模电各章重点内容及总复习 (2)

合集下载

模拟电子电路复习重点

模拟电子电路复习重点

第0章绪论电子系统组成:模电的核心主线:“电压放大”模电/数电的区别与联系:信号上:时间/幅度上是否离散/量化器件:三极管工作区域:放大/ 饱和、截至联系:理论:采样定理/电路:AD/DA转换课程要求:基本概念+基本电路+基本分析方法+一定的设计综合(应用)能力。

第1章常用半导体基础(数/模电基础)本征/杂志半导体中的两种载流子:多子/少子的概念PN结原理:多子扩散/少子漂移的平衡及偏置对平衡的影响结果PN结单向导电性:二极管等效电路:三极管特性:(三极2结)放大原理:Ib控制IC(流控电流源—>电流分配)Ube控制IC(压控电流源)三极管的输入输出特性曲线与三个工作区:放大(模拟)/饱和截至(数字电路)温度对三极管输入输出曲线、特性等的影响: 温度影响电路性能的本质!I:增加1倍/10°。

CBO输入曲线:左移输出曲线:上移动(与二极管相同:沿远点逆时针转动) 场效应管(不要求)第2章 **基本放大电路(三种放大电路接法)----重点!放大概念:(电压/电流/功率放大:突出有源器件的作用之一) 衡量电路放大性能的参数及其意义: Ri :从前往后看到底,包含RL ,不含RS Ro: 从后往前看到底,包含Rs ,不含RL负载效应/匹配的概念---》举例:大马拉小车/小马拉大车 A U / A US /A UL 定义(负载效应)其他参数:通频带/非线性失真系数/最大不失真输出电压/最大功率效率等 线性失真/非线性失真区别。

放大电路原理:直流偏置与信号放大的关系: 非线性系统的分段线性化:y=kx:线性系统y=kx+b 线性,本质上非线性系统(齐次性+叠加性)直流分析:正确偏置Q 点在线性区!发射结正偏,集电结反偏,会正确判断交流分析:图解法:特征点/交直流负载线参数法:h 参数低频交流小信号模型 等效参数:三种方法电路的比较: 共射/共集/共基 等效电阻的“看法”: 三种放大电路接法:第3章 多级放大电路1、 耦合方式:直接耦合/非直接耦合比较2、 多级放大电路的计算(输入输出电阻/放大倍数):Ri:看到底,往往决定于第一级Ro:看到底,往往决定于最后级Au: 多级放大倍数之积(特别注意负载效应!) 后级输入是前级的负载前级输出是后级的信号源内阻。

学习模电每章重点

学习模电每章重点
模电是一门内容多、涉及面广、新知识点多,学时少的学科。刚学模电时,感觉打开书后全是重点,它的特点决定了它的难学性,在此,我只能根据自己的情况总结出一些自己觉得比较重要的知识点,仅供大家参考。
第一章
这章是基础,所有的知识点都要在弄懂的情况下才能够进一步展开对模电的后一步学习,要贯彻理解不同的晶体管和场效应管的结构,特性曲线,熟练掌握它的主要参数及等效电路(特别是三极管的等效电路)。
3、定性了解多级放大电路频带宽度与单级的关系 。
第六章
这章是重点章节,平时没怎么学的,想要拿一个看得过去的分数,得从这章下手。反馈又是这章出现频率最高的词汇,所以很明显,反馈(也可以说负反馈)是重点的重点。在这章的学习中,我们需要:
1、理解反馈的基本概念,负反馈放大电路增益的一般表达式,4种反馈组态及其特点。
4、学会用图解法分析放大电路的静态、动态工作情况;
5、熟练掌握运用小信号模型等效电路法计算放大电路的动态性能指标;
6、熟练掌握共射(包括工作点稳定电路)、共集和共基放大电路的工作原理及特点;
7、掌握场效应管放大电路的分析方法和指标计算。
第三章
这章的主要主角是多级放大电路和差分放大电路,考点较前两章来说并不是很多的,所以掌握好它的各个考点,考起试来就会胸有成竹哦。
(3)非正弦信号产生电路:单门限电压比较器和迟滞比较器的工作原理,理解方波、矩形波、三角波、锯齿波发生器的工作原理。
第九章
主要内容:
1.功率放大电路的输出功率、效率和非线性失真之间的关系。
2.甲乙类功率放大电路的组成、工作原理、各项指标的计算及BJT的选择。
第十章
由于我们班老师没把这章讲完,暂且还看不出来重点是什么,这就需要大家在课堂上和习题课上认真听讲,自己归纳总结啦。补上一点,我的学习总结也许只适合部分人,大家应该根据自己的具体情况进行模电高效率的复习,最后,衷心希望大家都能在模电上取得一个满意的成绩!

