纳米CMOS技术课件PPT
合集下载
纳米CMOS器件超浅结工程1PPT优秀课件
• tox—— 栅绝缘层厚度 • Xj—— 漏区和源区的扩散结深
tox
Xj
可以看出：随着结深的减小，SCE可以减弱
2.源-漏穿通
所谓源-漏穿通即指源-体结的耗尽层相互 交叠在一起，即源、漏区发生短路，其结果是 降低了沟道区载流子的势垒，形成截止态的穿 通电流。
怎样避免源-漏穿通？
• 改变局部的沟道掺杂：使用逆向掺杂阱HALO或Pocket 离 子注入区。
如果结的掺杂分布是高斯函数或指数函数， 结的最小深度 必须增加，如下图所示，对于指数分布，结深必须比突变分布 大5倍以上，以避免耗尽。对一个作为理想欧姆接触的超浅结， 其掺杂分布要尽可能地接近突变分布。
对10nm结深和不同掺杂分布计算出得接触势垒高度 (掺杂剂相同，表面浓度变化，结用CoSi2接触）
扩展电阻
扩散区薄层电阻 接触电阻
沟道边缘的积累 层电阻
MOSFET 器件的电流流动和串联电阻构成
4.热电子效应
由于器件尺寸的缩小，而电源电压没有按比例 缩小，从而使一部分的电子或空穴在增大的电场中 获得较高的动能而成为热载流子，并可能被注入到 栅氧化层中，这一现象称为热电子效应（HCE:Hot Carrier Effect）
对不同的掺杂种类，在不同结深和表面杂质浓度时 计算出得突变分布的串联电阻
什么样的掺杂分布更有利？
具有相同的表面浓度和结深的实际器件掺杂分布是：
线性缓变的
串联电阻总是较高
突变的掺杂分布
它的行为更像一个与浅 掺杂层相关的理想少数 载流子二极管的接触。
如果掺杂太浅的结对质量会有问题吗？
答案是有。如果结太浅，当与金属或周围的高掺杂层 达到平衡时，掺杂层就会耗尽或部分耗尽，结果这个 结不再像一个理想二极管，它的电流机制将是从产生 扩散电流变为热发射电流。在此情况下，结的泄漏电 流将增加几个数量级，而且结深的微小变化就会引起 电流的几个数量级得变化。
模拟集成电路课件 第2章CMOS技术
重要指标
无源元件的温度特性通常用温度比例系数 TCF来表示
X是无源元件的电阻或电容 通常温度比例系数乘106，用每度百万分之几（即ppm/℃）为单 位 MOS器件的特性与温度之间的关系由公式可以看出，
vGS vT 0 0 vDS vGS VT 0 vGS VT vDS
Bi-CMOS工艺
Bi-CMOS同时包括双极和MOS晶体管的集成电路，它结 合了双极器件的高跨导、强驱动能力和CMOS器件的高 集成度、低功耗的优点，使它们互相取长补短、发挥 各自优点，制造高速、高集成度、性能好的 VLSI。
第2章CMOS技术
1.CMOS制造工艺 2.MOS器件的工作原理 3.MOS无源元件 4.CMOS技术的其他考虑
特点:寄生参量小，精度高。
金属-氧化物-多晶硅
第2章CMOS技术
1.CMOS制造工艺 2.MOS器件的工作原理 3.MOS无源元件 4.CMOS技术的其他考虑
4.CMOS技术的其他考虑
CMOS电路的闩锁（Latch-up）效应 MOS器件的温度特性 噪声
背栅效应 沟道长度调制效应 亚阈值特性 短沟效应
MOS管的阈值电压
VT是MOS晶体管的一个极其重要的参数
VT可在制造过程中加以控制
阈值电压大小取决于： 栅极材料 栅极绝缘材料 栅极绝缘层厚度
沟道掺杂浓度 源极与衬底之间电压 环境温度：随温度升高而降低 调节阈值电压大小方法： 用离子注入法改变沟道掺杂浓度 采用不同栅极绝缘材料
源/漏离子注入电阻
