小信号分立器件产品设计手册

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ST 产品数据手册说明书

April 2008 Rev 81/16STB9NK60ZDSTF9NK60ZD - STP9NK60ZDN-channel 600 V - 0.85 Ω - 7 A - D 2P AK, TO-220FP , TO-220SuperFREDMesh™ Power MOSFETFeatures■Very high dv/dt capability ■100% avalanche tested ■Gate charge minimized ■Low intrinsic capacitances ■Fast internal recovery diodeApplication■Switching applicationsDescriptionThe SuperFREDMesh™ series associates all advantages of reduced on-resistance, zener gate protection and very high dv/dt capability with a Fast body-drain recovery diode. Such series complements the “FDmesh™” advanced technology.Type V DSS R DS(on) max I D Pw STB9NK60ZD 600 V < 0.95 Ω7 A 125 W STF9NK60ZD 600 V < 0.95 Ω7 A 30 W STP9NK60ZD600 V< 0.95 Ω7 A125 WTable 1.Device summaryOrder codes Marking Package Packaging STB9NK60ZD B9NK60ZD D²P AK Tape and reelSTF9NK60ZD F9NK60ZD TO-220FP Tube STP9NK60ZDP9NK60ZDTO-220TubeContents STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZDContents1Electrical ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42.1Electrical characteristics (curves) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 3Test circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 4Package mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 5Packaging mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 6Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152/16STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD Electrical ratings3/161 Electrical ratingsTable 2.Absolute maximum ratingsSymbol ParameterValueUnitD²PAK/TO-220TO-220FPV DS Drain-source voltage (V GS = 0)600V V GS Gate- source voltage± 30V I D Drain current (continuos) at T C = 25 °C 77 (1)1.Limited only by maximum temperature allowed A I D Drain current (continuos) at T C = 100 °C 4.3 4.3 (1)A I DM (2)2.Pulse width limited by safe operating area Drain current (pulsed)2828 (1)A P TOTT otal dissipation at T C = 25 °C 12530W Derating factor10.24W/°C V ESD(G-S)Gate source ESD (HBM-C=100 pF , R=1.5 k Ω)4000V dv/dt (3)3. I SD ≤ 7 A, di/dt ≤ 500 A/µs, V DD = 80%V (BR)DSSPeak diode recovery voltage slope15V/ns V ISO Insulation withstand voltage (RMS) from all three leads to external heat sink (t=1 s;T C =25 °C)--2500V T jT stgOperating junction temperature Storage temperature-55 to 150°CTable 3.Thermal dataSymbolParameterValueUnitD²PAK/TO-220TO-220FPRthj-pcb Thermal resistance junction-pcb Max(when mounted on minimum footprint)30--°C/W Rthj-case Thermal resistance junction-case Max 14.16°C/W Rthj-amb Thermal resistance junction-ambient Max62.5°C/W T lMaximum lead temperature for soldering purpose300°CTable 4.Avalanche characteristicsSymbol ParameterMax valueUnit I AR Avalanche current, repetitive or not-repetitive (pulse width limited by T j max)7A E ASSingle pulse avalanche energy(starting T j = 25 °C, I D = I AR , V DD = 50 V)235mJElectrical characteristics STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD4/162 Electrical characteristics(Tcase = 25 °C unless otherwise specified)Table 5.On /off statesSymbol Parameter Test conditionsMin.Typ.Max.Unit V (BR)DSS Drain-sourcebreakdown voltageI D = 1 mA, V GS = 0600V I DSS Zero gate voltagedrain current (V GS = 0)V DS = Max rating V DS = Max rating, T C = 125 °C 150µA µA I GSS Gate-body leakage current (V DS = 0)V GS = ± 20 V±10µA V GS(th)Gate threshold voltage V DS = V GS , I D = 100 µA 2.53.54.5V R DS(on)Static drain-source onresistanceV GS = 10 V , I D = 3.5 A0.850.95ΩTable 6.DynamicSymbol Parameter Test conditionsMin.Typ.Max.Unit g fs (1)1.Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%Forwardtransconductance V DS = 15 V , I D =3.5 A5.3S C iss C oss C rss Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance V DS = 25 V , f = 1 MHz, V GS = 0111013530pF pF pF C OSS eq (2)2.C oss eq . is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C oss when V D Sincreases from 0 to 80% V DSSEquivalent output capacitance V GS = 0, V DS = 0 to 480 V 72pF Q g Q gs Q gdT otal gate charge Gate-source charge Gate-drain chargeV DD = 480 V , I D = 7 A,V GS = 10 V (see Figure 17)418.72153nC nC nCSTB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD Electrical characteristics5/16Table 7.Switching timesSymbol ParameterTest conditions Min.Typ.Max Unitt d(on)t r t d(off)t f Turn-on delay time Rise timeTurn-off-delay time Fall timeV DD = 300 V , I D = 3.5 A R G =4.7 Ω, V GS = 10 V (see Figure 16)11.413.623.115ns ns ns ns t r(Voff)t f t cOff-voltage rise time Fall timeCross-over timeV DD = 480 V , I D = 7 A, R G =4.7 Ω, V GS = 10 V (see Figure 16)11820ns ns nsTable 8.Source drain diodeSymbol ParameterTest conditionsMin.Typ.Max.Unit I SD I SDM (1)1.Pulse width limited by safe operating area Source-drain currentSource-drain current (pulsed)728A A V SD (2)2.Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%Forward on voltage I SD = 7 A, V GS = 0 1.6V t rr Q rr I RRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current I SD = 7 A, di/dt = 100 A/µs V DD = 30 V (see Figure 21)1305508.4ns nC A t rr Q rr I RRMReverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery currentI SD = 7 A, di/dt = 100 A/µs V DD = 30 V , T j = 150 °C (see Figure 21)17688010ns nC ATable 9.Gate-source Zener diodeSymbol ParameterTest conditions Min TypMax UnitBV GSO (1)1.The built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only the device’sESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage transients that may occasionally be applied from gate to source. In this respect the Zener voltage is appropriate to achieve an efficient and cost-effective intervention to protect the device’s integrity. These integrated Zener diodes thus avoid the usage of external componentsGate-source breakdown voltageIgs=± 1 mA (open drain)30VElectrical characteristics STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD6/162.1 Electrical characteristics (curves)Figure 2.Safe operating area for TO-220 /Figure 3.Thermal impedance for TO-220 / Figure 4.Safe operating area for TO-220FP Figure 5.Thermal impedance for TO-220FPFigure 6.Output characteristics Figure 7.Transfer characteristicsSTB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD Electrical characteristics7/16Figure 8.Normalized B VDSS vs temperatureFigure 9.Static drain-source on resistanceFigure 10.Gate charge vs gate-source voltage Figure 11.Capacitance variationsFigure 12.Normalized gate threshold voltageFigure 13.Normalized on resistance vsElectrical characteristicsSTB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD 8/16Figure 14.Source-drain diode forwardFigure 15.Maximum avalanche energy vsSTB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD Test circuits9/163 Test circuitsFigure 16.Switching times test circuit forFigure 17.Gate charge test circuitFigure 18.Test circuit for inductive loadFigure 19.Unclamped inductive load testPackage mechanical data STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD 4 Package mechanical dataIn order to meet environmental requirements, ST offers these devices in ECOPACK®packages. These packages have a Lead-free second level interconnect. The category ofsecond level interconnect is marked on the package and on the inner box label, incompliance with JEDEC Standard JESD97. The maximum ratings related to solderingconditions are also marked on the inner box label. ECOPACK is an ST trademark.ECOPACK specifications are available at: 10/16STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD Package mechanical data11/16Package mechanical data STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD12/16STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD Package mechanical data13/16Packaging mechanical data STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD14/165Packaging mechanical dataTAPE AND REEL SHIPMENTD 2PAK FOOTPRINT* on sales typeDIM.mm inch MIN.MAX.MIN.MAX.A 33012.992B 1.50.059C 12.813.20.5040.520D 20.20795G 24.426.40.960 1.039N 1003.937T30.4 1.197BASE QTY BULK QTY 10001000REEL MECHANICAL DATADIM.mm inch MIN.MAX.MIN.MAX.A010.510.70.4130.421B015.715.90.6180.626D 1.5 1.60.0590.063D1 1.59 1.610.0620.063E 1.65 1.850.0650.073F 11.411.60.4490.456K0 4.8 5.00.1890.197P0 3.9 4.10.1530.161P111.912.10.4680.476P2 1.9 2.10.0750.082R 50 1.574T 0.250.350.00980.0137W23.724.30.9330.956TAPE MECHANICAL DATASTB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD Revision history15/166 Revision historyTable 10.Document revision historyDate RevisionChanges29-Sep-20036Data updated13-Jun-20067The document has been reformatted 14-Apr-20089–T able 8 has been corrected–Package mechanical data upadted.STB9NK60ZD - STF9NK60ZD - STP9NK60ZD16/16Please Read Carefully:Information in this document is provided solely in connection with ST products. STMicroelectronics NV and its subsidiaries (“ST”) reserve the right to make changes, corrections, modifications or improvements, to this document, and the products and services described herein at any time, without notice.All ST products are sold pursuant to ST’s terms and conditions of sale.Purchasers are solely responsible for the choice, selection and use of the ST products and services described herein, and ST assumes no liability whatsoever relating to the choice, selection or use of the ST products and services described herein.No license, express or implied, by estoppel or otherwise, to any intellectual property rights is granted under this document. If any part of this document refers to any third party products or services it shall not be deemed a license grant by ST for the use of such third party products or services, or any intellectual property contained therein or considered as a warranty covering the use in any manner whatsoever of such third party products or services or any intellectual property contained therein.UNL ESS OTHERWISE SET FORTH IN ST’S TERMS AND CONDITIONS OF SAL E ST DISCL AIMS ANY EXPRESS OR IMPL IED WARRANTY WITH RESPECT TO THE USE AND/OR SAL E OF ST PRODUCTS INCL UDING WITHOUT L IMITATION IMPL IED WARRANTIES OF MERCHANTABILITY, FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE (AND THEIR EQUIVALENTS UNDER THE LAWS OF ANY JURISDICTION), OR INFRINGEMENT OF ANY PATENT, COPYRIGHT OR OTHER INTELLECTUAL PROPERTY RIGHT. UNL ESS EXPRESSL Y APPROVED IN WRITING BY AN AUTHORIZED ST REPRESENTATIVE, ST PRODUCTS ARE NOT RECOMMENDED, AUTHORIZED OR WARRANTED FOR USE IN MILITARY, AIR CRAFT, SPACE, LIFE SAVING, OR LIFE SUSTAINING APPLICATIONS, NOR IN PRODUCTS OR SYSTEMS WHERE FAILURE OR MALFUNCTION MAY RESULT IN PERSONAL INJURY, DEATH, OR SEVERE PROPERTY OR ENVIRONMENTAL DAMAGE. ST PRODUCTS WHICH ARE NOT SPECIFIED AS "AUTOMOTIVE GRADE" MAY ONLY BE USED IN AUTOMOTIVE APPLICATIONS AT USER’S OWN RISK.Resale of ST products with provisions different from the statements and/or technical features set forth in this document shall immediately void any warranty granted by ST for the ST product or service described herein and shall not create or extend in any manner whatsoever, any liability of ST.ST and the ST logo are trademarks or registered trademarks of ST in various countries.Information in this document supersedes and replaces all information previously supplied.The ST logo is a registered trademark of STMicroelectronics. All other names are the property of their respective owners.© 2008 STMicroelectronics - All rights reservedSTMicroelectronics group of companiesAustralia - Belgium - Brazil - Canada - China - Czech Republic - Finland - France - Germany - Hong Kong - India - Israel - Italy - Japan - Malaysia - Malta - Morocco - Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - United Kingdom - United States of America。

