(完整word版)电子技术基础
《电子技术基础》课程学习指导书
第14章 半导体二极管和三极管
一、选择题：
14.1 半导体的导电能力（ c )。
(a) 与导体相同 （b) 与绝缘体相同 (c) 介乎导体和绝缘体之间
14。2 P 型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ c )。
(a ） 带正电 (b ） 带负电 （c) 不带电 14。3 N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（ c ）. （a) 带负电 （b ） 带正电 (c) 不带电
14.4 将PN 结加适当的反向电压，则空间电荷区将（ b ）。 (a ） 变窄 （b ） 变宽 (c) 不变 14。5 普通半导体二极管是由( a )。
(a ）一个PN 结组成 （b ）两个PN 结组成 （c ）三个PN 结组成
14。6 电路如图所示，直流电压U I =10 V,稳压管的稳定电压U Z =6 V ，则限流电阻R 上的压降U R 为（ c ）。 (a)10V （b ）6V （c)4V (d ）—4V
R
O
14。7 电路如图所示，已知u I=3V，则晶体管T此时工作在（ b )。
（a)放大状态 (b）截止状态 (c）饱和状态
10V
1kΩ
β=50
二、填空题：
14。8 半导体二极管的主要特点是具有单向导电性 .
14。9 理想二极管的正向电阻为 0 .
14.10 理想二极管的反向电阻为无穷大 .
14。11 二极管导通的条件是加在二极管两端的电压是正向电压大于PN结的死区电。
14。12 N型半导体中的多数载流子是自由电子。
14。13 P型半导体中的多数载流子是空穴。
三、计算题
14.14 电路如图所示，二极管D为理想元件，U S=5 V，求电压u O。
u O
Uo=Us=5V
14.15 电路如图所示，二极管为理想元件，u i
=3sin ωt V ，U =3V ，当ωt =0瞬间,求输出电压u O 。
u O
Uo=0v
14。16 电路如图所示，输入信号u i
=6sin ωt V 时，求二极管D 承受的最高反向电压。
5k Ω
u O
U 最高反向电压=3v
14.17 电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R =4 k Ω,电位u A =1V ，u B =3V,计算电位u F 的值。
u A u B
u F
UF=UA=1v
14。18 用直流电压表测得工作在放大区的某晶体管三个极1，2，3的电位分别为：V1=2V，V2=6V，V3=2。7V，试判别管子的三个管脚,并说明是硅管还是锗管？是PNP型还是NPN型？答:1为发射极E 2为集电极C 3为基极B 硅管NPN 型
第15章基本放大电路
本章练习题：
一、选择题：
15。1 共射放大电路的输入输出公共端是( ）。
（a) 集电极(b) 发射极（c）基极
15.2 固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80 的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流I C将（）.
（a）增加（b）减少 (c）基本不变15。3 分压式偏置单管放大电路的发射极旁路电容C E因损坏而断开，则该电路的电压放大倍数将（ ).
（a) 增大 (b) 减小（c) 不变15。4 就放大作用而言，射极输出器是一种 ( )。(a）有电流放大作用而无电压放大作用的电路
(b）有电压放大作用而无电流放大作用的电路
(c) 电压和电流放大作用均没有的电路
15.5 射极输出器的输入输出公共端是 ( )。
（a) 集电极(b）发射极(c) 基极
15.6 两级共射阻容耦合放大电路，若将第二级换成射极输出器,则第一级的电压放大倍数将( ）。
（a）提高(b) 降低（c）不变
15。7 微变等效电路法适用于( )。
(a) 放大电路的动态分析
(b）放大电路的静态分析
(c）放大电路的静态和动态分析
15。8 直接耦合放大电路产生零点漂移的最主要原因是（ )。
（a) 温度的变化
（b）电源电压的波动
(c）电路元件参数的变化
15.9 在直接耦合放大电路中，采用差动式电路结构的主要目的是（）.
(a) 提高电压放大倍数
（b) 抑制零点漂移
(c）提高带负载能力
15。10 差动放大电路中所谓共模信号是指两个输入信号电压( ）。
（a）大小相等，极性相反
(b) 大小相等，极性相同
(c) 大小不等，极性相同
二、填空题：
15.11 对放大电路进行静态分析的主要任务是 .
15.12 固定偏置放大电路中,晶体管的β＝50,若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流I C 将 。（增加？减少？不变？） 15.13 电路如下图所示，晶体管工作在 状态。
+6 V
+
+
β=40
2k Ω
51k Ω
15。14 某两级阻容耦合共射放大电路,不接第二级时第一级的电压放大倍数为100倍,接上第二级后第一级电压放大倍数降为50倍， 第二级的电压放大倍数为50倍, 则该电路总电压放大倍数为 倍.
15.15 为了放大变化缓慢的信号或直流信号,多极放大器级与级之间必须采用 耦合.
