第15章全控型电力电子器件及其应用
全控型电力电子器件
GTO的关断机理： 在双晶体管等效模型中，利用门 极负电流分流IC1，并快速抽取 V2管发射结侧载流子，以实现快 速关断 GTO优点：电压、电流容量大，适用于大 功率场合，具有电导调制效应，其通流能 力很强；缺点：电流关断增益很小，关断 时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动 功率大，驱动电路复杂，开关频率低
2.电力晶体管（Giant Transistor—GTR）
GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，电流驱动型全控器件。
GTR关断原理： 开通时，Uce正偏，提供基极电流； 关断时，I b小于等于零。 开通和关断可由基极电流来控制，故称为全控型器件和电流型驱动器件。
GTR优点：耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 缺点：开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率电路复杂，存在二次击穿问题
4.绝缘栅极晶体管（IGBT）
复合型器件，将GTR双极型电流驱动器件和电力MOSFET 单极型电压驱动器件结合。综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。
关断原理：IGBT是一种压控器件。其C-E间主电流的通断是由栅极和射极间的电压 uGE的高低决定的。 E极为公共端。 IGBT优点：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低， 输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小；缺点：开关速度低于电力MOSFET,电压， 电流容量不及GTO
3.电力场效应管绝缘栅型中的MOS型 （Metal Oxide Semiconductor FET）
关断原理：以G-S间施加电压的高低来控制D-S间主电流的通断。源极S为公共端。 门极几乎不取用电流，属压控器件。uGS正电压超过开启电压时导通，负电压作 用可使其快速关断。 优点：开关频率最高；驱动电流小，易驱动；通态电阻具有正温度系数（有利于器件 并联均流）；缺点：电压电流容量较小；通态压降较大，ID大则压降随之增大。
各种电力电子器件技术特点的比较及应用
《电力牵引交流传动及其控制系统》报告——各种电力电子器件技术特点的比较及其应用电力电子器件及其应用装置已日益广泛，这与近30 多年来电力电子器件与电力电子技术的飞速发展和电力电子的重要作用密切相关。
20 世纪80 年代以后，电力电子技术等)的飞速发展，给世界科学技术、经济、文化、军事等各方面带来了革命性的影响。
电子技术包含两大部分：信息电子技术(包括：微电子、计算机、通信等)是实施信息传输、处理、存储和产生控制指令；电力电子技术是实施电能的传输、处理、存储和控制，保障电能安全、可靠、高效和经济地运行，将能源与信息高度地集成在一起。
事实表明，无论是电力、机械、矿冶、交通、石油、能源、化工、轻纺等传统产业，还是通信、激光、机器人、环保、原子能、航天等高技术产业，都迫切需要高质量、高效率的电能。
而电力电子正是将各种一次能源高效率地变为人们所需的电能，实现节能环保和提高人民生活质量的重要手段，它已经成为弱电控制与强电运行之间、信息技术与先进制造技术之间、传统产业实现自动化、智能化改造和兴建高科技产业之间不可缺少的重要桥梁。
而新型电力电子器件的出现，总是带来一场电力电子技术的革命。
电力电子器件就好像现代电力电子装置的心脏，它对装置的总价值，尺寸、重量、动态性能，过载能力，耐用性及可靠性等，起着十分重要的作用。
因此，新型电力电子器件及其相关新型半导体材料的研究，一直是电力电子领域极为活跃的主要课题之一。
一个理想的功率半导体器件，应当具有下列理想的静态和动态特性：在阻断状态，能承受高电压；在导通状态，能导通高的电流密度并具有低的导通压降；在开关状态和转换时，具有短的开、关时间，能承受高的d i/d t 和d u/d t，具有低的开关损耗；运行时具有全控功能和良好的温度特性。
自20 世纪50 年代硅晶闸管问世以后，功率半导体器件的研究工作者为达到上述理想目标做出了不懈努力，并已取得了世人瞩目的成就。
早期的大功率变流器，如牵引变流器，几乎都是基于晶闸管的。
