损 耗在 增 加 ， 系 统 的 性 能却 有 提 高 。图 但
３是地 面 到 无 人 机 系 统 通 道 能 力 和 工 作 频 率 的 关 附近 的大气 窗 口。这 一 频 段 的应 用 包 括 ： 探测 和 火
ｆＧ ｚ ／ Ｈ
ｆ１ ｂ
电 子 注 电压 ：０ ５ｋ １ ． Ｖ；电 子 注 电流 ：０ １ ０ｍＡ；３ｄ Ｂ带 宽 ： ４ ３ ０ＭＨｚ 激 励功 率 ：１ Ｂ ； １ｄ ｍ
图 ５ ９ Ｈｚ ０ Ｃ 分布作用速调管放大器 照片和功率输 出曲线 ＳＧ ０Ｗ Ｗ １
！ 团 ！ 二
控 雷达 、 气象 雷达 、 导弹 自导寻 的雷 达 、 信卫 星 、 通 电 子 干扰 、 电天文 、 离 子 体诊 断 和 电 磁 能武 器 等 。 射 等 十 多年来 美 、 、 、 、 等 国一直在 研制 这一频 域 英 法 德 俄 的装 备 。美 国海 军 实验 室 研 制 的 ｗ 波 段 大孔 径 无 线 电定位 器 （ ＷＡＲ ０Ｃ 雷达 发 射 机 使用 了 回旋 速 Ｌ ） 调管 放 大 器 ， 出峰 值 功 率 １ ０ ｋ ， 均 功 率 １ 输 ０ Ｗ 平 ０ ｋ ， 时 带 宽 ６ ０ ＭＨｚ 位 于 林 肯 空 间 观 察 室 的 （ ｙｔｃ ＨＵＳ Ｒ Ｉ ）就是 依 托
咖， Ⅲ 得低 频段 装备 类 似 的性 能 。对 固定 的 天线 直 径 瑚 １ 电磁 波在 １ ０ＧＨ 及 其 以上 频 域 的应 用 天 ０ ｚ 线增 益是 和工作 频 率 的平 方 成 正 比； 达 和通 信 系 雷 这 里所说 的 １ ０ＧＨｚ频段 ， 际 是指 ９ ０ 实 ４ＧＨｚ
米波 及其 临近 频域 ；０ ３ ０ＧＨｚ以下 频 域 又 是 太赫 兹 频域 中电磁波 传播 的衰 减率相 对小 一些 的频域 。图
将 工作 频率 向上 推移 的理 由是要 在 毫米波 段获
圃 Ｑ 二 曼
ｇ ∞ ． 莆 ｊ ＃ ｐ 孽 ８ 《
∞ｑ＾Ｉ ｄ ｕ ｄ ，ｌ 舄 Ｂ ＿暑 ｕ
２给出 了 ３ ０ＧＨｚ以下 频缎 电磁 波在 高度潮 湿 大气 ０ 中 的衰 减情 况 ＿ 。对 光 波 传 输影 响较 大 的 大 雾 、 ４ ］ 沙
尘 和雪 对毫 米波 系统 的影 响会 小 一些 ， 特别 是 当这
些 粒 子趋近 于地 面 ， 空 中 的毫 米 波 系 统影 响会 更 对
・
综 述
・
真 空 电子 器 件在 １ ０ＧＨｚ以上 频 域 的应 用 ０
廖复 疆
（ 京真空电子技术研究所 ， 京 １０１） 北 北 ００ ５
Ｖａ ｕ ｍ ｅ ｔ ｏ ｖ ｃ ｐ ｉ ａ ｉ ｎ ａ ｅ ｅ ｃ ｂ ｖ ０ ｃ ｕ Ｅｌｃ ｒ ｎ Ｄｅ ｉ ｅ Ａｐ ｌｃ ｔｏ ｔＦｒ ｑｕ ｎ ｙ ａ ｏ ｅ １ ０ ＧＨ ｚ