三、计算题
15.16 放大电路如图所示，设晶体管β=50，R C ＝1。5k ,U BE ＝0.6V ，为使电路在可变电阻R W ＝0 时,晶体管刚好进入饱和状态,计算电阻R 的取值。
15。17 固定偏置放大电路如图所示，已知U CC
V =20，U BE
.V =07，晶体管的电流放 大系数β=100，欲满足I C
mA =2，U CE
V =4的要求，试求电阻R B
，R C
的阻值。
o
U CC
15.18 放大电路如图所示，已知晶体管β=50,be
1 k r
=Ω
，试
求:(1）放大电路的静态工作点(设BE
0.7 V U =)；(2)放大电路
的电压放大倍数。
+
+
V
2
i
o
B
E
12V
图1 图2
+
－+
－
k Ω
k Ω
15。19 放大电路如图所示,已知晶体管β=50，r
be
k =1 Ω
，试求：
（1）放大电路的静态工作点（ 设U BE
V =-03.）
；(2) 放大电路的电压放大倍数.
12V
15。20 电路如图1,已知T 1的β=50,r
be
k =1 Ω
，要求：(1)画出
电路的微变等效电路;(2）计算电路的电压放大倍数和输入
电阻，输出电阻；(3）根据以上计算结果，试简要说明放大电路的特点和应用场合。
+
+
V
2
i
o
B
E
12V
图1 图2
+
－+
－
k Ω
k Ω
15.21 电路如图所示，已知T 2的β=50,r
be
k =1 Ω
，要求：（1)画
出电路的微变等效电路;（2）计算电路的电压放大倍数和输
入电阻，输出电阻；(3)根据以上计算结果,试简要说明放大电路的特点和应用场合.
2V
o
－
图2
15.22 电路如图所示,已知晶体管的电流放大系数β=40,管子的输入电阻r be
k =1Ω，要求:（1）画出放大电路的微变等效电路；（2)计算放大电路的输入电阻r i
；(3）写出电压放大倍数A u
的表达式。
o
U CC
V
第16章 集成运算放大器
本章练习题： 一、选择题：
16。1 集成运算放大器是( ).
(a ）直接耦合多级放大器 (b)阻容耦合多级放大器 (c ）变压器耦合多级放大器
16.2 集成运算放大器对输入级的主要要求是（ ）. (a ）尽可能高的电压放大倍数 (b ）尽可能大的带负载能力
（c ）尽可能高的输入电阻，尽可能小的零点漂移 16.3 集成运算放大器输出级的主要特点是( )。 (a ）输出电阻低，带负载能力强 (b ）能完成抑制零点漂移
(c)电压放大倍数非常高
16.4 运算放大器接成图示电路后，其输入输出方式为（ )。
(a ）双端输入双端输出 （b)双端输入单端输出 （c)单端输入单端输出 (d ）单端输入双端输出
O
-∞＋R F
16.5 集成运算放大器的共模抑制比越大,表示该组件( ）。
（a ）差模信号放大倍数越大 (b)带负载能力越强
（c)抑制零点漂移的能力越强
16。6 理想运算放大器的开环输出电阻r o 是（ ）. (a)无穷大 (b ）零 (c ）约几百欧姆
16.7 理想运算放大器的开环差模输入电阻r id 是（ )。 （a)无穷大 （b ）零 (c)约几百千欧
二、填空题：
16。8 集成运放级间耦合方式是 。
16。9 理想运算放大器的开环输出电阻r o 是 . 16。10 理想运算放大器的开环差模输入电阻r id 是 。
16.11 理想运算放大器的两个输入端的输入电流等于零，其原因是 。
16。12 理想运算放大器的开环电压放大倍数A u O
是 .
16。13 电路如图所示，则该电路为 运算电路。
-∞＋
＋
三、计算题:
16。14 电路如图所示，输入信号 1.414sin i
u t ω= V ，求输出电压o
u 。
∞O
16。15 比例运算电路如图所示,求电路的电压放大倍数.
∞
16.16 电路如图所示，求平衡电阻R 。
-∞＋
u u O
16。17 电路如图所示,当R 1 =R 2=R 3时，写出输出电压o
u 的
表达式 . -∞＋
＋u o
u i1u i2
16。18 电路如图所示，R 1 = R 2 = R 3 = R 4 ， 当i1
u =2 V ，u i2
= 2 V ，求输出电压 u O 。
-∞＋R 2
O
u i2
u i1
第17章 电子电路中的反馈
本章练习题： 选择题：
17.1 射极输出器是( ). (a ） 串联电压负反馈电路 (b) 串联电流负反馈电路
（c）并联电压负反馈电路
17.2 电路如图所示，电阻R E1引入的反馈为（ )。（a) 串联电压负反馈(b）串联电流负反馈
(c) 并联电压负反馈（d）并联电流负反馈
U
CC
17.3 在负反馈放大电路中，随着反馈深度的增加，则闭环电压放大倍数的稳定性将( )。
(a）降低（b) 提高(c）不变
17.4 若要求负载变化时放大电路的输出电压比较稳定，并且取用信号源的电流尽可能小，应选用（）。
（a）串联电压负反馈(b）串联电流负反馈
（c）并联电压负反馈（d) 并联电流正反馈
17.5 同相输入比例运算放大器电路中的反馈极性和类型属于（）。
（a）正反馈 (b）串联电流负反馈
(c）并联电压负反馈（d)串联电压负反馈
17.6 在运算放大器电路中，引入深度负反馈的目的之一是使运放（ ).
