硅片加工各工序作用表
一、硅片生产主要制造流程如下：
切片→倒角→磨片→磨检→CP→CVD→ML→最终洗净→终检→仓入
二、硅片生产制造流程作业
1.硅棒粘接：用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接，以利于牢固的
固定在切割机上和方位角的确定。
2.切片(Slice)：主要利用内圆切割机或线切割机进行切割，以
获得达到其加工要求的厚度，X、Y方向角，曲翘度的薄硅片。
3.面方位测定：利用X射线光机对所加工出的硅片或线切割前
要加工的硅棒测定其X、Y方位角，以保证所加工的硅片的X、
Y方位角符合产品加工要求。
4.倒角前清洗：主要利用热碱溶液和超声波对已切成的硅片进
行表面清洗，以去除硅片表面的粘接剂、有机物和硅粉等。
5.倒角(BV)：利用不同的砥石形状和粒度来加工出符合加工要
求的倒角幅值、倒角角度等，以减少后续加工过程中可能产
生的崩边、晶格缺陷、处延生长和涂胶工艺中所造成的表面
层的厚度不均匀分布。
6.厚度分类：为后续的磨片加工工艺提供厚度相对均匀的硅片
分类，防止磨片中的厚度不均匀所造成的碎片等。
7.磨片(Lapping):去除切片过程中所产生的切痕和表面损伤
层，同时获得厚度均匀一致的硅片。
8.磨片清洗：去除磨片过程中硅片表面的研磨剂等。
9.磨片检查：钠光灯下检查由于前段工艺所造成的各类失效模
式，如裂纹、划伤、倒角不良等。
10.ADE测量：测量硅片的厚度、曲翘度、TTV、TIR、FPD等。
11.激光刻字：按照客户要求对硅片进行刻字。
12.研磨最终清洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。
13.扩大镜检查：查看倒角有无不良和其它不良模式。
14.CP前洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。
15.CP(Chemical Polishing):采用HNO3+HF+CH3COOH溶液腐蚀去
除31um厚度，可有效去除表面损伤层和提高表面光泽度。
16.CP后洗：用碱和酸分别去除有机物和金属离子。
17.CP检查：在荧光灯和聚光灯下检查表面有无缺陷和洗污，以
及电阻率、PN判定和厚度的测量分类。
18.DK(Donar Killer)：利用退火处理使氧原子聚为基团，以稳
定电阻率。
19.IG(Intrinsic Gettering):利用退火处理使氧原子形成二次
缺陷以吸附表面金属杂质。
20.BSD(Back Side Damage):利用背部损伤层来吸附金属杂质。
21.CVD前洗：去除有机物和颗粒。
22.LP-CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition):高温分
解SiH4外延出多晶硅达到增强型的外吸杂。
23.AP-CVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition):
在硅片背部外延SiO2来背封并抑制自掺杂。
24.端面处理：去除硅片背面边缘的SiO2。
25.CVD后洗：去除表面颗粒。
26.ML(Mirror Lapping)倒角:防止后续工艺中的崩边发生以及
外延时的厚度不均匀等。
27.ML前洗：去除有机物、颗粒、金属杂质等。
28.ML贴付：硅片表面涂腊贴附在陶瓷板上，固定硅片以利于ML
加工。
29.ML:也称之为CMP(Chemical Mechanism Polishing)，经过粗
抛和精抛去除14um厚度，此可有效的去除表面损伤层和提高表面平坦度。
30.去腊洗净：去除ML后背面的腊层。
31.ADE测量：测定硅片表面形貌参数如：平整度，翘曲度等。
32.ρ-t测量：对电阻率和厚度进行测定和分类。
33.扩大镜检查：检查ML倒角不良。
34.最终洗净：去除颗粒，有机物和金属杂质。
35.WIS测定：测量最终洗净后硅片表面颗粒。
36.最终检查：在荧光灯和聚光灯下检查硅片表面的情况。
37.仓入：对硅片进行包装，防止再次污染，以待出货。
硅片生产工艺流程及注意要点
硅片生产工艺流程及注意要点 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。 表1.1 硅片加工过程步骤 1.切片 2.激光标识 3.倒角 4.磨片 5.腐蚀 6.背损伤 7.边缘镜面抛光 8.预热清洗 9.抵抗稳定——退火 10.背封 11.粘片 12.抛光 13.检查前清洗 14.外观检查
15.金属清洗 16.擦片 17.激光检查 18.包装/货运 切片（class 500k） 硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面，尽管正面通常会被用到。
机械加工常见工序名称