表 １ 分 布 作 用 速 调 管 产 品
图 ７ Ｄ Ｐ 的太 赫兹 发展 计 划 ＡＲ Ａ
速数据 通信 、 微加 工 技 术 在 真空 电子 器 件 制 造 中 的
探索 。
实验 结 果
参 数 值
中 心 频率 ＲＦ峰 值 功率 １ｄ Ｂ带宽 饱 和 增 益
占空 比
出功 率 １ｋ 的分 布作用 速调 管放 大 器照 片 和有关 Ｗ
参数 。
｝Ｇ ｚ ｜ Ｈ
图 ３ 地 面 到无 人 机 系统 通 道 能力 和工 作 频 率 的关 系
图 ４ Ｗ ＡＲ Ｏ Ｌ Ｃ雷 达 的 照 片
９ ， ９ ． ４３ ４． ９ ．４ ４５ ４ ． ４６ ４６ ４ ．４９ ． ４２ ４２ ６９ ． ９ ． ４４ ９ ． ９ ．６９ ．２９ ． ２ 镏 ５ ８９ ７ ４８
注Ｌ ， １ 因为 它在 国 防 、 ］ 民用 和科 学研 究 上具 有重 要
的应用 前景 。太 赫兹辐 射 源是 指 （ ． ～３ ０ ×１ ０３ ． ） ０
Ｈｚ 率范 围 的辐射源 ， 就是 以前 常说 的亚毫米 波 频 也 辐 射源 ， 其频 率 介 于微 波 与 光 波 的频 域 之 间 。有 的
ＧＨｚ以上 频域很 有 必要 。
达 的照 片 ； 国 Ｃ Ｉ 新研 制 的 ｗ 波段 回旋 行波 速 美 Ｐ最
调管 ， 率 达 ５ ｗ ， 功 ５ ｋ 占空 比 １ ， 宽 １ ６ＧＨｚ Ｏ 带 ． ， 已应 用 于雷 达 系 统 。美 国 Ｃ Ｉ 司研 制 的分 布 作 Ｐ公
用速 调管 ， 其产 品频率 最 高可达 到 ２ ０ＧＨｚ 表 １ 。 ８ （ ）
６ ０ １０ ２ １０ ８ ２０ ４ ３０ ０
这些 产 品为雷 达 、 通信 和科 学研究 提供 了核 心器 件 。 图 ５是 ９ ５ＧＨｚ１ ０ Ｃ 分 布 作 用 速调 管 放 大 器 ０ Ｗ Ｗ 的照 片和 功率 输 出曲线 。图 ６ ９ ． 是 ４ ５ＧＨｚ 冲 输 脉
每一个 节 点 都 推 动 真 空 电子 器 件 技 术 向 前 迈 进 一 步 ， 引发 出新 概 念 的 武器 装 备 。如 现 在 大 力 发展 并 的 ９ ４ＧＨｚ 器件 ， 建立在 上世 纪 ６ 是 Ｏ年代 对 Ｘ波段
磁控 管成 功进行 １ 倍 缩放 的基 础上 开辟 出来 的 。 ０
ｉ ｈ ｓ ｐ ｐ ｒ ０ ｎ ｔ ｉ ａ ｅ ．１ ０ ＧＨ ｚａ ｄ ２ ０ Ｇ Ｈｚ ａ ｅｍｏ ｔｐ ｓ ｉ ｌ ｏ ｂ ｐ ｌ ｄ ｉ ｉ ｔ ｒ ｑ ｉ ｍｅ ｔ ｎ ｎ ｘ ｅ ａ ｅ ｎ ２ ｒ ｓ ｏ ｓ ｂ ｅ ｔ ｅ ａ ｐ ｉ ｎ ｍ ｌ ａ ｙ ｅ ｕ ｐ ｎ ｓｉ ｅ ｔｄ ｃ ｄ ． ｅ ｉ