(a）工作在线性区，降低稳定性
（b）工作在非线性区，提高稳定性
(c）工作在线性区，提高稳定性
二、填空题：
17.7 电路如图所示,电阻R E引入的反馈为。
CC
17.8 放大电路如图所示，R F支路引入的反馈为。
CC
17.9 欲使放大电路的输入电阻增加，输出电阻减小，应引入。
17.10 电路如图所示，R F引入的反馈为。
R
∞
∞
三、综合判断题：
17.11 电路如图所示，R L为负载电阻，判断R F引入的反馈类型。
+
R
17。12 电路如图所示，判断R F引入的反馈类型。
∞
17.13 运算放大器电路如图所示，判断该电路中的反馈极性和类型为。
∞
17.14 电路如图所示，判断R F引入的反馈类型。
∞
第18章 直流稳压电源
本章练习题： 一、选择题:
18。1 在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是（ ）。
（a)四只 （b)二只 （c ）一只
18.2 在整流电路中,二极管之所以能整流,是因为它具有（ ）。
(a)电流放大特性 (b)单向导电的特性 （c)反向击穿的性能
18。3 在整流电路中,设整流电流平均值为I 0
，则流过每只二极管的电流平均值I I D
=的电路是（ ）。
（a ）单相桥式整流电路 （b ）单相半波整流电路 （c ）单相全波整流电路
18.4 在整流电路中,设整流电流平均值为I 0
，则流过每只二
极管的电流平均值D
012
I
I =
的电路是（ )。
(a ）单相桥式整流电路 (b ）单相半波整流电路 (c ）单相全波整流电路
18.5 整流电路如图所示，变压器副边电压有效值为U
2
，二极管D所承受的最高反向电压是（）。
（a）U
2（b）2
2
U（c)222U
～u O
-
18。6 整流电路如图所示，变压器副边电压有效值为U
2
,二极管D所承受的最高反向电压是（）。
(a）U
2（b）2
2
U（c)222U
～
•
O
O
O D
1
2
3 4
c))b
+
-
+
-
2
18。7 整流电路如图所示，变压器副边电压有效值为U
2
，二极管D所承受的最高反向电压是( ）。
(a）U
2
（b）2
2
U（c）222U
～
～
L
2
2
2L
O
O
u
O
O
1
)a
+
-
+
-
+
-
-+
2
18。8 整流电路如图所示,已知输出电压平均值U
O
是18 V，
则变压器副边电压有效值U
2
是( ）。
（a） 40 V (b) 20 V （c） 15 V (d) 12.7 V
u O
+
-
二、填空题:
18.9
在整流电路中,二极管之所以能整流,是因为它具有 。
18.10 在单相桥式整流电路中,所用整流二极管的数量是 .
18。11 在单相半波整流电路中，设整流电流平均值为I 0
，则流过二极管的电流平均值D
I = 。 18.12 整流电路如图所示，变压器副边电压有效值U 2
为10 V,则输出电压的平均值U O
是 。
～
u O
+
-
18.13 电路如图所示，该电路的名称
是 。
～
u 1
D
u O
+-
+-
18.14 整流电路如图所示,负载电阻Ω
==k 100L2L1
R R
，变压器
副边电压u 2
的有效值U 2
=100 V ，直流电流表A b g 的读数为 。（设电流表的内阻为零）
～
u 2A
D 1
D 2
+
-R L2
R L1
18.15 单相半波整流、电容滤波电路中，设变压器副边电压有效值为U 2
,则通常取输出电 压平均值U O
等于 . 三、计算题：
18。16 图示电路中，二极管为理想元件，u i 为正弦交流电压，已知交流电压表()V 1
的读数为100V,负载电阻R L =1k ，
求开关S 断开和闭合时直流电压表()V 2
和电流表(A ）的读数。（设各电压表的内阻为无穷大，电流表的内阻为零）
A
V 2
V 1
u i
u 2
S
i O
R L
u o
-
+
-+
-
+
18.17 整流滤波电路如图所示，二极管量理想元件,负载电阻R L
=400Ω,电容C F =100μ，变电器副边电压有效值2
10V U =，用直流电压表()V 测a 、b 两点电压时，其读数为:(1）10V ；(2）14V ；（3)4.5V.试分析每个读数是在何种情况下出现的.（设电压表()V 的内阻为无穷大）
u 1b
-
+
第20章 门电路和组合逻辑电路
本章练习题： 一、 选择题：
20.1。 模拟电路中的工作信号为( )。 (a) 随时间连续变化的电信号 （b) 随时间不连续变化的电信号 (c) 持续时间短暂的脉冲信号
20.2。 数字电路中的工作信号为( )。
（a) 随时间连续变化的电信号 （b) 脉冲信号 (c) 直流信号
20.3。 晶体管的开关作用是（ )。
(a) 饱合时集—射极接通，截止时集— 射极断开 (b ） 饱合时集—射极断开，截止时集— 射极接通 （c) 饱合和截止时集-射极均断开
20.4. 逻辑门电路的逻辑符号如图所示,能实现 F ＝AB 逻辑功能的是（ ） 。
&
A
F
B
≥1
A F
B
=1
A F
B
()
a ()
b ()
c
20。5. 逻辑符号如图所示， 表示“ 与”门的是（ ） .