模电各章节主要知识点总结

模电各章节主要知识点总结

(2)若是开环(无反馈),或正反馈,则放大器处于饱和状态 2、理想运放条件: Ri ,由此得到虚断, i i 0
Avo ,由此得到虚短, v v
3、虚短和虚断:
RO 0 KCMRR
各种运算(比例,加减法,积分微分电路等)中,
i i 0,说明两个输入端无电流 ; v v,说明两个输入端等电位
2
Rb2
VCC
,

VE
VB
VBE
IE

VE RE
IC
VCE
VCC
IC (RC
RE )
(2)图解分析方法:
要求: (a)用图解分析方法,判断什么情况下会发生截止和饱和失真现象,如何解决? (b)对于共射极放大器,用直流负载线和交流负载线求解最大不失真输出电压幅度
Vom VCEQ VCES ,以及ICQ RL ' 二者取最小的,即为最大不失真输出电压幅度。
Feedback Amplifier
反 馈 判 一、反馈性质判断(瞬时极性) 断 总 结 : 下图是常见器件的瞬时极性,务必掌握!
输入
-
+
+
+
输入 +
输入
+
+
+
输入
二、输入端的链接方式(串联还是并联)
并联负反馈
(+) X i
(-) X f
串联负反馈
X(+i) (+) X f
并联负反馈
(+)
1、K1、K3闭合,K2断开; 2、K2、K3闭合,K1断开; 3、K1、K2闭合,K3断开; 4、K1、K2、K3闭合。

(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结

(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模电知识点总结讲义

模电知识点总结讲义

模电知识点总结讲义第一部分:基本概念1. 电子元件电子元件是指能处理信息的基本部件,包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。