1、翻边：是沿外形曲线周围将材料翻成侧立短边的冲压工序。 2、翻孔：是沿内孔周围将材料翻成侧立凸缘的冲压工序。 3、切开：是将材料沿敞开轮廓局部而不是完全分离的一种冲压工序。被切开而分离的材料位于或基本位于分离前所处的平面上。 4、切边：是利用冲模修切成形工序件的边缘，使之具有一定直径、一定高度或一定形状的一种冲压工序。 5、切舌：是将材料沿敞开轮廓局部而不是完全分离的一种冲压工序。被局部分离的材料，具有工件所要求的一定位置，不再位于分离前所处的平面上。 6、切断：是将材料沿敞开轮廓分离的一种冲压工序，被分离的材料成为工件或工序件。 7、反拉深：是把空心工序件内壁外翻的一种拉深工序。 8、冲中心孔：是在工序件表面形成浅凹中心孔的一种冲压工序，背面材料并无相应凸起。 9、冲孔：是将废料沿封闭轮廓从材料或工序件上分离的一种冲压工序，在材料或工序件上获得所需要的孔。 10、冲缺：是将废料沿敞开轮廓从材料或工序件上分离的一种冲压工序，敞开轮廓形成缺口，其深度不超过宽度。 11、冲裁：是利用冲模使部分材料或工序件与另一部分材料、工（序）件或废料分离的一种冲压工序。冲裁是切断、落料、冲孔、冲缺、冲槽、剖切、凿切、切边、切舌、切开、修整等分离工序的总称。 12、冲槽：是将废料沿敞开轮廓从材料或工序件上分离的一种冲压工序，敞开轮廓呈槽形，其深度超过宽度。 13、扩口：是将空心件或管状件敞开处向外扩张的一种冲压工序。 14、压凸：是用凸模挤入工序件一面。迫使材料流入对面凹坑以形成凸起的一种冲压工序。 15、压花：是强行局部排挤材料，在工序件表面形成浅凹花纹，图案、文字或符号的一种冲压工序。被压花表面的背面并无对应于浅凹的凸起。 16、压筋：是起伏成形的一种。当局部起伏以筋形式出现时，相应的起伏成形工序称为压筋。 17、成形：依靠材料流动而不依靠材料分离使工序件改变形状和尺寸的冲压工序的统称。 18、光洁冲裁：是不经整修直接获得整个断面全部或基本全部光洁的冲裁工序。 19、扭曲：是将平直或局部平直工序件的一部分相对另一部分扭曲一定角度的冲压工序。 20、连续拉深：是在条料（卷料）上，用同一副模具（级进拉深模）通过多次拉深逐步形成所需形状和尺寸的一种冲压方法。 21、变薄拉深：是把空心工序件进一步改变形状和尺寸，意图性地把侧壁减薄的一种拉深工序。 22、卷边：是将工序件边缘卷成接近封闭圆形的一种冲压工序，卷边圆形的轴线呈直线形。 23、卷缘：是将空心件上口边缘卷成接近封闭圆形的一种冲压工序。 24、拉延：是把平直毛坯料或工序件变成曲面形的一种冲压工序，曲面主要依靠位于凸模底部材料的延伸形成。 25、拉弯：是在拉力与弯矩共同作用下实现弯曲变形，使整个弯曲断面全部受拉伸应力的一种冲压工序。 26、拉深：是把平直毛坯料或工序件变成空心件，或者把空心件进一步改变形状和尺寸的一种冲压工序。拉深时空心件主要依靠位于凸模底部以外的材料流入凹模而形成。 27、胀形：是将空心件或管状件沿径向往外扩张的一种冲压工序。 28、弯曲：是利用压力使材料产生塑性变形，从而被弯成有一定曲率、一定角度的形状的一种冲压工序。
包装机械生产工艺流程图及说明
钣金件工艺 机加工生产加工工艺 钣金车间工艺要求流程 （1）钣金车间可根据图纸剪板下料，在相应位置冲孔和剪角剪边。以前工序完成后进行折弯加工；第一步必须进行调整尺寸定位，经检查后进行下一步折弯工艺。折弯后经检查合格组焊；组焊要求必须在工装和模型具下进行组焊。根据图纸要求焊接深度和点处焊接。焊点高度不得超过设计要求、焊机工艺要求；2mm以下必须用二氧化碳保护焊和氩弧焊接。不锈钢板必须用氩弧焊。焊接件加工成形后进行校整，经检查符合图纸要求后进行下一步打磨拉丝。打磨必须以
量角样板进行打磨，不得有凸出和凹缺。拉丝面光吉度必须按图纸要求进行。 （2）外协碳钢件表面处理喷漆工艺要求：喷沙或氧化面积不得小于总面积的95％，除去沙和氧化液进行表面防锈喷漆和电镀处理。经底部处理后再进行表漆加工，表漆加工必须三次进行完成。喷塑厚度不得小于0.35mm。钣金件经检验合格后进厂入半成品库待装。 （3）入库件摆放要求：小件要求码齐入架存放。大件必须有间隔层，可根据种类整齐存放。 机加件加工流程： （1）机加工件工艺要求；原材料进厂由质检部进行检验，根据国家有关数据进行检测，进厂材料必须检测厚度、硬度、和其本几何尺寸。 （2）下料；根据图纸几何尺寸加其本加工量下料，不得误差太大。 （3）机床加工；根据零件图纸选择基本定位面进行粗加工、精加工，加工几何尺寸保留磨量。 （4）铣床加工；根据零件图纸选择基本刀具装入刀库，在加工过程中注意更换刀库刀具，工件要保整公差。 （5）钳工；机加件加工完成后根要求进行画线钳工制做，在加工过程中必须用中心尖定位。大孔首先打小孔定位再用加工大孔。螺纹加工要在攻丝机进加工，不得有角度偏差。螺纹孔加工后螺栓要保
机械加工工序卡片讲解
见工艺附图 车间工序号工序名称材料牌号机加车间10.10J钻孔EYL-2 毛坯种类毛坯外形尺寸每毛坯可制件数每台件数 Ф2.711 设备名称设备型号设备编号同时加工件数立钻Z525 1 夹具编号夹具名称切削液 62J2-2682 钻具 工位器具编号工位器具名称 工序工时 (分) 准终单件 30s 工步号工步内容工艺装备 主轴转速切削速度进给量切削深度 进给次数 工步工时 r/min m/min mm/r mm 机动辅助 1 钻孔Ф2.7 通孔 抛物麻花钻Ф2.7、 卡尺（0-125、0.02） 2800 23.74 手动15s 设计（日期）校对（日期）审核（日期）标准化（日期）会签（日期）
见工艺附图 车间工序号工序名称材料牌号机加车间20.20J倒角EYL-2 毛坯种类毛坯外形尺寸每毛坯可制件数每台件数 Ф2.711 设备名称设备型号设备编号同时加工件数立钻Z525 1 夹具编号夹具名称切削液工位器具编号工位器具名称 工序工时 (分) 准终单件 12s 工步号工步内容工艺装备 主轴转速切削速度进给量切削深度 进给次数 工步工时 r/min m/min mm/r mm 机动辅助 1 在Ф2.7孔口倒角1×45°麻花钻Ф6 840 15. 2 手动3s 设计（日期）校对（日期）审核（日期）标准化（日期）会签（日期）