康迈微波导器件产品手册说明书

康迈微波导器件产品手册康迈微开放了一系列波导类器件，频率覆盖1000-50000MHz。

已开发了：波同转接器、波导耦合器、波导功分器、径向合成器、波导衰减器、波导魔T、波导大功率负载等，部分产品现货供应，比如波同转换、波导负载等，明码标价，性价比高，具体的数量及价格登陆电子宝商城查询和订购，线上下单有折扣，支持微信支付和对公转账，含税13%，当天发货，非现货3-6周发货。

登陆电子宝的方式：关注微信公众号“电子宝”，在公众号里找到“电子宝商城”登陆·PC打开浏览器，登陆手机打开浏览器，登陆以下是已开发型号，详细规格书登陆官网查看1、波导同轴转换波同转接器，以下是货架商品，现货供应，明码标价，请登陆电子宝商城订购或康迈微官网查看详细规格书。

可以按用户要求定制波同转接器。

产品型号颊率范围(GHz)驻波比插损(dB)接头类型平均功率（W）法兰涂覆D8-AWC40NK-1284 3.22-4.90 ≤1.20 ≤0.2 N-K 500 FDP 喷漆D8-AWC48SK-1287 3.94-5.99 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 200 FDP 喷漆D8-AWC58SK-1290 4.64-7.05 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 200 FDP 喷漆D8-AWC70SK-1293 5.38-8.17 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 200 FDP 喷漆D8-AWC84SK-1296 6.57-9.99 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 150 FBP 喷漆D8-AWC100SK-1239 8.20-12.40 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 150 FBP 喷漆D8-AWC120SK-1235 9.84-15.0 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 100 FBP 喷漆产品型号频率范围 (GHz) 驻波比插损 (dB) 接头类型平均功率（W ）法兰涂覆D8-AWC140SK-1231 11.9-18.0 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 100 FBP 喷漆 D8-AWC180SK-1227 14.5-22.0 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 100 FBP 喷漆 D8-AWC220SK-1215 17.6-26.7 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 100 FBP 喷漆 D8-AWC2602.92K-1219 21.7-33.0 ≤1.20 ≤0.2 2.92-K 20 FBP 喷漆 D8-AWC3202.92K-1223 26.5-40.0 ≤1.20 ≤0.2 2.92-K 20 FBP 喷漆 D8-AWC4002.4K-129932.9-50.1≤1.20≤0.22.4-K5FUGP喷漆2、矩形波导1/4波长线以下是货架商品，现货供应，明码标价，请登陆电子宝商城订购产品型号颊率范围 (GHz) 涂覆 D8-QW40-1285 3.22-4.90 本导 D8-QW48-1288 3.94-5.99 本导 D8-QW58-1291 4.64-7.05 本导 D8-QW70-1294 5.38-8.17 本导 D8-QW84-1297 6.57-9.99 本导 D8-QW100-1240 8.20-12.40 本导 D8-QW120-1236 9.84-15.0 本导 D8-QW140-1232 11.9-18.0 本导 D8-QW180-1228 14.5-22.0 本导 D8-QW220-1216 17.6-26.7 本导 D8-QW260-1220 21.7-33.0 本导 D8-QW320-1224 26.5-40.0 本导 D8-QW400-130032.9-50.1本导3、波导短路器以下是货架商品，现货供应，明码标价，请登陆电子宝商城订购产品型号频率范围 (GHz)涂覆D8-S40-1286 3.22-4.90 本导 D8-S48-1289 3.94-5.99 本导 D8-S58-1292 4.64-7.05 本导 D8-S70-1295 5.38-8.17 本导 D8-S84-1298 6.57-9.99 本导 D8-S100-1241 8.20-12.40 本导 D8-S120-1237 9.84-15.0 本导 D8-S140-1233 11.9-18.0 本导 D8-S180-1229 14.5-22.0 本导 D8-S220-1217 17.6-26.7 本导 D8-S260-1221 21.7-33.0 本导 D8-S320-1225 26.5-40.0 本导 D8-S400-130132.9-50.1本导4、双脊波导同轴转换正交结构，同轴接口可以按用户要求定制。

