第五章 FET三极管及其放大管考试试题
半导体三极管及其放大电路练习及答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
三极管试题及答案
三极管试题及答案一、选择题1. 三极管的三个主要极是发射极、基极和______。
A. 集电极B. 栅极C. 门极D. 源极答案：A2. 在NPN型三极管中，基极电流增加时，集电极电流的变化趋势是______。
A. 减少B. 增加C. 不变D. 先增加后减少答案：B3. 三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对______电流的控制。
A. 基极B. 发射极C. 集电极D. 栅极答案：C二、填空题4. 三极管的工作原理是基于______效应。
答案：PN结5. 在三极管放大电路中，基极与发射极之间的电压称为______电压。
答案：正向偏置三、判断题6. 三极管可以工作在截止、饱和和放大三种状态。
（）答案：正确7. 所有的三极管都可以用作开关。
（）答案：错误四、简答题8. 简述三极管放大电路的基本工作原理。
答案：三极管放大电路的基本工作原理是利用三极管的电流放大作用，通过控制基极电流，实现对集电极电流的放大。
当基极电流增加时，由于基极与集电极之间的电流放大倍数（β值），集电极电流也会相应增加，从而达到放大信号的目的。
9. 什么是三极管的饱和状态？答案：三极管的饱和状态是指在三极管的集电极与发射极之间电压达到最大值，使得集电极电流达到最大，此时三极管的放大作用达到极限，无法进一步放大信号。
五、计算题10. 已知NPN型三极管的β值为100，基极电流为20μA，求集电极电流。
答案：根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，集电极电流IC = 100 * 20μA = 2mA。
六、分析题11. 某三极管放大电路的基极电流为50μA，若要使集电极电流增加到5mA，需要调整基极电流到多少？答案：首先，根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，可以求出基极电流IB = IC / β。
已知IC为5mA，β值未知，设β值为X，则有5mA = 50μA * X。
解得X = 100。
因此，基极电流需要增加到50μA * 100 = 5mA。
三极管复习题及答案
三极管复习题及答案三极管是电子技术中常用的一种器件，广泛应用于放大、开关和稳压等电路中。
它由三个掺杂不同材料的半导体区域组成，分别是基区、发射区和集电区。
三极管的工作原理是基于PN结的导电特性，通过控制基区的电流来控制发射区和集电区之间的电流。
在学习三极管的过程中，我们需要通过复习题来巩固所学的知识。
下面是一些常见的三极管复习题及其答案，希望对大家的学习有所帮助。
1. 什么是三极管的放大倍数？答：三极管的放大倍数是指集电极电流变化与基极电流变化之间的比值。
一般用β表示，也叫做电流放大倍数或直流放大倍数。
2. 三极管的三个区域分别是什么？答：三极管的三个区域分别是基区、发射区和集电区。
其中，基区位于发射区和集电区之间，发射区连接基区和集电区。
3. 三极管的工作原理是什么？答：三极管的工作原理是基于PN结的导电特性。
当基极电流为零时，三极管处于截止状态，没有集电极电流。
当基极电流大于零时，三极管处于饱和状态，有较大的集电极电流。
4. 什么是共射放大电路？答：共射放大电路是一种常见的三极管放大电路，也是最常用的一种。
在共射放大电路中，输入信号与基极之间串联，输出信号与集电极之间并联。
5. 三极管的工作状态有哪些？答：三极管的工作状态分为截止状态、饱和状态和放大状态。
截止状态下，三极管的集电极电流为零；饱和状态下，三极管的集电极电流较大；放大状态下，三极管的集电极电流受到基极电流的控制。
6. 三极管的常见应用有哪些？答：三极管在电子技术中有广泛的应用。
它可以用于放大电路、开关电路、振荡电路、稳压电路等。
例如，三极管可以用于放大音频信号，使得声音更加清晰；它还可以用于开关电路，控制其他器件的开关状态。
通过对这些复习题的学习，我们可以更好地理解和掌握三极管的工作原理和应用。
同时，我们也要多做一些实际的电路设计和调试，加深对三极管的理解。
当然，除了以上的复习题，还有很多其他的问题和知识点需要我们去学习和掌握。
半导体三极管及其放大电路练习及标准答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
第五章FET三极管及其放大管考试试题及答案
下面的电路符号代表（）管。 A、耗尽型 PMOS B、耗尽型 NMOS C、增强型 PMOS D、增强型 NMOS
D 下图为（）管的转移曲线图。 A、耗尽型 PMOS B、耗尽型 NMOS C、增强型 PMOS D、增强型 NMOS
B 当场效应管的漏极直流电流 I D 从 2mA 变为 4mA 时，它的低频跨 导 g m 将（）。