电力电子器件大全及使用方法详解
第1章电力电子器件主要内容：各种二极管、半控型器件-晶闸管的结构、工作原理、伏安特性、主要静态、动态参数，器件的选取原则，典型全控型器件：GTO、电力MOSFET、IGBT，功率集成电路和智能功率模块，电力电子器件的串并联、电力电子器件的保护，电力电子器件的驱动电路。
重点：晶闸管的结构、工作原理、伏安特性、主要静态、动态参数，器件的选取原则，典型全控型器件。
难点：晶闸管的结构、工作原理、伏安特性、主要静态、动态参数。
基本要求：掌握半控型器件-晶闸管的结构、工作原理、伏安特性、主要静态、动态参数，熟练掌握器件的选取原则，掌握典型全控型器件，了解电力电子器件的串并联，了解电力电子器件的保护。
1 电力电子器件概述(1) 电力电子器件的概念和特征主电路（main power circuit）--电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路；电力电子器件（power electronic device）--可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件；广义上电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类。
两类中，自20世纪50年代以来，真空管仅在频率很高（如微波）的大功率高频电源中还在使用，而电力半导体器件已取代了汞弧整流器（Mercury Arc Rectifier）、闸流管（Thyratron）等电真空器件，成为绝对主力。
因此，电力电子器件目前也往往专指电力半导体器件。
电力半导体器件所采用的主要材料仍然是硅。
同处理信息的电子器件相比，电力电子器件的一般特征：a. 能处理电功率的大小，即承受电压和电流的能力，是最重要的参数；其处理电功率的能力小至毫瓦级，大至兆瓦级，大多都远大于处理信息的电子器件。
b. 电力电子器件一般都工作在开关状态；导通时（通态）阻抗很小，接近于短路，管压降接近于零，而电流由外电路决定；阻断时（断态）阻抗很大，接近于断路，电流几乎为零，而管子两端电压由外电路决定；电力电子器件的动态特性（也就是开关特性）和参数，也是电力电子器件特性很重要的方面，有些时候甚至上升为第一位的重要问题。
全控型电力电子器件GTO
O
t
iA IA 90%IA 10%IA 0
td
tr
ts
tf
tt
t0
t1
t2
t3
t4t5t6tGTO的开通和关断过程电流波形 的开通和关断过程电流波形
4. GTO的主要参数 的主要参数
许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同， 许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同，以下 只介绍意义不同的参数。 只介绍意义不同的参数。 （1）开通时间 on ）开通时间t
（3）最大可关断阳极电流 ATO ）最大可关断阳极电流I
——GTO额定电流 额定电流。 额定电流
（4） 电流关断增益βoff ）
——最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最 最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最 大值I 之比称为电流关断增益。 大值 GM之比称为电流关断增益。
β off
I ATO = I GM
较大，使晶体管V 设计α2较大，使晶体管 2控 制灵敏，易于关断。 制灵敏，易于关断。 更接近1， 导通时α1+α2更接近 ，导 通时接近临界饱和， 通时接近临界饱和，有利门 极控制关断， 极控制关断，但导通时管压 降增大。 降增大。 多元集成结构， 多元集成结构，每个元阴极 和门极距离很短，使得P 和门极距离很短，使得 2基 区横向电阻很小， 区横向电阻很小，能从门极 抽出较大电流。 抽出较大电流。
GTO的开关时间比普通晶闸管短但比 的开关时间比普通晶闸管短但比GTR长，因此工 长 的开关时间比普通晶闸管短但比 作频率介于两者之间。 作频率介于两者之间。 不少GTO都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管，需承 不少 都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管， 都制造成逆导型 受反压时，应和电力二极管串联 。 受反压时，