半导体分立器件

半导体分立器件半导体器件是近50年来发展起来的新型电子器件，具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长、工作可靠等一系列优点，应用十分广泛。

1）国产半导体器件型号命名法国产半导体器件型号由五部分组成，如表1-13所示。

半导体特殊器件、场效应器件、复合管、PIN型管、激光管等的型号由第三、四、五部分组成。

表1-13 中国半导体器件型号命名法示例1：“2 A P 10”型为P型锗材料的小信号普通二极管，序号为10。

示例2：“3 A X 31 A”型为PNP型锗材料的低频小功率三极管，序号31，规格号为A。

示例3：“CS 2 B”型为场效应管，序号为2，规格号为B。

2)半导体二极管二极管按材料可分为硅二极管和锗二极管两种；按结构可分为点接触型和面接触型；按用途可分为整流管、稳压管、检波管、开关管和光电管等。

常见二极管外形和电路符号可参见《基础篇》。

（1）常用二极管的类型有：①整流二极管主要用于整流电路，即把交流电变换成脉动的直流电。

整流二极管为面接触型，其结电容较大，因此工作频率范围较窄（3kHz以内）。

常用的型号有2CZ型、2DZ型等，还有用于高压和高频整流电路的高压整流堆，如2CGL型、DH26型2CL51型等。

②检波二极管其主要作用是把高频信号中的低频信号检出，为点接触型，其结电容小，一般为锗管。

检波二极管常采用玻璃外壳封装，主要型号有2AP型和1N4148（国外型号）等。

③稳压二极管稳压二极管也叫稳压管，它是用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管，其特点是工作于反向击穿区，实现稳压；其被反向击穿后，当外加电压减小或消失，PN结能自动恢复而不至于损坏。

稳压管主要用于电路的稳压环节和直流电源电路中，常用的有2CW型和2DW型。

④光电二极管光电管又称光敏管。

和稳压管一样，其PN结也工作在反偏状态。

其特点是：无光照射时其反向电流很小，反向电阻很大；当有光照射时，其反向电阻减小，反向电流增大。

光电管常用在光电转换控制器或光的测量传感器中，其PN结面积较大，是专门为接收入射光而设计的。

常州能动电子科技有限公司 EB05 系列小体积 AC-DC 模块电源 5W 手册说明书

EB05系列-----小体积AC-DC模块电源5W产品特性◆超宽电压输入85-264VAC（120-370VDC）◆输出短路、过温保护功能◆体积小、重量轻◆高效率、高功率密度，◆低功耗、绿色环保◆工业级产品技术设计应用范围无线网络、电信/数据通信、电力系统、工业控制系统、测量仪器仪表、智能化领域等电源系统。

适合于需要实现输入范围波动大，需要电源隔离，布板空间小等设计，并实现产品功能模块化，提高产品可靠性。

产品型号型号输出电压/输出电流Vo/Io纹波+噪声效率(TYP)EB05-S055V/1000mA100mV（TYP）71%EB05-SX5 5.1V/1000mA72% EB05-S1212V/420mA75% EB05-S1515V/330mA76% EB05-S2424V/210mA77% EB05-D05±5V/±500mA75% EB05-D12±12V/±210mA77% EB05-D15±15V/±1660mA79%*如有其它规格型号需求，可直接联系我司。

输入特性输入电压范围85-264Vac（120-370Vdc）输入电流110mA(TYP)@110VAc70mA(TYP)@230VAc外接保险丝（推荐值）1A慢断输出特性输出电压稳压精度±2%源效应±0.5%(typ)负载调整率(10%~100%)±1%(typ)最小负载10%输出纹波+噪声（峰-峰值）100mV(TYP)(20MHz Bandwidth)短路保护可长期短路，自恢复输出过压保护≥1.1倍一般特性温度特性工作温度功率降额存储温度外壳温度-25℃～+70℃3.75%/℃，-40℃～+105℃+90℃max掉电时间40ms(typ)/at Vin:320Vdc 湿度85%RH(max)温漂0.02%/℃开关频率60KHz(typ)绝缘输入--输出3000Vac/1Min漏电流0.3mA RMS typ.230VAC/50Hz*电磁兼容静电放电*射频辐射抗扰*电快速瞬变脉冲群*浪涌IEC/EN61000-4-2level36kV/8kV IEC/EN61000-4-3IEC/EN61000-4-4level32kV IEC/EN61000-4-5level31kV/2kV*传导/辐射EN55022,level A 安全等级CLASSⅠ外壳等级金属外壳安装PCBMTBF>200,000h@25℃注：1.标注*测试项目，需增加外围EMC推荐电路；2.以上所列数据除特别说明外，都是在TA=25℃,湿度<75%的条件下测得。