a)可以放大。直流状态和交流状态均正常。 b)无放大作用。因 N 沟通 MOS 管的漏极电流应为 DD V +,将 DD V -改为 DD V + c ） 无放大作用。因 0=BEQ U ,直流工作状态不正常，应将 B R 接在
b 极与 cc V +端 d ）无放大作用。因对交流而言输入短路，i U 加不到 e 结上。应在 b 极和 cc V +间加电阻 B R . 已知共源极电路如图所示。其中，管子的 m g ＝0.7ms, Ω=K R 2001， Ω=Ω=Ω=Ω=Ω=K R K R K R M R K R L S D G 5,2,5,1,512。 （1）求 i r 和 0r ； （2）求 u A ＝i U U 0 。
A、PEMOS B、增强型 MOS 管 C、JFET D、NEMOS C 场效应管用于放大时，应工作在（）区。 A、可变电阻 B、夹断 C、击穿 D、恒流（饱和） D 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是 （）。 A. 增强型 PMOS B. 增强型 NMOS C. 耗尽型 PMOS D. 耗尽型 NMOS
耗尽型,N 沟道 下图中的 FET 管处于＿＿＿＿工作状态。
截止
下图中的 FET 管工作于＿＿＿＿状态。
可变电阻区 下图中的 FET 管工作于＿＿＿＿状态。
饱和 三、单项选择题 U GS＝0V 时，不能够工作在恒流区的场效应管有。 A、结型管 B、增强型 MOS 管 C、耗尽型 MOS 管 D、NEMOS B U GS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A、PEMOS B、增强型 MOS 管 C、耗尽型 MOS 管 D、NEMOS C U GS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。
三极管放大电路试题
三极管放大电路试题1. 下列说法正确的是( )放大器的输入电阻越小越好(正确答案)放大器的输入电阻越大越好放大器的输出电阻和输人电阻相等放大器的输出电阻越大越好2. 有些放大电路在发射极电阻旁并上个电容Ce,则Ce的作用是（）A.稳定静态工作点B.交流旁路，减少信号在Re上的损失(正确答案)C.改善输出波形D.减小信号失真3.在固定偏置放大电路中，若静态工作点比较高，则输入信号较大时，电路将首先出现（）失真。
A.交越失真B.双重失真C.截止失真D饱和失真(正确答案)4. 分压式偏置电路与固定式偏置电路相比较，能够（）A.确保电路工作在放大区B.提高电压放大倍数C.提高输入电阻D.稳定静态工作点(正确答案)5. 在分压式偏置电路中若将下偏置电阻阻值减小，电路中的静态工作点（）A.ICQ增大B.VCEQ增大(正确答案)C.VCEQ减小D.VCEQ、ICQ不变6. 多级放大器的上、下限截止频率变化情况是（）A.上限频率变大B.下限频率变大(正确答案)C.下限频率变小D.上限频率不变7. 多级放大器中具有阻抗变换功能的耦合方式是（）A.阻容耦合B.变压器耦合(正确答案)C.直接耦合D.光电耦合8. 已知Ai=1000,则Gi=（）A.30dBB.90dBC.40dBD.60 dB(正确答案)9. 放大器的输出电路Ro越小，则（）A.带负载能力越强(正确答案)B.带负载能力越弱C.放大倍数越低D.通频带越宽10. 在晶体管放大电路中，若电路的静态工作点太低，将会产生（）A.饱和失真B.截止失真(正确答案)C.交越失真D.不产生失真11. 放大电路在未输人交流信号时，电路所处于工作状态是（）A.静态(正确答案)B.动态C.放大状态D.截止状态12. 放大器的通频带指的是（）A.上限频率以下的频率范围B.下限频率以上的频率范围C.下限频率以下的频率范围D.上下限频率之间的频率范围(正确答案)一个多级放大器由两个相同的放大器组成，已知每级的通频带为15KHZ,放大器总通频带为（）A.15KHZB.30KHZC.大于15KHZD.小于15KHZ(正确答案)14. 放大器的功率增益定义式为（）A.AP=Po/PIB.GP=20LgAPC.GP=20Lg(Po/PI)D.GP=10LgAP(正确答案)15. 在分压式偏置放大电路中，当三极管的β值增大时，电路中的静态工作点（）A.IBQ增大B.IBQ减小(正确答案)C.VBEQ增大D.IEQ减小16.两级放大器的放大倍数AV1=30,AV2=50,输人信号有效值Vi=1mV,输出端信号有效值应为（）A.80mVB.1.5V(正确答案)C.0.15VD.150V17.某三极管的极限参数为VBR=25V,ICM=13mA,PCM=130mW,在以下工作条件哪个是允许的？（）A.Ic=12mA,VCE=10V(正确答案)B.Ic=20mA,VCE=10VC.Ic=120mA,VCE=3VD.Ic=40mA.VCE=50V18. 画交流通路时（）A.把电容视为开路，电源视为短路B.把电源和电容都视为开路C.把电容视为短路，电源视为开路D.把电源和电容都视为短路(正确答案)19. 放大器设置合适的静态工作点，以保证晶体管放大信号时，始终工作在（）A.饱和区B.截止区C.放大区(正确答案)D.击穿区20. 在基本放大电路中，描述放静态工作点的参数正确的是（）A.Ib,Ic,VceB.IB,IC,VCE(正确答案)C.iB,iC,VCED.ib,ic.,vce21. 在放大电路中，交直流电压电流用（）表示。
