【2019年整理】半导体基本器件
2.1 半导体二极管
2.1.1 半导体基本知识 4. PN结的单向导电性 ③ PN结伏安特性 c. 外加反向电压时， PN结处于截止状态，反向电流 IR 很小。 d. 反向电压大于“击穿电压U（BR）”时，反向电流 IR 急剧增加。
2.1 半导体二极管
2.1 半导体二极管
2.1.1 半导体基本知识 3. PN结的形成
半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。 载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。半导 体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载 流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种 运动称为扩散运动。
将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂 成N型半导体，在两种半导体的交界面处将形成一个 特殊的薄层： PN结
(1)N型半导体
在硅晶体中掺入五价元素磷, 多出的一 个电子不受共价键的束缚,室温下很容 易成为自由电子。
磷原子失去一个电子成为正离子（在 晶体中不能移动）。 每个磷原子都提供一个自由电子，自 由电子数目大大增加，远远超过空穴 数。这种半导体主要依靠电子导电， 称为电子型或N型半导体。
2.1 半导体二极管
2.1.1 半导体基本知识 2. N型和P型半导体 (1)N型半导体 自由电子：多数载流子（简称多子） 空 穴：少数载流子（简称少子）
2.1 半导体二极管
2.1.1 半导体基本知识
2. N型和P型半导体
(2)P型半导体
在硅晶体中掺入三价元素硼,硼原子与 相邻硅原子组成共价键时由于缺少一个 价电子而产生一个空位，这个空位很容 易被邻近共价键中的价电子填补。
外加电场与内电场方向相同，内电场增强，多子扩散 难以进行，少子在电场作用下形成反向电流 IR，因为 是少子漂移运动产生的， IR很小，这时称PN结处于 “截止”状态。
2.1 半导体二极管
2.1.1 半导体基本知识 4. PN结的单向导电性 ③ PN结伏安特性 a. 外加正向电压较小时，外电场不足以克服内电场 对多子扩散的阻力，PN结仍处于截止状态 b. 正向电压大于“导通电压UON”后，i 随着 u 增大迅 速上升。
2.1 半导体二极管
2.1.1 半导体基本知识 1.半导体的载流子──电子和空穴 结论： 本征半导体中有两种载流子
①带负电荷的自由电子 ②带正电荷的空穴
热激发产生的自由电子和空穴是成对出现的， 电子和空穴又可能重新结合而成对消失，称为 “复合”。
2.1 半导体二极管
2.1.1 半导体基本知识
2. N型和P型半导体
2.1 半导体二极管
2.1.1 半导体基本知识 3. PN结的形成 ① 多子扩散运动形成空间电荷区
由于浓度差，电子和空穴扩散的结果，在交界面处出现 由数量相等的正负离子组成的空间电荷区（PN结）， 并产生由N区指向P区的内电场EIN。 ② 内电场EIN阻止多子扩散，促使少子漂移。 ③扩散与漂移达到动态平衡形成一定宽度的PN结。
2.2 半导体三极管
NPN型和PNP型三极管的结构示意图及电路符号
2.2 半导体三极管
NPN型和PNP型三极管的结构示意图及电路符号
C 集电极
C
C 集电极
N
B
P
B
集电结
P
EB 基极
集电结
N
发射结
C
发射结
N
P
B
E 发射极
2.1 半导体二极管
2.1.1 半导体基本知识 4. PN结的单向导电性 ①外加正向电压（正向偏置）
外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩散运动 大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空 穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN 结处于“导通”状态。
2.1 半导体二极管
2.1.1 半导体基本知识 4. PN结的单向导电性 ②外加反向电压（反向偏置）
