cmos工艺名词解释
超大规模集成电路设计 集成电路制作工艺：CMOS工艺
通过改进制程技术和优化工艺参数，降低芯片静 态功耗，提高能效比。
新型CMOS工艺的研究与开发
新型材料的应用
异构集成技术
研究新型半导体材料，如碳纳米管、 二维材料等，以实现更高的性能和更 低的功耗。
研究将不同类型的器件集成在同一芯 片上的技术，以提高芯片的功能多样 性和集成度。
新型制程技术
探索新型制程技术，如自对准技术、 无源元件集成技术等，以提高芯片集 成度和降低制造成本。
高可靠性
CMOS电路的开关速度较 慢，减少了电路中的瞬态 电流和电压尖峰，提高了 电路的可靠性。
集成度高
CMOS工艺可以实现高密 度的集成电路，使得芯片 上可以集成更多的器件和 功能。
稳定性好
CMOS工艺的输出电压与 输入电压的关系较为稳定， 具有较好的线性度。
CMOS工艺的应用领域
计算机处理器
CMOS工艺广泛应用于计 算机处理器的制造，如中 央处理器（CPU）和图形 处理器（GPU）。
可靠性挑战
随着集成电路集成度的提高，CMOS工艺面临着 可靠性方面的挑战，如热稳定性、电气性能、可 靠性等。
解决方案
采用先进的材料和制程技术，如高k介质材料、金 属栅极材料、应力引入技术等，以提高集成电路 的可靠性和稳定性。
环境问题与解决方案
环境问题
CMOS工艺中使用的化学物质和制程过程中产生的废弃物对环境造成了影响。
同性的刻蚀。
反应离子刻蚀（RIE）
02
结合等离子体和化学反应，实现各向异性刻蚀，特别适合于微
细线条的加工。
深反应离子刻蚀（DRIE）
03
一种更先进的刻蚀技术，能够实现深孔和槽的加工，广泛应用
于三维集成电路制造。
CMOS工艺器件结构
CMOS工艺器件结构CMOS（互补金属氧化物半导体）是一种集成电路制造工艺，结合了N型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOS）和P型金属氧化物半导体场效应晶体管（PMOS）。
CMOS技术在集成电路领域广泛应用，具有低功耗、高噪声抑制、低开关功耗等优点。
CMOS器件结构由NMOS和PMOS结合而成，形成了一个互补结构，实现了一种特殊的电压控制开关。
具体而言，CMOS由一个P型衬底组成，上面分别形成了NMOS和PMOS的结构。
NMOS晶体管是一种N型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由一个N型沟道和控制杂质（如P型多晶硅）构成。
N型沟道充当电子载流子输送通道，其两侧分别有源（Source）和漏（Drain）接电极，控制杂质则用来控制电子的流动。
PMOS晶体管是一种P型MOSFET，由一个P型沟道和控制杂质（如N型多晶硅）构成。
P型沟道充当空穴载流子输送通道，其两侧同样有源和漏，控制杂质用来控制空穴的流动。
NMOS和PMOS之间通过一种特殊的结构连接在一起，形成了交叉结构。
这个结构由互补极性的两个晶体管共同组成，使得CMOS可以实现低功耗和高噪声抑制的特性。
CMOS的电路工作原理是基于两个晶体管的互补特性。
当输入电压为低电平时，NMOS晶体管导通，PMOS晶体管截止，形成低电平输出。
当输入电压为高电平时，NMOS晶体管截止，PMOS晶体管导通，形成高电平输出。
这样，在输入电压不同时可以实现不同的输出状态。
由于CMOS的特殊结构，CMOS电路具有很低的功耗。
在CMOS电路中，当NMOS和PMOS同时导通时，电压才会下降到最低电平，消耗最小电流。
另外，CMOS器件的静态功耗几乎为零，只有在切换状态时才会有功耗。
CMOS器件结构不仅适合数字电路应用，还可以应用于模拟电路。
通过增加外部电阻和电容，可以实现模拟电路的功能，如放大、滤波等。
总结起来，CMOS工艺器件结构是由互补的NMOS和PMOS组成的，具有低功耗、高噪声抑制的特性。
cmos技术工艺和mems技术工艺
cmos技术工艺和mems技术工艺CMOS技术工艺与MEMS技术工艺CMOS技术工艺和MEMS技术工艺都是在微电子学领域中应用广泛的技术工艺。
虽然两者在技术领域和应用范围上存在差异，但它们都具有非常重要的作用。
CMOS技术工艺是一种半导体工艺，用于制造集成电路（IC）。