全控型器件的详细介绍
典型全控型器件的介绍班级学号 :姓名日期一．门极可关断晶闸管1.1门极可关断晶闸管的简介门极可关断晶闸管简称GTO,是一种全控型的晶闸管。
其主要特点为，当栅极加负向触发信号时晶闸管能自行关断，保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。
GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频纺比GTR低。
目前，GTO 已达到3000A、4500V的容量。
大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。
1.2门极可关断晶闸管的结构和工作原理GTO是PNPN四层半导体结构，外部引出阳极，阴极和门极，是多元件的功率集成器件，内部由许多的GTO元的阳极和门极并联在一起。
其工作原理可用双晶体管来分析P1N1P1和N1P2N2构成的两个晶体管V1,V2分别具有共基极电流增益α1和α2，普通的晶体管分析，α1+α2=1是器件的临界导电条件，当α1+α2>1时2，当α1+α2<1时不能维持饱和导通而关断。
1.3 GTO的驱动方式及频率当信号要求可关断晶闸管导通时，驱动电路提供上升率足够大的正栅极脉冲电流（其幅度视晶闸管容量不同在0.1到几安培范围内），其正栅极脉冲宽度应保证门极关断晶闸管可靠导通。
当信号要求门极关断晶闸管关断时，驱动电路提供上升率足够大的负栅极脉冲电流，脉冲幅度要求大于可关断晶闸管阳极电流的五分之一，脉冲宽度应大于可关断晶闸管的关断时间和尾部时间。
根据对驱动门极关断晶闸管的特性、容量、应用场合、电路电压、工作频率、可靠性要求和性价比等方面的不同要求，有多种形式的栅极驱动电路。
1.4存在的问题及其最新的发展GTO在使用中，导通时的管压降较大，增加了通态损耗。
对关断负脉冲的要求较高，门极触发电路需要严格设计，否则易在关断过程中烧毁管子。
门极电流应大于元件的擎住电流IL;正负触发脉冲其前沿要陡，后沿要平缓，中小功率电路上升沿小于0.5μs ，大功率电路小于1μs ；门极电路电阻要小，以减小脉冲源内阻由于多元集成，对制造工艺提出极高的要求，它要求必须保持所有GTO元特性一致，开通或关断速度不一致，会使GTO元因电流过大而损坏。
电力系统中的电力电子器件及其应用
电力系统中的电力电子器件及其应用在当今高度依赖电力的社会中，电力系统的稳定运行和高效发展至关重要。
电力电子器件作为电力系统中的关键组成部分，正发挥着日益重要的作用。
它们的出现和应用，为电力系统的优化、控制和能源转换带来了革命性的变化。
电力电子器件是一种能够对电能进行高效控制和转换的半导体器件。
常见的电力电子器件包括二极管、晶闸管、晶体管（如 MOSFET 和IGBT）等。
这些器件具有不同的特性和性能，适用于各种不同的电力系统应用场景。
二极管是最简单的电力电子器件之一，它只允许电流单向通过。
在电力系统中，二极管常用于整流电路，将交流电转换为直流电。
例如，在电源适配器中，二极管将交流市电整流为直流电，为电子设备提供稳定的电源。
晶闸管则是一种具有可控导通特性的器件。
通过施加合适的触发信号，可以控制晶闸管的导通和关断。
晶闸管在电力系统中的应用非常广泛，如用于高压直流输电系统中的换流器、无功补偿装置等。
通过控制晶闸管的导通角，可以实现对交流电压和电流的调节，从而达到控制无功功率和提高电能质量的目的。
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是现代电力电子系统中常用的晶体管器件。
它们具有开关速度快、导通电阻小、驱动功率低等优点。
MOSFET 适用于高频、小功率的应用场景，如开关电源、电动汽车充电器等。
IGBT 则在中大功率的电力变换领域表现出色，如变频器、新能源发电系统中的逆变器等。
在电力系统中，电力电子器件的应用范围十分广泛。
首先，在发电环节，可再生能源的开发和利用离不开电力电子技术。
例如，太阳能光伏发电系统中，通过电力电子逆变器将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电并并入电网。
风力发电系统中，电力电子变流器用于控制风机转速，实现最大功率跟踪，同时将风机发出的交流电转换为符合电网要求的电能。
在输电环节，高压直流输电技术凭借其输电距离远、输电容量大、损耗低等优势，成为了远距离大容量输电的重要手段。
