BT134双向可控硅
BT 双向可控硅中文资料

2.9 2.8 1.3 16.1
T2+ GT2- G-
T2- G+
T2+ G+
控制极触发电压
T2+ GT2- G-
T2- G+
VDRM IDRM VRRM IRRM VTM IH
IGT
VGT
测试条件
ID= 0.1mA VDRM= 520V ID= 0.1mA VRRM= 520V
IT= 6A IT= 0.1A;IGT= 20mA
VAK= 12V;RL= 100Ω
最小值
8.8 9.5 4.2 1.2 φ3.4
9.5 0.43 13 0.75
2.7 2.7 1.2 15.7
深圳市商岳电子有限公司
典型值
9 10 4.5 1.25 φ3.6 2.54 10 0.45 13.5 0.8 5.08
2.8 2.75 1.25 15.9
最大值
9.2 10.5 4.8 1.3 φ3.8
VD= 12V;RL= 100Ω
规范值
最小值 最大值 600 10 600 10 1.7 15 6 6 6 15 1.5 1.5 1.5 1.8
单位
V µA V µA V mA
mA
V
深圳市商岳电子有限公司
TO - 220 外形尺寸图
单位:mm
符号
A B C D F G H J K L N P Q R S Z
名称
符号
VDRM VRRM
IT I TSM Tjm Tstg
额定值
600 600
4 40 110 - 55 ~ 150
单位
V V A A ℃ ℃
BT134可控硅

极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
数值
Rating
单位
Unit
VDRM IT(RMS) ITSM(t=20ms) ITSM(t=16.7ms) I t(t=10ms) dIT/dt IGM VGM PGM PG(AV) Tj Tstg
2
500
100
50
20
200
V/μ s
佛 山 市 蓝 箭 电 子 有 限 公 司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.
BT134
佛 山 市 蓝 箭 电 子 有 限 公 司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.
600 4.0 25 27 3.1 50 2.0 5.0 5.0 0.5 125
800
V A A A AS A/μs A V W W ℃ ℃
2
-40~150
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃) 参数符号 测试条件 最小值 典型值 Symbol Test condition MIX. TYP. BT134… F/G …E VD=12V,IT=0.1A T2+G+ 5.0 2.5 IGT T2+G8.0 4.0 T2-G11 5.0 T2-G+ 30 11 VD=12V,IGT=0.1A T2+G+ 7.0 3.0 T2+G16 10 IL T2-G5.0 2.5 T2-G+ 7.0 4.0 IH VD=12V,IGT=0.1A 5.0 2.2 VT IT=5.0A 1.4 VD=12V,IT=0.1A 0.7 VGT (I-II-III) VD=400V,IT=0.1A,Tj=125℃ 0.25 0.4 ID VD=VDRM(MAX),Tj=125℃ 0.1 tgt ITM=6A,VD=VDRM,IG=0.1A, 2.0 dIg/dt=5A/μs dVD/dt VD=67% VDRM gate open 250 Tj=125℃
双向可控硅BT134

双向可控硅BT134主要用途:* 家用电器控制电路、变频电路、调光、调温、调速电路。
主要特点:*击穿电压高、输出电流大。
封装形式:*TO-126极限值: ℃( Tc=25)电特性: ℃ ( Tc=25)深圳市商岳电子有限公司参数名称符号额定值单位断态重复峰值电压VDRM600V 反向重复峰值电压V RRM 600V 通态平均电流IT 2A 通态不重复浪涌电流ITSM20A 最高结温Tjm 110℃贮存温度Tstg-~55150℃参数名称符号测试条件规范值单位最小值最大值断态重复峰值电压VDRM I = 0.1mAD600V断态重复峰值电流I DRM V = 520VDRM 10µA 反向重复峰值电压V RRM I = 0.1mAD600V 反向重复峰值电流I RRM V = 520V RRM10µA 通态峰值电压V TMI = 4AT1.7V 维持电流I H ;I = 0.1A I = 20mAT GT15mA控制极触发电流T2+ G+IGT;V = 12V R = 100ΩAK L6mAT2+ G-6T2- G-6T2- G+15控制极触发电压T2+ G+V GT;V = 12V R = 100ΩD L1.5VT2+ G- 1.5T2- G- 1.5T2- G+1.8TO-126阳极阳极控制极1.T12.T23.G-外形尺寸图TO 126单位:mm深圳市商岳电子有限公司。
四象限可控硅BT134SOT