见工艺附图 车间工序号工序名称材料牌号机加车间30.30J铰孔EYL-2 毛坯种类毛坯外形尺寸每毛坯可制件数每台件数 Ф311 设备名称设备型号设备编号同时加工件数立钻Z5121 1 夹具编号夹具名称切削液 26J2-2694 钻具 工位器具编号工位器具名称 工序工时 (分) 准终单件 30s 工步号工步内容工艺装备 主轴转速切削速度进给量切削深度 进给次数 工步工时 r/min m/min mm/r mm 机动辅助 1 铰孔Ф3 +0.025 0 通孔 铰刀3-H8、 塞规62BL1-2001/7 840 7.92 手动15s 设计（日期）校对（日期）审核（日期）标准化（日期）会签（日期）
硅片生产工艺技术流程
顺大半导体发展有限公司太阳能用 硅单晶片生产技术 目录 一、硅片生产工艺中使用的主要原辅材料 1、拉制单晶用的原辅材料，设备和部件： 2、供硅片生产用的原辅材料，设备和部件： 二、硅片生产工艺技术 1、硅单晶生产部 （1）、腐蚀清洗工序生产工艺技术 对处理后原材料质量要求 （2）、腐蚀清洗生产工艺流程 ①多晶硅块料，复拉料和头，尾料处理工艺流程 ②边皮料酸碱清洗处理工艺流程 ③埚底料酸清洗处理工艺流程 ④废片的清洗处理工艺流程 （3）、硅单晶生长工艺技术 （4）、单晶生长中的必备条件和要求 ①单晶炉 ②配料与掺杂 （5），单晶生长工艺参数选择 （6）、质量目标： （7）、硅单晶生长工艺流程
2、硅片生产部 （1）、硅片加工生产工艺技术 （2）、硅片加工工艺中的必备条件和要求 ①切割机 ②切割浆液 （3）、质量目标 （4）、硅片加工工艺技术流程 ①开方锭生产工艺流程 ②切片生产工艺流程 （5）、硅片尺寸和性能参数检测
前言 江苏顺大半导体发展有限公司座落于美丽的高邮湖畔。公司始创生产太阳能电池用各种尺寸的单晶和多晶硅片。拥有国内先进的拉制单晶设备104台，全自动单晶炉112台。年产量可达到××××吨。拥有大型先进的线切割设备×××台。并且和无锡尚德形成了合作联盟（伙伴），每×可以向尚德提供×××硅单晶片。同时河北晶于2004年，占地面积××××。公司现在有×××名员工，从事澳、南京等光伏组件公司都和顺大形成了长年的合作关系。为了公司的进一步发展，扩大产业链，解决硅单晶的上下游产品的供需关系，2006年在扬州投资多晶硅项目，投资规模达到××亿。工程分两期建设，总规模年产多晶硅6000吨。2008年底首期工程已经正式投入批量生产，年产多晶硅×××吨。 太阳能用硅片生产工艺十分复杂，要通过几十道工序才能完成，只有发挥团队精神才能保证硅片的最终质量。编写该篇壮大资料的目的：首先让大家了解整个硅片生产过程，更重要的是让各生产工序中的每一位操作人员明确自己的职责，更自觉地按操作规程和规范做好本职工作，为顺大半导体发展有限公司的发展，尽自己的一份力量。
机械加工工艺流程描述PDF.pdf
机械加工工艺流程详解 1.机械加工工艺流程 机械加工工艺规程是规定零件机械加工工艺过程和操作方法等的工艺文件之一，它是在具体的生产条件下，把较为合理的工艺过程和操作方法，按照规定的形式书写成工艺文件，经审批后用来指导生产。机械加工工艺规程一般包括以下内容：工件加工的工艺路线、各工序的具体内容及所用的设备和工艺装备、工件的检验项目及检验方法、切削用量、时间定额等。 1.1 机械加工艺规程的作用 (1)是指导生产的重要技术文件 工艺规程是依据工艺学原理和工艺试验，经过生产验证而确定的，是科学技术和生产经验的结晶。所以，它是获得合格产品的技术保证，是指导企业生产活动的重要文件。正因为这样，在生产中必须遵守工艺规程，否则常常会引起产品质量的严重下降，生产率显著降低，甚至造成废品。但是，工艺规程也不是固定不变的，工艺人员应总结工人的革新创造，可以根据生产实际情况，及时地汲取国内外的先进工艺技术，对现行工艺不断地进行改进和完善，但必须要有严格的审批手续。 (2)是生产组织和生产准备工作的依据 生产计划的制订，产品投产前原材料和毛坯的供应、工艺装备的设计、制造与采购、机床负荷的调整、作业计划的编排、劳动力的组织、工时定额的制订以及成本的核算等，都是以工艺规程作为基本依据的。 (3)是新建和扩建工厂（车间）的技术依据 在新建和扩建工厂（车间）时，生产所需要的机床和其它设备的种类、数量和规格，车间的面积、机床的布置、生产工人的工种、技术等级及数量、辅助部门的安排等都是以工艺规程为基础，根据生产类型来确定。除此以外，先进的工艺规程也起着推广和交流先进经验的作用，典型工艺规程可指导同类产品的生产。 1.2 机械加工工艺规程制订的原则 工艺规程制订的原则是优质、高产和低成本，即在保证产品质量的前提下，争取最好的经济效益。在具体制定时，还应注意下列问题： 1)技术上的先进性在制订工艺规程时，要了解国内外本行业工艺技术的发展，通过必要的工艺试验，尽可能采用先进适用的工艺和工艺装备。 2)经济上的合理性在一定的生产条件下，可能会出现几种能够保证零件技术要求的工艺方案。此时应通过成本核算或相互对比，选择经济上最合理的方案，使产品生产成本最低。
硅片多线切割技术详解