薄层电阻Rs在500—2000Ω／口 绝对误差精度土15％ 相对误差2％（5μm）0.15％（ 50 μm ） 温度系数400ppm/℃ 电压系数800ppm/V
无源元件的温度特性通常用温度比例系数 TCF来表示
X是无源元件的电阻或电容 通常温度比例系数乘106，用每度百万分之几（即ppm/℃）为单 位 MOS器件的特性与温度之间的关系由公式可以看出，
vGS vT 0 0 vDS vGS VT 0 vGS VT vDS
Bi-CMOS工艺
Bi-CMOS同时包括双极和MOS晶体管的集成电路，它结 合了双极器件的高跨导、强驱动能力和CMOS器件的高 集成度、低功耗的优点，使它们互相取长补短、发挥 各自优点，制造高速、高集成度、性能好的 VLSI。
第2章CMOS技术
1.CMOS制造工艺 2.MOS器件的工作原理 3.MOS无源元件 4.CMOS技术的其他考虑
特点:寄生参量小，精度高。
金属-氧化物-多晶硅
第2章CMOS技术
1.CMOS制造工艺 2.MOS器件的工作原理 3.MOS无源元件 4.CMOS技术的其他考虑
4.CMOS技术的其他考虑
CMOS电路的闩锁（Latch-up）效应 MOS器件的温度特性 噪声
背栅效应 沟道长度调制效应 亚阈值特性 短沟效应
MOS管的阈值电压
VT是MOS晶体管的一个极其重要的参数
VT可在制造过程中加以控制
阈值电压大小取决于： 栅极材料 栅极绝缘材料 栅极绝缘层厚度
沟道掺杂浓度 源极与衬底之间电压 环境温度：随温度升高而降低 调节阈值电压大小方法： 用离子注入法改变沟道掺杂浓度 采用不同栅极绝缘材料
源/漏离子注入电阻
薄层电阻Rs在500—2000Ω／口 绝对误差精度土15％ 相对误差2％（5μm）0.15％（ 50 μm ） 温度系数400ppm/℃ 电压系数800ppm/V
《CMOS集成电路基础》课件
智能传感器和可 穿戴设备的普及
随着智能传感器和可穿戴设 备的普及，CMOS集成电路 将在这些领域发挥重要作用 ，实现更高效、更低功耗的 数据采集和处理。
神经网络和类脑 计算的发展
CMOS集成电路将在神经网 络和类脑计算领域发挥重要 作用，推动人工智能技术的 进一步发展。
系统级芯片的广 泛应用
随着系统级芯片的广泛应用 ，CMOS集成电路将与不同 芯片和模块进行集成，实现 更高效、更低功耗的系
晶圆制备
将高纯度硅材料加工成晶圆， 作为集成电路的基底。
薄膜沉积
在晶圆表面沉积所需厚度的薄 膜，形成各种有源和无源器件
。
光刻与刻蚀
通过光刻技术将设计好的电路 版图转移到晶圆表面，然后进
行刻蚀，形成电路图形。
掺杂与退火
通过掺杂工艺在晶圆中引入不 同元素，形成PN结和导电通
道，并进行退火处理。
03
每个逻辑门电路由NMOS和PMOS晶体管组成，形成反相器或与门、或门等基 本逻辑门。
工作原理
01
CMOS集成电路的工作原理基于 NMOS和PMOS晶体管的开关特 性。当输入信号发生变化时， NMOS和PMOS晶体管会交替导
02 通和截止，从而实现逻辑功能。
CMOS电路的电压摆幅较小，因 此功耗较低。此外，CMOS电路 还具有噪声容限高、抗干扰能力 强等优点。
我们应该如何学习和掌握CMOS集成电路技术
理论与实践结合
在学习过程中，应注重理论与实践相结合 ，通过实验和项目实践加深对理论知识的
理解。
持续学习与更新知识
随着技术的不断进步，应保持持续学习的 态度，关注新技术、新工艺的发展，不断 更新自己的知识储备。