A/μs
通态电流临界上升率
IV
10
IGM
门极峰值电流
2
A
PGM
门极峰值功率
5
W
PG(AV)
门极平均功率
0.5
TSTG
存储温度
-40~+150
℃
Tj
工作结温
-40~+125
四象限可控硅 BT134的电特性:
符号
参数
数值(D)
数值(E)
单位
IGT
门极触发电流
I-II-III
≤5
≤10
mA
门极触发电流
加热控制器、马达调速控制器、麻将机、搅拌机、直发器、面包机等家用电器
四象限可控硅 BT134的极限值:
符号
参数
数值
单位
VDRM/VRRM
断态重复峰值电压
600/800
V
IT(RMS)
通态均方根电流
4
A
ITSM
通态不重复浪涌电流
25
I2t
I2t值
3.1
A2s
dIT/dt
通态电流临界上升率
I-II-III
四象限可控硅BT134SOT
四象限可控硅 BT134 SOT-223-3L 贴片双向可控硅
四象限可控硅 BT134的产品特征:
NPNPN 五层结构的硅双向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
符合 RoHS 规范
封装形式:SOT-223-3L
四象限可控硅 BT134的引脚图:
四象限可控硅 BT134的应用:
≤5
μA
断态重复峰值电流
VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃
双向可控硅及触发电路

双向可控硅及其触发电路双向可控硅是一种功率半导体器件,也称双向晶闸管,在单片机控制系统中,可作为功率驱动器件,由于双向可控硅没有反向耐压问题,控制电路简单,因此特别适合做交流无触点开关使用。
双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器,且连接在强电网络中,其触发电路的抗干扰问题很重要,通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。
为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰,交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。
(过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通,由于采用过零触发,因此需要正弦交流电过零检测电路)双向可控硅分为三象限、四象限可控硅,四象限可控硅其导通条件如下图:总的来说导通的条件就是:G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通,这个电压可以是正、负,和T1、T2之间的电流方向也没有关系。
因为双向可控硅可以双向导通,所以没有正极负极,但是有T1、T2之分再看看BT134-600E的简介:(飞利浦公司的,双向四象限可控硅,最大电流4A)推荐电路:为了提高效率,使触发脉冲与交流电压同步,要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲,且触发脉冲电压应大于4V ,脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器,TPL521 - 2 为光电耦合器,起隔离作用。
当正弦交流电压接近零时,光电耦合器的两个发光二极管截止,三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通,产生负脉冲信号,T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚,以引起中断。
在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间,然后发出双向可控硅的同步触发信号。
过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。
过零触发电路电路如图3 所示,图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器,也属于光电耦合器的一种,用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用,R6 为触发限流电阻,R7 为BCR 门极电阻,防止误触发,提高抗干扰能力。
可控硅 BT134F 参数

θ : Conduction Angle
3
2
1
0
0
1
2
3
RMS On-State Current [A]
θ = 180 o θ = 150 o θ = 120 o θ = 90 o
θ = 60 o θ = 30 o
4
5
Fig 5. Surge On-State Current Rating ( Non-Repetitive )
0.150 0.098 0.091 0.181
0.055 0.126
Max. 0.311 0.441 0.579 0.114
0.059
0.024 0.034
B F
C
A E
φ
3 2 1
D
H I
J
K
L
1. Gate 2. T2 3. T1
5/6
BT134-F
TO-126 Package Dimension, Forming
mm
Dim.
Min.
Typ.
A
7.5
B
10.8
C
14.2
D
2.7
E
3.8
F
2.5
G
1.2
H
2.3
I
4.6
J
0.48
K
0.7
L
1.4
φ
3.2
Max. 7.9 11.2 14.7 2.9
1.5
0.62 0.86
Min. 0.295 0.425 0.559 0.106
0.047
0.019 0.028
Inch Typ.
Critical Rate of Rise Off-State Voltage at Commutation
贴片可控硅 BT134 SOT-223 规格参数