硅片多线切割技术详解 太阳能光伏网 2012-4-9 硅片是半导体和光伏领域的主要生产材料。硅片多线切割技术是目前世界上比较先进的硅片加工技术，它不同于传统的刀锯片、砂轮片等切割方式，也不同于先进的激光切割和内圆切割，它的原理是通过一根高速运动的钢线带动附着在钢丝上的切割刃料对硅棒进行摩擦，从而达到切割效果。在整个过程中，钢线通过十几个导线轮的引导，在主线辊上形成一张线网，而待加工工件通过工作台的下降实现工件的进给。硅片多线切割技术与其他技术相比有：效率高，产能高，精度高等优点。是目前采用最广泛的硅片切割技术。 多线切割技术是硅加工行业、太阳能光伏行业内的标志性革新，它替代了原有的内圆切割设备，所切晶片与内圆切片工艺相比具有弯曲度（BOW）、翘曲度（WARP）小，平行度（TAPER）好，总厚度公差（TTA）离散性小，刃口切割损耗小，表面损伤层浅，晶片表面粗糙度小等等诸多优点。 太阳能硅片的线切割机理就是机器导轮在高速运转中带动钢线，从而由钢线将聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区，在钢线的高速运转中与压在线网上的工件连续发生摩擦完成切割的过程。 在整个切割过程中，对硅片的质量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂浆的粘度、砂浆的流量、钢线的速度、钢线的张力以及工件的进给速度等。 一、切割液（PEG）的粘度 由于在整个切割过程中，碳化硅微粉是悬浮在切割液上而通过钢线进行切割的，所以切割液主要起悬浮和冷却的作用。 1、切割液的粘度是碳化硅微粉悬浮的重要保证。由于不同的机器开发设计的系统思维不同，因而对砂浆的粘度也不同，即要求切割液的粘度也有不同。例如瑞士线切割机要求切割液的粘度不低于55，而NTC要求22-25，安永则低至18。只有符合机器要求的切割标准的粘度，才能在切割的过程中保证碳化硅微粉的均匀悬浮分布以及砂浆稳定地通过砂浆管道随钢线进入切割区。 2、由于带着砂浆的钢线在切割硅料的过程中，会因为摩擦发生高温，所以切割液的粘度又对冷却起着重要作用。如果粘度不达标，就会导致液的流动性差，不能将温度降下来而造成灼伤片或者出现断线，因此切割液的粘度又确保了整个过程的温度控制。 二、碳化硅微粉的粒型及粒度
机械加工工序卡
机械加工工序卡产品型号零件图号 产品名称CA6140法兰盘零件名称CA6140法兰盘 工序号工序名称材料牌号加工设备名称 一粗车HT200 CA6140卧式车床 毛坯种类坯件外型尺寸坯件来源 工装夹具名称检测量具名称 三爪卡盘0～150mm游标卡尺 25～50mm千分尺 0～25mm内径千分尺 切削液 无 共页第页 工步号工步内容主轴 转速 进给 速度 背吃 刀量 检测量 具名称 选用 刀具 1、粗车Φ100端面450～5900.1～0.20.5～10～150游标卡尺90°合金外圆车刀 2、 粗车Φ100外圆柱面 450～5900.1～0.20.5～1内径千分尺Ф18镗刀 3、粗车B面450～5900.1～0.20.5～10～150游标卡尺3mm宽的切刀 4、粗车Φ90外圆柱面450～5900.1～0.20.5～1千分尺90°外圆车刀 5、粗车Φ45端面450～5900.1～0.20.5～10～150游标卡尺45°外圆车刀 6、粗车Φ45外圆柱面450～5900.1～0.20.5～10～150游标卡尺45°外圆车刀 7、粗车Φ90端面450～5900.1～0.20.5～1 0～150游标卡尺90°外圆车刀 设计日期审核日期标准化日期会签日期 标记处数更改文件号签字日期标记处数更改文件号签 字日期 机械加工工序卡产品型号零件图号
产品名称CA6140法兰盘零件名称CA6140法兰盘工序号工序名称材料牌号加工设备名称二钻孔HT200 立式钻床毛坯种类坯件外型尺寸坯件来源 工装夹具名称检测量具名称 三爪卡盘0～150游标卡尺 切削液 无 共页第页 工步号工步内容主轴 转速 进给 速度 背吃 刀量 检测量 具名称 选用 刀具 1、 钻Φ18的孔300～4500.2～0.31～30～150游 标卡尺 Ф18的麻花钻 2、 扩Φ20的孔450～5900.1～0.20.8～10～150游 标卡尺 Ф20的麻花钻设计日期审核日期标准化日期会签日期 标记处数更改文件号签字日期标记处数更改文件号签字日期 机械加工工序卡产品型号零件图号 产品名称CA6140法兰盘零件名称CA6140法兰盘
硅片生产流程
硅片生产流程 小组成员：吴国栋徐浩王汉杰王超 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。 硅片加工过程步骤 1. 切片 2. 激光标识 3. 倒角 4. 磨片 5. 腐蚀 6. 背损伤 7. 边缘镜面抛光 8. 预热清洗 9. 抵抗稳定——退火 10. 背封 11. 粘片 12. 抛光 13. 检查前清洗 14. 外观检查 15. 金属清洗