CMOS代表互补型金属氧化物半导体。
CMOS工艺使用n型和p 型晶体管，将它们结合在一起，形成逻辑门电路，从而实现计算机中的数字逻辑运算。
CMOS工艺的优点在于低功耗、高稳定性、高可靠性、低成本等。
MEMS技术工艺是一种微机械系统工艺，用于制造微型机械设备。
MEMS是微机电系统的缩写，是一种将机械、电子、光学和生物学等多学科技术融合在一起的交叉学科领域。
MEMS技术工艺使用微型加工技术，将微机械设备制造成微米甚至纳米级别的小型化设备。
MEMS技术工艺的优点在于微型化、高精度、高可靠性、多功能等。
虽然CMOS技术工艺和MEMS技术工艺在技术领域和应用范围上存在差异，但在实际应用中，两者经常会结合起来使用。
例如，在手机上，CMOS技术工艺用于制造摄像头，而MEMS技术工艺则用于制造加速度计和陀螺仪等传感器。
在CMOS和MEMS结合的应用中，CMOS工艺用于制造芯片，而MEMS技术工艺用于制造微型机械设备。
CMOS技术工艺通过制造芯片，实现微型芯片与微型机械设备的结合。
例如，CMOS技术工艺制造的芯片可以与MEMS技术工艺制造的微型机械设备结合，形成一种新型的传感器。
CMOS技术工艺和MEMS技术工艺在微电子学领域中的应用各具特色。
CMOS技术工艺的应用主要集中在计算机和通信领域，而MEMS技术工艺的应用则更广泛，包括医疗、汽车、机器人、航天、环境监测等多个领域。
随着科技的不断发展，CMOS技术工艺和MEMS技术工艺的应用将会越来越广泛，带来更多的科技创新和发展。
CMOS技术工艺和MEMS技术工艺在微电子学领域中各具特色，在实际应用中可以相互结合，形成更多的创新和发展。
cmos 工艺技术
cmos 工艺技术CMOS工艺技术是一种最常用的集成电路制造技术，也是一种用于制造高集成度、低功耗的现代集成电路的关键技术。
首先，CMOS工艺技术的基本原理是利用n型和p型金属-氧化物-半导体场效应晶体管（NMOS和PMOS）的互补性，通过控制栅极电压来使得晶体管导通或截止。
CMOS技术通过布置其中的晶体管来构成逻辑门电路、存储单元等基本电路模块，进而实现复杂的数字和模拟电路功能。
CMOS工艺技术相对于其它工艺技术的优势在于其低功耗特性。
由于CMOS电路中只有晶体管导通时才有电流流过，且晶体管无功耗地消耗电能，因此在不同的积体电路设计中，CMOS技术相对于其它技术可以极大地降低功耗。
这使得CMOS技术在电池供电的可穿戴设备、便携式设备等低功耗应用领域有着广泛的应用前景。
其次，CMOS工艺技术还具有良好的抗电磁干扰和抗辐射能力。
CMOS电路的输入输出信号是使用电压来表示的，而不是电流。
这种电压信号在传输过程中不容易受到电磁干扰的影响，因此CMOS电路更加稳定可靠。
同时，CMOS工艺技术还能够在不同的环境中工作，包括高温、低温、高辐射等极端条件下，仍能正常工作。
再次，CMOS工艺技术具有集成度高的优点。
CMOS技术可以实现上万个晶体管的集成，从而显著地提高集成电路的复杂度和功能。
在CMOS工艺下，尺寸微小的晶体管可以布置在非常小的芯片上，从而大幅度提高了集成度。
更高的集成度意味着更高的性能、更小的体积和更低的成本，因此CMOS工艺技术在计算机、通信、消费电子等领域得到了广泛的应用。
最后，CMOS工艺技术还具有易于制造和低成本的特点。
CMOS技术不需要使用复杂的工艺设备和昂贵的材料，制造过程相对比较简单，效率高，因此成本较低。
此外，CMOS工艺技术成熟稳定，产品质量可靠，生产规模效应明显，所以CMOS芯片的成本也在不断下降。
总之，CMOS工艺技术是一种在集成电路制造中广泛应用的技术。
其优势包括低功耗、抗电磁干扰和抗辐射能力强、集成度高、易于制造和低成本等。
cmos工艺和锗化硅
cmos工艺和锗化硅CMOS工艺和锗化硅是现代集成电路制造领域中的两个重要概念。
CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺是一种用于制造集成电路的技术，而锗化硅是一种半导体材料，可以在CMOS工艺中使用。
下面将详细介绍这两个概念及其应用。
首先，CMOS工艺是一种用于制造集成电路的技术。