全控型电力电子器件
GTO 的 外 形
电路符号
阳阳A
☞GTO的导通过程与普通 晶闸管是一样的，只不 过导通时饱和程度较浅。 ☞而关断时，给门极加负脉 冲，即从门极抽出电流， 器件退出饱和而关断。 ☞GTO的多元集成结构使 得其比普通晶闸管开通 过程更快，承受di/dt的 能力增强。
阳阳G 阳阳A
2018/12/13
2
1.3.1可关断晶闸管GTO——主要参数
2018/12/13
0.01ms 1ms
另外安全工作区与导通控制 脉冲有关系,如左图，给出不同 宽度的脉冲对应的安全工作区
C D BUCE UCE
11
1.3.3 功率场效应管MOSFET——外型和电路符号和特点
外 型
电 路 符 号
2018/12/13
阳阳D
阳阳G 阳阳S
■分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型 中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称电力MOSFET（Power MOSFET）。 ■电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的， 它的特点有： ◆驱动电路简单，需要的驱动功率小。 ◆开关速度快，工作频率高（可达106）。 ◆热稳定性优于GTR。 ◆电流容量小，耐压低，多用于功率不超过 10kW的电力电子装置。 比较： GTO一般可以做到几KA/KV（功率最大）；开关 速度几百HZ； GTR一般可以做到几百A/KV，速度稍慢，几K到 几百K， MOSFET一般可以做到几十A/KV（速度最快）， 可达106 ；
关断过程
从开始施加反向基极电流到集电极电流开始下降 （下降到90%ICO）对应的时间叫做存储时间ts。接 着是下降时间tf，定义为集电极电流从90%ICO下降 到10%ICO对应的时间。关断时间toff=ts+tf。 GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和 GTO都短很多。
电力电子器件及其应用PPT课件
IGBT发生擎住效应后漏极电流增大，造成过高的功耗，最后导致器件损坏。
• 如何防止
• 不使漏极电流超过 ，防止静态擎住效应； • 还可用加大栅极电阻的办法，延长IGBT的关断时间。防止动态擎住效应。
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第二节绝缘栅双极晶体管(IGBT)
• 擎住效应
• 正向偏置安全工作区 IGBT开通时的正向偏置安全工作区FBSOA由电流、电压和功耗三条边界极限包围而成
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第一节 可关断晶闸管(GTO)
• GTO关断过程的机理图
图3-10（a)关断时空穴从门极抽出 (b) 耗尽层的形成 • 其结果是从N2发射极没有电子向P2区注入，在P2基区及N2基区中的
过剩载流子一直复合到消失为止，如J3结能维持反偏状态，GTO就被 关断。由此可见，关断GTO的前提是门控电路要有足够大的关断电流， 以便从门极排出足够大的门极关断电荷，同时其关断功率又不能超过 允许值。
第19页/共47页
第• 擎二住节效应绝缘栅双极晶体管(IGBT)
• 概念
由于IGBT结构上难以避免的原因，它的等效电路图实际上如图3-14(c)所示，内部 存在一只NPN型寄生晶体管，当漏极电流大于规定的临界值时，该寄生晶体管因有 过高的正偏置被触发导通，使PNP管也饱和导通，结果IGBT的栅极失去控制作用， 这就是所谓擎住效应。
• 阳极电压上升率
• 静态电压上升率是指GTOdv还/ d没t 有导通时所能承受的最大断态电压上升率。
• 动态电压上升率是指GTO关断过程中的阳极电压上升率。
• 阳极电流上升率
di / dt
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第一节 可关断晶闸管(GTO)
• 可关断晶闸管(GTO)的门控电路
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PWM型变频器的基本工作原理
PWM逆变器的输出电压 为等幅不等宽的脉冲列 u0
异步电动机的输入电压 ui
结论
图15-11 PWM型变频器基本原理示意图