(完整word版)数字电子技术基础习题册答案7-11
第7章时序逻辑电路 【7-1】已知时序逻辑电路如图 7.1所示，假设触发器的初始状态均为 0。 (1 )写出电路的状态方程和输出方程。 (2) 分别列出X=0和X=1两种情况下的状态转换表，说明其逻辑功能。 (3) 画出X=1时，在CP 脉冲作用下的 Q i 、Q 2和输出Z 的波形。 解： 1 .电路的状态方程和输出方程 Q ； 1 Q 2 1 Z Q 1Q 2CP 2. 分别列出X=0和X=1两种情况下的状态转换表，见题表 7.1所示。逻辑功能为 当X=0时，为2位二进制减法计数器；当 X=1时，为3进制减法计数器。 3. X=1时，在CP 脉冲作用下的 Q 1、Q 2和输出Z 的波形如图7.1(b)所示。 【7-2】电路如图7.2所示，假设初始状态 Q a Q b Q c =000。 (1) 写出驱动方程、列出状态转换表、画出完整的状态转换图。 (2) 试分析该电路构成的是几进制的计数器。 X=0 X=1 Q 2 Q 1 Q 2 Q 1 0 0 0 0 1 1 1 0 1 0 0 1 0 1 0 图7.1 题表7.1 图 7.1(b) 图7.2
解： 1 .写出驱动方程 3 .列出状态转换表见题表 7.2，状态转换图如图7.2（b ）所示。 4 .由FF a 、FF b 和FF c 构成的是六进制的计数器。 【7-3】在二进制异步计数器中，请将正确的进位端或借位端（ Q 或Q ）填入下表 触发方式 计数器类型 加法计数器 减法计数器 上升沿触发［ 由（）端引出进位 由（）端引出借位 下降沿触发 由（）端引出进位 由（）端引出借位 解： 题表7-3 触发方式 加法计数器 减法计数器 上升沿触发 下降沿触发 由Q 端引岀进位 由Q 端引岀进位 由Q 端引岀借位 由Q 端引岀借位 【7-4】电路如图7.4（a ）所示，假设初始状态 Q 2Q 1Q O =OOO 。 1?试分析由FF 1和FF o 构成的是几进制计数器； 2. 说明整个电路为几进制计数器。列出状态转换表，画出完整的状态转换图和 作用下的波形图。 J a K a 1 J b 2 ?写出状态方程 K b Q n Q ； J c Q ；Q K c Qa Q b 1 Q a QcQa QaQaQ a n n n Q a Q b Q c n Q a Q CP Qc Qb Q ： 0 0 0 0 1 0 0 1 2 0 1 0 3 0 1 1 4 1 0 0 5 1 0 1 6 0 0 0 图 7.2(b) CP
(完整版)电子技术基础教学大纲
电子技术基础教学大纲 电子技术基础是入门性质的技术基础课，它既有自身的理论体系，又有很强的实践性。本课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养分析问题和解决问题的能力，为今后进一步学习、研究、应用电子技术打下基础。本课程是我院工科电类专业的必修课。 模拟部分教学大纲 学时：55 学分:4 适用专业：电子类、自控类、计算机类专业（高职高专） 先修课程：《大学物理》、《电工技术基础》 一、课程内容和基本要求 第一章半导体器件 1、正确理解PN结的形成及其单向导电作用，熟练掌握二极管、稳压管的外特性和主 要参数。 2、正确理解半导体三极管的结构及工作原理，熟练掌握外特性和主要参数。 第二章基本放大电路 1、正确理解放大的基本概念，放大电路的主要指标，掌握放大电路的组成特点。 2、掌握放大电路定性分析方法及静态工作点的估算方法。 3、熟练掌握放大电路的等效电路法，会计算静态工作点，能用微变等效电路计算放大 电路的电压放大倍数、输入和输出电阻。 4、正确理解放大器失真产生的原因及解决的办法，放大电路频率特性的概念及其频 率特性。 5、了解级间耦合放大电路的工作原理及指标的估算，选频放大电路。
第三章场效应管放大电路 1、正确理解结型场效应管和绝缘栅场效应管的结构、工作原理，掌握特性曲线和主要参数。 2、确理解场效应管放大电路结构，工作原理。 第四章集成运算放大电器 1、熟练掌握集成运算放大器的组成、性能特点和基本单元电路。 2、正确理解差动放大器的组成、工作原理及应用，了解通用型集成运算放大器的主要 性能指标。 3、了解集成运放的应用及两种基本电路。 第五章负反馈放大电路 1、练掌握反馈的基本概念和分类，会判断反馈放大电路的类型和极性。 2、熟练掌握负反馈的四种组态及其对放大电路性能的影响。 第六章集成运算放大器的应用 1、练掌握由集成运放组成线性电路和非线性应用电路的方法和应用知识。 2、练掌握由集成运算放大器组成的比例、加减法和积分运算电路、信号处理电路等的 结构及分析方法。 3、掌握几种电压比较电路的结构和分析方法。 4、了解集成运算放大器的种类和选择 第七章波形产生电路 1、掌握常用波形发生器的组成和工作原理。 2、熟练掌握正弦振荡电路的振荡条件，RC正弦振荡电路的电路组成和工作原理。正 确理解LC正弦振荡电路的组成和振荡条件，一般了解石英晶体振荡电路的工作原理。
专科电子技术基础(5篇)
专科电子技术基础（5篇） 篇1：专科电子技术基础 《电工电子技术基础》是机电类专业的必修课程，机电一体化专业的入门课程。本课程是一门具有较强实践性的技术基础课程。学生通过本大纲所规定的全部教学内容的学习，可以获得电工和电子技术的基本理论和基本技能。为学习后续课程和专业课打好基础，也为今后从事工程技术工作奠定一定的理论基础。 课程的任务在于，培养学生的科学思维能力，树立理论联系实际的工程观点和提高学生分析问题和解决问题的能力。 本课程的要求和内容： 第一章电路的基本概念与基本定律(4学时) 一、学习要求 1、理解电压与电流参考方向的概念。 2、了解电压源和电流源的特点。 3、掌握基尔霍夫定律并能应用基尔霍夫定律分析电路。 4、了解电路的有载工作、开路与短路工作状态，理解额定电功率和电气设备额定值的意义。 5、掌握电路中各点的电位计算。 二、课程内容 1.1 电路与电路模型 1.2 电路的基本物理量
