《材料科学基础》课后答案章

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第一章

8.计算下列晶体的离于键与共价键的相对比例

(1)NaF

(2)CaO

(3)ZnS

解:1、查表得:X Na =0.93,X F =3.98

根据鲍林公式可得NaF 中离子键比例为:21(0.93 3.98)4[1]100%90.2%e

---?= 共价键比例为:1-90.2%=9.8%

10

1.(1)(2)

(3)

解:1、

2.有一正交点阵的a=b,c=a/2。某晶面在三个晶轴上的截距分别为6个、2个和4个原子间距,求该晶面的密勒指数。

3.立方晶系的{111},1110},{123)晶面族各包括多少晶面?写出它们的密勒指数。

4.写出六方晶系的{1012}晶面族中所有晶面的密勒指数,在六方晶胞中画出[1120]、[1101]晶向和(1012)晶面,并确定(1012)晶面与六方晶胞交线的晶向指数。

5.根据刚性球模型回答下列问题:

(1)以点阵常数为单位,计算体心立方、面心立方和密排六方晶体中的原子半径及四面体和八面体的间隙半径。

(2)计算体心立方、面心立方和密排六方晶胞中的原子数、致密度和配位数。

6.用密勒指数表示出体心立方、面心立方和密排六方结构中的原子密排面和原子密排方向,并分别计算这些晶面和晶向上的原子密度。

解:1、体心立方

密排面:{110}

2

1

14

1.414a-+?

=

2

3

7.

(1(2)

(3)

8.

(1

(2

(110),(132)的晶带轴为[112]3×1+1×1-2×1=2≠0或(132),(311)的晶带轴为

[158]-1×1+1×5-0×8=4≠0

故(110),(132),(311)晶面不属于同一晶带

2、根据晶带定律,hu+kv+lw=0,可得

2u+v+w=0

u+v=0

联立求解,得:u:v:w=-1:1:1,故晶带轴为[111]

属于该晶带的晶面:(321)、(312)、(101)、(011)、(431)等。

9.回答下列问题:

(1)试求出立方晶系中[321]与[401]晶向之间的夹角。

(2)试求出立方晶系中(210)与(320)晶面之间的夹角。

(3)试求出立方晶系中(111)晶面与[112]晶向之间的夹角。

解:1、根据晶向指数标定法可知:矢量32OA i j k =++必然平行于[321]晶向

矢量4OB i k =+必然平行于[401]晶向

则:这两个矢量夹角即为[321]与[401]晶向之间的夹角

根据矢量点积公式:cos OA

OB OA OB α=

即13α= α=32.58°

或2AB

OB OA i k =

-=-

矢量,,OA OB AB 2、与[320]根据矢量点积公式:cos OA OB OA OB α=

即8513cos α=?

或j

3、由于(111)晶面与0°。 21.(20℃),解:平衡空位浓度:exp v u C A kT

-= 2.已知银在800℃下的平衡空位数为3.6×1023/m 3,该温度下银的密度ρAg =9.58g/crn 3,银的摩尔质量为M Ag =107.9g/mol ,计算银的空位形成能。

解:平衡空位浓度:exp v u C A kT

-= 1m 3内银原子总数:23602836.02109.5810 5.3410/107.9

Ag Ag N N m M ρ???===? 3.空位对材料行为的主要影响是什么?

4.某晶体中有一条柏氏矢量为a[001]的位错线,位错线的一端露头于晶体表面,另一端与两条位错线相连接,其中一条的柏氏矢量为/2[111]a ,求另一条位错线的柏氏矢量。 答:根据柏氏矢量的守恒性,另一条位错的柏氏矢量为:

5.在图4-52所示的晶体中,ABCD 滑移面上有一个位错环,其柏氏矢量b 平行于AC

(1)指出位错环各部分的位错类型。(2)在图中表示出使位错环向外运

动所需施加的切应力方向。(3)该位错环运动出晶体后,晶体外形如何变化?

答:(1)位错环和与AC 平行的直线相切的部分为纯螺位错,位错环和与

AC 垂直的直线相切的部分为纯刃位错,其余部分为混合位错,作图

(2)切应力与b 平行,作用在晶体上下两面上。t ×b →多余原子面,作图

(3)沿b 方向滑出一个柏氏矢量单位的距离

6.在图4-53所示的晶体中有一位错线fed,de 段正好处于位错的滑移面上,of 段处于非滑

7.其中O'S'8.所示。9.10

能量条件:反应前222(b a ==∑

反应后222b a ==∑ 满足几何条件,但反应前后能量相等,不满足能量条件,故无外力作用时,该位错反应不能进行。

几何条件:[112][111][333][111]3662

a a a a +==

能量条件:反应前222234

b a =+=∑

反应后22234b a ==∑

满足几何条件,但反应前后能量相等,不满足能量条件,故无外力作用时,该位错反应不能进行。 几何条件:

[111][111][200][100]222

a a a a +== 能量条件:反应前2222(1)

b a a ==∑ 反应后22222232(

11122

a b a =++=∑ 满足几何条件,但反应后能量增加,故反

应不能进行。

11.若面心立方晶体中”一号[101〕的全位错

以及”一音C1211的不全位错,此两位错相遇发生位错反应,试问

(1)此反应能否进行?为什么?(2)写出合成位错的柏氏矢量,并说明合成位错的性质

12·在面心立方晶体的““)面上有”一号叮‘。彐的位错,试问该位错的刃型分量及螺型分量应处于什么方向上,在晶胞中画出它们的方向,并写出它们的晶向指数。

13.已知Cu 的点阵常数为0.255nm ,密度为8.9g/cm"摩尔质量为63.54g/mol 。如果Cu 在交变载荷作用下产生的空位浓度为5X10-4,并假定这些空位都在{111}面上聚集成直径为20nm 的空位片,(相当于抽出一排原子而形成位错环)(1)计算lcm3晶体中位错环的数目。(2)指出位错环的位错类型。(3)位错环在{111}面上如何运动?

14.为什么点缺陷在热力学上是稳定的,而位错则是不平衡的晶体缺陷了

15.柏氏矢量为答巨10〕的全位错可以在面心立方晶体的哪些{111}面上存在?试写出该全位错在这些面上分解为两个a/6<112>分位错的反应式。

16.根据单位长度位错应变能公式(4-7)以及位错密度与位向差的关系式(4-10),推导出小角度晶界能Y(;与0之间的关系式:汽=Y,)B(B 一1nB 式中、4洽h-ol 。为与位错中心。能有关的积分常数·提示:在式(4-7)中未考虑位错中心(YGYo )的错排能,推导时可另加上一常数项。

17.金属在真空高温加热时,抛光表面上晶界处由于能量较高,原子蒸发速度较快因而产生沟槽,这一沟槽常称为热蚀沟,假定自由表面的表面能为晶界能的三倍,且晶界与表面垂直,试在图上画出各项界面能之间的平衡情况,并计算热蚀沟底部的二面角。

18.在如图4-56所示的Cu 晶界上有一双球冠形第二相、Cu 晶粒工R ,已知Cu 的大角度晶界能为0.5J·m-',丫一一荟一一月一汤一一丫(l )分别计算当“一‘0,)=400,)=60’时Cu 与第二相之间/C 晶痴一\的相界能。(2)讨论晶界上第二相

形态与相界能及晶界能之间的关图4-56系。

19.表面为什么具有吸附效应?物理吸附及化学吸附各

起源于什么?试举出生活中的例子说明吸附现象的实

际意义。

20。从热力学角度解释润湿现象的本质。 第五章

1.按不同特点分类,固溶体可分为哪几种类型?影响置换固溶

体固溶度的因素有哪些?

2.影响固溶体的无序、有序和偏聚的主要因素是什么?

3.(1)间隙化合物与间隙固溶体有何根本区别?