16. 擦片 17. 激光检查 18. 包装/货运 切片（class 500k） 硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面，尽管正面通常会被用到。 倒角 当切片完成后，硅片有比较尖利的边缘，就需要进行倒角从而形成子弹式的光滑的边缘。倒角后的硅片边缘有低的中心应力，因而使之更牢固。这个硅片边缘的强化，能使之在以后的硅片加工过程中，降低硅片的碎裂程度。图1.1举例说明了切片、激光标识和倒角的过程。 磨片（Class 500k） 接下来的步骤是为了清除切片过程及激光标识时产生的不同损伤，这是磨片过程中要完成的。在磨片时，硅片被放置在载体上，并围绕放置在一些磨盘上。硅片的两侧都能与磨盘接触，从而使硅片的两侧能同时研磨到。磨盘是铸铁制的，边缘锯齿状。上磨盘上有一系列的洞，可让研磨砂分布在硅片上，并随磨片机运动。磨片可将切片造成的严重损伤清除，只留下一些均衡的浅显的伤痕；磨片的第二个好处是经磨片之后，硅片非常平整，因为磨盘是极其平整的。 磨片过程主要是一个机械过程，磨盘压迫硅片表面的研磨砂。研磨砂是由将氧化铝溶液延缓煅烧后形成的细小颗粒组成的，它能将硅的外层研磨去。被研磨去的外层深度要比切片造成的损伤深度更深。
常用机械加工工艺术语
常用机械加工工艺术语（英汉对照） 1 工艺基本概念 一般概念 1.1.1数控加工：numerical control machining 根据被加工零件图样和工艺要求，编制成以数码表示的程序输入到机床的数控装置或控制计算机中，以控制工件和工具的相对运动，使之加工出合格零件的方法。 生产对象 原材料：raw material 投入生产过程以创新产品的物质。 主要材料：primary material; direct material 构成产品实体的材料。 辅助材料：auxiliary material; indirect material 在生产中起辅助作用而不构成产品实体的材料。 代用材料：substituent 在使用功能上能够代替原设计要求的材料。它具有被代替材料所具备的全部或主要性能。 易损材料：quick-wear material 在正常使用条件下，容易损坏或失效的材料。 废料：waste material 在制造某种产品过程中，剩下的而对本生产对象不再有用的材料。 型材：section 金属或非金属材料通过拉制、轧制或压制等方法所获得的具有特定几何形状截面的材料。 板材：plate 金属或非金属材料通过轧制或压制等方法而获得的各种不同厚度的板状材料。 棒材：bar stock 金属或非金属材料通过拉延、轧制工艺获得的圆、方、六角形截面的材料。 铸件：casting 将熔融金属浇入铸型，凝固后所得到的金属制件或毛坯。
锻件：forgings 金属材料经过锻造变形而得到的工件或毛坯。 焊接件：weldment 用焊接方法而得到的结合件。 模压件：molded parts 利用模具压制的工件。 冲压件：stamping 用冲压的方法制成的工件或毛坯。 合格品：accepted product;;conforming article 通过检验质量特性符合标准要求的制品。 不合格品： defective unit; non conforming article 通过检验,质量特性不符合标准要求的制品。 废品：discard 不能修复又不能降级使用的制品。 返修品：rewotking parts 通过修复或重行加工，质量特性符合标准要求的制品。 样品：specimen ; sample 用于材料试验分析，产品质量对照及商品宣传的单个或多个物品。 工件：workpiece 加工过程中的生产对象。 配套件 (配件)：fitting part 组成产品的零件、部件、标准件及元器件等的总称。 备品（备件）：spare part 储备待用的易损件。 附件：accessory 1) 供用户安装、调整和使用产品所需要的工具、检测仪表等，或为扩大产品使用功能所需的附属装置。 2) 随同主要文件一同制定或发出的有关文件。 零件：part 不采用装配工序而制成的产品。 部件：subassembly 由两个或两个以上的零件或由材料、零件等以可拆卸或不可拆卸的连接形式所组成
机械加工工艺过程卡片
机械加工工艺过程卡片 页脚.
页脚.
机械加工工序卡片产品型号 零件 图号 01-01-01 共17页产品名称填料箱盖 零件 名称 填料箱盖第 1 页 (工序图) 车间工序号工序名称材料牌号 机加工 车间 车削HT200 毛坯种类毛坯外型尺寸每坯件数每台件数 铸造159x142 1 1 设备名称设备型号设备编号同时加工件数 CA6140 1 夹具编号夹具名称切削液 ZY-01 车床专用夹具 工序工时 准终单件 39.46s 工步号工步容工艺装备 主轴转 速 (r/min) 切削速 度 (m/min) 进给量 (mm/r) 背吃刀 量 (mm) 进给次 数 工时定额 机动辅助 1 粗车小端端面专用夹具、YG6硬质合金车刀、 表面粗糙度仪 90 45 0.5 1.25 1 22s 17.46 s
机械加工工序卡片产品型号 零件 图号 01-01-01 共17页产品名称填料箱盖 零件 名称 填料箱盖第 2 页 (工序图) 车间工序号工序名称材料牌号 机加工 车间 车削HT200 毛坯种类毛坯外型尺寸每坯件数每台件数 铸造159x142 1 1 设备名称设备型号设备编号同时加工件数 CA6140 1 夹具编号夹具名称切削液 ZY-01 车床专用夹具 工序工时 准终单件 20.96s 工步号工步容工艺装备 主轴转 速 (r/min) 切削速 度 (m/min) 进给量 (mm/r) 背吃刀 量 (mm) 进给次 数 工时定额 机动辅助 2 粗车φ65外圆专用夹具、YG6硬质合金车刀、 游标卡尺、表面粗糙度仪 90 45 0.65 1 1 20.5s 0.46s
第3章_机械加工工艺路线期末考试试题