- 电阻:用于限制电流或降低电压的元件。

- 电容:用于储存电荷或储存能量的元件。

- 电感:用于储存磁场能量或阻碍电流变化的元件。

- 二极管:用于整流、开关、放大等功能的元件。

- 晶体管:用于放大、开关、稳压等功能的元件。

2. 电路电路是由电子元件连接而成的路径,用于传输电流或信号。

- 直流电路:电流方向不变的电路。

- 交流电路:电流方向时而正时而负的电路。

- 数字电路:用于处理数字信号的电路。

- 模拟电路:用于处理模拟信号的电路。

3. 电路分析电路分析是指根据电路中元件的特性和连接关系,计算电压、电流等参数的过程。

- 基尔霍夫定律:电路中各节点的电流代数和为零。

- 欧姆定律:电流与电压成正比,电阻是电压和电流的比值。

- 诺顿定理:任意线性电路均可用一个等效的电压源和串联电阻来替代。

- 戴维南定理:任意线性电路均可用一个等效的电流源和并联电阻来替代。

4. 信号处理信号是指传输信息的载体,信号处理是对信号进行增强、滤波、调制等操作的过程。

- 放大器:用于增强信号幅度的电路。

- 滤波器:用于去除或增强特定频率的电路。

- 调制器:用于将低频信号调制到高频载波上的电路。

第二部分:放大器1. 放大器类型- 基本放大器:包括共射、共集、共底极等类型。

- 差分放大器:用于抑制共模信号的放大器。

- 电压跟随器:用于输出跟随输入信号的放大器。

2. 放大器设计- 选型:根据放大器的功率、频率、噪声等性能要求选择适当的器件。

- 偏置:通过电阻、电容等元件来设置放大器工作点。

- 反馈:通过串联或并联的电阻、电容等元件来控制放大器的增益、带宽等性能。

3. 放大器应用- 信号放大:用于将传感器输出的微弱信号放大到可测量范围。

- 信号传输:用于增强信号以便传输到远处或驱动加载。

第三部分:滤波器1. 滤波器类型- 低通滤波器:允许低频信号通过,阻断高频信号。

模电知识点识点总结

模电知识点识点总结

模电知识点识点总结一、电路分析电路分析是模拟电子技术中的基础知识点,它涉及到电路的基本元件、电路定律、戴维南定理、诺顿定理、等效电路、交流电路分析等内容。

在电路分析中,学生需要掌握电路元件的特性和参数,熟练掌握欧姆定律、基尔霍夫电压定律、基尔霍夫电流定律等基本定律,能够准确分析电路中的电压、电流和功率等参数。

二、放大电路放大电路是模拟电子技术中的重要内容之一,它是指通过放大器将输入信号放大的过程。

学生需要掌握放大器的基本分类、放大器的基本参数、放大器的频率特性等知识,理解放大器的工作原理,能够设计各种类型的放大电路。

三、模拟信号处理模拟信号处理是模拟电子技术中的核心内容之一,它涉及到模拟信号的获取、处理、传输和存储等过程。

学生需要掌握模拟信号的采样定理、量化处理、模拟信号滤波等知识,能够设计模拟信号处理系统,提高模拟信号处理的质量和效率。

四、模拟滤波器设计滤波器是模拟电子技术中的重要内容之一,它是指用于对信号进行滤波处理的电路。

学生需要掌握滤波器的分类、滤波器的性能指标、滤波器的设计方法等知识,能够设计各种类型的模拟滤波器,提高信号的质量和准确性。

五、集成电路设计集成电路设计是模拟电子技术中的核心内容之一,它涉及到集成电路的设计原理、工艺流程、器件制造等一系列内容。

学生需要掌握集成电路的基本结构、工作原理、设计方法等知识,能够设计各种类型的集成电路,提高集成电路的性能和可靠性。

总之,模拟电子技术是电子工程中非常重要的一门课程,它涉及到电路分析、放大电路、模拟信号处理、模拟滤波器设计、集成电路设计等方面的知识。

学生在学习模拟电子技术的过程中,需要注重理论与实践相结合,通过实验和项目设计来提高自己的技能水平,从而更好地应用模拟电子技术知识解决实际问题。

模电各章重点内容及总复习带试题和答案综述

模电各章重点内容及总复习带试题和答案综述

《模电》第一章重点掌握内容:一、概念1、半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴,电子带负电,空穴带正电。

它们在外电场作用下均能移动而形成电流,所以称载流子。

5、P型半导体:在纯净半导体中掺入三价杂质元素,便形成P型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,空穴为多数载流子(称多子)而电子为少子。

6、N型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素,便形成N型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,电子为多子、而空穴为少子。

7、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏),PN结正向导通,P接负、N接正时(称反偏),PN结反向截止。

所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管),按功能分有普通管,开关管、整流管、稳压管等。

9、二极管由一个PN结组成,所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通,呈小电阻,大电流,反偏时截止,呈大电阻,零电流。

其死区电压:S i管约0。

5V,G e管约为0。

1 V ,其死区电压:S i管约0.5V,G e管约为0.1 V 。

其导通压降:S i管约0.7V,G e管约为0.3 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的:①加正向电压时,相当正向导通的二极管。

(压降为0.7V,)②加反向电压时截止,相当断开。

③加反向电压并击穿(即满足U﹥U Z)时便稳压为U Z。

11、二极管主要用途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(门电路)等。

二、应用举例:(判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。

三极管复习完第二章再判)参考答案:a、因阳极电位比阴极高,即二极管正偏导通。

是硅管。

b 、二极管反偏截止。

f 、因V的阳极电位比阴极电位高,所以二极管正偏导通,(将二极管短路)使输出电压为U0=3V 。

模电必考知识点总结

模电必考知识点总结

模电必考知识点总结一、基本电路理论1. 电路基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律、电路中的功率计算等基本电路定律是模拟电子技术学习的基础,了解和掌握这些定律对于学习模拟电子技术是非常重要的。