(2)下列中间相各属什么类型?指出其结构特点及主要控制因素:

MnS,Fe3C,Mg2Si,SiC,Cu31Zn8,Fe,N,WC,Cr23C6

4.陶瓷材料中的固溶方式与金属相比有何不同?影响陶瓷材料中离子代换或固溶度的因素有哪些?

5.铋(熔点为271.5℃)和锑(熔点为630.7℃)在液态和固态时均能彼此无限互溶,w Bi =50%的合金在520℃时开始结晶出成分为w Sb =87%的固相。w Bi =80%的合金在400℃时开始结晶出成分为w Sb =64%的固相。根据上述条件,

(1)绘出Bi-Sb 相图,并标出各线和各相区的名称。

(2)从相图上确定含锑量为w Sb =40%合金的开始结晶和结晶终了温度,并求出它在400℃时的平衡相成分及相对量。 解:(1)Bi-Sb 相图271.5332

400

484

520

630.7

L

αL +α

B i Sb 2040

6080WS b (%)

(2)含锑量为w Sb =40%合金的开始结晶约484℃和结晶终了温度约332℃

w Sb =40%合金在400℃时的平衡相成分为液相(20%锑)和铋固溶体(64%锑)

相对量由杠杆定律求出:

6、根据下列实验数据绘出概略的二元共晶相图,A 组元的熔点为1000℃,B 组元的熔点为700℃。w B =25%的合金在500℃凝固完毕,含73.33%初生α相,其余为共晶体(α+β)。含50%B 的合金也在500℃凝固完毕,含40%初生α相,其余为共晶体(α+β),此合金中α相的总量占合金总量的50%,试画出此A —B 二元相图(假定α相及β相的固溶度不随温度而改变)。 解:设共晶反应的三个成分点(α、L 、β)含B 量依次为z y x ,,

则根据杠杆定律:

25%73.3%y y x -=-x y y --=%50%4050%=x

z z --%50 联立以上3式,解得:%95%,80%,5===z y x

作图如下:

7.根据下列条件绘制A-B 二元相图。 已知A-B 二元相图中存在一个液相区(L )和七个固相区((a,阝、

Y,S,u,。、匀,其中。、(3,),S,pc 是以纯组元为基的固溶体,。和安是

以化合物为基的固溶体(中间相)、。相中含B 量小、勺、~

于份相中的含B 量。相图中存在下列温度,且T,>T2>7'3>...>Tn ,其中T-T ;分别为纯组元A 和B 的熔点;T2,T7,Tiu 为同素异构转变温度;T3为熔晶转变温度;TS 为包晶温度;T6为共晶转变温度;7':为共析转变温度;T9,Tii 为包析转变温度。

8.(1)应用相律时须考虑哪些限制条件?

(2)试指出图5-115中的错误之处,并用相律说明理由,且加以改正。

解:(1)相律只适用于热力学平衡状态。平衡状态下各相的温度应相等(热量平衡);各相的压力应相等(机械平衡);每一组元在各相中的化学位必须相同(化学平衡)。

2)相律只能表示体系中组元和相的数

目,不能指明组元或相的类型和含量。

3)相律不能预告反应动力学(速度)。

4)自由度的值不得小于零。

(2)主要错误如下:

a.两相平衡自由度不为0,

b.纯组元相变,两相平衡,f=0,温度固

定;

c.二元合金最多只能三相平衡,不能四

相平衡,三相平衡时f=0,相成分唯一,

不能变动。

d.二元合金最多三相平衡时自由度为零,温度不变,三相平衡线为水平线

9.分析w C=0.2%的铁一碳合金从液态平衡冷却至室温的转变过程,用冷却曲线和组织示意图,说明各阶段的组织,并分别计算室温下的相组成物及组织组成物的相对量。

10.计算w C=3%C的铁-碳合金室温下莱氏体的相对量;组织中珠光体的相对量;组织中共析渗碳体的相对量。

解:莱氏体的相对量:

组织中珠光体的相对含量:

组织中共析渗碳体的相对含量:

11.利用Fe-Fe3C相图说明铁一碳合金的成分、组

织和性能之间的关系。

12.试比较匀晶型三元相图的变温截面与二

元匀晶相图的异同。

13.图5-116中为某三元合金系在T,.T2温度下的

等温截面。若7',>T2,此合金系中存在哪种三相平

衡反应?

14.利用所给出的Fe-Cr-C系wc.=17%的变温截

面。

(”填写图5-117上空白相区。

(2)从截面图上能判断哪一些三相区的三相反应?

用什么方法?是什么反应?

(3)分析we=1.2写的合金平衡凝固过程。

8.(1)应用相律时必须考虑哪些限制条件?

(2)利用相图

10.含w C=3%C的铁-碳合金室温下莱氏体的

相对量;组织中珠光体的相对含量;组织中

共晶渗碳体的相对含量。

第六章

简述二元合金平衡凝固的特点

答:二元合金平衡凝固的特点:

1、液相中溶质原子通过迁移(对流+扩散)而分均匀,固相

中溶质原子通过扩散也分布均匀;

2、固相及液相的成分随温度变化而变化,但在任一温度下都达到平衡状态;

3、结晶后晶粒内成分均匀,无宏观偏析及微观偏析。

1.液体金属在凝固时必须过冷,而在加热使其熔化却毋需过热,即一旦加热到熔点就立即熔化,为什么?

今给出一组典型数据作参考:

以金为例,其γSL=0.132,γLV=1.128,γSV=1.400分别为液-固、液-气、固-气相的界面能(单位J/m2)。解:液体金属在凝固时必须克服表面能,形核时自由能变化大于零,故需要过冷。固态金属熔化时,液相若与气相接触,当有少量液体金属在固相表面形成时,就会很快覆盖在整个表面(因为液体金属总是润湿同一种固体金属)。

)<0。

2.

N

C

3.

4.本章在讨论固溶体合金凝固时,引用了平衡分配系数和局部平衡的概念,并说明了实际合金的凝固处在图6-16中曲线2和曲线3这两个极端情况之间。为了研究实际合金的凝固,有人提出有效分配系数ke,k。定义为k,=(CS),/(CL)B,即界面上的固相体积浓度(Cs);;与液相的整体平均成分(CI-)。之比。

1)试说明由于液相混合均匀程度的不同,k。在k。与1之间变化。较慢凝固时k,-ko,快速凝固时k,-1,

2)画出ke=ko,k,=1和ko

5.某二元合金相图如图6-45所示。今将含WB40%的合金置于长度为I,的长瓷舟中并保持为液态,并从一端缓慢地凝固。温度梯度大到足以使液一固界面保持平直,同时液相成分能完全均匀混合。

1)试问这个合金的k。和k。是多少?

2)该试样在何位置(以端部距离计)出现共晶体?画出此时的溶质分布曲线。

3)若为完全平衡凝固,试样共晶体的百分数是多少?

4)如合金成分为含wu5,问2),3)的答案如何?

5)假设用含wa5%的合金作成一个大铸件,如将铸件剖开,问有无可能观察到共晶体?

6.仍用上题的合金相图,如合金含二elooo ,也浇成长棒自一端缓慢凝固,其溶质分布为XS=koxo(1-f)'“一‘(等同于式(6-28)),式中f 为凝固的长度百分数,Xs,x 。为摩尔分数。

1)证明当凝固百分数为f 时,固相的平均成分为

2)在凝固过程中,由于液相中的溶质含量增高会降低合金的凝固温度,证明液相的凝固温

度T(与已凝固试样的分数f 之间的关系为

式中,T 、为纯溶剂组元A 的熔点,m,为液相线的斜

率。

3)在图上画出凝固温度为7500C,7000C,6000C,5000C

时的固相平均成分二So

7.参考Cu-Zn (图6-46)和Cu-Sn 合金相图(图5-44),

试对比Cu-30Zn 和Cu-IOSn 合金在做铸件时:

1)哪种合金的疏松倾向较严重?

2)哪种合金含有第二相的可能性大?