它的主要特点是能够同时使用N型和P型的MOS（金属氧化物半导体）晶体管，从而实现更低功耗和更高的工作频率。
CMOS工艺的核心是通过在晶体管的栅极上加上不同的电压以控制导通和截止状态，从而实现电路的功能。
CMOS工艺具有很高的集成度和可靠性，并广泛应用于各种领域，如计算机、通讯、消费电子等。
锗化硅是一种半导体材料，它可以在CMOS工艺中使用。
传统的CMOS工艺使用的是硅材料，但随着技术的发展，锗化硅逐渐成为一种重要的替代材料。
与硅相比，锗化硅具有更高的载流子迁移率和更低的电阻，从而可以提高电路的性能。
此外，锗化硅还具有较低的禁带宽度和较高的折射率，可以用于制造光电器件和传感器。
CMOS工艺中使用锗化硅的主要优势在于它可以提高电路的速度和功耗效率。
由于锗化硅具有更高的载流子迁移率，电路可以更快地响应输入信号，从而提高工作频率。
此外，由于锗化硅具有较低的电阻，电路的功耗也会降低。
因此，使用锗化硅可以在不改变现有CMOS工艺的基础上提升电路性能。
除了提高性能外，锗化硅还可以扩展CMOS工艺的应用范围。
由于锗化硅具有较高的折射率，可以用于制造光电器件，如光电二极管和光导纤维。
此外，锗化硅还可以用于制造传感器，如压力传感器和温度传感器，由于其较低的禁带宽度和较高的灵敏度，锗化硅传感器对于一些特殊环境下的测量具有很高的准确性和稳定性。
总结起来，CMOS工艺和锗化硅是现代集成电路制造领域中的两个重要概念。
CMOS工艺是一种用于制造集成电路的技术，具有很高的集成度和可靠性。
锗化硅是一种半导体材料，可以在CMOS工艺中使用，能够提高电路的性能和扩展应用范围。
cmos工艺技术
cmos工艺技术
CMOS（互补金属氧化物半导体）是一种集成电路制造技术，被广泛应用于制造微处理器、内存、数字电路和逻辑电路等电子设备。
CMOS 工艺技术的基本原理是利用N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOS和PMOS）的互补性，通过控制栅极电压来使得晶体管导通或截止。
CMOS工艺技术有许多优点，包括低功耗、高集成度、低成本等。
它的工作电压较低，可以有效地减少功耗，使得电池寿命更长。
同时，CMOS电路的速度较快，适合用于高速数字信号处理。
此外，CMOS工艺技术还可以实现高集成度，使得多个电路和器件可以在同一芯片上制造出来，提高了电路的可靠性和稳定性。
在CMOS工艺技术的实际应用中，需要经过多个步骤，包括光刻、刻蚀、掺杂、氧化等。
其中，光刻是关键的一步，需要精确地控制光刻胶的厚度、曝光时间和角度等参数，以保证电路图形的准确性和精度。
在制造过程中，还需要使用特殊的设备和材料，如光刻胶、掺杂剂、氧化剂等。
总之，CMOS工艺技术是一种重要的集成电路制造技术，被广泛应用于制造各种电子设备。
它的出现不仅推动了电子工业的发展，也改变了人们的生活方式。
90nm的cmos工艺
90nm的cmos工艺
90nm的CMOS工艺是一种制造集成电路的技术，也是制造芯片的一种工艺标准。
CMOS是衡量集成电路制造工艺的一种尺度单位，代表了CMOS晶体管的最小尺寸。
90nm的CMOS工艺意味着使用的晶体管尺寸为90纳米，也就是晶体管的栅长和宽度都是90纳米。
90nm的CMOS工艺具有以下特点：
1. 集成度高：相比较前代工艺，90nm工艺可以在同样面积上集成更多的晶体管，提高芯片的密度和功能性能。
2. 低功耗：由于晶体管的尺寸减小，电流的控制能力有所增强，从而降低功耗，提高芯片的能效。
3. 更高的频率：尺寸减小也使得晶体管的开关速度更快，从而使芯片能够达到更高的工作频率。
4. 成本相对较高：与较老的工艺相比，90nm的CMOS工艺需要更加精细的制造工艺和更高的设备投资，导致成本相对较高。
90nm的CMOS工艺适用于制造较为复杂和功能丰富的集成电路，如处理器、图形芯片、通信芯片等。
随着技术的不断进步，90nm的CMOS工艺逐渐被更先进的工艺所取代，例如65nm、45nm、32nm等。
CMOS集成电路制造工艺
CMOS集成电路制造工艺CMOS集成电路制造工艺是一种重要的技术，它在现代电子技术中扮演着重要角色。
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）是一种半导体技术，它使用金属、氧化物和半导体材料制造。