例题 在成批生产条件下，加工如例题图所示零件，其机械加工工艺过程如下所述： ⑴在车床上加工整批工件的小端端面、小端外圆（粗车、半精车）、台阶面、退刀槽、小端孔（粗车、精车）、内外倒角； ⑵调头，在同一台车床上加工整批工件的大端端面、大端外圆及倒角； ⑶在立式钻床上利用分度夹具加工四个螺纹孔； ⑷在外圆磨床上粗、精磨1206h 外圆。 试列出其工艺过程的组成，并确定各工序的定位基准，画出各工序的工序简图，用符号标明加工面， 标明定位 基准面，用数字注明所消除的不定度（自由度）数，其它用文字说明、工艺过程分析到工步。 例题图 解：工序I 车，（见例题解答图a ），一次安装，工步为：(1)车端面； (2)粗车外圆；(3)车台阶面；(4)车退刀槽；(5)粗车孔；(6)半精车外圆； (7)精车孔； (8)外圆倒角； (9)内圆倒角。 工序Ⅱ车（见例题解答图b ），一次安装，工步为：(1)车端面；(2)车外圆；(3)车内孔；(4)倒角。 工序Ⅲ钻（见例题解答图c ），一次安装，4个工位，工步为：(1)钻4个孔；(2)攻4个螺纹孔。 工序Ⅳ磨（见例题解答图d ），一次安装，工步为：(1)粗磨外圆；(2)精磨外圆。
例题指出例题图零件结构工艺性不合理的地方，并提出改进建议。 例题图 答：例题3. 2图a 底面较大，加工面积较大，加工量较大且不易保证加工质量，建议减少底面加工面的尺寸，如开一通槽。例题图中孔的位置距直壁的尺寸太小，钻孔时刀具无法切入，安装也不方便，故应该增大其距离。 例试拟定例题图所示小轴的单件小批生产和大批大量生产的机械加工工艺规程，并分析每种方案的工艺过程组成。 例题图 解：零件的机械加工工艺规程如例题表a和b所示。 工序工序内容所用设备 1车一端端面，打中心孔 调头车另一端面，打中心孔 车床 2车大端外圆及倒角 调头车小端外圆及倒角 车床 3铣键槽、去毛刺铣床 工序工序内容所用设备 1铣端面，打中心孔铣端面打中心孔机床 2车大端外圆及倒角车床 3调头车小端外圆及倒角车床 4铣键槽键槽铣床 5去毛刺钳台 从表中可看出，随零件生产类型的不同，工序的划分及每一个工序所包含的加工内容是不同的。在例题表中，车完一个工件的大端外圆和倒角后，立即调头车小端外圆及倒角，这是一个工序。而在例题表中，是在车完一批工件的大端外圆和倒角后再调头车小端外圆和倒角，加工内容没有连续进行，故是两个工序。
机械加工工艺过程卡片
机械加工工艺过程卡片 机械加工工艺过程卡片 产品型号低速轴零件图号 产品名称零件名称共 1 页第 1 页材料牌号毛坯种类轧制件毛坯外形尺寸每毛坯件数 1 每台件数 1 备注 工艺工名车工 工序内容设备工艺装备 工时/s 序称间段准终单件 号 1 车，钻装夹，钻中心孔，粗车外圆，平端面CA6136 三爪卡盘，90°车刀，中心钻 2 切槽切退刀槽，倒角CA6136 三爪卡盘，45°车刀，切断刀 4 切槽切退刀槽，倒角CA6136 三爪卡盘，45°车刀，切断刀 热处理热处理 5 车精车外圆CA613 6 三爪卡盘，游标卡尺，90°车刀 6 调头调头装夹，精车外圆 7 铣铣键槽12×5×20 型平键万能铣床平口钳，铣刀铣铣键槽14× 5.5 ×25 型平键万能铣床平口钳，铣刀淬火淬火 8 磨削粗，精磨外圆 描图 去毛刺由钳工修整，去毛刺钳工台锉刀 描校中检检查尺寸，表面粗糙度塞规百分尺卡尺清洗清洗清洗机 底图号终检检查尺寸，表面粗糙度塞规百分尺卡尺 装订号 设计（日期）校对（日期）审核（日期）标准化（日期）会签（日期）标记处数更改文件号签字日期标记处数更改文件号签字日期
评分表 序号 考核评价项目 考核内容 学生 自检 小组 互检 教师 终检 配分成绩 相关知识点的学习 过零件定位基准的选择原则 专业能力 1 40 程能够正确选择零件加工时的定位基准 性信息收集、自主学习、分析解决问题、归纳总结及 2 方法能力10 考创新能力 核 团队协作、沟通协调、语言表达能力及安全文明、 3 社会能力10 质量保障意识 常 4 个人能力理论知识综合考核情况30 规 考 5 其他出勤、课堂纪律、回答问题、作业完成情况10 核
硅片加工
硅片加工技术 1. 硅的主要性质：原子序数：14、现对原子质量：08.28、晶体结构：金刚石结构、熔点：℃1420、颜色：银白色。 2. 硅片按生产工艺分为：切割片、研磨片、化腐片和抛光片。 3. 硅片加工第一道工序：定向、滚磨开方。 4. 滚磨开方的设备：单晶切方滚磨机、带锯、线锯。 5. 硅单晶主参考面方位的确定方法：光图定向法和晶棱连线法。 6. 硅单晶定向切割可分为：多线切割和内圆切割。 7. 硅片的研磨方式有：单面研磨和双面研磨。 8. 硅片抛光的方法分为：机械抛光、化学抛光、化学机械抛光、最常用的方法是化学机械抛光。 9. 吸附分为：化学吸附和物理吸附。 10. 环境洁净度等级标准：美国联邦标准。 11. 硅片表面污染类型：有机杂质玷污、颗粒类杂质玷污和金属杂质玷污。 12. 化学试剂按纯度分为：优级纯、分析纯、化学纯。 13. 超声波清洗系统的组成：超声波电源、清洗槽和换能器。 14. 纯水制备系统的组成：预处理系统、初级处理系统和精处理系统。 15. 硅片电学参数：导电类型、电阻率、电阻率变化及电阻率条纹。 16. 硅晶体两种切割工艺比较： 内圆切割：内圆刀片、一片一片切割、刀缝m 350280μ→、品种变换简单方便、灵活，风险低、效率低、原料损耗高、硅片体型变大、加工参数一致性差。 