3)哪种合金的反偏析倾向大?

8.说明成分过冷在理论上和实际生产中的意义。

9.说明杂质对共晶生长的影响。

10.比较普通铸造、连续铸造和熔化焊这三种凝固过

程及其组织。

第七章

1.钢的渗碳有时在870℃而不是在927℃下进行,因

为在较低的温度下容易保证获得细晶粒。试问在870℃

下渗碳要多少时间才能得到相当于在927℃下10h 的

渗层深度?

(渗碳时选用的钢材相同,炉内渗碳气氛相同。关

于碳在γ-Fe 中的扩散数据可查表7-4)

解:根据Fick 第二定律

在渗层深度相同时,在该深度的碳浓度为一定值,则

927870x x =,92710t hr =1192787092712

870 1.599101020.147.93910D t t hr hr D --?==?=? 2.今有小量的放射性Au‘沉积在金试样的一端,在高温下保持24h 后将试样切割成薄层,距放射源不同距离测量相应位置的放谢性强度,其数据如下:

距离放射源位置小m1020304050

相对放射强度求Au 的扩散系数。

(这是测定物质扩散系数的一种常用方法。沉积的放射性Au‘总量是恒定的,各个位置的放射强度与其所含的放射性Au’原子数成正比)

3.自扩散与空位扩散有何关系?为什么自扩散系数公式(7-18)要比空位扩散系数公·小得多?(Dv=Dlnv,n :为空位的平衡浓度)

4-1)为什么晶界扩散和体扩散(或点阵扩散)对扩散的相对贡献为D,,81D,d(D,-D ,分别为晶界和点阵扩散系数,8,d 分别为晶界厚度和晶粒直径。为简单计,将晶粒设想为一立方体,试用菲克第一定律写出此关系)

2)利用表7-4给出的Ag 的晶界扩散和体扩散数据,如晶界厚度

为。.5nm,Ag 的晶粒尺寸d=IOzpm ,试问晶界扩散在927℃和727℃

能否觉察出来?(假定实验误差在士,%)

5.假定第二相p 自母相a 中形核,形核位置可能有两种情形(图7-46),

则;1)试证明俘相无论是在晶内以球状形核,还是在晶界以双球冠状形

核,其晶核临界半径Yk 和临界晶核形成功△Gk 均为

(这说明晶核临界半径rk 与临界体积Vk 均与晶核形状无关)

2)当两面角8-120“时,卩是首先在晶内还是在晶界上形核?什么情况

下归相会首先在晶内

形核?

6.对铝合金,形成e-相的点阵错配度约100,0"相呈盘状,厚度约20人,其应变能计算书中已给出,试计算00相生长厚度为多少时共格就会遭到破坏?(E=7X10"N/mmz,非共格界面能为500X10-'J/cm') 7.新相的长大为什么会有扩散控制长大和界面控制长大两种类型?什么情况下晶体的长大是由界面控制或界面反应决定的?能否找到一种实验方法来确定某新相的长大是由界面反应决定的?

8.调幅分解反应和一般的形核长大机制有何不同?

答:调幅分解反应不需要形核,新相成分变化、结构不变,界面宽泛(初期无明显分界面),组织均匀规则,原子扩散

为上坡扩散,形核转变率

高;形核过程不需克服能

垒,但长大需要克服梯度

能和表面能;

一般的形核长大需要形

核,新相成分、结构均发

生变化,界面明晰,组织

均匀性差、不规则,原子

扩散为下坡扩散,形核转

变率低。形核、长大均需

克服能垒。

材料科学基础期末试题

材料科学基础考题 I卷 一、名词解释(任选5题,每题4分,共20分) 单位位错;交滑移;滑移系;伪共晶;离异共晶;奥氏体;成分过冷答: 单位位错:柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错称为单位位错。 交滑移:两个或多个滑移面沿着某个共同的滑移方向同时或交替滑移,称为交滑移。滑移系:一个滑移面和此面上的一个滑移方向合起来叫做一个滑移系。 伪共晶:在非平衡凝固条件下,某些亚共晶或过共晶成分的合金也能得全部的共晶组织,这种由非共晶成分的合金所得到的共晶组织称为伪共晶。 离异共晶:由于非平衡共晶体数量较少,通常共晶体中的a相依附于初生a相生长,将共晶体中另一相B推到最后凝固的晶界处,从而使共晶体两组成相相间的组织特征消失,这种两相分离的共晶体称为离异共晶。 奥氏体:碳原子溶于丫-Fe形成的固溶体。 成分过冷:在合金的凝固过程中,将界面前沿液体中的实际温度低于由溶质分布所决定的凝固温度时产生的过冷称为成分过冷。 二、选择题(每题2分,共20分) 1. 在体心立方结构中,柏氏矢量为a[110]的位错(A )分解为a/2[111]+a/2[l11]. (A)不能(B)能(C)可能 2. 原子扩散的驱动力是:(B ) (A)组元的浓度梯度(B)组元的化学势梯度(C)温度梯度 3?凝固的热力学条件为:(D ) (A)形核率(B)系统自由能增加 (C)能量守衡(D)过冷度 4?在TiO2中,当一部分Ti4+还原成Ti3+,为了平衡电荷就出现(A) (A)氧离子空位(B)钛离子空位(C)阳离子空位 5?在三元系浓度三角形中,凡成分位于( A )上的合金,它们含有另两个顶角所代表的两 组元含量相等。 (A)通过三角形顶角的中垂线 (B)通过三角形顶角的任一直线 (C)通过三角形顶角与对边成45°的直线 6?有效分配系数k e表示液相的混合程度,其值范围是(B ) (A)1vk e

大学物理学下册答案第11章

第11章 稳恒磁场 习 题 一 选择题 11-1 边长为l 的正方形线圈,分别用图11-1中所示的两种方式通以电流I (其中ab 、cd 与正方形共面),在这两种情况下,线圈在其中心产生的磁感应强度的大小分别为:[ ] (A )10B =,20B = (B )10B = ,02I B l π= (C )01I B l π= ,20B = (D )01I B l π= ,02I B l π= 答案:C 解析:有限长直导线在空间激发的磁感应强度大小为012(cos cos )4I B d μθθπ= -,并结合右手螺旋定则判断磁感应强度方向,按照磁场的叠加原理,可计 算 01I B l π= ,20B =。故正确答案为(C )。 11-2 两个载有相等电流I 的半径为R 的圆线圈一个处于水平位置,一个处于竖直位置,两个线圈的圆心重合,如图11-2所示,则在圆心O 处的磁感应强度大小为多少? [ ] (A )0 (B )R I 2/0μ (C )R I 2/20μ (D )R I /0μ 答案:C 解析:圆线圈在圆心处的磁感应强度大小为120/2B B I R μ==,按照右手螺旋定 习题11-1图 习题11-2图

则判断知1B 和2B 的方向相互垂直,依照磁场的矢量叠加原理,计算可得圆心O 处的磁感应强度大小为0/2B I R =。 11-3 如图11-3所示,在均匀磁场B 中,有一个半径为R 的半球面S ,S 边线所在平面的单位法线矢量n 与磁感应强度B 的夹角为α,则通过该半球面的磁通量的大小为[ ] (A )B R 2π (B )B R 22π (C )2cos R B πα (D )2sin R B πα 答案:C 解析:通过半球面的磁感应线线必通过底面,因此2cos m B S R B παΦ=?= 。故正 确答案为(C )。 11-4 如图11-4所示,在无限长载流直导线附近作一球形闭合曲面S ,当曲面S 向长直导线靠近时,穿过曲面S 的磁通量Φ B 将如何变化?[ ] ( A )Φ增大, B 也增大 (B )Φ不变,B 也不变 ( C )Φ增大,B 不变 ( D )Φ不变,B 增大 答案:D 解析:根据磁场的高斯定理0S BdS Φ==? ,通过闭合曲面S 的磁感应强度始终为0,保持不变。无限长载流直导线在空间中激发的磁感应强度大小为02I B d μπ= ,曲面S 靠近长直导线时,距离d 减小,从而B 增大。故正确答案为(D )。 11-5下列说法正确的是[ ] (A) 闭合回路上各点磁感应强度都为零时,回路内一定没有电流穿过 (B) 闭合回路上各点磁感应强度都为零时,回路内穿过电流的代数和必定为零 (C) 磁感应强度沿闭合回路的积分为零时,回路上各点的磁感应强度必定为零 (D) 磁感应强度沿闭合回路的积分不为零时,回路上任意一点的磁感应强度 I 习题11-4图 习题11-3图