1.3 电压源与电流源 1.4 电路的基本定律 1.5 电路的状态 1.6 电路中电位的概念及计算 第二章直流电路的分析方法(4学时) 一、学习要求 1、掌握电阻的串联、并联、混联。 2、掌握实际电源模型的等效变换。 3、能够用支路电流法、叠加定理、戴维南定理分析电路。 二、课程内容 2.1 电阻的串联、并联、混联及等效变换 2.2电源模型的连接及等效变换 2.3 支路电流法 2.4 叠加定理 2.5 戴维南定理 第三章正弦交流电路(8学时) 一、学习要求 1、掌握正弦交流电的三要素：有效值、角频率、相位的概念和相位差的概念。 2、掌握复阻抗和相量图。掌握正弦量的向量表示法及电阻、电感、电容的向量模型。 3、掌握向量形式的基尔霍夫定律。
(完整版)电子技术基础复习题及答案
电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低
C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14．N 个变量的逻辑函数应该有最小项（ ） A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15．函数F=B A +AB 转换成或非－或非式为（ ） A 、 B A B A +++ B 、B A B A +++ C 、B A B A + D 、B A B A +++ 16．图示触发器电路的特征方程Qn+1 =（ ） A. n n Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T 17．多谐振荡器有（ ） A 、两个稳定状态 B 、一个稳定状态，一个暂稳态 C 、两个暂稳态 D 、记忆二进制数的功能 18．本征半导体电子浓度______空穴浓度，N 型半导体的电子浓度______空穴浓度，P 型半导体的电子浓度 ______空穴浓度 （ ） A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ）
(完整word版)中职电子技术基础
第一章二极管及其应用 第一节二极管的基本知识 一、半导体及PN结 物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性差的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。 1、本征半导体 最常用的半导体是硅和锗。硅和锗都是四价元素，原子结构的最外层轨道上有四个价电子，当把硅或锗制成晶体时，它们是靠共价键的作用而紧密联系在一起。晶体硅原子整齐排列见上右图。半导体一般都具有晶体结构，所以也称为单晶体。纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。本征半导体中相邻原子靠共价键结构结合起来。 共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴，它带正电。在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流；同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动，形成空穴电流。在晶体中存在两种载流子，即带负电自由电子和带正电空穴，它们是成对出现的。
2、N型半导体和P型半导体 在本征半导体中两种载流子的浓度很低，因此导电性很差。我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性，这种半导体被称为杂质半导体。 a. N型半导体 在本征半导体中，掺入5价元素，使晶体中某些原子被杂质原子所代替，因为杂质原子最外层有5个价电子，它与周围原子形成共价键后，还多余一个自由电子，因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。但是，电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数，与掺杂无关。在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 b. P型半导体 在本征半导体中，掺入3价元素，晶体中的某些原子被杂质原子代替，但是杂质原子的最外层只有3个价电子，它与周围的原子形成共价键后，还多余一个空穴，因此使其中的空穴浓度远大于自由电子的浓度。 在P型半导体中，自由电子是少数载流子，空穴使多数载流子。
(完整word版)电子技术基础
《电子技术基础》课程学习指导书 第14章 半导体二极管和三极管 一、选择题： 14.1 半导体的导电能力（ c )。 (a) 与导体相同 （b) 与绝缘体相同 (c) 介乎导体和绝缘体之间 14。2 P 型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ c )。 (a ） 带正电 (b ） 带负电 （c) 不带电 14。3 N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（ c ）. （a) 带负电 （b ） 带正电 (c) 不带电 14.4 将PN 结加适当的反向电压，则空间电荷区将（ b ）。 (a ） 变窄 （b ） 变宽 (c) 不变 14。5 普通半导体二极管是由( a )。 (a ）一个PN 结组成 （b ）两个PN 结组成 （c ）三个PN 结组成 14。6 电路如图所示，直流电压U I =10 V,稳压管的稳定电压U Z =6 V ，则限流电阻R 上的压降U R 为（ c ）。 (a)10V （b ）6V （c)4V (d ）—4V R O