MG2260硬件设计指导手册说明书

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内容目录内容目录 (3)表格目录 (5)图片目录 (6)1序 (7)1.1相关文档 (7)1.2缩写 (7)2产品概述 (9)2.1主要规格 (9)2.2型号说明 (10)3应用接口 (10)3.1接口概览 (10)3.2工作状态 (10)3.3状态指示 (11)3.3.1RI (11)3.3.2NETLIGHT (12)3.4状态控制 (12)3.4.1启动 (12)3.4.2关闭 (13)3.4.3睡眠 (14)3.4.4唤醒 (15)3.4.5飞行模式 (15)3.5供电输入 (15)3.5.1供电设计 (15)3.6供电输出 (16)3.7RTC (16)3.8ADC接口 (16)3.9SIM卡 (17)3.10音频 (17)3.11天线 (18)3.12异步串行接口 (19)4电气特性 (20)4.1引脚功能 (20)4.2限值 (22)4.3建议运行条件 (22)4.3.1环境温度 (22)4.3.2输入电压 (22)4.4DC特性 (22)4.5模拟组件 (23)4.5.1供电输出 (23)4.5.2ADC接口 (23)4.6工作电流 (23)4.7射频 (24)5机械特性 (25)5.1结构 (25)5.2推荐封装 (26)6应用设计参考 (27)6.1防护 (27)6.2布局 (27)6.3射频 (27)6.4维护接口 (27)7附件 (28)7.1生产焊接 (28)7.2包材 (28)8联系我们 (29)表格目录表格目录表1缩写对照 (7)表2关键特性 (9)表3型号说明 (10)表4工作状态 (10)表5 RI脚状态 (11)表6 NETLIGHT工作状态 (12)表7供电输入滤波电容器 (15)表8供电输出特性 (16)表9 SIM卡连接引脚 (17)表10 UART引脚 (19)表11引脚功能 (20)表12限值 (22)表13工作环境条件 (22)表14工作电压 (22)表15数字I/O口 (23)表16 VDD_EXT (23)表17 ADC特性 (23)表18功耗 (23)表19射频输出功率 (24)表20射频接收灵敏度 (24)表21维护接口 (27)图片目录图片目录图1模块接口 (10)图2模块用作被叫方RI时序 (11)图3收到URC信息或者短信时RI时序 (11)图4模块用作主叫时RI时序 (12)图5 NETLIGHT参考电路 (12)图6启动时序 (13)图7上位机控制PWRKEY参考电路 (13)图8按键控制PWRKEY参考电路 (13)图9硬件关闭时序 (14)图10紧急关闭参考电路 (14)图11供电输入参考电路 (16)图12 SIM卡参考电路 (17)图13 天线参考电路 (18)图14 串口连接 (19)图15模块引脚顶视图 (20)图16 MG2260 规格图（单位：mm） (26)图17 MG2260 推荐封装图（单位：mm） (26)图18 MG2260 回流焊炉温曲线 (28)图19 MG2260 托盘 (28)1序本文档详细描述了MG2260 GSM/GPRS无线通信模块的规格、功能，提供了应用设计参考建议，可以帮助您迅速了解MG2260模块的接口、电气和机械特性，在短时间内开发出基于MG2260模块的应用产品。

第四章小信号模型分析法

可以写成：
iB
vBE
c
iC
b
vCE e
BJT双口网络
vBE f ( iB , vCE ) iC f ( iB , vCE )
4.4.1 BJT的小信号建模
1. H参数的引出
在小信号情况下，对上两式取全微分得
dvBE dvBE
vBE iB
VCE
diB
vBE vCE
IB
dvCE
rbe
Ib
置0
Rs
RE
ro
用加压求流法求输出电阻。
4.6 共集电极电路和共基极电路
4.6.1
⑤输出电阻
共集电极电路
Rs
RB
rbe
Ib

Ib
I

R // R R` s s B
I Ib Ib Ie

RE
Ie

U

（加压求流法） U U U rbe R rbe R RE s s 1 rbe R s U ro R E // 1 1 1 I rbe R RE s
ib b
ui rbe
Rb
ib e
c
共射极放大电路
RC
uo
RL
放大电路小信号等效电路的画法：
步骤：
1 首先从三极管三个极出发，画放大电路交流通路。(电容、直流电源交流短接) 2 用三极管小信号模型替代三极管。
3 标出电量符号。(瞬时值、相量)
用小信号模型法分析共射极放大电路：
分析的一般步骤： 1 放大电路的静态分析，求Q(IB 、 IC （ IE ）、 VCE )，并求rbe 2 画放大电路的小信号等效电路 3 用线性电路分析法，求解放大电路的动态性能指标电压放大倍数（电压增益）： Av = Vo / Vi 输入电阻 Ri 输出电阻 Ro