CMOS技术广泛应用于各种集成电路中，如微处理器、存储器和逻辑芯片等。
CMOS集成电路制造工艺主要包括以下几个步骤。
首先是芯片设计，设计师根据电路的功能需求绘制出电路图，并利用计算机辅助设计软件进行仿真和优化。
然后，设计师将电路图转化成物理版图，包括电池、晶体管、电容等元件的布局和连线。
在设计版图的过程中，要考虑电路的性能、功耗、功率和布线等因素。
接下来是掩膜制作，设计师将版图转化成透明光掩膜，用于制作半导体芯片。
光掩膜是一种含有图案的玻璃或石英板，通过它将图案传输到硅片上。
使用光刻技术，将掩膜放置在硅片上，并照射紫外线，使得只有被掩膜覆盖的区域透光。
随后是沉积工艺，沉积工艺主要包括金属、多晶硅和氧化物的沉积。
这些材料是制造CMOS电路所必需的。
沉积工艺可以通过物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）等技术实现。
通过沉积工艺，可以形成金属导线、晶体管栅极、栅介质和电容等元件。
然后是刻蚀工艺，刻蚀是将多余的材料从芯片上去除的过程。
刻蚀可以通过湿法刻蚀和干法刻蚀等方式实现。
利用光刻技术，通过掩膜的遮蔽作用，只有需要刻蚀的区域暴露在刻蚀液中。
最后是封装工艺，封装是将芯片保护起来，并连接到外部电路的过程。
在封装过程中，芯片被放置在塑料或金属封装中，并与引脚连接。
封装还可以通过硅酯树脂封装或无引线封装等方式实现。
封装后的芯片将具有更好的机械强度和更高的可靠性。
CMOS集成电路制造工艺的发展，不仅推动了电子技术的进步，也促进了信息技术的革新。
CMOS技术具有功耗低、速度快和集成度高的特点，使得现代电子产品越来越小巧、高效和功能多样化。
随着工艺的不断改进，CMOS集成电路的性能将进一步提升，为人们的生活带来更多便利和创新。
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CMOS工艺名词解 saliside——当金属和硅化物接触时会产生一层融合物，叫难融金属硅化物，此及saliside。 siliside——一种工艺，在源漏区淀积（或是叫覆盖？）硅化物，这样一种 工艺就叫siliside。 poliside——也为一种工艺，乃在栅极poly上淀积硅化物。
A.M.U 原子质量数 ADI After develop inspection显影后检视 AEI 蚀科后检查 Alignment 排成一直线，对平 Alloy 融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值 ARC： anti-reflect coating 防反射层 ASHER: 一种干法刻蚀方式 ASI 光阻去除后检查 Backside 晶片背面 Backside Etch 背面蚀刻 Beam-Current 电子束电流 BPSG: 含有硼磷的硅玻璃 Break 中断，stepper机台内中途停止键 Cassette 装晶片的晶舟 CD：critical dimension 关键性尺寸 Chamber 反应室 Chart 图表 Child lot 子批 Chip (die) 晶粒 CMP 化学机械研磨 Coater 光阻覆盖（机台） Coating 涂布，光阻覆盖 Contact Hole 接触窗 Control Wafer 控片 Critical layer 重要层 CVD 化学气相淀积 Cycle time 生产周期 Defect 缺陷 DEP: deposit 淀积 Descum 预处理 Developer 显影液；显影（机台） Development 显影 DG: dual gate 双门 DI water 去离子水 Diffusion 扩散 Doping 掺杂 Dose 剂量 Downgrade 降级 DRC: design rule check 设计规则检查 Dry Clean 干洗 Due date 交期 Dummy wafer 挡片 E/R: etch rate 蚀刻速率 EE 设备工程师 End Point 蚀刻终点 ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤 ET: etch 蚀刻 Exhaust 排气（将管路中的空气排除） Exposure 曝光 FAB 工厂 FIB: focused ion beam 聚焦离子束 Field Oxide 场氧化层 Flatness 平坦度 Focus 焦距 Foundry 代工 FSG: 含有氟的硅玻璃 Furnace 炉管 GOI: gate oxide integrity 门氧化层完整性 H.M.D.S Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称H.M.D.S HCI: hot carrier injection 热载流子注入 HDP：high density plasma 高密度等离子体 High-Voltage 高压 Hot bake 烘烤 ID 辨认，鉴定 Implant 植入 Layer 层次 LDD: lightly doped drain 轻掺杂漏 Local defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污 LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化 Loop 巡路 Lot 批 Mask (reticle) 光罩 Merge 合并 Metal Via 金属接触窗 MFG 制造部 Mid-Current 中电流 Module 部门 NIT: Si3N4 氮化硅 Non-critical 非重要 NP: n-doped plus(N+) N型重掺杂 NW: n-doped well N阱 OD: oxide definition 定义氧化层 OM: optic microscope 光学显微镜 OOC 超出控制界线 OOS 超出规格界线 Over Etch 过蚀刻 Over flow 溢出 Overlay 测量前层与本层之间曝光的准确度 OX: SiO2 二氧化硅 P.R. Photo resisit 光阻 P1: poly 多晶硅 PA; passivation 钝化层 Parent lot 母批 Particle 含尘量/微尘粒子 PE: 1. process engineer; 2. plasma enhance 1、工艺工程师 2、等离子体增强 PH: photo 黄光或微影 Pilot 实验的 Plasma 电浆 Pod 装晶舟与晶片的盒子 Polymer 聚合物 POR Process of record PP: p-doped plus(P+) P型重掺杂 PR: photo resist 光阻 PVD 物理气相淀积 PW: p-doped well P阱 Queue time 等待时间 R/C: runcard 运作卡 Recipe 程式 Release 放行 Resistance 电阻 Reticle 光罩 RF 射频 RM: remove. 消除 Rotation 旋转 RTA: rapid thermal anneal 迅速热退火 RTP: rapid thermal process 迅速热处理 SA: salicide 硅化金属 SAB: salicide block 硅化金属阻止区 SAC: sacrifice layer 牺牲层 Scratch 刮伤 Selectivity 选择比 SEM：scanning electron microscope 扫描式电子显微镜 Slot 槽位 Source-Head 离子源 SPC 制程统计管制 Spin 旋转 Spin Dry 旋干 Sputter 溅射 SRO: Si rich oxide 富氧硅 Stocker 仓储 Stress 内应力 STRIP: 一种湿法刻蚀方式 TEOS – (CH3CH2O)4Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作LPCVD /PECVD生长SiO2的原料。又指用TEOS生长得到的SiO2层。 Ti 钛 TiN 氮化钛 TM: top metal 顶层金属层 TOR Tool of record Under Etch 蚀刻不足 USG: undoped 硅玻璃 W (Tungsten) 钨 WEE 周边曝光 Yield 良率