《材料科学基础》总复习(完整版)

《材料科学基础》上半学期容重点 第一章固体材料的结构基础知识 键合类型(离子健、共价健、金属健、分子健力、混合健)及其特点;键合的本质及其与材料性能的关系,重点说明离子晶体的结合能的概念; 晶体的特性(5个); 晶体的结构特征(空间格子构造)、晶体的分类; 晶体的晶向和晶面指数(米勒指数)的确定和表示、十四种布拉维格子; 第二章晶体结构与缺陷 晶体化学基本原理:离子半径、球体最紧密堆积原理、配位数及配位多面体; 典型金属晶体结构; 离子晶体结构,鲍林规则(第一、第二);书上表2-3下的一段话;共价健晶体结构的特点;三个键的异同点(举例); 晶体结构缺陷的定义及其分类,晶体结构缺陷与材料性能之间的关系(举例); 第三章材料的相结构及相图 相的定义 相结构 合金的概念:

固溶体 置换固溶体 (1)晶体结构 无限互溶的必要条件—晶体结构相同 比较铁(体心立方,面心立方)与其它合金元素互溶情况(表3-1的说明) (2)原子尺寸:原子半径差及晶格畸变; (3)电负性定义:电负性与溶解度关系、元素的电负性及其规律;(4)原子价:电子浓度与溶解度关系、电子浓度与原子价关系;间隙固溶体 (一)间隙固溶体定义 (二)形成间隙固溶体的原子尺寸因素 (三)间隙固溶体的点阵畸变性 中间相 中间相的定义 中间相的基本类型: 正常价化合物:正常价化合物、正常价化合物表示方法 电子化合物:电子化合物、电子化合物种类 原子尺寸因素有关的化合物:间隙相、间隙化合物 二元系相图: 杠杆规则的作用和应用; 匀晶型二元系、共晶(析)型二元系的共晶(析)反应、包晶(析)

型二元系的包晶(析)反应、有晶型转变的二元系相图的特征、异同点; 三元相图: 三元相图成分表示方法; 了解三元相图中的直线法则、杠杆定律、重心定律的定义; 第四章材料的相变 相变的基本概念:相变定义、相变的分类(按结构和热力学以及相变方式分类); 按结构分类:重构型相变和位移型相变的异同点; 马氏体型相变:马氏体相变定义和类型、马氏体相变的晶体学特点,金属、瓷中常见的马氏体相变(举例)(可以用许教授提的一个非常好的问题――金属、瓷马氏体相变性能的不同――作为题目) 有序-无序相变的定义 玻璃态转变:玻璃态转变、玻璃态转变温度、玻璃态转变点及其黏度按热力学分类:一级相变定义、特点,属于一级相变的相变;二级相变定义、特点,属于二级相变的相变; 按相变方式分类:形核长大型相变、连续型相变(spinodal相变)按原子迁动特征分类:扩散型相变、无扩散型相变

统计学第五章课后题及答案解析

第五章 一、单项选择题 1.抽样推断的目的在于() A.对样本进行全面调查 B.了解样本的基本情况 C.了解总体的基本情况 D.推断总体指标 2.在重复抽样条件下纯随机抽样的平均误差取决于() A.样本单位数 B.总体方差 C.抽样比例 D.样本单位数和总体方差 3.根据重复抽样的资料,一年级优秀生比重为10%,二年级为20%,若抽样人数相等时,优秀生比重的抽样误差() A.一年级较大 B.二年级较大 C.误差相同 D.无法判断 4.用重复抽样的抽样平均误差公式计算不重复抽样的抽样平均误差结果将()A.高估误差 B.低估误差 C.恰好相等 D.高估或低估 5.在其他条件不变的情况下,如果允许误差缩小为原来的1/2,则样本容量()A.扩大到原来的2倍 B.扩大到原来的4倍 C.缩小到原来的1/4 D.缩小到原来的1/2 6.当总体单位不很多且差异较小时宜采用() A.整群抽样 B.纯随机抽样 C.分层抽样 D.等距抽样 7.在分层抽样中影响抽样平均误差的方差是() A.层间方差 B.层内方差 C.总方差 D.允许误差 二、多项选择题 1.抽样推断的特点有() A.建立在随机抽样原则基础上 B.深入研究复杂的专门问题 C.用样本指标来推断总体指标 D.抽样误差可以事先计算 E.抽样误差可以事先控制 2.影响抽样误差的因素有() A.样本容量的大小 B.是有限总体还是无限总体 C.总体单位的标志变动度 D.抽样方法 E.抽样组织方式 3.抽样方法根据取样的方式不同分为() A.重复抽样 B.等距抽样 C.整群抽样 D.分层抽样 E.不重复抽样 4.抽样推断的优良标准是() A.无偏性 B.同质性 C.一致性 D.随机性 E.有效性 5.影响必要样本容量的主要因素有() A.总体方差的大小 B.抽样方法

材料科学基础试题

第一章原子排列 本章需掌握的内容: 材料的结合方式:共价键,离子键,金属键,范德瓦尔键,氢键;各种结合键的比较及工程材料结合键的特性; 晶体学基础:晶体的概念,晶体特性(晶体的棱角,均匀性,各向异性,对称性),晶体的应用 空间点阵:等同点,空间点阵,点阵平移矢量,初基胞,复杂晶胞,点阵参数。 晶系与布拉菲点阵:种晶系,14种布拉菲点阵的特点; 晶面、晶向指数:晶面指数的确定及晶面族,晶向指数的确定及晶向族,晶带及晶带定律六方晶系的四轴座标系的晶面、晶向指数确定。 典型纯金属的晶体结构:三种典型的金属晶体结构:fcc、bcc、hcp; 晶胞中原子数、原子半径,配位数与致密度,晶面间距、晶向夹角 晶体中原子堆垛方式,晶体结构中间隙。 了解其它金属的晶体结构:亚金属的晶体结构,镧系金属的晶体结构,同素异构性 了解其它类型的晶体结构:离子键晶体结构:MgO陶瓷及NaCl,共价键晶体结构:SiC陶瓷,As、Sb 非晶态结构:非晶体与晶体的区别,非晶态结构 分子相结构 1. 填空 1. fcc结构的密排方向是_______,密排面是______,密排面的堆垛顺序是_______致密度为___________配位数是________________晶胞中原子数为___________,把原子视为刚性球时,原子的半径是____________;bcc结构的密排方向是_______,密排面是_____________致密度为___________配位数是________________ 晶胞中原子数为___________,原子的半径是____________;hcp结构的密排方向是_______,密排面是______,密排面的堆垛顺序是_______,致密度为___________配位数是________________,晶胞中原子数为 ___________,原子的半径是____________。 2. bcc点阵晶面指数h+k+l=奇数时,其晶面间距公式是________________。 3. Al的点阵常数为0.4049nm,其结构原子体积是________________。 4. 在体心立方晶胞中,体心原子的坐标是_________________。 5. 在fcc晶胞中,八面体间隙中心的坐标是____________。 6. 空间点阵只可能有___________种,铝晶体属于_____________点阵。Al的晶体结构是__________________, -Fe的晶体结构是____________。Cu的晶体结构是_______________, 7点阵常数是指__________________________________________。 8图1是fcc结构的(-1,1,0 )面,其中AB和AC的晶向指数是__________,CD的晶向指数分别 是___________,AC所在晶面指数是--------------------。