重复峰值阻断电压
VDRM
≥600
V
通态均方根电流
IT(RMS)
4.0
A
40
A
通态浪涌电流
ITSM
42
A
门极峰值电流
IGM
4.0
A
结温范围
Tj
-40~125
℃
贮存温度
Tstg
-40~150
℃
n 电特性(Tj=25℃):
名称
符号
测试条件
Min
正向断态峰值电流
通态峰值电压 门极触发电流 门极触发电压
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ Ⅳ
n 用途:
l 广泛应用于调光、调温、调速等调压电路;微波炉、洗衣机、空调、电 风扇、饮水机、夜明灯等家电的控制电路及用于交流相控、斩波器、逆 变器和变频器等电路;阻性负载;不苛刻的电机负载;虚假触发干扰并非首要关注点的负载;灯具调光器;电 阻加热和照明负载;低成本电器。
n 极限参数:
名称
符号
数值
单位
SZJBL
双向可控硅
BT134(SOT-223)
BT134(SOT-223)双向可控硅
n 特点:
l 先进的平面钝化技术,进一步提高了电压稳固性和可靠性,具有通态压 降低,门极逻辑电平触发,耐电流冲击能力强,全循环交流导通,在所 有四个象限中触发,兼容正栅极触发电路,出色的可靠性和产品质量, 可直接应用 IC 驱动。
7
----
10
----
2
ห้องสมุดไป่ตู้
0.8
----
----
----
----
30 ≤10
单位 mA V mA mA V V V/µs
A/µs mA
BT134可控硅