按一定比例改变脉冲列中各脉冲的宽度，即可 改变输入电压 ui（与输出电压 u0 等效）的幅值。
一、PWM型变频器的基本工作原理
矩 Te ，这样电动机的拖动能力会降低，对恒转矩负载会
因拖不动而堵转。若调节 f1 ，则 m ，会引起主磁通饱 和，这样励磁电流急剧升高。会使定子铁心损耗 Im2 Rm 急剧增加。这两种情况都是实际运行中所不允许的。
结论
只改变 f1 ，不能实现异步电动机的无级调速
实际调速方法
在调节 f1 的同时，调节定子供电电压 U1 的大小，通过 f1
电力电子器件分类1
电力电子 器件
不控型：功率二极管 半控型：晶闸管
全控型
GTR（电力晶体管） GTO （可关断晶闸管) 功率 MOSFET（功率场效应晶体管) IGBT(绝缘栅双极晶体管)
全控型电力电子器件分类2
全控型 电力电 子器件
功率 MOSFET（功率场效应晶体管)
单极型
SIT（静电感应晶体管）
▪
好的事情马上就会到来，一切都是最 好的安 排。上 午11时58分3秒 上午11时58分 11:58:0320.10.21
▪
一马当先，全员举绩，梅开二度，业 绩保底 。20.10.2120.10.2111:5811:58:0311:58:03Oc t-20
三、 功率场效应晶体管（功率MOSFET)
功率MOSFET 结构
15-5
功率MOSFET 工作原理
D
导电沟道形成
ID
G ＋－
UGS
＋－S
1.导通： UGS＞0，导通
2. 关断： UGS＜0，截止
四、 绝缘栅双极晶体管（IGBT)
集MOSFET和GTR的优点 于一身。 输入阻抗高，工作速度快， 热稳定性好，驱动电路简 单。
（一种载流子
参与导电） GTR（电力晶体管）
双极型
GTO （可关断晶闸管)
（两种载流子 参与导电）
复合型
（由单极性和 双极型复合）
SITH(静电感应晶闸管） IGBT(绝缘栅双极晶体管) MCT（MOS控制晶闸管）
一、 电力晶体管(GTR）
GTR的结构
15-1
GTR的工作原理
GTR 电流控制器件1 sn0 Nhomakorabea1
s
式中， f1 是定子供电频率（HZ）；P是磁极对数；s是转差
率；n是电动机转速（ r min ）。
改变 f1 ，即可改变异步电动机的转速n0，能实现异步电动
机的无级调速吗？
事实上只改变 f1 并不能正常调速，因为据电机学知
？
Te m
m
U1 f
1
假设调速时只改变 f1 ，设 f1 ，则 m ，于是电磁转
波形
只要 urU ＞uC，就导通V1，封锁V4， uUN Ud 2 ；
只要 urU ＜uC，就封锁V1，导通V4，uUN Ud 2 。
重要结论
调制信号ur的幅值和频率 将决定输出电压uo的幅值和频率。
二、PWM变频电路的调制控制方式
载波比：在PWM变频电路中，载波频率fC与调制信号频率fr之比。
1. 单相桥式PWM型变频电路的工作原理 2) 双极性PWM控制方式工作原理
原理
双极性脉宽调制： 载波信号uC是双 极性的信号。
图15-14 双极性SPWM调制波形
电路
原理分析
电路
波形
控制方法
ur＞uC的各区间，V1和V4导通，V2和V3关断，则 uo ud 。 ur＜uC的各区间，V2和V3导通，V1和V4关断则， uo ud 。
直流斩波电路原理
ui U
0 CH 通
t
ud
ud=U
U
0
t
CH 断
ud=0
一、直流斩波器的控制方式
定频调宽
定宽调频
图15-18
调频调宽
二、逆导晶闸管直流斩波器
逆导晶闸管
符号 A
K
型号 KN200/100-8
等效 电路 A
晶闸管额定电流200A
K
二极管额定电流100A
图15-19 a)
额定电压800V
变频的交流电，对交流电动机实现无级调速。
变流电路
整流 逆变
不可控整流 可控整流：将交流电变换成可调的直流电 有源逆变：将直流电变成和电网同频率
的交流电，直接送回电网。
无源逆变：将直流电逆变成某一频率或 可变频率的交流电直接供给
负载使用。
一、变频调速的基本原理
异步电动机的转速表达式
问题
n
60 f1 p
▪
加强交通建设管理，确保工程建设质 量。11:58:0311:58:0311:58Wednesday, October 21, 2020
▪
安全在于心细，事故出在麻痹。20.10.2120.10.2111:58:0311:58:03October 21, 2020
▪
踏实肯干，努力奋斗。2020年10月21 日上午1 1时58 分20.10. 2120.1 0.21