AD8065_8066_中文数据手册

AD8065/AD8066Rev. JInformation furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, noresponsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Speci cations subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. T rademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. Tel: 781.329.4700 Fax: 781.461.3113 ©2002–2010 Analog Devices, Inc. All rights reserved.连接图123541435278687651234V OUTV OUT1V OUT2V OUT –V S–V S–V S+IN+V S+V S+V S–IN–IN1+IN1–IN2+IN2NC–IN+INNCNCTOP VIEW(Not to Scale)TOP VIEW(Not to Scale)TOP VIEW(Not to Scale)AD8065AD8066AD80652916-E-1图1–6–33691215182124GAIN(dB)FREQUENCY (MHz)10.11010010002916-E-2G = +10V O = 200mV p-pG = +5G = +2G = +1图2. 小信号频率响应1受美国专利第6,262,633号保护。

美浦森半导体产品选型手册说明书

产品选型手册Product Selection Manual 2022.1101(Company Proﬁle)公司发展历程0304深圳市美浦森半导体有限公司 2014年成立,总部位于深圳,是一家专业功率半导体元器件设计公司。

公司产品包括中大功率场效应管( 高中低压全系列产品, Trench MOSFET/SGT MOSFET /Super Junction MOSFET / Planar MOSFET),SiC 二极管、SiC MOSFET 等系列产品。

美浦森半导体在深圳/上海设有研发中心, 主要研发人员在产品研发和生产制程方面都具有丰富的行业经验, 平均行业经验在15年以上。

在深圳建立有半导体功率器件测试和应用实验室,主要负责产品的设计验证、参数测试、可靠性验证、系统分析、失效分析等,承担美浦森产品的研发质量验证。

目前,美浦森半导体MOSFET 和碳化硅系列产品在LED 电源、PD 电源、PC 和服务器电源、光伏逆变、UPS 、充电桩、智能家居、BLDC 、BMS 、小家电等领域得到广泛应用。

创新高效热爱持续是美浦森半导体的核心价值; 用创新实现突破, 是公司不断前进的动力源泉。

专业于MOSFET 器件领域的拓展, 运用创新的电路设计和国际同步的研发技术, 成功研发出新一代MOSFET 系列产品, 产品相关性能达到行业领先水平。

我们始终坚持不断创新、不断突破, 始终保持产品第一、技术第一、服务第一的行业领先地位, 全心全意做好产品的开发与用户的极限体验。

功率器件实验室&应用实验室投资2000万人民币兴建器件分析实验室和应用实验室, 负责美浦森产品的设计验证，品质监控和客户的技术支持。

2022年“美浦森实验室”将扩充至800平方, 并正在申请国家CNAS 认证实验室资格。

产品设计验证\产品性能比对\动静态参数测试\极限参数测试1可靠性验证\失效分析\产品品质监控2系统应用分析\系统性能验证3KEYENCE 显微镜KEYSIGHT 功率器件分析仪JUNO 直流参数测试系统ISPEC 高温反偏实验系统TEKTRONIX 功率器件动态测试仪STATEC 测试系统碳化硅全系6寸生产线升级结束, 碳化硅MOS 正式批量接单中低压Trench/SGT MOS 批量出货.超结MOS E7系列产品开始批量出货, RSP 参数超越竞品系列产品; 成立深圳器件测试及可靠性实验室、产品应用实验室.650V SiCDIODE 系列产品面市推广, 并大批量出货；1200V SiCDIODE 研发成功, 进入批量阶段; 碳化硅MOS 验证成功.2014年深圳市美浦森半导体有限公司成立，同年正式推广“美浦森”品牌MOS 系列产品.高压MOSFET (VDMOS )0605高压MOSFET (VDMOS )高压MOSFET 命名方式126245公司简称封装形式3额定电流P :TO -220F :TO -220F H:TO-247W:TO-3PD:D-Pak(TO-252)U:I-Pak(TO-251)B:D2-Pak(TO-263) I:I2-Pak(TO-262)沟道极性N:N-channel P:P-channel电压系数(x10)芯片工艺C:MOS C-FETU:MOS U-FET S:MOS S-FETUZ:MOS U-FET+ESD (Z: Zener diode)超结MOSFET (SJMOS )0708超结MOSFET 命名方式126245公司简称封装形式3额定电压P :TO -220 F :TO -220F H:TO-247W:TO-3P D:D-Pak(TO-252)U:I-Pak(TO-251)B:D2-Pak(TO-263)I :I2-Pak(TO-262)L :DFN8X8Rds (on )缩写Rds (on )数值单位：m 芯片工艺SJ:MOS SJ-FETE7:MOS E7-FET E7D:MOS FRDΩ超结产品特点Trr 时间缩短: 反向恢复时间快Qg 电荷小: 开关速度快，开关损耗小Rds (on )值小: 通态阻抗小，通态损耗小PKG体积小: 同等功率规格下封装小，有利于功率密度的提高超结MOSFET (SJMOS )27快恢复二极管(FRD)中低压MOSFET (MV/LV MOS )0910碳化硅二极管(SiC Diode)中低压命名方式126245公司简称封装形式3MOSFET电流值（1-3位数字）P:TO-220 F:TO-220FH:TO-247 W:TO-3PD:D-Pak(TO-252)U:I-Pak(TO-251)B:D2-Pak(TO-263)I :I2-Pak(TO-262)S:SOP-8 T:TSSOP-8M:DFN5X6 N:DFN3X3L:DFN8X8V:SOT-23沟通极性MOSFET电压值（2-3位数字)芯片工艺N:N-NchannelP:P-channelL:N-channel+P-channelD:Dual N-channelE:Dual P-channelT:普通Trench MOSFETG:Split Gate TrenchMOSFET27版本号只有一个版本时此为空，带ESD产品此位为K中低压MOSFET(MV/LV MOS)111213开关时间快，开关损耗小恢复时间短，Trr恢复时间短，趋近于零o工作结温高，工作温度可达到175C 以上击穿电压高，产品电压最高可达6000W 以上碳化硅MOSFET (SiC MOS )碳化硅MOSFET 命名方式5431212公司简称封装形式P :TO -220 F:TO -220F H:TO-247-3L W :TO -3P D:D-Pak(TO-252)U:I-Pak(TO-251)B:D2-Pak(TO-263)I : I2-Pak(TO-262)K: TO-247-4L453Rds(on)数值单位: m 电压系数(X10)芯片工艺Ω碳化硅材料特点14碳化硅二极管命名方式1245公司简称封装形式3额定电流P :TO -220 F :TO -220FH:TO-247 L :DFN8X8D:D-Pak(TO-252)U:I-Pak(TO-251)B:D2-Pak(TO-263)M:DFN5x67S: SO-7N: 内绝缘工艺电压系数(X10)芯片工艺V1:JBS G1: MPS1:2Pin2P :TO -2202F :TO -220F 2H:TO-2472B:D2-Pak 2I:I2-Pak2:3Pin 2Chip2TP :TO -2202TW :TO -3P 2TH: TO-2473:2Pin 2ChipR :TO -220RF :TO-220F RH :TO -2474:3Pin 1Chip。