2. 电路分析了解如何对电路进行简化、等效电路的转换、戴维南定理和诺依曼定理等电路分析的基本方法。

3. 电路稳定性掌握电路的稳定性分析方法,包括如何对直流放大电路和交流放大电路进行稳定性分析。

4. 传输线理论了解传输线的基本特性,包括传输线的阻抗、反射系数、传输线的匹配等知识。

二、放大电路1. 二极管放大电路了解二极管的基本特性和放大电路的设计原理,包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的二极管放大电路。

2. 晶体管放大电路了解晶体管放大电路的基本原理和设计方法,包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的晶体管放大电路。

3. 放大电路的频率响应了解放大电路的频率响应特性,包括截止频率、增益带宽积等相关知识。

4. 反馈电路掌握反馈电路的基本原理和分类,了解正反馈和负反馈电路的特点和应用。

三、运算放大电路1. 运算放大器的基本特性了解运算放大器的基本特性,包括输入输出阻抗、放大倍数、共模抑制比等相关知识。

2. 运算放大器的电路应用了解运算放大器在反馈电路、比较电路、滤波电路、振荡电路等方面的应用,掌握运算放大器的基本应用方法。

四、滤波器电路1. RC滤波器和RL滤波器了解RC滤波器和RL滤波器的基本原理、特性和应用,包括一阶和二阶滤波器的设计和性能分析。

2. 增益电路和阻抗转换电路掌握增益电路和阻抗转换电路的设计原理和方法,了解它们在滤波电路中的应用。

3. 模拟滤波器设计了解低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻(陷波)滤波器的设计方法和特性,掌握模拟滤波器的设计技巧。

五、功率放大电路1. BJT功率放大电路了解晶体管功率放大电路的基本原理和设计方法,包括类A、类B、类AB和类C功率放大电路的特点和应用。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

《模电》第一章重点掌握内容Powered by: Lyman一、概念1、半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴,电子带负电,空穴带正电。

它们在外电场作用下均能移动而形成电流,所以称载流子。

5、P型半导体:在纯净半导体中掺入三价杂质元素,便形成P型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,空穴为多数载流子(称多子)而电子为少子。

6、N型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素,便形成N型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,电子为多子、而空穴为少子。

7、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏),PN结正向导通,P接负、N接正时(称反偏),PN结反向截止。

所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管),按功能分有普通管,开关管、整流管、稳压管等。

9、二极管由一个PN结组成,所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通,呈小电阻,大电流,反偏时截止,呈大电阻,零电流。

其死区电压:S i管约0。

5V,G e管约为0。

1 V ,其死区电压:S i管约0.5V,G e管约为0.1 V 。

其导通压降:S i管约0.7V,G e管约为0.2 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的:①加正向电压时,相当正向导通的二极管。

(压降为0.7V,)②加反向电压时截止,相当断开。

③加反向电压并击穿(即满足U﹥U Z)时便稳压为U Z。

11、二极管主要用途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(门电路)等。

二、应用举例:(判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。

三极管复习完第二章再判)参考答案:a、因阳极电位比阴极高,即二极管正偏导通。

是硅管。

b 、二极管反偏截止。

f 、因V的阳极电位比阴极电位高,所以二极管正偏导通,(将二极管短路)使输出电压为U0=3V 。

G、因V1正向电压为10V,V2正向电压13V,使V2 先导通,(将V2短路)使输出电压U0=3V,而使V1反偏截止。

h 、同理,因V1正向电压10V、V2正向电压为7V,所以V1先导通(将V1短路),输出电压U0=0V,使V2反偏截止。

(当输入同时为0V或同时为3V,输出为多少,请同学自行分析。

)三、书P31习题:1-3、1-4、1-6、1-8、1-13、1-16《模电》第二章重点掌握内容一、概念1、三极管由两个PN结组成。

从结构看有三个区、两个结、三个极。

(参考P40)三个区:发射区——掺杂浓度很高,其作用是向基区发射电子。

基区——掺杂浓度很低,其作用是控制发射区发射的电子。

集电区——掺杂浓度较高,但面积最大,其作用是收集发射区发射的电子。

两个结:集电区——基区形成的PN结。

叫集电结。

(J C)基区——发射区形成的PN结。

叫发射结。

(J e)三个极:从三个区引出的三个电极分别叫基极B、发射极E和集电极C(或用a、b、c)对应的三个电流分别称基极电流I B、发射极电流I E、集电极电流I C。