14。7 电路如图所示，已知u I=3V，则晶体管T此时工作在（ b )。 （a)放大状态 (b）截止状态 (c）饱和状态 10V 1kΩ β=50 二、填空题： 14。8 半导体二极管的主要特点是具有单向导电性 . 14。9 理想二极管的正向电阻为 0 . 14.10 理想二极管的反向电阻为无穷大 . 14。11 二极管导通的条件是加在二极管两端的电压是正向电压大于PN结的死区电。 14。12 N型半导体中的多数载流子是自由电子。 14。13 P型半导体中的多数载流子是空穴。 三、计算题 14.14 电路如图所示，二极管D为理想元件，U S=5 V，求电压u O。
电子技术基础总结(精选7篇)
电子技术基础总结(精选7篇) 电子技术基础总结篇1 实习名称：电子生产装配实习 实习目的： 通过实习来了解收音机和万用电表的基本原理和实际生产知识和装配技能，培养学生理论联系实际的能力，提高了学生分析问题和解决问题的能力，增强了独立工作的能力，最主要的是培养了学生的自己实践能力和与其他同学的团队合作、共同探讨、共同前进的精神。 1.熟悉手工焊锡的常用工具的使用及其维护与修理。 2.熟悉收音机和万用电表的基本工作原理。 3.基本掌握手工电烙铁的焊接技术，能够独立的完成简单电子产品的安装与焊接。熟悉电子产品的安装工艺的生产流程。 4.熟悉常用电子器件的类别、型号、规格、性能及其使用范围，能查阅有关的电子器件图书，能看懂原理电路图。 5.能够正确识别和选用常用的电子器件，并且能够熟练使用普通万用表和数字万用表。 6.了解电子产品的焊接、调试与维修方法。 焊接注意事项： 第一次自己动手焊接成品，在实践中发现很多地方需要我们去注意，也为我们以后在焊接的打下了基础，总结下来主要有以下几点：
1、在焊接要注意焊接的顺序，先小后大，现电阻电容、再到三极管、二极管等其他元器件。 2、焊接电阻，测好电阻的阻值然后别在纸上，我门要按R1——R8的顺序焊接，以免漏掉电阻，焊接完电阻之后我门需要用万用表检验一下各电阻是否还和以前得值是一样。 3、焊接电容，先焊接瓷介电容，要注意上面得读数，紧接这就是焊电解电容了，特别要注意长脚是"+"极，短脚是"—"极。 4、焊接二极管，红端为"+"，黑端为"—"。 5、焊接三极管，—定要认清"e"，"b"，"c"三管脚(注意：[V1，V二，V三，V四和[V五，V六]按放大倍数从大到小得顺序焊接)。 6.检查焊盘有无虚焊，焊锡连在一起、管脚焊接错误等现象。 7、在焊接贴片是芯片的时候，要注意温度及芯片管脚的焊接，温度过高或者焊接时管脚连接在一起了都会导致芯片损坏。 焊接总结： 经过两个星期得电工电子实习，我门学会了基本得焊接技术，收音机的基本工作原理收音机得检测与测试、万用电表的基本原理及安装技术，知道了电子产品得装配经过，我门还学会了电子元器件得识别及质量检验，知道了整机得装配工艺，这些都我门得培养动手能力及严谨得工作作风，也为我门以后得工作打下了很不错得基础.最基本一点： 通过本次学习，又重新明白了许多东西.而且这再我门以后得专业课学习中应该也是很有用得，就我门自己得专业来言我们也是要系统学习信号与系统以及通信电路数字信号处理等方面得知识，而本次我门再收音机得按装及测试经过中我门都用到了实践出真知。没有足够的动手能力，就奢谈在未来的科研尤其是实验研究中有所成就。在实习中，我锻炼了自己动手技巧，提高了自己解决问题的
(完整word版)《电子技术基础》第五版课后答案
第一章数字逻辑习题 1．1数字电路与数字信号 1.1.2 图形代表的二进制数 010110100 1．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比例 MSB LSB 0 1 2 11 12 （ms） 解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ 占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10% 1.2数制 2 1.2.2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于4（2）127 （4）2.718 解：（2）（127）D=72-1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H （4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H 1.4二进制代码 1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码： （1）43 （3）254.25 解：（43）D=（01000011）BCD 1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28 （1）+ （2）@ （3）you (4)43 解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。 （1）“+”的ASCⅡ码为0101011，则（00101011）B=（2B）H （2）@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H (3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75 (4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,33 1.6逻辑函数及其表示方法 1.6.1在图题1. 6.1中，已知输入信号A，B`的波形，画出各门电路输出L的波形。
(完整word版)《电工电子技术基础》课程简介