培养问题解决能力
CMOS图像传感器剖析实用PPT课件
小节
3.1 概述 3.2 CMOS成像器件的原理结构 3.3 CMOS成像器件的工作流程
第17页/共19页
作业
➢CMOS图像传感器能够像线阵CCD那样只输出一行的信号 吗？若能，试说明怎样实现。 ➢何谓被动像敏单元结构与主动像敏单元结构？二者有什 么异同？主动像敏单元结构是如何克服被动像敏单元结构 的缺陷的？
第18页/共19页
感谢您的欣赏！
第19页/共19页
和Y方向排列成方阵，方阵中的每一个 像敏单元都有它在X，Y各方向上的地 址，并可分别由两个方向的地址译码器 进行选择；输出信号送A/D转换器进行 模数转换变成数字信号输出。
第3页/共19页
3.2 CMOS成像器件的原理结构
3.2.1 CMOS成像器件的组成
图像信号的输出过程：
➢在Y方向地址译码器（可以采用移位寄存器） 的控制下，依次序接通每行像敏单元上的模 拟开关（图中标志的Si,j），信号将通过行开 关传送到列线上； ➢通过X方向地址译码器（可以采用移位寄存 器）的控制，输送到放大器。 由于信号经行与列开关输出，因此，可以实 现逐行扫描或隔行扫描的输出方式。也可以 只输出某一行或某一列的信号。
3.1 概述
CMOS图像传感器出现于1969年,它是一种用传统的芯 片工艺方法将光敏元件、放大器、A/D转换器、存储器、数 字信号处理器和计算机接口电路等集成在一块硅片上的图像 传感器件，这种器件的结构简单、处理功能多、成品率高和 价格低廉，有着广泛的应用前景。
第1页/共19页
3.2 CMOS成像器件的原理结 构
第4页/共19页
3.2 CMOS成像器件的原理结构
3.2.1 CMOS成像器件的组成
注意：在CMOS图像传感器的同 一芯片中，还可以设置其他数 字处理电路。例如，可以进行 自动曝光处理、非均匀性补偿、
CMOS工艺与器件解析ppt课件
这里实际上是用有源区（active）作为掺杂离子注入的掩膜，由于此
时是在多晶硅栅完成后，离子被多晶硅栅阻挡，不会进入栅下的硅表
面，因此形成NMOS的源、漏区，而且其边缘与硅栅边缘对齐（ 可能
有一定的overlap），硅栅起到了自对准的作用，称硅栅自对准
25
CMOS工艺(N阱)详细制造步骤(5)
p+离子
via23/metal3……
29
N阱CMOS工艺详细制造步骤(8)
金属2
金属1 栅 n+ p-阱 n+
Via Contact
上一页的图示
30
N阱CMOS工艺详细制造步骤(9)
Passivation掩模版：钝化层光刻掩膜。它是最后一步，确定 应暴露的压焊区或内设测试点接触区的位置和大小 完成金属互连之后，为免受以后杂质侵入和损伤，要进行芯 片表面钝化，沉积一层钝化膜（如Si3N4或磷硅玻璃、聚烯 亚胺等）覆盖整个表面，但压焊区及内设测试点需要刻去钝 化层备用。
p+ mask
n+
n+
p-substrate
p+
p+
n-well
p+ mask
p+掩膜版：p+掺杂区掩膜
制造步骤：进行p+离子（硼）注入掺杂和扩散推进， 形成p扩 散区（diffusion）
同样，这里实际上也是用有源区（active）作为掺杂离子注入 的掩膜，通过硅栅自对准，形成PMOS的漏、源
26
27
CMOS工艺(N阱)详细制造步骤(7)
metal mask
n+
n+
p-substrate
p+
纳米技术-课件-9_sensors
Different Data input sensors keyboard ?