2.1 半导体二极管
2.1.1 半导体基本知识 1.半导体子和空穴
半导体：导电性能介于导体和绝缘 体之间的物质，如硅(Si),锗(Ge)。
硅和锗的原子结构简化模型
硅和锗都是四价元素,原子的最外 层轨道上有四个价电子。
2.1 半导体二极管
2.1.1 半导体基本知识 1.半导体的载流子──电子和空穴 本征半导体（纯净的半导体晶体） 热激发产生自由电子和空穴
IN4007
2.1.2 二极管符号及主要参数 二极管主要参数：
1.最大正向电流 IF 2.反向击穿电压U（BR）
IN4148
A阳极
K阴极
2.1 半导体二极管
2.1.3 二极管应用举例
二极管的伏安特性是一个非线性的曲线，在电路计 算中，导通时管压降近似估算为： UD≈0.7V（硅） UD≈0.3V（锗） p42 或视为一个理想开关，即导通时视为“短路”，截 止时视为“开路”。 p44
第二章半导体基本器件
第二章半导体基本器件
2.1 半导体二极管 PN结的单向导电原理，二极管的伏安特性
2.2 半导体三极管 ⑴三极管输出特性中的截止区、放大区和饱和 区等概念。 ⑵三极管共发射极电流放大系数的概念 ⑶三极管开关电路工作状态的分析方法
2.3 MOS场效应管
⑴ MOS场效应管的分类及符号 ⑵ 增强型NMOS管的特性曲线
室温下，由于热运动少数价电子挣脱 共价键的束缚成为自由电子，同时在 共价键中留下一个空位这个空位称为 “空穴”。失去价电子的原子成为正 离子，就好象空穴带正电荷一样。
2.1 半导体二极管
2.1.1 半导体基本知识 1.半导体的载流子──电子和空穴 空穴运动（与自由电子运动不同）
有了空穴，邻近共价键中的价电子 很容易过来填补这个空穴，这样空 穴便转移到邻近共价键中。新的空 穴又会被邻近的价电子填补。带负 电荷的价电子依次填补空穴的运动， 从效果上看，相当于带正电荷的空 穴作相反方向的运动。
硼原子得到一个电子成为负离子（在晶 体中不能移动），失去价电子的共价键 中出现一个空穴，每个硼原子都产生一 个空穴，空穴数目大大增加，远远超过 自由电子数。这种半导体主要依靠空穴 导电，称为空穴型或P型半导体。
2.1 半导体二极管
2.1.1 半导体基本知识 2. N型和P型半导体 (2)P型半导体的特点 空 穴：多数载流子（简称多子） 自由电子：少数载流子（简称少子）
半导体元器件基础知识
PN结
在同一块半导体基片的两边分别形成N型和P型 半导体，它们的交界面附近会形成一个很薄的空间
电荷区，称其为PN结。
PN结的形成过程如图所示。
P区
N区
耗尽层空 P 间电荷区 N
扩散运动方向
自建场
(a)
(b)
（a）多子扩散示意图；（b）PN结的形成
PN结的单向导电性
PN结正向偏置——导通 给PN结加上电压，使电压的正极接P区，负极接N区
（1）共发射极接法（简称共射接法）。共射接法是以基极为输 入端的一端，集电极为输出端的一端，发射极为公共端，如下图（a） 所示。
（2）共基极接法（简称共基接法）。共基接法是以发射极为输 入端的一端，集电极为输出端的一端，基极为公共端，如下图（b） 所示。 （3）共集电极接法（简称共集接法）。共集接法是以基极为输入端 的一端，发射极为输出端的一端，集电极为公共端，如下图（c）所 示。
＋4
＋4
＋4
由于热激发而产 生的自由电子
＋4
＋4
＋4
自由电子移走
后留下的空穴
＋4
＋4
＋4
P型半导体的共价键结构
在P型半导体中，原来的晶体仍会产生电 子—空穴对，由于杂质的掺入，使得空穴数目 远大于自由电子数目，成为多数载流子(简称 多子)，而自由电子则为少数载流子(简称少 子)。因而P型半导体以空穴导电为主。
阳极 引线
N型锗片
阴极 引线
金属触丝 (a)
外壳
铝合金小球
阳极引线PN结N型硅 Nhomakorabea金锑合金
底座
(b) 阴极引线
半导体二极管的结构及符号 （a）点接触型结构;（b）面接触型结构;
阳极 阴极 引线 引线
半导体及其常用器件资料
章目录
电工电子技术
1. 半导体中少子的浓度虽然很低 ，但少子对温度 非常敏感，因此温度对半导体器件的性能影响很 大。而多子因浓度基本上等于杂质原子的掺杂浓
是这种半导体的导 电主流。
＋4
＋4
＋4
在室温情况下，本征硅中的磷杂质等于10-6数量级时，电 子载流子的数目将增加几十万倍。掺入五价元素的杂质半导