(完整word版)《电工电子技术基础》课程简介 《电工电子技术基础》课程简介 一、课程基本信息 课程代码：0807234004 课程名称：电工电子技术基础 英文名称:Electrical and electronic technology 学分:4 总学时：64 讲课学时：64实验学时：0 上机学时：0 课外学时：0 适用对象：非电类 先修课程:大学物理、高等数学 开课单位:工业中心 二、课程内容与教学目标 本课程是非电类专业学生电知识入门的专业基础课。本课程的任务是使学生掌握电工电子中的基本理论、基本组成、基本分析方法，包括电路基本定律、电路的分析方法、电工基础理论，熟悉常用电机的性能与参数。本课程的具体知识点：电路的基本物理量及基本定律、电路的一般分析方法、单相正弦交流电路的分析、三相电路分析、一阶动态电路分析、磁路及铁心线圈、交流电动机以及半导体二极管和半导体三极管的工作原理、基本放大电路的分析方法、集成运算放大电路的工作原理、直流稳压电源的组成和设计、门电路及组合逻辑电路的分析设计、触发器及时序逻辑电路等基本内容的介绍。 三、对教学方式、实践环节、学生自主学习的基本要求 本课程采用板书为主的方式进行课堂教学，学生应能独立完成本课程实验教学大纲所规定的实验.学生自主学习应根据教学大纲的要求，精读教材，并适量完成电工技术题库中提供的课外习题. 四、考核方式与学习成绩评定(请注明平时成绩、考试成绩、实验成绩等各部分占比） 本课程为考试课程，期末考试为闭卷笔试。 学生的课程总评成绩由平时成绩（占40%,其中平时成绩由课内考试（占80％)、学习主动性、出勤等部分组成（占20%）)；期末考试成绩（占60%）三部分组成。为了保证理论学习的效果，规定期末考试成绩最少不得低于45分，否则本课程作不及格处理。
完整版电子技术基础教案
完整版电子技术基础教案 教案标题：完整版电子技术基础教案 教学目标： 1. 理解电子技术的基本概念和原理。 2. 掌握电子技术中常见的电子元件和电路的基本操作和使用方法。 3. 能够设计、搭建和测试简单的电子电路。 教学内容： 1. 电子技术基础概述 a. 电子技术的定义和应用领域介绍 b. 电子技术的发展历史和现状分析 2. 电子元件的基本认识和使用 a. 电阻、电容和电感的基本概念和特性 b. 半导体材料和二极管、三极管的基本原理和使用方法 c. 集成电路的分类和应用范围介绍 3. 基本电路的组成和分析 a. 串联、并联和混联电路的特点和计算方法 b. 直流电路和交流电路的基本区别和分析方法
c. 信号处理电路和功率放大电路的设计和使用 4. 电子技术实验的设计和操作 a. 利用示波器和万用表进行电路测试和测量 b. 设计和搭建简单的电子电路 c. 分析和解决电路中的故障和问题 教学步骤： 1. 导入环节：通过展示电子产品的广泛应用和重要性引起学生的兴趣和思考，激发学习的欲望。 2. 知识讲解：以授课方式详细介绍电子技术的基本概念、元件和电路的基本原理和特性。 3. 示范实验：通过演示和讲解示波器和万用表的使用方法，引导学生理解电子电路测试和测量的重要性。 4. 小组活动：将学生分成小组，每个小组设计并搭建一个简单的电子电路，通过实践操作锻炼学生的动手能力和合作精神。 5. 实验报告：学生根据实际实验情况，完成实验报告，包括电路设计思路、搭建过程和测试结果等。 6. 总结和讨论：学生展示实验结果并进行总结，通过讨论和互动，加深对电子技术基础知识的理解和应用。 教学资源与评估：
(完整word版)电子技术基础 模拟部分 第五版 复习思考题答案
第二章运算放大器 2.1 集成电路运算放大器 2。1。1答；通常由输入级,中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能.中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。 2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo很大,直线几乎成垂直直线.非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。理想情况下输出电压+Vom=V+，-Vom=V-。 2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。 2.2 理想运算放大器 2.2。1答：将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。2。输出电阻很小，接近零. 3.运放的开环电压增益很大。 2.2。2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。 2。3 基本线性运放电路 2.3。1答：1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。 2。由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。 3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。 虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零. 2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi—Vf=Vp—Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值,Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo变小了,电压增益Av=Vo/Vi变小了。由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。由于虚地是由于一端接地,而且存在负反馈，所以才有Vp≈Vn=0。 2.3。3答:同相放大电路:1。