100
50
20
200
V/μ s
佛 山 市 蓝 箭 电 子 有 限 公 司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.
BT134
佛 山 市 蓝 箭 电 子 有 限 公 司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
数值
Rating
单位
Unit
VDRM IT(RMS) ITSM(t=20ms) ITSM(t=16.7ms) I t(t=10ms) dIT/dt IGM VGM PGM PG(AV) Tj Tstg
2
500
… 35 35 35 70 20 30 20 30 15
最大值 MAX. …E …F 10 25 10 25 10 25 25 70 15 20 20 30 15 20 20 30 15 15 1.7 1.5 0.5
单位 Unit …G 50 50 50 100 20 45 30 45 30 mA mA mA mA mA mA mA mA mA V V V mA μs
600 4.0 25 27 3.1 50 2.0 5.0 5.0 0.5 125
800
V A A A AS A/μs A V W W ℃ ℃
2
-40~150
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃) 参数符号 测试条件 最小值 典型值 Symbol Test condition MIX. TYP. BT134… F/G …E VD=12V,IT=0.1A T2+G+ 5.0 2.5 IGT T2+G8.0 4.0 T2-G11 5.0 T2-G+ 30 11 VD=12V,IGT=0.1A T2+G+ 7.0 3.0 T2+G16 10 IL T2-G5.0 2.5 T2-G+ 7.0 4.0 IH VD=12V,IGT=0.1A 5.0 2.2 VT IT=5.0A 1.4 VD=12V,IT=0.1A 0.7 VGT (I-II-III) VD=400V,IT=0.1A,Tj=125℃ 0.25 0.4 ID VD=VDRM(MAX),Tj=125℃ 0.1 tgt ITM=6A,VD=VDRM,IG=0.1A, 2.0 dIg/dt=5A/μs dVD/dt VD=67% VDRM gate open 250 Tj=125℃
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GENERAL DESCRIPTIONQUICK REFERENCE DATAGlass passivated triacs in a plastic SYMBOLPARAMETERMAX.MAX.MAX.UNIT envelope,intended for use in applications requiring high BT134-500600800bidirectional transient and blocking BT134-500F 600F 800F voltage capability and high thermal BT134-500G 600G 800G cycling performance.Typical V DRM Repetitive peak off-state 500600800V applications include motor control,voltagesindustrial and domestic lighting,I T(RMS)RMS on-state current444A heating and static switching.I TSMNon-repetitive peak on-state 252525AcurrentPINNING - SOT82PIN CONFIGURATION SYMBOLLIMITING VALUESLimiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).SYMBOL PARAMETERCONDITIONSMIN.MAX.UNIT -500-600-800V DRM Repetitive peak off-state -50016001800V voltagesI T(RMS)RMS on-state current full sine wave; T mb ≤ 107 ˚C-4A I TSMNon-repetitive peak full sine wave; T j = 25 ˚C prior to on-state current surge t = 20 ms -25A t = 16.7 ms -27A I 2t I 2t for fusingt = 10 ms- 3.1A 2s dI T /dtRepetitive rate of rise of I TM = 6 A; I G = 0.2 A;on-state current after dI G /dt = 0.2 A/µstriggeringT2+ G+-50A/µs T2+ G--50A/µs T2- G--50A/µs T2- G+-10A/µs I GM Peak gate current -2A V GM Peak gate voltage -5V P GM Peak gate power -5W P G(AV)Average gate power over any 20 ms period-0.5W T stg Storage temperature -40150˚C T jOperating junction -125˚Ctemperature1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 3 A/µs.THERMAL RESISTANCESSYMBOL PARAMETERCONDITIONSMIN.TYP.MAX.UNIT R th j-mb Thermal resistance full cycle -- 3.0K/W junction to mounting base half cycle -- 3.7K/W R th j-aThermal resistance in free air -100-K/Wjunction to ambientSTATIC CHARACTERISTICST j = 25 ˚C unless otherwise stated SYMBOL PARAMETER CONDITIONSMIN.TYP.MAX.UNITBT134-......F ...G I GTGate trigger currentV D = 12 V; I T = 0.1 AT2+ G+-5352550mA T2+ G--8352550mA T2- G--11352550mA T2- G+-307070100mA I LLatching currentV D = 12 V; I GT = 0.1 AT2+ G+-7202030mA T2+ G--16303045mA T2- G--5202030mA T2- G+-7303045mA I H Holding current V D = 12 V; I GT = 0.1 A -5151530mA V T On-state voltage I T = 5 A- 1.4 1.70V V GT Gate trigger voltage V D = 12 V; I T = 0.1 A -0.7 1.5V V D = 400 V; I T = 0.1 A;0.250.4-V T j = 125 ˚C I DOff-state leakage currentV D = V DRM(max);-0.10.5mA T j = 125 ˚CDYNAMIC CHARACTERISTICST j = 25 ˚C unless otherwise stated SYMBOL PARAMETER CONDITIONSMIN.TYP.MAX.UNIT BT134-......F ...G dV D /dtCritical rate of rise of V DM =67% V DRM(max);10050200250-V/µsoff-state voltage T j = 125 ˚C; exponential waveform; gate open circuitdV com /dtCritical rate of change of V DM = 400 V; T j = 95 ˚C;--1050-V/µscommutating voltage I T(RMS) = 4 A;dI com /dt = 1.8 A/ms; gate open circuitt gtGate controlled turn-on I TM = 6 A; V D = V DRM(max);---2-µstimeI G = 0.1 A;dI G /dt = 5 A/µs;MECHANICAL DATA1. Refer to mounting instructions for SOT82 envelopes.2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".DEFINITIONSData sheet statusObjective specification This data sheet contains target or goal specifications for product development. Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later. Product specification This data sheet contains final product specifications.Limiting valuesLimiting values are given in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one or more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of this specification is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability. Application informationWhere application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.© Philips Electronics N.V. 1997All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner.The information presented in this document does not form part of any quotation or contract, it is believed to be accurate and reliable and may be changed without notice. No liability will be accepted by the publisher for any consequence of its use. Publication thereof does not convey nor imply any license under patent or other industrial or intellectual property rights.LIFE SUPPORT APPLICATIONSThese products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where malfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products for use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting from such improper use or sale.。