线切割：钢丝切割线、整锭同时切割、线缝m 220180μ→、效率高、原料损耗小、硅片体型变小、加工参数一致性好、风险高。 17. 硅单晶内圆切割与多线切割的工艺过程： 内圆切割： 送清洗冲洗与去胶上机切割定向与校对粘结准备工作→→→→→。 多线切割： 送清洗冲洗去胶上机切割系统调整粘结定向准备工作→→→→→→。 18. 磨削液的作用：冷却、排渣、润滑、防锈。 19. 研磨工艺过程： 送清洗研磨设置修盘配置研磨液硅片厚度分选→→→→→。 20. 研磨前为什么要进行厚度分选？ 答：经切割的硅片厚度较分散，为使研磨后的硅片厚度较一致，并且总厚度变化TTV 小，需要对切割后的硅片进行厚度分选，将厚度一致的硅片放在同盘进行研磨。 21. 硅边缘倒角的目的、形状、工艺过程。 答：硅片倒角的目的为了有效的释放内部应力、以减少后续的加工损伤；
机械加工工序图
一、机械加工工序设计，机械加工工序图 1、基准先行 零件加工一般多从精基准的加工开始，再以精基准定位加工其它表面。因此，选作精基准的表面应安排在工艺过程起始工序先进行加工，以便为后续工序提供精基准。例如轴类零件先加工两端中心孔，然后再以中心孔作为精基准，粗、精加工所有外圆表面。齿轮加工则先加工内孔及基准端面，再以内孔及端面作为精基准，粗、精加工齿形表面。 2、先粗后精 精基准加工好以后，整个零件的机械加工工序，应是粗加工工序在前，相继为半精加工、精加工及光整加工。东莞市顺文五金机械加工厂提醒您：按先粗后精的原则先加工精度要求较高的主要表面，即先粗加工再半精加工各主要表面，最后再进行精加工和光整加工。在对重要表面精加工之前，有时需对精基准进行修整，以利于保证重要表面的加工精度，如主轴的高精度磨削时，精磨和超精磨削前都须研磨中心孔；精密齿轮磨齿前，也要对内孔进行磨削加工。 3、先主后次 根据零件的功用和技术要求。先将零件的主要表面和次要表面分开，然后先安排主要表面的加工，再把次要表面的加工工序插入其中。东莞市顺文五金机械加工厂提醒您：次要表面一般指键槽、螺孔、销孔等表面。这些表面一般都与主要表面有一定的相对位置要求，应以主要表面作为基准进行次要表面加工，所以次要表面的加工一般放在主要表面的半精加工以后，精加工以前一次加工结束。也有放在最后加工的，但此时应注意不要碰伤已加工好的主要表面。 4、先面后孔 对于箱体、底座、支架等类零件，平面的轮廓尺寸较大，用它作为精基准加工孔，比较稳定可靠，也容易加工，有利于保证孔的精度。东莞市顺文五金机械加工厂提醒您：如果先加工孔，再以孔为基准加工平面，则比较困难，加工质量也受影响。 二，机械加工工序卡，机械加工工序卡设计
硅片生产流程
硅片生产流程及主要设备 作为一种取之不尽的清洁能源，太阳能的开发利用正引起人类从未有过的极大关注。商业化太阳能电池采用的是无毒性的晶硅，单晶和多晶硅电池的特点是光电转换效率高、寿命长且稳定性好。硅片是晶体硅光伏电池加工成本中最昂贵的部分, 随着半导体制造技术的不断成熟完善，硅片制造成本不断降低。硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分,太阳能电池所用硅片的切割成本一直居高不下，要占到太阳能电池总制造成本的30％以上。所以降低这部分的制造成本对于提高太阳能对传统能源的竞争力至关重要。目前硅片的切割方法都是围绕如何减小切缝损失、降低切割厚度、增大切片尺寸及提高切割效率方面进行的。 1.工艺流程：硅锭（硅棒）--切块（切方）--倒角抛光--粘胶--切片--脱胶清洗--分选检验、包装 2．工艺简介 切块／切方:将硅锭或者硅棒切成适合切片的尺寸,一般硅锭切成25 块（主流）。 倒角抛光：将晶柱的圆面棱角研磨成符合要求的尺寸，对表面进行抛光处理，从而获得高度平坦的晶片。 粘胶：用粘附剂把晶柱固定在由铝板和玻璃板组成的夹具上，自然硬化或用恒温炉使其硬化。 切片：把晶柱切割成硅片，切割的深度要达到夹具上的玻璃板，
以便在之后的程序中把硅片和玻璃板分开。 脱胶清洗：用清水清洗切成的硅片，再用热水浸泡，使硅片与玻璃板分开。 分选检验包装：抽样检查厚度、尺寸、抗阻值等指标，全部检查破损、裂痕、边缘缺口，挑选出符合要求的硅片进行包装。3．太阳能硅片切割方法 太阳能硅片切割方法主要有: 外圆切割、内圆切割和磨料线切割和电火花切割(WEDM )等。80年代中期之前的硅片切割都是由外圆切割机床或者内圆切割机床完成的, 这两种切割方法在那时的研究已经达到了鼎盛时期, 相当多功能的全自动切片机相继商品化, 生产主要分布在瑞士、德国、日本、美国等地方。 90年中后期以来, 多线切割技术逐渐走向成熟,其切缝损失小、切割直径大、成片效率高、适合大批量硅片加工, 在国内外太阳 能电池的硅片切割上,得到广泛的应用。WEDM 经过近半个世纪的发展, 技术已经十分成熟, 达到了相当高的工艺水平, 是一种非接触、宏观加工力很小的加工方式, 理论上采用WEDM 切割, 硅片的厚度可以达到很薄。 3．1外圆切割 外圆切割机主要有卧式和立式两种, 由主轴系统、冷却循环系统、工业机控制系统、电磁旋转工作台等组成, 其中主轴系统是它的核心系统, 刀片安装在主轴上面, 一般是在钢质圆片基体外圆部分电镀一层金刚石磨粒, 可以单刀切割或者多刀切割。
机械加工工序卡片.doc