并有:I E =I B+ I C2、三极管也有硅管和锗管,型号有NPN型和PNP型。

(参考图A。

注意电路符号的区别。

可用二极管等效来分析。

)3、三极管的输入电压电流用U BE、I B表示,输出电压电流用U CE、I C表示。

即基极发射极间的电压为输入电压U BE,集电极发射间的电压为输出电压U CE。

(参考图B)三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=I C / I B (或I C=β I B)和开关作用.4、三极管的输入特性(指输入电压电流的关系特性)与二极管正向特性很相似,也有:死区电压:硅管约为0.5V, 锗管约为0.1V 。

导通压降:硅管约为0.7V ,锗管约为0.2V 。

(这两组数也是判材料的依据)5、三极管的输出特性(指输出电压U CE与输出电流I C的关系特性)有三个区:①饱和区:特点是U CE﹤0.3V,无放大作用,C-E间相当闭合.其偏置条件J C, J e都正偏.②截止区:特点是U BE ≦0, I B=0, I C=0,无放大. C-E间相当断开..其偏置条件J C, J e都反偏.③放大区: 特点是U BE大于死区电压, U CE﹥1V, I C=β I B.其偏置条件J e正偏J C反偏.所以三极管有三种工作状态,即饱和状态,截止状态和放大状态,作放大用时应工作在放大状态,作开关用时应工作在截止和饱和状态.6、当输入信号I i很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)(参考图B)7、对放大电路的分析有估算法和图解法估算法是:⑴先画出直流通路(方法是将电容开路,信号源短路,剩下的部分就是直流通路),求静态工作点I BQ、I CQ、U CEQ。

⑵画交流通路,H参数小信号等效电路求电压放大倍数A U输入输出电阻R I和R0。

(参考P58图2.2.5)图解法:是在输入回路求出I B后,在输入特性作直线,得到工作点Q,读出相应的I BQ、U BEQ 而在输出回路列电压方程在输出曲线作直线,得到工作点Q,读出相应的I CQ、U CEQ加入待放大信号u i从输入输出特性曲线可观察输入输出波形,。

若工作点Q点设得合适,(在放大区)则波形就不会发生失真。

(参考P52图2.2.2)8、失真有三种情况:⑴截止失真:原因是I B、I C太小,Q点过低,使输出波形后半周(正半周)失真。

消除办法是调小R B,以增大I B、I C,使Q点上移。

⑵饱和失真:原因是I B、I C太大,Q点过高,使输出波形前半周(负半周)失真。

消除办法是调大R B,以减小I B、I C,使Q点下移。

⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真,消除办法是调小信号源。

应用举例:说明:图A:三极管有NPN型和PNP型,分析三极管的工作状态时可用二极管电路来等效分析。

图B:三极管从BE看进去为输入端,从CE看进去输出端。

可用小信号等效电路来等效。

其三极管的输入电阻用下式计算:rbe =200+(1+β)26/ I EQ=200+26/ I BQI C=β I B.图C的图1因发射结正偏,集电结反偏,所以是放大;图2因发射结电压为3伏,所以管烧;图3因发射结集电结都正偏,所以是饱和;图4因发射结正偏,集电结反偏,所以是放大。

图D:a图为固定偏置电路,b图为直流通路,c图为H参数小信号等效电路。

(其计算在下一章)二、习题:P81 2-1、2-2、2-4abc、2-9《模电》第三章重点掌握内容一、概念1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。