大学物理第11章习题解答

习题11 1. 选择题 (1) 一圆形线圈在均匀磁场中作下列运动时, 哪些情况会产生感应电流( ) A. 沿垂直磁场方向平移 B. 以直径为轴转动, 轴跟磁场垂直 C. 沿平行磁场方向平移 D. 以直径为轴转动, 轴跟磁场平行 (2) 尺寸相同的铁环与铜环所包围的面积中, 通以相同变化率的磁通量, 环中( ) A. 感应电动势相同, 感应电流不同. B. 感应电动势相同, 感应电流相同. C. 感应电动势不同, 感应电流相同. D. 感应电动势不同. (3) 对于涡旋电场, 下列说法不正确的是( ) A. 涡旋电场对电荷有作用力. B. 涡旋电场由变化的磁场产生. C. 涡旋电场由电荷激发. D. 涡旋电场的电场线是闭合的. (4) 用线圈的自感系数L 来表示载流线圈磁场能量的公式2 12 m W LI =( ) A. 只适用于单匝圆线圈. B. 只适用于一个匝数很多, 且密绕的螺线环. C. 适用于自感系数L 一定的任意线圈. D. 只适用于无限长密绕螺线管. (5) 有两个长直密绕螺线管, 长度及线圈匝数均相同, 半径分别为1r 和2r . 管内充满均匀介质, 其磁导率分别为1μ和2μ. 设1212r r =, 1221μμ=, 当将两只螺线管串联在电路中通电稳定后, 其自感系数之比12L L 与磁能之比12m m W W 分别为( ) A. 1211L L =, 1211m m W W =. B. 1212L L =, 1211m m W W =. C. 1212L L =, 1212m m W W =. D. 1221L L =, 1221m m W W =. 答案:B A C D C 2. 填空题 (1) 电阻2R =Ω的闭合导体回路置于变化磁场中, 通过回路包围面的磁通量与时间的关系 为23 (582)10()m t t Wb -Φ=+-?, 则在2t s =至3t s =的时间内, 流过回路导体横截面 的感应电荷等于______________C .

材料科学基础知识点总结

金属学与热处理总结 一、金属的晶体结构 重点内容:面心立方、体心立方金属晶体结构的配位数、致密度、原子半径,八面体、四面体间隙个数;晶向指数、晶面指数的标定;柏氏矢量具的特性、晶界具的特性。 基本内容:密排六方金属晶体结构的配位数、致密度、原子半径,密排面上原子的堆垛顺序、晶胞、晶格、金属键的概念。晶体的特征、晶体中的空间点阵。 晶胞:在晶格中选取一个能够完全反映晶格特征的最小的几何单元,用来分析原子排列的规律性,这个最小的几何单元称为晶胞。 金属键:失去外层价电子的正离子与弥漫其间的自由电子的静电作用而结合起来,这种结合方式称为金属键。 位错:晶体中原子的排列在一定范围内发生有规律错动的一种特殊结构组态。 位错的柏氏矢量具有的一些特性: ①用位错的柏氏矢量可以判断位错的类型;②柏氏矢量的守恒性,即柏氏矢量与回路起点及回路途径无关;③位错的柏氏矢量个部分均相同。 刃型位错的柏氏矢量与位错线垂直;螺型平行;混合型呈任意角度。 晶界具有的一些特性: ①晶界的能量较高,具有自发长大和使界面平直化,以减少晶界总面积的趋势;②原子在晶界上的扩散速度高于晶内,熔点较低;③相变时新相优先在晶界出形核;④晶界处易于发生杂质或溶质原子的富集或偏聚;⑤晶界易于腐蚀和氧化;⑥常温下晶界可以阻止位错的运动,提高材料的强度。 二、纯金属的结晶 重点内容:均匀形核时过冷度与临界晶核半径、临界形核功之间的关系;细化晶粒的方法,铸锭三晶区的形成机制。 基本内容:结晶过程、阻力、动力,过冷度、变质处理的概念。铸锭的缺陷;结晶的热力学条件和结构条件,非均匀形核的临界晶核半径、临界形核功。 相起伏:液态金属中,时聚时散,起伏不定,不断变化着的近程规则排列的原子集团。 过冷度:理论结晶温度与实际结晶温度的差称为过冷度。 变质处理:在浇铸前往液态金属中加入形核剂,促使形成大量的非均匀晶核,以细化晶粒的方法。 过冷度与液态金属结晶的关系:液态金属结晶的过程是形核与晶核的长大过程。从热力学的角度上看,

第5章习题参考答案

第5章习题参考答案 1.请在括号内填入适当答案。在CPU中: (1)保存当前正在执行的指令的寄存器是(IR ); (2)保存当前正在执行的指令地址的寄存器是(AR ) (3)算术逻辑运算结果通常放在(DR )和(通用寄存器)。2.参见图5.15的数据通路。画出存数指令“STO Rl,(R2)”的指令周期流程图,其含义是将寄存器Rl的内容传送至(R2)为地址的主存单元中。标出各微操作信号序列。 解: STO R1, (R2)的指令流程图及为操作信号序列如下:

STO R1, (R2) R/W=R DR O, G, IR i R2O, G, AR i R1O, G, DR i R/W=W 3.参见图5.15的数据通路,画出取数指令“LAD (R3),R0”的指令周期流程图,其含义是将(R3)为地址主存单元的内容取至寄存器R2中,标出各微操作控制信号序列。 解: LAD R3, (R0)的指令流程图及为操作信号序列如下:

PC O , G, AR i R/W=R DR O , G, IR i R 3O , G, AR i DR O , G, R 0i R/W=R LAD (R3), R0 4.假设主脉冲源频率为10MHz ,要求产生5个等间隔的节拍脉冲,试画出时序产生器的逻辑图。 解:

5.如果在一个CPU 周期中要产生3个节拍脉冲;T l =200ns ,T 2=400ns ,T 3=200ns ,试画出时序产生器逻辑图。 解:取节拍脉冲T l 、T 2、T 3的宽度为时钟周期或者是时钟周期的倍数即可。所以取时钟源提供的时钟周期为200ns ,即,其频率为5MHz.;由于要输出3个节拍脉冲信号,而T 3的宽度为2个时钟周期,也就是一个节拍电位的时间是4个时钟周期,所以除了C 4外,还需要3个触发器——C l 、C 2、C 3;并令 211C C T *=;321C C T *=;313C C T =,由此可画出逻辑电路图如下:

材料科学基础试卷(带答案)

材料科学基础试卷(一) 一、概念辨析题(说明下列各组概念的异同。任选六题,每小题3分,共18分) 1 晶体结构与空间点阵 2 热加工与冷加工 3 上坡扩散与下坡扩散 4 间隙固溶体与间隙化合物 5 相与组织 6 交滑移与多滑移 7 金属键与共价键 8 全位错与不全位错 9 共晶转变与共析转变 二、画图题(任选两题。每题6分,共12分) 1 在一个简单立方晶胞内画出[010]、[120]、[210]晶向和(110)、(112)晶面。 2 画出成分过冷形成原理示意图(至少画出三个图)。 3 综合画出冷变形金属在加热时的组织变化示意图和晶粒大小、内应力、强度和塑性变化趋势图。 4 以“固溶体中溶质原子的作用”为主线,用框图法建立与其相关的各章内容之间的联系。 三、简答题(任选6题,回答要点。每题5分,共 30 分) 1 在点阵中选取晶胞的原则有哪些? 2 简述柏氏矢量的物理意义与应用。 3 二元相图中有哪些几何规律? 4 如何根据三元相图中的垂直截面图和液相单变量线判断四相反应类型? 5 材料结晶的必要条件有哪些?