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RF 手册 RF 小信号分立器件产品设计手册页码: 1 第4版

飞利浦RF手册 RF小信号分立元器件产品设计手册

第 4 版 2004年6月

http://www.philips.semiconductors.com/markets/mms/products/discretes/documentation/rf_manual

文件号: 4322 252 06389发布时间: June 2004

RF 手册 RF 小信号分立器件产品设计手册页码: 2 第4版

被下载20万次

从飞利浦半导体网站上下载《飞利浦RF手册》前两个版本（第二版和第三版）的次数已经超过20万次。可见在RF行业中《飞利浦 RF 手册》是一本具主导地位的应用手册。

请浏览我们的RF手册网页： http://www.philips.semiconductors.com/markets/mms/products/discretes/documentation/rf_manual

许多工程师、开发商、采购商在构建应用和正确决策的时候把我们的RF手册当作他们主要的信息源。我们已经为广大订户建立了庞大的数据库，使得我们能够发送给您最新的版本。您可以从Philips公司许多的网站以及飞利浦公司大部分重要发行商的网站那里下载RF手册。 RF手册涉及了材料和许多关于RF小信号系统方面的广泛领域。从RF基础开始，RF手册还包括了应用、产品文件、参考资料、封装等诸多方面的内容。我们继续把RF手册保持为动态信息源。并承诺一年两次更新文档，使得您在重要的应用开发中有足够的信息资源。

RF客户产品系列/业务开发：

Theo Bierlaagh, Wil Konings, Kausik Mandal, Jos Zeelen / Ronald Thissen

 Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004

RF 手册 RF 小信号分立器件产品设计手册页码: 3 第4版

1．新增内容第4页 1.1 最新产品第5页 2．应用框图及参考设计第6-7页 3．应用摘要（也可参考附录）第8-9页 4．产品目录 4.1结型二极管第10页 4.2 MMIC 第11页 4.3 宽带晶体管第12-13页 4.4变容二极管第14-15页 4.5场效应晶体管第16-19页 4.6波段开关二极管第20页 4.7裸芯第21页 5．型号对照（不同品牌）第22-28页 6．封装第29-32页 7．推广资料第32-33页 8．联系方式和参考资料第34页

附录（在单独的附录中，参见35页）附录A：2.4GHz通用头端参考设计附录B：RF应用基础附录C：RF设计基础

应用摘要：附录D：RF MosFet开关器件BF1107/8的应用附录E：通用宽带放大器BGA2715-17、50 Ω增益模块附录F：通用中等功率放大器BGA6x89、50 Ω增益模块