机械加工工序卡片 沈阳大学产品型号零件图号 机械加工工序卡片 零件名称减速箱体共页第 1 页 产品名称 车间工序号工序名称材料牌号 IIIIIIIV 铣下平面HT15-33 毛坯种类毛坯外形尺寸每毛坯可制件数每台件数 铸件186mm× 176mm 1 1 设备名称设备型号设备编号同时加工件数 卧式铣床X62 1 夹具编号夹具名称切削液 专用夹具 工位器具编号工位器具名称 工序工时（分） 准终单件 1.91 工步工序内容刀具量具 主轴转数切削速度进给量切削深度进给单件工时 r/min m/min mm/ z mm 次数机动辅助 1 粗铣底平面端面铣刀游标卡尺150 37.7 0.08 2 1 93.75 14.6 设计（日期）校对（日期）审核（日期）标准化（日期）会签（日期） 标记处数更改文 日期标记处数更改文件号签字日期签字 件号
沈阳大学产品型号零件图号 机械加工工序卡片 零件名称减速箱体共 24 页第 3 页 产品名称 车间工序号工序名称材料牌号 钻孔Ф8mm ，Ф5mm， 7 Ф9mm ，锪沉头孔HT15-33 Ф14mm，攻丝 M5 毛坯种类毛坯外形尺寸每毛坯可制件数每台件数 铸件186mm× 176mm 1 1 设备名称设备型号设备编号同时加工件数 立式钻床Z525 夹具编号夹具名称切削液 专用夹具 工序工时（分） 工位器具编号工位器具名称 准终单件 不计 2.63 工步工序内容刀具量具 主轴转数切削速度进给量切削深度进给单件工时 r/min m/min mm/ z mm 次数机动辅助 1 钻孔 2- Ф8mm 高速钢麻花钻极限验规545 13.70 0.1 18 1 22.06s 3.31s 2 钻孔 3- Ф5mm 高速钢麻花钻极限验规680 15 0.1 10 1 8.83s 1.32s 3 钻孔 6- Ф9mm 高速钢麻花钻极限验规392 11.08 0.1 18 1 22.06s 3.31s 4 锪沉头孔 6- Ф14mm 平面锪钻极限验规140 4.4 0.0 5 14 1 56.47s 8.47s 5 攻丝 3-M5 细柄机用丝锥140 2.2 0.23 10 1 20.0 6 3.09s s 设计（日期）校对（日期）审核（日期）标准化（日期）会签（日期） 标记处数更改文 日期标记处数更改文件号签字日期签字 件号
硅片加工技术
硅片加工技术 内容简介 《硅片加工技术》在介绍半导体硅的物理、化学和半导体性质的基础上，全面、系统地介绍了满足集成电路芯片工艺特征尺寸线宽0.13～0.10um工艺用优质大直径硅单晶、抛光片以及用于制备硅太阳能电池的硅晶片的制备技术、工艺、设备和相关国内外标准。 《硅片加工技术》可供致力于从事半导体材料硅晶片加工技术工作领域的科技人员、工程技术人员、工人阅读参考，也可供企业管理人员或在校学生和热爱半导体材料硅的各界人士参考。 编辑推荐 目 录 第一篇 基础知识 第1章 概述 第2章 硅的物理、化学及其半导体性质 2.1 硅的基本物理、化学性质 2.2 半导体硅的物理、化学性质 2.2.1 半导体硅的晶体结构 2.2.2 半导体硅的电学性质 2.2.3 半导体硅的光学性质 2.2.4 半导体硅的热学性质 2.2.5 半导体硅的力学性能 2.2.6 半导体硅的化学性质 2.2.7 半导体材料的p-n结特性 第二篇 集成电路用硅晶片的制备 第3章 硅晶片的制备 3.1 对集成电路（IC）用硅单晶、抛光片的技术要求 3.2 半导体材料的纯度 3.3 控制硅片质量的主要特征参数及有关专用技术术语解释 3.3.1 表征硅片加工前的内在质量的特性参数 3.3.2 表征硅片加工后的几何尺寸精度的特性参数
3.3.3 硅片质量控制中几个有关专用技术术语 3.4硅晶片加工的工艺流程 3.5 硅单晶棒（锭）的制备 3.5.1 直拉单晶硅的生长 3.5.2 区熔硅单晶的生长 3.6 硅晶棒（锭）的截断 3.7 硅单晶棒外圆的滚磨（圆）磨削 3.8 硅单晶片定位面加工 3.9 硅单晶棒表面的腐蚀 3.10 硅切片 3.11 硅片倒角 3.12 硅片的双面研磨或硅片的表面磨削 3.13 硅片的化学腐蚀 3.14 硅片的表面处理 3.1 4.1 硅片表面的热处理 3.1 4.2 硅片背表面的增强吸除处理 3.15 硅片的边缘抛光 3.16 硅片的表面抛光 3.16.1 硅片的表面抛光加工工艺 3.16.2 硅片的碱性胶体二氧化硅化学机械抛光原理 3.16.3 硅片的多段加压单面抛光工艺 3.16.4 抛光液 3.16.5 抛光布 3.16.6 硅片表面的粗抛光 3.16.7 硅片表面的细抛光警 3.16.8 硅片表面的最终抛光 3.17 硅片的激光刻码 3.18 硅片的化学清洗 3.18.1 硅片的化学清洗工艺原理 3.18.2 美国RCA清洗技术 3.18.3 新的清洗技术 3.18.4 使用不同清洗系统对抛光片进行清洗 3.18.5 抛光片清洗系统中硅片的脱水、干燥技术 3.19 硅抛光片的洁净包装 3.20 硅片包装盒及硅片的运、载花篮、容器清洗系统3.20.1 硅片包装盒及硅片的运、载花篮、容器清洗系统3.20.2 硅片运、载系统其他相关的工装用具 第4章 其他的硅晶片 4.1 硅外延片 4.1.1 外延的种类 4.1.2 外延的制备方法 4.1.3 化学汽相外延原理 4.1.4 硅外延系统 4.2 硅锗材料 4.3 硅退火片 4.4 绝缘层上的硅 第5章 硅单晶、抛光片的测试 5.1 硅片主要机械加工参数的测量 5.2 硅单晶棒或晶片的晶向测量 5.3 导电类型（导电型号）的测量 5.4 电阻率及载流子浓度的测量 5.5 少子寿命测量 5.6 氧、碳浓度测量