Data buffer (memories)
Data buffer (memories)
Demands for sensors
TFYY87, Nanotechnology 2
9.1 Classification of sensors
TFYY87, Nanotechnology
1
A comprehensive data system
Data transmission I/O to other systems Sub-processor Sub-processor
Data output Printer Display
Control unit (driver) Executive unit (active)
S
- - - IDS
Similarly, MOSFETs can also be used to detect other molecules, as soon as they can be desociated by the catalytic metal gate
Surface desociated hydrogen ions act as additional bias
SiO2 Si
8
9.5 Electromagnetic sensors
e - eyes
Light/ray detectors
Radio wave receivers
TFYY87, Nanotechnology
9
Catalytic surfaces engineered by nano
0,9 0,8 0,7
CMOS图像传感器原理及应用ppt课件
• 差异总结及前景展望： • 由于构造上的基本差异，我们可以表列出两者在性能上的表现之不 同。CCD图像传感器的特色在于充分保持信号在传输时不失真（专属 通道设计），透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理，可 以保持数据的完整性；CMOS图像传感器的制程比较简单，没有专属 通道的设计，因此必须先行放大再整合各个画素的数据。新一代的 CCD朝向耗电量减少作为改进目标，以期进入手机摄像头的移动通讯 市场；CMOS系列，则开始朝向大尺寸面积与高速图像处理芯片整合 ，借由后续的图像处理修正噪声以及画质表现，CMOS未来跨足高阶 的影像市场产品，前景可期。
• • • • • •
ISO感光度
•
ISO值是用来表示传统相机所 使用底片的感光度。当ISO数值 愈大时，感光度就愈大。
分辨率
• • • • • • • • • • • • • 先来说一下像素： 像素，即是影像最基本的单位。也就是说将影像放大到不能 再将它分割的影像单位。 而分辨率，是在一个特定的区域内共有多少个像素单位， 该词最早是用来说明工程中单位长度所撷取到『点』的数目，对应在单位上就成了 dpi (dot per inch)。常见单位有： EPI:每一平方英寸共有多少单位数(element per inch)。 DPI:每一平方英寸共有多少点数(dot per inch)。 PPI:每一平方英寸共有多少像素数(pixel per inch)。 LPI:每一平方英寸共有多少条线(line per inch)。 胶片式照相机一般使用35毫米的胶卷。解像度在数百万到一千万点。但是，胶 片经镜头所拍下的成像。有时还比不上100万像素档次的数码相机。100万像素档次 的数码相机，拍摄1024x768点阵的画像，经高解像度的打印机打印，解像度为每毫 米3到4点（解像度可用点数来表示）。另一方面，胶片经镜头所拍下的成像每毫米 3-14点。受我们用肉眼所能鉴别的限制，这种程度的解像度没有太大的区别。
CMOS成像器件PPT课件
24
精选
背照式CMOS原理图
25
精选
部分数码相机产品信息
13
精选
主要性能指标
1、光谱响应特性、量子效率 2、填充率(光敏面积/像敏面积） 3、输出特性和动态范围 4、噪声
（1）光敏元噪声： 热噪声、散粒噪声、g-r噪声、电流噪声
（2）MOS噪声 （3）工作噪声：复位噪声、空间噪声
14
精选
CMOS与CCD图像传感器性能比较
主要区别：读出方式不同，每个像元可以被单独选择读出；
6
CMOS光敏元阵列
CMOS图像传感器系统架构图
精选
CMOS图像传感器的像素单元结构
7
精选
无源像素(PPS)结构
由一个光电二极管 和一个MOS管构成。开 关选通时，光生电荷传 送到列线下端的积分放 大器，将信号转化为电 压输出。
光电二极管中产生的电荷与光信号成正比
8
精选
无源像素(PPS)结构
结构简单，像素填充率高，量子效率高 读出噪声大，不利于向大型阵列发展，不利于提
佳能EOS系列（1DX）
有效像素约为1810万像素。 感应器有效面积为约36×24 毫米。
CMOS图像感应器的半导体 制造，像素尺寸达到了 6.95×6.95微米。
通过配置对应不同光线射入角度的无间隙微透镜片，使
各个像素都能更有效地进行聚光。