体由于自由电子多而称为电子型半导体，也叫做N型半导体。
章目录
电工电子技术
＋4
＋－ 4
＋4
掺入硼杂质的硅半
+
B
导体晶格中，空穴 载流子的数量大大
＋4
＋4
＋4
章目录
电工电子技术
＋4
＋4
＋4
自由电子载流子运动可以形
容为没有座位人的移动；空穴
载流子运动则可形容为有座位
＋4
＋4
＋4 的人依次向前挪动座位的运动。
半导体内部的这两种运动总是
共存的，且在一定温度下达到
动态平衡。
＋4
＋4
＋4
半导体的导电机理
半导体的导电机理与金属导体导电机理有本质上的区别： 金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电；而半导体中 则是本征激发下的自由电子和复合运动形成的空穴两种载流 子同时参与导电。两种载流子电量相等、符号相反，即自由 电子载流子和空穴载流子的运动方向相反。
学习与归纳 度，所以说多子的数量基本上不受温度的影响。
2. 半导体受温度和光照影响，产生本征激发现象而出现电子、空 穴对；同时，其它价电子又不断地 “转移跳进”本征激发出现 的空穴中，产生价电子与空穴的复合。在一定温度下，电子、空 穴对的激发和复合最终达到动态平衡状态。平衡状态下，半导体 中的载流子浓度一定，即反向电流的数值基本不发生变化。
半导体基本知识总结
半导体基本知识总结半导体是一种介于导体（如金属）和绝缘体（如橡胶）之间的材料。
它的电导率介于导体和绝缘体之间，可以在特定条件下导电或导热。
半导体材料通常由硅（Si）或锗（Ge）等元素组成。
半导体具有以下几个重要特性：1. 带隙: 半导体具有能带隙，在原子之间存在禁止带，使得半导体在低温状态下几乎没有自由电子或空穴存在。
当半导体受到外部能量或掺杂杂质的影响时，带隙可以被克服，进而产生导电或导热行为。
2. 导电性: 半导体的电导性取决于其材料内部的掺杂情况。
掺杂是指将杂质元素（如硼或磷）引入半导体材料中，以改变其电子特性。
N型半导体中的杂质元素会提供额外的自由电子，增加导电性；P型半导体中的杂质元素会提供额外的空穴，也可以增加导电性。
3. PN结: PN结是由P型半导体和N型半导体通过特定方式连接而成的结构。
PN结具有整流特性，只允许电流在特定方向上通过。
当正向偏置（即正端连接正极，负端连接负极）时，电流可以自由通过；而反向偏置时，几乎没有电流通过。
4. 半导体器件: 多种半导体器件被广泛使用，如二极管、晶体管和集成电路。
二极管是一种具有正向和反向导电特性的器件，可用于整流和电压稳定等应用。
晶体管是一种具有放大和开关功能的半导体器件。
集成电路是把多个晶体管、电阻和电容等器件集成在一起，成为一个小型电路单元，用于各种电子设备。
半导体的发现和发展极大地推动了现代电子技术的进步。
它不仅广泛应用于计算机、通信设备和电子产品，还在光电子学、太阳能电池和传感器等领域发挥着重要作用。
随着半导体技术的不断发展，人们对于半导体材料与器件的研究仍在进行，为电子技术的未来发展提供了无限可能性。
半导体器件
+
COM
BUZZ 2.5 25 250 BATT DC mA
+
红表笔
2
1
3 4
红表笔
【练习五】 1、用万用表测量指定二极管的正向和反向电 阻，判断其是硅还是锗材料的，判断正极和负极。
2、使用数字式万用表和指针式万用表的电阻 挡进行判别给定桥式整流器引脚和的好坏。 3、用万用表测量指定稳压二极管，粗略判断 其稳压值。
一、普通二极管
把一块P型和一块N型半导体结合在一起构成 PN结，也就成为半导体二极管的基本结构，分别 引出正极和负极电极就成了一个二极管。
+ + P N P N + -
二极管的符号
+
-
二极管的符号如上图所示；正极也称阳极， 可用字母A表示,负极也称阴极，用字母K表示。
-
+
Hale Waihona Puke 1、普通二极管的类型 二极管主要有硅和锗两种类型，硅二极管的 漏电电流小、反向击穿电压高，但正向压降也高， 约为0.7V。锗二极管的漏电电流相对较大、反向 击穿电压较低，但正向压降小约为0.2V。 二极管结构有点接触型和面接触型的两种， 点接触型二极管的PN结面积很小，只能承受较小 的电流，但能在高频电路中工作，适用于检波、 调制和各种开关电路。面接触型二极管具有电流 大，但结电容较大，适用于低频交流电的整流， 不适用于高频电路。