存在虚短和虚断现象。 2。增益Av=Vo/Vi=1+R2/R1,电压增益总是大于1，至少等于1. 3。输入电阻接近无穷大,出电阻接近于零. 反相放大电路：1.存在虚地现象。 2。电压增益Av=Vo/Vi=—R2/R1，即输出电压与输入电压反相。 3。输入电阻Ri=Vi /I1=R1.输出电压趋向无穷大。 电路的不同：1.参考P28和P32的两个图。 2。根据上述各自的特征即可得出它们的区别。 2。3。4 参考书本图下面的分析和上述的特点区别。 2.3。5 答：电路的电压增益约为1，在电路中常作为阻抗变化器或缓冲器。 2.4 同相输入和反反相输入放大电路的其他应用 2。4。1各个图参考P34-P41,各个电路的输出电压和输入电压的关系参考图下的分析。 2。4.2 成炜：最后一道题不会做，你们房间把它算下吧。谢了！（*^__^＊) 嘻嘻…… 第三章二极管 3。2。1答：空间电荷区是由施主离子，受主离子构成的。因为在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说耗尽了，因此有称耗尽区.扩散使空间电荷区加宽，电场加强，对多数载流子扩散的阻力增大，但使少数载流子的漂移增强；而漂移使空间电荷区变窄，电场减弱，又使扩散容易进行，故空间电荷区
(完整word版)模拟电子技术基础-知识点总结(word文档良心出品)
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 第1、2 课时 （4）按封装形式分：有塑封及金属封等二极管。 (5）按功率分：有大功率、中功率及小功率等二极管。 2、主要参数 3、判别办法:用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。 4、二极管的伏安特性。 5、特殊功能二极管：稳压管、发光二极管 第3、4 课时 教学过程 一、三极管的基本结构和类型 二、三极管在电路中的联接方式 三、三极管的电流放大作用及原理 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。 1)发射区向基区发射电子的过程 2）电子在基区的扩散和复合过程 3）电子被集电区收集的过程 二、特性曲线和主要参数 1、输入特性：i B=f（u BE)= CE u常数2、输出特性: i C=f（u CE）= B i 常数 课后 小结 了解三极管的结构与特性;掌握三极管的类型和电流放大原理； 理解三极管的特性曲线和主要参数。 第5、6 课时 课题共发射极放大电路课型 教学1、了解电路的结构组成 I I B C β ≈ 第7、8 课时 课题共发射极放大电路的动态分析课型 教学 目的 了解微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数. 重点 难点 微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数 微变等效电路的画法 教学过程 一、三极管的微变等效电路: 二、放大器的微变等效电路： 三、交流动态参数的计算:1、电压放大倍数. u A= . . i U U 2.输入输出电 课后 小结 掌握共发射极放大电路的动态分析和交流动态参数的计算。 C i c e ce u b i be r b i be u b be u b i e C i ce u c 模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( A ）。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（ D ） A。处于放大区域B。处于饱和区域 C. 处于截止区域D。已损坏 3。某放大电路图所示.设V CC>〉V BE，L CEO≈0，则在静态时该三极管处于（ B ） A.放大区B。饱和区 C.截止区D。区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 （A)温度稳定性( B）单向导电性（C）放大作用（D）滤波特性 5。在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高,容易产生 ( B )失真。 （A)截止失真( B）饱和v失真（C）双向失真（D)线性失真6。电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是 ( B ）。 A：u I1=3V，u I2=0。3V时输出电压为3。7V。 B：u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V. D：只有当u I1=0。3V，u I2=0。3V时输出电压为才为1V。 7。图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b变高. 8. 直流负反馈是指( C ） A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C。直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9。负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声D。输出信号中的干扰和噪声 10。在图所示电路中,A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ） 第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错）(完整word版)中等职业学校《电子技术基础》教案
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