新型CMOS图像感应器采用了16通道数据读取，高速读
15 像元结构不同：每个CMOS像元都有自己的缓冲精放选 大器。
CMOS与CCD图像传感器性能比较
与CCD相比较，CMOS图像传感器技术的优势主要
表现在：
高度集成化
实现对像素数据的高速随机访问，X-Y寻址方式
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
低研发周期，对市场造成持续的刺激，并最终提升产品的竞争力。
XIDIANnoiseLAB
设计技术、系统结构等方面的发展
来源于IT168 /server/2007-10-26/200710261331609.shtml
XIDIANnoiseLAB
设计技术、系统结构等方面的发展
I/O Interface
PCI Interface
VRAM
Motion Processor Core
•深亚微米、超深亚
Glue
LAN Interface
DSP Processor Glue Core
Graphics
MPEG
SCSI
Encryption/ Decryption
MEMORY Cache/SRAM or even DRAM
电路(IC)的设计思想是 IC设计与制造技术水平的提高， 不同的，它是微电子技 IC规模越来越大，已可以在一个 术领域的一场革命。 芯片上集成 108~109个晶体管
将整个系统集成在 一个XIDIANnoiseLAB 微电子芯片上
六十年代的集成电路设计
•微米级工艺 •基于晶体管级互连 •主流CAD：图形编辑
2013年：
– 14nm生产线正在爱尔兰基尔代尔郡筹备中，预计2014年 投入运转
XIDIANnoiseLAB
Intel处理器的发展
XIDIANnoiseLAB
硅基MOS集成电路仍将 是微电子技术的主流
―二十一世纪初，一度很多人认为当微电子技术的特征尺寸在 2012年达到0.035微米的“极限”之后，就是硅技术时代的结 束。”这实际上是一种很错误的观点。 原因: (2008年) 1.新材料、新技术的使用，使特征尺度不断缩小； 2.落后于工艺加工技术水平的设计技术、系统结构等方面都有 很大的发展潜力； 3.集成电路向集成化系统芯片（System On Chip，SOC）发展， 同时，微电子技术还将广泛地与其他学科相结合，诞生出一系 列的新兴学科，比如MEMS（Micro-Electro-Mechanics System） 和DNA生物芯片。
A Vdd B Out
XIDIANnoiseLAB
八十年代的电子系统设计
PE
系统
Math Controller
L2
IO
MEM
Bus
Graphics
• PCB集成 • 工艺无关
集成电路芯片
•亚微米级工艺 •依赖工艺 •基于标准单元互连 •主流CAD:门阵列
标准单元
XIDIANnoiseLAB
世纪之交的系统设计
– – – – 嵌入式模拟电路的Core可以抑制噪声问题 嵌入式CPU Core可以使设计者有更大的自由度 降低功耗，不需要大量的输出缓冲器 使DRAM和CPU之间的速度接近 XIDIANnoiseLAB
集成电路走向系统芯片
• SOC与IC组成的系统相比，由于SOC能 够综合并全盘考虑整个系统的各种情况， 可以在同样的工艺技术条件下实现更高 性能的系统指标
– 若采用IS方法和0.35m工艺设计系统芯片， 在相同的系统复杂度和处理速率下，能够相 当于采用0.25 ~ 0.18m工艺制作的IC所实现 的同样系统的性能 – 与采用常规IC方法设计的芯片相比，采用 SOC完成同样功能所需要的晶体管数目可以 XIDIANnoiseLAB 有数量级的降低
集成电路走向系统芯片
• SOC的三大支持技术
– 软硬件协同设计：Co-Design – IP技术 – 界面综合(Interface Synthesis)技 术
XIDIANnoiseLAB
集成电路走向系统芯片 • 软硬件Co-Design
– 面向各种系统的功能划分理论 (Function Partation Theory)
XIDIANnoiseLAB
• • •
•
新材料、新技术的使用 使特征尺度不断缩小
• 2002年8月13日，英特尔宣布与90nm制程相关的若干技 术取得突破，包括高性能低功耗晶体管、应变硅、高速 铜连接和新兴低K介质材料，这是业界在生产中首次使 用应变硅。2006年7月18日，英特尔双核安腾2处理器发 布，采用了90nm制程技术生产 。
XIDIANnoiseLAB
集成电路走向系统芯片 • Interface Synthesis
– IP + Glue Logic (胶连逻辑) – 面向IP综合的算法及其实现技术
XIDIANnoiseLAB
MEMS技术和DNA芯片
• 微电子技术与其它学科结合，诞 生出一系列崭新的学科和重大的 经济增长点
• 2013年，以14nm工艺生产芯片；
• 2015年，以10nm工艺生产芯片；