② 发光二极管的外形和符号 常见的发光二极管的外形有直径2、3、5(mm) 圆形的和2×5(mm)长方型的，发光二极管也具有单 向导电的性质，只有加上正向电压才会发光。 发光二极管符号如下图。通常发光二极管用来 做电路工作的指示，它比小灯泡的效率高得多，而 且寿命也长得多。
半导体器件基础
对于PNP型三极管，其外部电压源极性相反，注入载流子为空穴，
实际电流方向相反，分析方法相同。
1.3 双极型三极管
1.3.3 双极型三极管的特性曲线和工作状态
三极管的特性曲线是指三极管各电极之间电压和电流的关系 曲线。它直观地表达了三极管内部的物理变化规律，描述了三极 管的外特性。下面以共发射极电路为例，讨论双极型三极管的输 入、输出特性曲线，测试电路如图1.3.3所示。。
1.1 PN结
1.1.3 PN结的单向导电性
1
PN结的正向偏置
1.1 PN结
1.1.3 PN结的单向导电性
2
PN结的反向偏置
1.1 PN结
1.1.3 PN结的单向导电性
3
PN结的伏安特性曲线
1.2 半导体二极管
1.2.1 二极管的结构
半导体二极管按其结构可分为点接触型和面接触型两种。点接触型二 极管（一般为锗管）由于其PN结的面积很小，因此结电容小，允许通过的 电流也小，适用于高频电路检波或小电流整流，也可用作数字电路中的开关 元件。面接触型二极管（一般为硅管）由于其PN结的面积大，结电容大， 允许通过的电流较大，适用于低频整流；对于硅平面型二极管，结面积大的 可用于大功率整流，结面积小的适用于脉冲数字电路的开关管。
1.2 半导体二极管
例1.2.2判断图1.2.7所示电路 中哪个二极电路中其阳极电位是相 同的。因此，两二极管中阴极电 位最低的那只导通。 显然VD2导 通，并使AO两端电压钳位于-6 V， 即UAO=-6 V。VD1上加的是-6 V， 所以VD1截止，VD1起隔离作用。
（1）N型半导体。在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的五价 元素磷（P），如图1.1.4所示。
（2）P型半导体。若在本征半导体硅中掺入微量的三价元素硼 （B），如图1.1.5所示。
什么是半导体器件有哪些常见的半导体器件
什么是半导体器件有哪些常见的半导体器件半导体器件是指由半导体材料制成的用于电子、光电子、光学和微波等领域的电子元器件。
它具有半导体材料固有的特性，可以在不同的电压和电流条件下改变其电子特性，从而实现电子器件的各种功能。
常见的半导体器件有以下几种：1. 二极管（Diode）：二极管是最简单的半导体器件之一。
它由一个P型半导体和一个N型半导体组成。
二极管具有单向导电性，可以将电流限制在一个方向。
常见的二极管应用包括整流器、稳压器和光电二极管等。
2. 晶体管（Transistor）：晶体管是一种电子放大器和开关器件，由三层或两层不同类型的半导体材料构成。
晶体管可分为双极型（BJT）和场效应型（FET）两种。
它广泛应用于放大器、开关电路和逻辑电路等领域。
3. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：MOSFET是一种常用的场效应晶体管。
它具有低功耗、高开关速度和可控性强等特点，被广泛应用于数字电路、功率放大器和片上系统等领域。
4. 整流器（Rectifier）：整流器是一种将交流电转换为直流电的器件。
它主要由二极管组成，可以实现电能的转换和电源的稳定。
整流器广泛应用于电源供电、电动机驱动和电子设备等领域。
5. 发光二极管（LED）：发光二极管是一种能够将电能转换为光能的器件。
它具有高亮度、低功耗和长寿命等特点，被广泛应用于照明、显示和通信等领域。
6. 激光二极管（LD）：激光二极管是一种能够产生相干光的器件。
它具有高亮度、窄光谱和调制速度快等特点，广泛应用于激光打印、激光切割和光纤通信等领域。
7. 三极管（Triode）：三极管是晶体管的前身，它由三层不同类型的半导体材料构成。
三极管可以放大电流和电压，被广泛应用于放大器、调制器和振荡器等领域。
8. 可控硅（SCR）：可控硅是一种具有开关特性的器件。