6 细化材料铸态晶粒的措施有哪些? 7 简述共晶系合金的不平衡冷却组织及其形成条件。 8 晶体中的滑移系与其塑性有何关系? 9 马氏体高强度高硬度的主要原因是什么? 10 哪一种晶体缺陷是热力学平衡的缺陷,为什么? 四、分析题(任选1题。10分) 1 计算含碳量0.04的铁碳合金按亚稳态冷却到室温后,组织中的珠光体、二次渗碳体和莱氏体的相对含量。 2 由扩散第二定律推导出第一定律,并说明它们各自的适用条件。 3 试分析液固转变、固态相变、扩散、回复、再结晶、晶粒长大的驱动力及可能对应的工艺条件。 五、某面心立方晶体的可动滑移系为(111) [110].(15分) (1) 指出引起滑移的单位位错的柏氏矢量. (2) 如果滑移由纯刃型位错引起,试指出位错线的方向. (3) 如果滑移由纯螺型位错引起,试指出位错线的方向. (4) 在(2),(3)两种情况下,位错线的滑移方向如何? (5) 如果在该滑移系上作用一大小为0.7的切应力,试确定单位刃型位错和螺型位错 线受力的大小和方向。(点阵常数0.2)。 六、论述题(任选1题,15分) 1 试论材料强化的主要方法、原理及工艺实现途径。 2 试论固态相变的主要特点。 3 试论塑性变形对材料组织和性能的影响。

大学物理第11章习题答案(供参考)

第11章 电磁感应 11.1 基本要求 1理解电动势的概念。 2掌握法拉第电磁感应定律和楞次定律,能熟练地应用它们来计算感应电动势的大小,判别感应电动势的方向。 3理解动生电动势的概念及规律,会计算一些简单问题中的动生电动势。 4理解感生电场、感生电动势的概念及规律,会计算一些简单问题中的感生电动势。 5理解自感现象和自感系数的定义及物理意义,会计算简单回路中的自感系数。 6理解互感现象和互感系数的定义及物理意义,能计算简单导体回路间的互感系数。 7理解磁能(磁场能量)和磁能密度的概念,能计算一些简单情况下的磁场能量。 8了解位移电流的概念以及麦克斯韦方程组(积分形式)的物理意义。 11.2 基本概念 1电动势ε:把单位正电荷从负极通过电源内部移到正极时,非静电力所作的功,即 W q ε= 2动生电动势:仅由导体或导体回路在磁场中的运动而产生的感应电动势。 3感生电场k E :变化的磁场在其周围所激发的电场。与静电场不同,感生电场的电 场线是闭合的,所以感生电场也称有旋电场。 4感生电动势:仅由磁场变化而产生的感应电动势。 5自感:有使回路保持原有电流不变的性质,是回路本身的“电磁惯性”的量度。 自感系数L ://m L I N I =ψ=Φ 6自感电动势L ε:当通过回路的电流发生变化时,在自身回路中所产生的感应电动势。

7互感系数M :2112 12 M I I ψψ= = 8互感电动势12ε:当线圈2的电流2I 发生变化时,在线圈1中所产生的感应电动势。 9磁场能量m W :贮存在磁场中的能量。 自感贮存磁能:212 m W LI = 磁能密度m w :单位体积中贮存的磁场能量22111 222 m B w μH HB μ=== 10位移电流:D d d I dt Φ= s d t ?=??D S ,位移电流并不表示有真实的电荷在空 间移动。但是,位移电流的量纲和在激发磁场方面的作用与传导电流是一致的。 11位移电流密度:d t ?=?D j 11.3 基本规律 1电磁感应的基本定律:描述电磁感应现象的基本规律有两条。 (1)楞次定律:感生电流的磁场所产生的磁通量总是反抗回路中原磁通量的改变。楞 次定律是判断感应电流方向的普适定则。 (2)法拉第电磁感应定律:不论什么原因使通过回路的磁通量(或磁链)发生变化,回路 中均有感应电动势产生,其大小与通过该回路的磁通量(或磁链)随时间的变化成正比,即 m i d dt εΦ=- 2动生电动势:()B B K A A i εd d ==???E l v B l ,若0i ε>,则表示电动势方向由A B →;若 0i ε<,则表示电动势方向B A → 3感生电动势:m K l s i d Φd εd d dt dt = ?=- =-? ?B E l S (对于导体回路) B K A i εd =?E l (对于一段导体) 4自感电动势:L dI εL dt =- 5互感电动势:12212d ΨdI εM dt dt =-=- 6麦克斯韦方程组

材料科学基础最全名词解释

1.固相烧结:固态粉末在适当的温度,压力,气氛和时间条件下,通过物质与气孔之间的传质,变为坚硬、致密烧结体的过程。 液相烧结:有液相参加的烧结过程。 2.金属键:自由电子与原子核之间静电作用产生的键合力。 3.离子键:金属原子自己最外层的价电子给予非金属原子,使自己成为带正电的正离子,而非金属得到价电子后使自己成为带负电的负离子,这样正负离子靠它们之间的静电引力结合在一起。 共价键:由两个或多个电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键。氢键:由氢原子同时与两个电负性相差很大而原子半径较小的原子(O,F,N等)相结合而产生的具有比一般次价键大的键力。 弗兰克缺陷:间隙空位对缺陷 肖脱基缺陷:正负离子空位对的 奥氏体:γ铁内固溶有碳和(或)其他元素的、晶体结构为面心立方的固溶体。 布拉菲点阵:除考虑晶胞外形外,还考虑阵点位置所构成的点阵。 不全位错:柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错称为不全位错。 玻璃化转变温度:过冷液体随着温度的继续下降,过冷液体的黏度迅速增大,原子间的相互运动变得更加困难,所以当温度降至某一临界温度以下时,即固化成玻璃。这个临界温度称为玻璃化温度Tg。 表面能:表面原子处于不均匀的力场之中,所以其能量大大升高,高出的能量称为表面自由能(或表面能)。 半共格相界:若两相邻晶体在相界面处的晶面间距相差较大,则在相界面上不可能做到完全的一一对应,于是在界面上将产生一些位错,以降低界面的弹性应变能,这时界面上两相原子部分地保持匹配,这样的界面称为半共格界面或部分共格界面。 柏氏矢量:描述位错特征的一个重要矢量,它集中反映了位错区域内畸变总量的大小和方向,也使位错扫过后晶体相对滑动的量。 柏氏矢量物理意义: ①从位错的存在使得晶体中局部区域产生点阵畸变来说:一个反映位错性质以及由位错引起的晶格畸变大小的物理量。 ②从位错运动引起晶体宏观变形来说:表示该位错运动后能够在晶体中引起的相对位移。 部分位错:柏氏矢量小于点阵矢量的位错 包晶转变:在二元相图中,包晶转变就是已结晶的固相与剩余液相反应形成另一固相的恒温转变。 包析反应:由两个固相反应得到一个固相的过程为包析反应。 包析转变:两个一定成分的固相在恒温(T)下转变为一个新的固相的恒温反应。包析转变与包晶转变的相图特征类似,只是包析转变中没有液相,只有固相。 粗糙界面:界面的平衡结构约有一半的原子被固相原子占据而另一半位置空着,这时界面称为微观粗糙界面。 重合位置点阵:当两个相邻晶粒的位相差为某一值时,若设想两晶粒的点阵彼此通过晶界向对方延伸,则其中一些原子将出现有规律的相互重合。由这些原子重合位置所组成的比原来晶体点阵大的新点阵,称为重合位置点阵。 成分过冷;界面前沿液体中的实际温度低于由溶质分布所决定的凝固温度时产生的过冷。