FICD: FInal CD DICD: Development Inspection CD
集成电路词条 1.集成电路 随着电子技术的发展及各种电器的普及，集成电路的应用越来越广，大到飞入太空的“神州五号”，小到我们身边的电子手表，里面都有我们下面将要说到的集成电路。
我们将各种电子元器件以相互联系的状态集成到半导体材料（主要是硅）或者绝缘体材料薄层片子上，再用一个管壳将其封装起来，构成一个完整的、具有一定功能的电路或系统。这种有一定功能的电路或系统就是集成电路了。就像人体由不同器官组成，各个器官各司其能而又相辅相成，少掉任何一部分都不能完整地工作一样。任何一个集成电路要工作就必须具有接收信号的输入端口、发送信号的输出端口以及对信号进行处理的控制电路。输入、输出（I/O）端口简单的说就是我们经常看到的插口或者插头，而控制电路是看不到的，这是集成电路制造厂在净化间里制造出来的。
如果将集成电路按集成度高低分类，可以分为小规模（SSI）、中规模（MSI）、大规模（LSI）和超大规模（VLSI）。近年来出现的特大规模集成电路（UISI），以小于1um为最小的设计尺寸，这样将在每个片子上有一千万到一亿个元件。
2.系统芯片（SOC） 不知道大家有没有看过美国大片《终结者》，在看电影的时候，有没有想过，机器人为什么能够像人一样分析各种问题，作出各种动作，好像他也有大脑，也有记忆一样。其实他里面就是有个系统芯片（SOC）在工作。当然，那个是科幻片，科技还没有发展到那个水平。但是SOC已成为集成电路设计学领域里的一大热点。在不久的未来，它就可以像“终结者”一样进行工作了。
系统芯片是采用低于0.6um工艺尺寸的电路，包含一个或者多个微处理器（大脑），并且有相当容量的存储器（用来记忆），在一块芯片上实现多种电路，能够自主地工作，这里的多种电路就是对信号进行操作的各种电路，就像我们的手、脚，各有各的功能。这种集成电路可以重复使用原来就已经设计好的功能复杂的电路模块，这就给设计者节省了大量时间。
SOC技术被广泛认同的根本原因，并不在于它拥有什么非常特别的功能，而在于它可以在较短的时间内被设计出来。SOC的主要价值是可以有效地降低电子信息系统产品的开发成本，缩短产品的上市周期，增强产品的市场竞争力。
3.集成电路设计 对于“设计”这个词，大家肯定不会感到陌生。在修建三峡水电站之前，我们首先要根据地理位置、水流缓急等情况把它在电脑上设计出来。制造集成电路同样也要根据所需要电路的功能把它在电脑上设计出来。
集成电路设计简单的说就是设计硬件电路。我们在做任何事情之前都会仔细地思考究竟怎么样才能更好地完成这件事以达到我们预期的目的。我们需要一个安排、一个思路。设计集成电路时，设计者首先根据对电路性能和功能的要求提出设计构思。然后将这样一个构思逐步细化，利用电子设计自动化软件实现具有这些性能和功能的集成电路。假如我们现在需要一个火警电路，当室内的温度高于50℃就报警。设计者将按照我们的要求构思，在计算机上利用软件完成设计版图并模拟测试。如果模拟测试成功，就可以说已经实现了我们所要的电路。
集成电路设计一般可分为层次化设计和结构化设计。层次化设计就是把复杂的系统简化，分为一层一层的，这样有利于发现并纠正错误；结构化设计则是把复杂的系统分为可操作的几个部分，允许一个设计者只设计其中一部分或更多，这样其他设计者就可以利用他已经设计好的部分，达到资源共享。
4.硅片制造 我们知道许多电器中都有一些薄片，这些薄片在电器中发挥着重要的作用，它们都是以硅片为原材料制造出来的。硅片制造为芯片的生产提供了所需的硅片。那么硅片又是怎样制造出来的呢？
硅片是从大块的硅晶体上切割下来的，而这些大块的硅晶体是由普通硅沙拉制提炼而成的。可能我们有这样的经历，块糖在温度高的时候就会熔化，要是粘到手上就会拉出一条细丝，而当细丝拉到离那颗糖较远的地方时就会变硬。其实我们这儿制造硅片，首先就是利用这个原理，将普通的硅熔化，拉制出大块的硅晶体。然后将头部和尾部切掉，再用机械对其进行修整至合适直径。这时看到的就是有合适直径和一定长度的“硅棒”。再把“硅棒”切成一片