RF 手册 RF 小信号分立器件产品设计手册页码: 4 第4版

1 最新产品

Æ 最新发布（RFS）的产品见1.1章 Æ Philips公司将提供的裸芯技术见4.7章 Æ 最新的SOT88x封装平台见6章

Æ 最新的应用摘要： Æ BGA2715-17 通用宽带放大器见附录E Æ BGA6x89 通用中功率放大器见附录F

更新应用框图及参考设计－改进的调谐、LNB和2.4GHz参考设计见第2章应用摘要－新增摘要见第3章产品目录－添加了最新产品，删除了过时产品见第4章型号对比（不同品牌）－添加新的参考和改进的版图见第5章推广资料－添加新的资料和演示板（图片）见第7章 2.4GHz通用头端参考设计－扩充、改进的内容见附录A RF应用基础－改进的内容见附录B RF设计基础－改进的内容见附录C

RF 手册 RF 小信号分立器件产品设计手册页码: 5 第4版

1.1 新产品 RFS =供货发布下表中用黄颜色表示的为已经允许发布的产品，用白颜色表示的为即将发布的产品。

产品型号应用/说明 RFS 更多信息: BAP51L Q3 2003 BAP142L Q1 2004 BAP51-06W 通用, LNB切换

BAP70-05 BAP70-04W BAP55L BAP69L

产品型号应用/说明 RFS 更多信息:

BGA2715

BGA2716 BGA2717 BGM1013

产品型号应用/说明 RFS 更多信息:

BFG310(W)/XR BFG325(W)/XR BFG425F 用于LNB振荡器的第5代宽带晶体管 Q3 2004 产品型号应用/说明 RFS 更多信息: BB207 双二极管 varicap FM 车载电台 (TEF6860). BB208-02 BB208-03 BB184 用于移动电视的低压 (10V) UHF 变容二极管 BB199 Varicap for VCO, VCXO, TCXO. Q1 2004 BB202L 用于移动电台的如移动电话，MCD中的变容二极管 Q2 2004 产品型号应用/说明 RFS 更多信息: PMBFJ620 车载天线放大用2合 1结型FET二极管 Q4 2003 BF1205C 改善交叉调制的双 VHF Mosfet Q1 2004 BF1206 改善TV/VCR/SAT 的噪声/增益的VHF Mosfet BF1211(R)(WR) BF1212(R)(WR) Q3 2003 放大器中的噪声显著降低的TV/VCR/SAT 用改进型双门Mosfets。 Q3 2003 新型变容二极管 (varactors) 第4.3节第4.6节便携式电话, 蓝牙, 无绳电话 -RF 开关 & FE模块机顶盒, 有线电视, 车载电台 FM, 车载天线放大器 Q2 2004 第4.1章新型场效应晶体管新型PIN二极管便携式电话, 蓝牙, 无绳电话 -RF 开关 & FE 模块新型 MMIC's 新型宽带晶体管用于VCO，包括FM车载电台(CREST-IC, TEF6860)的特殊设计低压变容二极管 Q4 2003 用于LNB，振荡器，LNBIF，无绳，汽车TPMS GPS的4.5的宽带晶体管

第4.2节用于LNB IF, 电缆系统, 卫星信号分配放大器,计量系统的通用宽带 50 Ohm 增益块 Q1 2004

第4.4节 Q1 2004

RF 手册 RF 小信号分立器件产品设计手册页码: 6 第4版

2 应用框图和参考设计 LNB通用图如下：

mse241垂直天线

水平天线 IF

AMP

IFAMP

LNA LNA IFAMP

IFAMP

low

high

H low

H highV low

V high4 x 2开关

IF AMP

IF AMP 输出2

(用户 2)

输出1(用户 1)

RF放大器 GaAs HEMTs BFG425, BFU5x0BGA2709 BGA2776 BGM1011 振荡器和混频器 BJTs 和/或 FETs GaAs 4 x 2 开关矩阵增益块

H lowH highV low

V high4 x 2开关

IF AMP

IF AMP 输出

(用户 4)

输出3(用户 3)

RF 手册 RF 小信号分立器件产品设计手册页码: 7 第4版

2.4 GHz头端参考设计

mse240 SMA50ΩLNAIC1PAIC2SMA50ΩBGU2003BGA6589板保护装置 Q23 mA D8 D3RX

LNCTRL

0 V/3 V/1 mA

板保护装置

D9 LNVCC

3 V/13 mA

GND

X2RX

X3TX1.2 V/1 mA2.5 V/10 mAD4 TX Q1BAP51-02 SPDT D5 SPDT 板保护装置 D7 PAVCC9 V/89 mAPActrl0 V/3 to 5 VSPDT0 V/3 to 5 VSMA 50 Ω X1 ANT 外置天线半双工 Q3 0 V/2.25 V 3 mA

4.7 V/83 mA

X4X9X6

X5X8X7

t 关断 = 0

LP1

BP1 D1, D2

TV/VCR/DVD调谐应用图如下： msd455RF 放大器输入滤波器带通滤波器混频器 IF 放大器 IFout

振荡器 MOSFET5 V 9 V2-in-1.5 V

变容二极管

VHF - high VHF - low

UHF BB178 BB182 BB179 BB187 BB153 BB152

BB149A BB157

SOD323 SOD523

BF1212, BF909, BF904, BF1109BF1100BF1105 BF1201, BF1102RBF1102BF1204BF1203BF909ABF904ABF1201ABF1211, BF1211WR, BF1211RBF1212WR, BF1212RBF1205, BF1206

BGA2717