(固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极,故称共发射极电路)。

共射电路的输出电压U0与输入电压U I反相,所以又称反相器。

共集电路的输出电压U0与输入电压U I同相,所以又称同相器。

2、差模输入电压U id=U i1-U i2指两个大小相等,相位相反的输入电压。

(是待放大的信号)共模输入电压U iC= U i1=U i2指两个大小相等,相位相同的输入电压。

(是干扰信号)差模输出电压U0d 是指在U id作用下的输出电压。

共模输出电压U0C是指在U iC作用下的输出电压。

差模电压放大倍数A ud= U0d / /U id是指差模输出与输入电压的比值。

共模放大倍数A uc =U0C /U iC是指共模输出与输入电压的比值。

(电路完全对称时A uc =0)共模抑制比K CRM=A ud /A uc是指差模共模放大倍数的比值,电路越对称K CRM越大,电路的抑制能力越强。

3、差分电路对差模输入信号有放大作用,对共模输入信号有抑制作用,即差分电路的用途:用于直接耦合放大器中抑制零点漂移。

(即以达到U I =0,U0=0的目的)4、电压放大器的主要指标是电压放大倍数A U和输入输出电阻R i ,R0 。

功率放大器的主要指标要求是(1)输出功率大,且不失真;(2)效率要高,管耗要小,所以功率放大电路通常工作在甲乙类(或乙类)工作状态,同时为减小失真,采用乙类互补对称电路。

为减小交越失真采用甲乙类互补对称电路。

5、多级放大电路的耦合方式有:直接耦合:既可以放大交流信号,也可以放大直流信号或缓慢变化的交流信号;耦合过程无损耗。

常用于集成电路。

但各级工作点互相牵连,会产生零点漂移。

阻容耦合:最大的优点是各级工作点互相独立,但只能放大交流信号。

耦合过程有损耗,不利于集成。

变压器耦合:与阻容耦合优缺点同,已少用。

二、电路分析。

重点掌握以下几个电路:1、固定偏置电路;如图D-a(共射电路)A)会画直流通路如图D-b,求工作点Q。

(即求I BQ、I CQ、U CEQ)即;I BQ =(U CC—U BE)/ R BI CQ =β I B.U CEQ = U CC—I CQ R CB)会画微变等效电路,如图D-c,求电压放大倍数和输入输出电路:A U、R i、R O。

即:A U = —β R L// rbe ,R i = R B∥rbe ,R O = R C2、分压式偏置电路;如图E-a(为共射电路)A)会画直流通路如图E-b,求工作点Q。

(即求I BQ、I CQ、U CEQ)即:V B =R B2*U CC/(R B1+R B2)I CQ≈I EQ= (V B—U BE)/R EU CEQ = U CC—I CQ(R C+R E)B)会画微变等效电路,如图E-c,求电压放大倍数和输入输出电路:A U、R i、R O即:A U = —β R L// rbe ,R i = R B1∥R B2∥rbe ,R O = R C设:R B1=62KΩ,R B2=16 KΩ,R C=5KΩ, R E=2KΩ,R L=5 KΩ,U CC=20V,β=80,U BE=0.7V,试求工作点(Q)I BQ、、I CQ、U CEQ和A U、R i、R O。

(请同学一定要完成上两道题,并会画这两个电路的直流通路和微变等效电路。

)3、射极输出器,如图F-a(为共集电路,又称同相器、跟随器)重点掌握其特点:①电压放大倍数小于近似于1,且U O与U i同相。

②输入电阻很大。

③输出电阻很小,所以带负载能力强。

了解其电路结构,直流通路(图F-b)和微变等效电路(图F-c)的画法。

《模电》第四章重点掌握内容一、概念1、反馈是指将输出信号的一部分或全部通过一定的方式回送到输入端。

2、反馈有正反馈(应用于振荡电路)和负反馈(应用于放大电路)之分。

3、反馈有直流反馈,其作用:稳定静态工作点。

有交流反馈,其作用:改善放大器性能。

包括:①提高电压放大倍数的稳定度;②扩展通频带;③减小非线性失真;④改善输入输出电路。

相关文档
最新文档