第五章微机原理课后习题参考答案

习题五 一. 思考题 ⒈半导体存储器主要分为哪几类?简述它们的用途和区别。 答:按照存取方式分,半导体存储器主要分为随机存取存储器RAM(包括静态RAM和动态RAM)和只读存储器ROM(包括掩膜只读存储器,可编程只读存储器,可擦除只读存储器和电可擦除只读存储器)。 RAM在程序执行过程中,能够通过指令随机地对其中每个存储单元进行读\写操作。一般来说,RAM中存储的信息在断电后会丢失,是一种易失性存储器;但目前也有一些RAM 芯片,由于内部带有电池,断电后信息不会丢失,具有非易失性。RAM的用途主要是用来存放原始数据,中间结果或程序,与CPU或外部设备交换信息。 而ROM在微机系统运行过程中,只能对其进行读操作,不能随机地进行写操作。断电后ROM中的信息不会消失,具有非易失性。ROM通常用来存放相对固定不变的程序、汉字字型库、字符及图形符号等。 根据制造工艺的不同,随机读写存储器RAM主要有双极型和MOS型两类。双极型存储器具有存取速度快、集成度较低、功耗较大、成本较高等特点,适用于对速度要求较高的高速缓冲存储器;MOS型存储器具有集成度高、功耗低、价格便宜等特点,适用于内存储器。 ⒉存储芯片结构由哪几部分组成?简述各部分的主要功能。 答:存储芯片通常由存储体、地址寄存器、地址译码器、数据寄存器、读\写驱动电路及控制电路等部分组成。 存储体是存储器芯片的核心,它由多个基本存储单元组成,每个基本存储单元可存储一位二进制信息,具有0和1两种状态。每个存储单元有一个唯一的地址,供CPU访问。 地址寄存器用来存放CPU访问的存储单元地址,该地址经地址译码器译码后选中芯片内某个指定的存储单元。通常在微机中,访问地址由地址锁存器提供,存储单元地址由地址锁存器输出后,经地址总线送到存储器芯片内直接进行译码。 地址译码器的作用就是用来接收CPU送来的地址信号并对它进行存储芯片内部的“译码”,选择与此地址相对应的存储单元,以便对该单元进行读\写操作。 读\写控制电路产生并提供片选和读\写控制逻辑信号,用来完成对被选中单元中各数据位的读\写操作。

材料科学基础期末考试

期末总复习 一、名词解释 空间点阵:表示晶体中原子规则排列的抽象质点。 配位数:直接与中心原子连接的配体的原子数目或基团数目。 对称:物体经过一系列操作后,空间性质复原;这种操作称为对称操作。 超结构:长程有序固溶体的通称 固溶体:一种元素进入到另一种元素的晶格结构形成的结晶,其结构一般保持和母相一致。 致密度:晶体结构中原子的体积与晶胞体积的比值。 正吸附:材料表面原子处于结合键不饱和状态,以吸附介质中原子或晶体内部溶质原子达到平衡状态,当溶质原子或杂质原子在表面浓度大于在其在晶体内部的浓度时称为正吸附; 晶界能:晶界上原子从晶格中正常结点位置脱离出来,引起晶界附近区域内晶格发生畸变,与晶内相比,界面的单位面积自由能升高,升高部分的能量为晶界能; 小角度晶界:多晶体材料中,每个晶粒之间的位向不同,晶粒与晶粒之间存在界面,若相邻晶粒之间的位向差在10°~2°之间,称为小角度晶界; 晶界偏聚:溶质原子或杂质原子在晶界或相界上的富集,也称内吸附,有因为尺寸因素造成的平衡偏聚和空位造成的非平衡偏聚。 肖脱基空位:脱位原子进入其他空位或者迁移至晶界或表面而形成的空位。 弗兰克耳空位:晶体中原子进入空隙形而形成的一对由空位和间隙原子组成的缺陷。 刃型位错:柏氏矢量与位错线垂直的位错。 螺型位错:柏氏矢量与位错线平行的位错。 柏氏矢量:用来表征晶体中位错区中原子的畸变程度和畸变方向的物理量。 单位位错:柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错 派—纳力:位错滑动时需要克服的周围原子的阻力。 过冷:凝固过程开始结晶温度低于理论结晶温度的现象。 过冷度:实际结晶温度和理论结晶温度之间的差值。 均匀形核:在过冷的液态金属中,依靠金属本身的能量起伏获得成核驱动力的形核过程。 过冷度:实际结晶温度和理论结晶温度之间的差值。 形核功:形成临界晶核时,由外界提供的用于补偿表面自由能和体积自由能差值的能量。 马氏体转变:是一种无扩散型相变,通过切变方式由一种晶体结构转变另一种结构,转变过程中,表面有浮凸,新旧相之间保持严格的位向关系。或者:由奥氏体向马氏体转变的

大学物理课后答案第十一章

第十一章 机械振动 一、基本要求 1.掌握简谐振动的基本特征,学会由牛顿定律建立一维简谐振动的微分方程,并判断其是否谐振动。 2. 掌握描述简谐运动的运动方程)cos( 0?ω+=t A x ,理解振动位移,振幅,初位相,位相,圆频率,频率,周期的物理意义。能根据给出的初始条件求振幅和初位相。 3. 掌握旋转矢量法。 4. 理解同方向、同频率两个简谐振动的合成规律,以及合振动振幅极大和极小的条件。 二、基本内容 1. 振动 物体在某一平衡位置附近的往复运动叫做机械振动。如果物体振动的位置满足)()(T t x t x +=,则该物体的运动称为周期性运动。否则称为非周期运动。但是一切复杂的非周期性的运动,都可以分解成许多不同频率的简谐振动(周期性运动)的叠加。振动不仅限于机械运动中的振动过程,分子热运动,电磁运动,晶体中原子的运动等虽属不同运动形式,各自遵循不同的运动规律,但是就其中的振动过程讲,都具有共同的物理特征。 一个物理量,例如电量、电流、电压等围绕平衡值随时间作周期性(或准周期性)的变化,也是一种振动。 2. 简谐振动 简谐振动是一种周期性的振动过程。它可以是机械振动中的位移、速度、加速度,也可以是电流、电量、电压等其它物理量。简谐振动是最简单,最基本的周期性运动,它是组成复杂运动的基本要素,所以简谐运动的研究是本章一个重点。 (1)简谐振动表达式)cos(0?ω+=t A x 反映了作简谐振动的物体位移随时间的变化遵循余弦规律,这也是简谐振动的定义,即判断一个物体是否作简谐振动的运动学根据。但是简谐振动表达式更多地用来揭示描述一个简谐运动必须

涉及到的物理量A 、ω、0?(或称描述简谐运动的三个参量),显然三个参量确定后,任一时刻作简谐振动的物体的位移、速度、加速度都可以由t 对应地得到。 )2 cos()sin(00π ?ωω?ωω+ +=+-=t A t A v )c o s ()c o s (0202π?ωω?ωω±+=+-=t A t A a (2)简谐运动的动力学特征为:物体受到的力的大小总是与物体对其平衡位置的位移成正比、而方向相反,即kx F -=,它是判定一个系统的运动过程是否作简谐运动的动力学根据,只要受力分析满足动力学特征的,毫无疑问地系统的运动是简谐运动。这里应该注意,F 系指合力,它可以是弹性力或准弹性力。 (3)和简谐运动的动力学特征相一致的是简谐运动的运动学特征:作简谐 运动物体的加速度大小总是与其位移大小成正比、而方向相反,即x dt x d 222ω-=, 它也是物体是否作简谐运动的判据之一。只要加速度与位移大小成正比、而方向恒相反,则该物理量的变化过程就是一个简谐运动的过程。在非力学量,例如电量、电流和电压等电学量,就不易用简谐振动的动力学特征去判定,而LC 电路中的电量q 就满足q LC dt q d 1 22-=,故电量q 的变化过程就是一个简谐振荡的过程,显然用运动学的特征来判定简谐运动更具有广泛的意义。 3. 简谐振动的振幅、周期、频率和相位 (1)振幅A 是指最大位移的绝对值。A 是由初始条件来决定的,即 2 20 2 ω v + = x A 。 (2)周期T 是指完成一次完整的振动所用时间。ω π 2=T ,式中ω是简谐振 动的圆频率,它是由谐振动系统的构造来决定的,即m k =ω,ω也称为固有圆频率。对应的T 称为固有周期。v T 1 = ,式中v 称为频率(即固有频率),它与圆频率的关系2v ωπ=,是由系统本身决定的。