三极管及放大电路题库(114道)
三极管及放大电路1、用指针式万用表检测某晶体三极管时，用红表笔搭接1脚，黑表笔分别搭接23脚时，指针偏转角均较大。
这说明此三极管类型为——[单选题]A PNP型，且1脚为基极B PNP型，且2脚为基极C NPN型，且1脚为基极D NPN型，且2脚为基极正确答案：A2、下图所示的各晶体管工作正常，无损坏。
测得四个三极管各极对地的电压如图所示，则VT1VT2VT3VT4分别工作在——[单选题]A 放大区放大区饱和区截止区B 放大区截止区饱和区截止区C 放大区截止区饱和区放大区D 饱和区截止区放大区放大区正确答案：A3、 NPN型三极管处于放大状态时，下列各极电位或电压关系正确的是——[单选题]ABCD正确答案：D4、分压式工作点稳定电路如图所示，已知β=60，UCE(sat)=0.3VUBE=0.7V。
三极管基极电位UB约为（）——[单选题]A 2VB 3VC ４ＶD ５Ｖ正确答案：C5、在图示电路中，已知VCC＝12V，晶体管的ß＝100， RB＝100kΩ。
当Ui＝0V时，测得UBE＝0.7V，若要基极电流IB＝20μA，则RW为（）kΩ。
——[单选题]A 465B 565C 400D 300正确答案：A6、用指针式万用表检测下图所示三极管，黑表笔接1脚，红表笔分别接23脚时的指针偏转角均较大。
这说明该管为——[单选题]A NPN型，且1脚为基极B NPN型，且1脚为发射极C PNP型，且1脚为基极D PNP型，且1脚为集电极正确答案：A7、如图所示，该两级放大电路的输出电阻是——[单选题]A 4 kΩB 1.3 kΩC 3 kΩD 1.5 kΩ正确答案：C8、在图示电路中，已知VCC＝12V，晶体管的ß＝100，若测得IB＝20μA，UCE＝6V，则Rc＝（）kΩ。
——[单选题]A 3B 4C 6D 300正确答案：A9、如图所示，晶体管的β均为50，rbe均为1.6kΩ，该两级放大电路的输入电阻是——[单选题]A 1.3 kΩB 27 kΩC 3 kΩD 10 kΩ正确答案：A10、共射基本放大电路基极偏置电阻，一般取值为（）——[单选题]A 几欧至几十欧B 几十欧至几百欧C 几百欧至几千欧D 几十千欧至几百千欧正确答案：D11、放大器的低频区指的是——[单选题]A 上限频率以上的频率范围B 下限频率以上的频率范围C 下限频率以下的频率范围D 放大器上限频率和下限频率之间的频率范围正确答案：C12、在多级放大电路中，易产生零点漂移（）——[单选题]A 变压器耦合B 阻容耦合C 直接耦合D 光电耦合正确答案：C13、从放大器输入端看进去的等效电阻称为放大器的——[单选题]A 输入电阻B 输出电阻C 等效电阻D 负载电阻正确答案：A14、以下关于三极管的说法中，错误的是——[单选题]A 三极管属于双极型器件B 三极管内存在三个PN结C 三极管的穿透电流随温度升高而增大D 当NPN型三极管处于放大状态时，三极管各极电位VC>VB>VE正确答案：B15、射极跟随器就是（）——[单选题]A 共发射极放大电路B 共基极放大电路C 共集电极放大电路D 信号的输出是从发射极输出正确答案：C16、放大器为避免出现线性失真，应使其工作在——[单选题]A 高频区B 低频区C 中频区D 截止频率正确答案：C17、测得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为0V-0.7V 和-4.7V，则该管为（）。
三极管放大电路题集
三极管放大电路，反相器题集1，放大电路如图所示，已知三极管的BE V =0.7V ，β=50,be r =1K Ω （1）计算静态工作点Q （2）计算源电压放大倍数sov v 、 输入电阻、输出电阻。
2，在图所示的放大电路中，已知V V CC 12=，V V BE 6.0=，Ω=k R B 201，Ω=k R B 102，Ω=501E R ，Ω=k R E 32，Ω==k R R L C 4，40=β，试求：（1）估算电路的静态工作点（2）电压放大倍数、输入电阻、输出电阻 （3）若不计1E R ，再求电压放大倍数、输入电阻3，在图所示电路中，12CC =U V ，20B1=R k Ω，10B2=R k Ω，2C =R k Ω，200E1=R Ω，8.1E2=R k Ω，200s =R Ω，3L =R k Ω，晶体管的6.0BE =V V ，50=β，信号源电压10s =V mV 。
试求：（1）静态值I B 、I C 、V CE 。
（2）输入电阻r i 和输出电阻r o 。