它可以控制电流的导通和截止，广泛应用于交流电控制、功率调节和电能转换等领域。
9. 电压稳压器（Voltage Regulator）：电压稳压器是一种用于稳定输出电压的器件。
半导体器件 基本知识
(1-32)
(3)、主要参数 （1）最大整流电流 IOM
二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正 向平均电流。
（2）反向击穿电压VBR
二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流 剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而 烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VWRM一般 是VBR的一半。
(1-33)
N中的电子（都是多子）向对方运动 （扩散运动）。 3、P中的电子和N中的空穴（都是少子）， 数量有限，因此由它们形成的电流很 小。
(1-26)
2.2 PN结的单向导电性 PN结加上正向电压、正向偏置的意
思是： P区加正、N区加负电压。 PN结加上反向电压、反向偏置的意
思是： P区加负、N区加正电压。
结构特点：
集电区： 面积较大
B 基极
C 集电极
N P N
E 发射极
基区：较薄， 掺杂浓度低
发射区：掺 杂浓度较高
(1-46)
C 集电极
N
B
P基极NFra bibliotekE 发射极
集电结 发射结
(1-47)
4.2 电流放大原理
基区空
穴向发
射区的
扩散可
B
忽略。
进入P区的电子
少 空部穴分复与合R基，B 区形的成 电 扩流散I到BE集E，B电多结数。
（2）电压温度系数U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。
（3）动态电阻
r UZ
Z
I Z
(1-41)
（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、 Izmian。
（5）最大允许功耗
PZM U Z I Z max
(1-42)
3.2 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。
半导体器件的基本知识
1.4.2 光敏二极管
a) 光敏二极管伏安特性曲线
b) 光敏二极管图形符号
图1-17 光敏二极管伏安特性曲线及图形符号
1.4.3 发光二极管
发光二极管简写为LED，其工作原理与光电二极管相反。 由于它采用砷化镓、磷化镓等半导体材料制成，所以在通 过正向电流时，由于电子与空穴的直接复合而发出光来。
a) 发光二极管图形符号
b) 发光二极管工作电路
图1-18 发光二极管的图形符号及其工作电路
1.5 双极型晶体管
• 双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor， BJT），简称晶体管，它是通过一定的工艺 将两个PN结结合在一起的器件。由于PN结 之间相互影响，BJT表现出不同于单个PN 结的特性，具有电流放大作用，使PN结的 应用发生了质的飞跃。
1．输入特性曲线 UCE=0V的输入特性曲线类似二极管正向于特性曲线。UCE≥1V时，集电极 已反向偏置，而基区又很薄，可以把从发射极扩散到基区的电子中的绝大 部分拉入集电区。此后，UCE对IB就不再有明显的影响，其特性曲线会向 右稍微移动，但UCE再增加时，曲线右移很不明显，就是说UCE≥1V后的 输入特性曲线基本是重合的。所以，通常只画出UCE≥1V的一条输入特性 曲线。
PN结的两端外加不同极性的电压时，PN结呈现截然 不同的导电性能。
1．PN结外加正向电压
当外加电压V，正极接P区，负极接N区时，称PN结外加正 向电压或PN结正向偏置(简称正偏)。外加正向电压后，外 电场与内电场的方向相反，扩散与漂移运动的平衡被破坏。 外电场促使N区的自由电子进入空间电荷区抵消一部分正 空间电荷，P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间 电荷，整个空间电荷区变窄，内电场被削弱，多数载流子 的扩散运动增强，形成较大的扩散电流（正向电流）。在 一定范围内，外电场愈强，正向电流愈大，PN结呈现出一 个阻值很小的电阻，称为PN结正向导通。