第5章习题习题参考答案

第五章习题参考答案 5.1 题5.1的图所示的是三相四线制电路,电源线电压l U =380V 。三个电阻性负载接成星形,其电阻为1R =11Ω,2R =3R =22Ω。 (1)试求负载相电压、相电流及中性线电流,并作出它们的相量图;(2)如无中性线,求负载相电压及中性点电压;(3)如无中性线,当L1相短路时求各相电压和电流,并作出它们的相量图;(4)如无中性线,当L3相断路时求另外两相的电压和电流;(5)在(3),(4)中如有中性线,则又如何? 1 L 2 L 3 L N 题5.1的图 解: ○1各相负载两端电压都等于电源相电压,其值为:V V U U l P 2203 380 3===。各负载相电流分别为: ()()A I I I I I I A R U I A R U I A R U I N P P P 1030cos 30cos 30sin 30sin 10,10,202 2321323 32211=?-?++?-?-= ====== 相量图如图(b )所示。 ○ 2因为三相电源对称,而三相负载不对称时,由于无中性线,将使电源和负载中点之间的电位差不为零,而产生中性点位移。 设 V U U ?∠=01 1& ()()() V V U U U V V U U U V V U U U V V R R R R U R U R U U N N N N N N N N ?∠=?∠-?∠=-=?-∠=?∠-?-∠=-=?∠=?∠-?∠=-=?∠=++? ∠+?-∠+?∠=++++=1312520551202201312520551202200165055022005522 1 2211112212022022120220110220111''''3'32'21 '1 3213322 11&&&&&&&&&&&&&

材料科学基础试题库

一、单项选择题(请在每小题的4个备选答案中,选出一个最佳答案, 共10小题;每小题2分,共20分) 1、材料按照使用性能,可分为结构材料和 。 A. 高分子材料; B. 功能材料; C. 金属材料; D. 复合材料。 2、在下列结合键中,不属于一次键的是: A. 离子键; B. 金属键; C. 氢键; D. 共价键。 3、材料的许多性能均与结合键有关,如大多数金属均具有较高的密度是由于: A. 金属元素具有较高的相对原子质量; B. 金属键具有方向性; C. 金属键没有方向性; D.A 和C 。 3、下述晶面指数中,不属于同一晶面族的是: A. (110); B. (101); C. (011- );D. (100)。 4、 面心立方晶体中,一个晶胞中的原子数目为: A. 2; B. 4; C. 6; D. 14。 5、 体心立方结构晶体的配位数是: A. 8; B.12; C. 4; D. 16。 6、面心立方结构晶体的原子密排面是: A. {111}; B. {110}; C. (100); D. [111]。 7、立方晶体中(110)和(211)面同属于 晶带 A. [110]; B. [100]; C. [211]; D. [--111]。 6、体心立方结构中原子的最密排晶向族是: A. <100>; B. [111]; C. <111>; D. (111)。 6、如果某一晶体中若干晶面属于某一晶带,则: A. 这些晶面必定是同族晶面; B. 这些晶面必定相互平行; C. 这些晶面上原子排列相同; D. 这些晶面之间的交线相互平行。 7、金属的典型晶体结构有面心立方、体心立方和密排六方三种,它们的晶胞中原子数分别为:A. 4, 2, 6; B. 6, 2, 4; C. 4, 4, 6; D. 2, 4, 6 7、在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为: A. 肖脱基缺陷; B. 弗兰克缺陷; C. 线缺陷; D. 面缺陷 7、两平行螺旋位错,当柏氏矢量同向时,其相互作用力:

河北科技大学大学物理答案11章分解

习 题 11-1 面积很大的导体平板A 与均匀带电平面B 平行放置,如习题11-1图所示。已知A 与B 相距d ,两者相对的部分的面积为S 。(1)设B 面带电量为q ,A 板的面电荷密度为1s 及2s ,求A 板与B 面之电势差。(2)若A 板带电量为Q ,求1s 及2s 。 (1)d S q U 0 212/εσσ-+= ; (2)S q Q 21+=σ,S q Q 22-=σ 习题11-1图 习题11-2图 习题11-3图 11-2 如习题11-2图所示,有三块互相平行的导体板,外面的两块用导线连接,原来不带电。中间一块上所带总面电荷密度为521310.C m --醋。求每块板的两个表面的面电荷密度各 是多少? (忽略边缘效应。) 解:从上到下6个面一次为面1、2、3、4、5、6. 2 61σ σσ= =,8323σσσ= -=,8 554σ σσ=-= 11-3 如习题11-3图所示,半径为1R 的导体球带有电荷q ,球外有一个内、外半径为2R 、3R 的同心导体球壳,壳上带有电荷Q 。求:(1)两球的电势1j 及2j ;(2)两球的电势差j D ;(3)用导线把球和壳连接在一起后,1j ,2j 及j D 分别为多少? (4)在情形(1)、(2)中,若外球接地,1j ,2j 和j D 为多少?(5)设外球离地面很远,若内球接地,情况如何? 解:(1)3 024R Q q πε?+= ,2010301444R q R q R Q q πεπεπε?- ++=; (2)两球的电势差2 01 044R q R q U πεπε- = ; (3) 3 0214R Q q πε??+= =,0=U ;

材料科学基础_名词解释

金属键: 金属键(metallic bond)是化学键的一种,主要在金属中存在。由自由电子及排列成晶格状的金属离子之间的静电吸引力组合而成. 晶体: 是由许多质点(包括原子、离子或分子)在三维空间作有规则的周期性重复排列而构成的固体 同素异晶转变(并举例): 金属在固态下随温度的变化,由一种晶格变为另一种晶格的现象,称为金属的同素异晶转变。液态纯铁冷却到1538℃时,结晶成具有体心立方晶格的δ-Fe;继续冷到1394℃时发生同素异晶的转变,转变为面心立方晶格γ-Fe;再继续冷却到912℃时,γ-Fe又转变为体心立方晶格的α-Fe。 晶胞: 在空间点阵中,能代表空间点阵结构特点的小平行六面体,反映晶格特征的最小几何单元。 点阵常数: 晶胞三条棱边的边长a、b、c及晶轴之间的夹角α、β、γ称为晶胞参数 晶面指数: 晶体中原子所构成的平面。 晶面族: 晶体中具有等同条件(这些晶面的原子排列情况和面间距完全相同),而只是空间位向不同的各组晶面称为晶面族 晶向指数: 晶体中的某些方向,涉及到晶体中原子的位置,原子列方向,表示的是一组相互平行、方向一致的直线的指向。

晶向族(举例); 晶体结构中那些原子密度相同的等同晶向称为晶向族。<111>:[111],[-1-11][11-1][-1-1-1][1-1-1][-111][-11-1][1-11] 晶带和晶带轴: 所有相交于某一晶向直线或平行于此直线的晶面构成一个晶带,此直线称为晶带轴。 配位数: 在晶体中,与某一原子最邻近且等距离的原子数称为配位数 致密度: 晶胞内原子球所占体积与晶胞体积之比值 晶面间距: 两近邻平行晶面间的垂直距离 对称:通过某种几何操作后物体空间性质完全还原为原始状态 空间点阵:将构成物质结构的粒子抽象为质点后,质点在三维空间的排列情况 布拉菲点阵:考虑点阵上的阵点的具体排列而得到的点阵具体排列形式,而不是强调是布拉菲数学计算得到的十四种排列 固溶体:溶质原子在固态的溶剂中的晶格或间隙位置存在,晶体结构保持溶剂的物质 中间相:两种或以上元素原子形成与其组元的晶体结构均不相同的化合物 准晶:有独特结构和对称性的物质,原子排列在晶体的有序

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