（3）求输出电压V o 的值。
4，题图所示电路中,已知V CC =6 V ，V EE =6 V ，R C =２ k Ω，R E =１ k Ω，v s + v o － CCU BEQ =0.7 V ，β=50，静态时V C =0。
（1）（6分）求I BQ 、I CQ 和U CEQ ；（2）（2分）求R ； （3）（2分）画出交流通路。
5，电路和各元件的参数如题所示，β=50，U BE 忽略不计。
（1）画出直流通路，求静态工作点I BQ 、I CQ 、U CEQ ；（4分） （2）画出交流通路，求输入电阻r i 、输出电阻r o ；（4分） （3）求电压放大倍数A V ；（1分） （4）若u i =20sin(100 t +20°) mV ，试写出u o 的表达式。
（1分）6，如图所示电路，已知三极管V 1的V BE =0.6V ，V CES =0.4V ，β=50，试求（1）电路能否正常工作及Vo 的值；（8分）（2）在输入为8V 时要使三极管饱和，R 1应如何选取？7，如题83图所示电路中，三极管的U BE =0.7V ，U CES =0.3V ，二极管为理想二极管。
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第五章FET三极管及其放大管
一、判断题
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
（）。
√
场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。
（）×
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
（）×
I DSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS=0时的漏极电流。
（）
×
若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）前往
×
互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )
√
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
( )
×
I DSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS=0时的漏极电流。
( )
×
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
( )
√
与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳
定性好等优点。
（）
√
场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。
（）
×
二、填空题
场效应管放大电路中，共＿＿极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反
相；共＿＿极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。
源，栅
场效应管是利用＿＿电压来控制＿＿电流大小的半导体器件。
V GS（栅源电压），I D（漏极）
场效应管是＿＿＿＿控制半导体器件，参与导电的载流子有＿＿＿＿种。
电压，1
当u gs=0时，漏源间存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管。
耗尽型，增强型
场效应管具有输入电阻很＿＿＿＿、抗干扰能力＿＿＿＿等特点。
大，强
输出电压与输入电压反相的单管半导体三极管放大电路是＿＿＿＿。
共射（共源）
共源极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。
共射
共漏极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。
共集
图所示场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是＿＿＿＿沟道＿＿＿＿MOS管。
耗尽型,N沟道
下图中的FET管处于＿＿＿＿工作状态。
截止
下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。
可变电阻区
下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。
饱和
三、单项选择题
U GS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有。
A、结型管
B、增强型MOS管
C、耗尽型MOS管
D、NEMOS B
U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A、PEMOS