• 2017年，以7nm工艺生产芯片。
XIDIANnoiseLAB
设计技术、系统结构等方面的发展
以Intel的“Tick-Tock‖处理器发展战略为例：
Tick-Tock就是时钟的“嘀嗒”的意思，一个嘀嗒代表着一秒，而 在 Intel处理器发展战略上，每一个嘀嗒代表2年一次的工艺制程进步。 每个Tick-Tock中的“Tick‖，代表着工艺的提升、晶体管变小， 并 在此基础上增强原有的微架构，而Tick-Tock中的“Tock‖，则在维持 相同工艺前提下，进行微架构的革新。 交替进行，避免同时革新可能带来的失败风险，持续的发展能降
XIDIANnoiseLAB
新材料、新技术的使用 使特征尺度不断缩小
2006年7月27日，英特尔发布 酷睿2双核处理器，该处理器 包括2.9亿个晶体管，采用了 65nm制程技术生产。2007年1 月8日，英特尔发布了用于桌 面电脑的65nm酷睿2四核处理 器和用于服务器的四核处理器，晶体管数量达到了5.8 亿个。 2007年1月29日，英特尔宣布在晶体管技术上取得 突破，其下一代处理器所采用的晶体管将应用高K栅介 质和金属栅极这些创新性的材料。这些突破使得45nm 制程技术快速应用于量产产品成为可能。
XIDIANnoiseLAB
集成电路走向系统芯片
卫星 /电缆
解调/纠错 IBM CPU
DRAM
DRAM
SOC
传输 反向多路器 DRAM MPEG解码
SCI IEEE1284 GPIO ,etc
第二代 第三代 将来
声频 接口
视频 接口
System On A Chip
STBP
XIDIANnoiseLAB
微米级工艺 •基于IP复用 •主流CAD：软硬件协 同设计
EISA Interface
SYSTEM-ON-A-CHIP
XIDIANnoiseLAB
集成电路走向系统芯片
• SOC是从整个系统的角度出发，把处理机制、 模型算法、芯片结构、各层次电路直至器件的 设计紧密结合起来，在单个芯片上完成整个系 统的功能 • SOC必须采用从系统行为级开始自顶向下(TopDown)地设计 • SOC的优势
纳米CMOS技术
XIDIANnoiseLAB
纳米CMOS技术
一.绪论
二.基础知识补充—硅的平面工艺
三.光刻技术
四.栅工程
五.沟道工程和超浅结技术 六.新型纳米CMOS器件
XIDIANnoiseLAB
（一） 绪论
XIDIANnoiseLAB
IC技术发展沿革： 微米－亚微米－深亚微米－超深亚微米(纳米)
XIDIANnoiseLAB
设计技术、系统结构等方面的发展
很多著名的微电子学专家预测，微电子 产业将于2030年左右步入像汽车工业、航空 这样的比较成熟的领域。
即使微电子产业步入成熟领域，它仍将 保持快速发展的趋势，像汽车、航空工业已 经发展了100多年仍极具发展潜力一样，以硅 基为基础的微电子产业至少在未来几十年中 会保持目前的高速发展趋势
• 计算机 • 通讯 • 压缩解压缩 • 加密与解密
XIDIANnoiseLAB
集成电路走向系统芯片
• IP技术
– 软IP核：Soft IP (行为描述) – 固IP核：Firm IP (门级描述，网单) – 硬IP核：Hard IP(版图) • 通用模块
– CMOS DRAM – 数模混合：D/A、A/D – 深亚微米电路优化设计：在模型模拟的基础 上，对速度、功耗、可靠性等进行优化设计 – 最大工艺容差设计：与工艺有最大的容差
XIDIANnoiseLAB
目前的MEMS与IC初期情况相似
• 集成电路发展初期，其电路在今天看来是很 简单的，应用也非常有限，以军事需求为主 • 集成电路技术的进步，加快了计算机更新换 代的速度，对中央处理器（CPU）和随机存 贮器（RAM）的需求越来越大，反过来又 促进了集成电路的发展。集成电路和计算机 在发展中相互推动，形成了今天的双赢局面， 带来了一场信息革命 • 现阶段的微系统专用性很强，单个系统的应 用范围非常有限，还没有出现类似的CPU和 RAM这样量大而广的产品
XIDIANnoiseLAB
45nm工艺关键技术
XIDIANnoiseLAB
32nm技术曾响起的集结号
2007年9月，英特尔在开发者论坛上展示了一款采 用32nm工艺技术制造的300毫米晶圆。12月，IBM展示了 32nmCMOS工艺制成的新兴SRAM芯片。同月的IEDM会议上， 台积电也发布了32nm低功耗制程。 IBM32nm研发联盟梦幻组合收揽了IBM、AMD、 特许、三星、英飞凌、飞思卡尔和东芝这七家领先的芯片厂 商。预计首款32nm处理器将于2009年上市。32nm技术将耗费 芯片厂商30亿美元的工艺研发成本，相当于65nm技术的两倍。 英特尔和台积电选择孤军奋战。
XIDIANnoiseLAB
市场需求推动半导体产业发展
1965 1975 1985 1995 2005 2010
电子产品中 2％ 的硅含量 50 硅片直径 2” （mm） 半导体产值 15 （亿美元）