1. 单相桥式PWM型变频电路的工作原理
调制控制：负载上想得 到的正弦波作为调制信 号ur，把接受调制的等 腰三角波作为载波信号 uC。
SPWM：调制信号ur为 正弦波的脉冲宽度调制 叫正弦波脉冲宽度调制。
图15-12 单相桥式PWM变频电路原理图
一、PWM型变频器的基本工作原理 电路
1. 单相桥式PWM型变频电路的工作原理 1) 单极性PWM控制方式工作原理
▪
追求至善凭技术开拓市场，凭管理增 创效益 ，凭服 务树立 形象。2020年10月21日星期 三上午11时58分3秒11:58:0320.10.21
▪
严格把控质量关，让生产更加有保障 。2020年10月 上午11时58分20.10.2111:58October 21, 2020
▪
作业标准记得牢，驾轻就熟除烦恼。2020年10月21日星期 三11时58分3秒 11:58:0321 October 2020
特点：正向压降小，关断时间短，高温特性好。无接线分布 电感。
逆导型斩波器
U 接通
VT1 iC iT id
×
振荡放电 VT2
＋_ _+
L C iC
VD
Ld M
图15-19 b)
振荡放 电波形
u
uc
uL
E
0
ωt
-E i
0
ωt
图15-20
三、GTO（或GTR）直流斩波器
a)电路分析 b)电路分析 图15-21
2.变频器的结构形式
图15-8 交—直—交电压型变频器的结构形式
三、逆变器的基本原理与换流方式
图15-9 单相桥式逆变电路工作原理 当开关S1、S4闭合，S2、S3断开时，u0 Ud ，反之 u0 U d
把直流电变成了交流电——无源逆变。 四个桥臂的切换频率就等于负载电压uo的频率
变频电路的换流方式
N fc fr
1.异步调制控制方式： 2.控制过程中载波比N不是常数。
2.同步调制控制方式: 控制过程中保持N为常数。
图15-17 分级同步式控制方案
第四节 直流斩波
▪ 一、直流斩波器的控制方式 ▪ 二、逆导晶闸管直流斩波器 ▪ 三、GTO（或GTR）直流斩波器
直流斩波的定义
将直流电源的恒定直流电压，通过电力电子器件的 开关作用，变换成可调的直流电压的装置，称为直流斩 波器。
▪ 二、PWM变频电路的调制控制方式
一、PWM型变频器的基本工作原理
PWM基本原理: 对逆变电路中的开关器件的通断进行有规律 的控制，使输出端得到等幅不等宽的脉冲列，用这些脉冲列 来代替正弦波。
PWM控制的重要理论依据 冲量（脉冲的面积）相等而形状不同的窄脉冲（如图15-10所 示），分别加在具有惯性环节的输入端，其输出响应波形基 本相同。
本章电子教案制作：申凤琴
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树立质量法制观念、提高全员质量意 识。20.10.2120.10.21Wednes day, October 21, 2020
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人生得意须尽欢，莫使金樽空对月。11:58:0311:58:0311:5810/21/2020 11:58:03 AM
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安全象只弓，不拉它就松，要想保安 全，常 把弓弦 绷。20.10.2111:58:0311:58Oc t-2021- Oct-20
图15-21 a)
对GTO施加正脉冲时VT导 通，直流电源向负载供电；
当给VT门极负脉冲时， GTO便关断，直流电源停 止向负载供电，负载电流 经续流二极管VD续流。
图15-21 b)
该电路主控开关是普通晶闸管 VT1，VT2、C是为关断VT1而 设的附加电路。
当要关断VT1时，触发VT2导通， 与之串联的辅助关断直流电源 给VUTF 1施加反向电压，使VT1关 断，之后，再给VT2门极送入负 脉冲使VT2关断。
和 U1 的配合，实现不同类型的调频调速。
当 f1≤f1n时，对恒转矩负载，都采用电压频率比例调节， 低频段加以电压补偿的恒转矩调速方式，即
U1 U1n =常数
f1 f1n
式中， f1n 是定子供电额定频率； U1n 是定子供电额定电压。 当f1＞f1n时，对近似恒功率负载，采用只调节频率f1，而不 调节电压 U1的控制方式，即
流可通过VD3和V1续流。
电路
波形
2）当ur＜0时，V2通，V1断，在ur与uC负极性三角波交点处 控制V3的通断。