科 学家 建议 将太 赫兹 频 域 向下扩 展 至 ０ １ＴＨｚ 即 ． ， 将 （． ～ ３ ０ ×１ Ｈｚ频 率 范 围包 括 在 内 ， 为 ０１ ．） ０ 因
图 ｌ 太 赫 兹频 域在 频率 分 布 中 的 位 置
（ ． ～Ｏ ３ ×１ Ｈｚ 然属 于毫米 波 波段 ， 电磁 ０１ ．） ０ 虽 但
摘要 ： 赫兹（ 太 ＴＨｚ技 术 发 展 受 到 特 别 的关 注 ， 文 重 点 讨 论 了 真 空 电 子 器 件 在 １ ０ＧＨｚ以 上 频 率 几 个 大 气 窗 口的 应 ） 本 ０ 用 ，０ １０ＧＨｚ ２ ０ＧＨｚ 未 来 ｌ 年 可能 形 成 装 备 的频 率 ， 当重 视 这 些 频 率 真 空 电子 器 件 的预 先 研 究 。 和 ２ 是 Ｏ 应
Ｔｈｅ ｅ ｏ ｅ，ｗｅ ｓ ｕｌ ａ ｔｅ ｔｏ ｏ ｔ ｅ ｅ ｒ ｈ ｏ ｈｅ ｖ ｃ ｕｍ ｌ ｃ ｒ ｎ ｄｅ ｃ ｓ ｗｏ ｋｅ ｎ １ ０ ＧＨ ｚ ｔ ｒ ｆｒ ｈｏ ｄ ｐ ｙ ａ ｔ ｎ ｉ ｎ ｔ ｈｅ ｒ ｓ ａ ｃ ｆｔ ａ ｕ ｅ ｅ ｔ ｏ ｖｉｅ ｒ ｄ ０ ｏ ２ ０ ＧＨ ｚ ２ ． Ｋｅ ｒ ： ｒ ｈｅ ｔ ｙ ｗｏ ｄｓ Ｔｅ ａ ｒ ｚ，Ｈｉ ｈ ｐ ｗｅ ，Ｖａ ｕｕ ｅ ｅ ｔ ｏ ｖ ｃ ｇ ｏ ｒ ｃ ｍ ｌｃ ｒ ｎ ｄｅ ｉ ｅ
ＬＩ Ａｏ —ｉｎ Ｆｕｊ ｇ ａ
（ ｉｉｇ Ｖａ ｕ ｍ ｅｔｏ ｉｓＲｅｅ ｒ ｈ Ｉ ｓｉｕ ｅ Ｂｅｊ ｎ ｃ ｕ Ｅｌｃｒ ｎｃ ｓａ ｃ ｎ ｔ ｔ ，Ｂｅｊｎ ０ ０ ５， ｉａ ｔ ｉｉｇ １ ０ １ Ｃｈｎ ）
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９ ．５ ＧＨｚ ４
１０ ０ ０Ｗ
１ １ Ｈｚ ０ ４Ｍ
７ ｄ ４Ｊ Ｂ
１ ５
平 均 功 率
柬 电 压
束 电 流
１ＯＷ ５ １ ．１ ｋ ７ Ｖ ７ ０５ ｍＡ
— —
栅 电 压
尺 寸
３ ０ｋ ． Ｖ
４． ｎ ｈ× ７ ０ ｉ ｈ ５ｉｃ ． ｎｃ ４ ５ｉｃ ． ｎ ｈ× ８ ２ ｎ ｈ ． ５ｉｃ
波在 更高频 率 的传 播 特性 有 类 似 之 处 ， 助 于 向更 有 高频 率 的发 展 ； 从器件 的加 工来 看 ， 一频 段恰恰 是 这 精密 机械 加工 向微 加 工 过 渡 的重 要 频 域 ， 有利 于推 动微 加工技 术 在真空 电子 器件 中 的应 用 。 图 １给 出
ＧＨ： ｘ ∞ § ｒＴ ３ ’ ｍ ｝ Ｍ ￣ ＨＺ ｆ 站 ｅ ’
图 ２ ３ ０Ｇ 以下 频 缎 电磁 波在 高度 潮 湿 ０ Ｈｚ