半导体器件的基本知识
半导体器件的基本知识在现代科技的高速发展中，半导体器件扮演着至关重要的角色。
从我们日常使用的智能手机、电脑，到各种智能家电、汽车电子，乃至医疗设备和航空航天领域，半导体器件无处不在。
那么，什么是半导体器件？它们又是如何工作的呢？让我们一起来揭开半导体器件的神秘面纱。
半导体，顾名思义，其导电性能介于导体和绝缘体之间。
常见的半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）等。
这些材料的原子结构和特性使得它们在特定条件下能够实现对电流的控制和调节。
半导体器件的种类繁多，其中最基本的包括二极管、三极管和场效应管等。
二极管是一种最简单的半导体器件。
它具有单向导电性，也就是说电流只能从一个方向通过。
二极管的结构就像是一个 PN 结，P 型半导体和 N 型半导体结合在一起。
当在二极管上施加正向电压时，电流可以顺利通过；而施加反向电压时，电流几乎无法通过，只有极小的反向漏电流。
二极管在电路中常用于整流、稳压、检波等功能。
比如，在电源适配器中，二极管就被用来将交流电转换为直流电。
三极管则比二极管复杂一些，它有三个电极，分别是基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。
根据结构的不同，三极管分为 NPN 型和PNP 型。
三极管的主要作用是放大电流信号。
当基极输入一个较小的电流变化时，会引起集电极和发射极之间较大的电流变化，从而实现信号的放大。
此外，三极管还可以用作开关，控制电路的通断。
场效应管也是一种重要的半导体器件。
它是利用电场来控制电流的。
场效应管分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管。
绝缘栅型场效应管中的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）在现代集成电路中应用广泛。
它具有输入电阻高、噪声低、功耗小等优点，常用于数字电路和模拟电路中。
半导体器件的制造工艺非常复杂和精细。
首先，需要通过一系列的化学和物理过程，将半导体材料提纯并制备成晶圆。
然后，在晶圆上通过光刻、蚀刻、掺杂等工艺制作出各种半导体器件的结构。
这些工艺要求极高的精度和纯度，以确保半导体器件的性能和可靠性。
半导体器件基础
IC IB
集电极与基极电流的关系为：
IE
IC
IB
共射电流放大倍数
β的值远大于1，通常在20~200范围内，只与管子的结 构有关，与外加电压无关。
放大是最基本的模拟信号处理功能
放大——是指把微小的、微弱的电信号不失 真的进行放大，实现能量的控制和转换。
不失真——就是一个微弱的电信号通过放大器 后，输出电压或电流的幅度得到了放大，但它 随时间变化的规律不能变。
内电场 E
EW
R
综上所述
PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流，PN结导通（相 当开关闭合）；
PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流，PN结截止（相 当开关断开）。
由此可以得出结论：PN结具有单向导电性（开关特性）。
小结 1．半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。半导体具有热敏、光敏、杂敏等特性。 常用的半导体材料是硅和锗，并被制作成晶体。
P型半导体 空间电荷区 N型半导体
－ － －－
++ ++
－ － －－
++ ++
－ － －－ ++ + +
内电场 E
EW
R
加反向电压(反偏)——N区接电源正极， P区接电源负极，则电源产生的外电场与PN结的内电场 方向相同，增强了内电场，PN结变宽，表现为很大的电阻，有较小的反向电流（少数载流子形成 的漂移电流），PN结处于反向截止状态。
2、半导体导电时有两种载流子（自由电子和空穴）参与形成电流。在纯净的半导体中掺入 不同的微量杂质，可以得到N型半导体（电子型）和P型半导体（空穴型）。