B、增强型MOS管
C、耗尽型MOS管
D、NEMOS C
U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A、PEMOS
B、增强型MOS管
C、JFET
D、NEMOS
C
场效应管用于放大时，应工作在（）区。
A、可变电阻
B、夹断
C、击穿
D、恒流（饱和）
D
已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（）。
A. 增强型PMOS
B. 增强型NMOS
C. 耗尽型PMOS
D. 耗尽型NMOS
B
下面的电路符号代表（）管。
A、耗尽型PMOS
B、耗尽型NMOS
C、增强型PMOS
D、增强型NMOS
D
下图为（）管的转移曲线图。
A、耗尽型PMOS
B、耗尽型NMOS
C、增强型PMOS
D、增强型NMOS
B
当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将（）。
A、增大
B、不变
C、减小
D、增大或者减小
A
U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管是（）。
A、结型管
B、增强型MOS管
C、耗尽型MOS管
D、耗尽型FET都可能D
四、计算分析题
改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。
要求保留电路的共漏接法。
解：（a）源极加电阻R S。
（b）漏极加电阻R D。
（c）输入端加耦合电容。
（d）在R g支路加－V GG，＋V D D改为－V DD
改正电路如下图所示。
未画完的场效应管放大电路如图T1所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。
要求给出两种方案。
解：
分析下图中电路是否有放大作用？并且提出改进方案。
a)可以放大。
直流状态和交流状态均正常。
b)无放大作用。
因N 沟通MOS 管的漏极电流应为DD V +,将DD V -改为DD V +
c ）无放大作用。
因
=BEQ U ,直流工作状态不正常，应将B R 接在b 极与cc V +端
d ）无放大作用。
因对交流而言输入短路，i U 加不到
e 结上。
应在b 极和cc
V +间加电阻B R .
已知共源极电路如图所示。
其中，管子的m g ＝0.7ms,
Ω=K R 2001，
Ω=Ω=Ω=Ω=Ω=K R K R K R M R K R L S D G 5,2,5,1,512。
（1）求i r 和0r ；
（2）求u A ＝i U U 0。
解：
（1）由等效电路图可得
21R // R R r G i += =1000+5120051
200+⨯Ω≈K 1000=1M Ω
根据等效电路，利用求输出电阻的方法可得 Ω==K R r D 50
（2）因 /
L R =L //R D R =5//5=2.5K Ω 所以 /
L m u R g A -==5.27.0⨯-=75.1-
10、场效应管电路如图所示，已知)m V (sin 20i t u ω=，场效应管的m S 58.0m =g 试求该电路的交流输出电压u o 的大小。
解：
D m gs
gs
D m i
o R g v v R g v v -=-=
•
•
••
（3分）
=-0.58mS*12k (1分) v 0=-0.58mS*12k*)mV (sin 20t ω=-139.2mV (2分)
电路如图所示，设R =0.75k Ω，R g1 = R g2 = 240k Ω，R s =4k Ω，场效应管的g m =11.3mS ，r ds =50k Ω，试求源极跟随器的源电压增益A vs 、输人电阻R i 和输出电阻R o 。
（2分）
（4分）
（2分）
电路如图所示，设场效应管的参数为g m1=0.8mS，λ1 = λ2 = 0.01V-1。
场效应管的静态工作电流I D = 0.2mA。
试求该共源放大电路的电压增益。
如图为场效应管放大电路的等效图，
（3分）
（2分）
（1分）
电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为g m ，试写出u
A 、R i 和R o 的表达式。
解：u
A 、R i 和R o 的表达式分别为 D
o 2
13i L
D )(R R R R R R R R g A m u =+=-=∥∥
场效应管放大电路如图所示。
O U i o
（1）画出电路的交流通路；
（2）画出电路的交流等效电路；
（3）若静态点处的跨导m g =2mA/V ，
试计算u A 、i r 、0r 。
（4）2.2M Ω电阻影响静态点吗？其作用是什么？
解：（1）
i
（2）
i
（3）()1010//102'-=⨯-=-=L m u R g A
()Ω=22i r
()Ω=k r 100
（4）ΩM 2.2电阻不影响静态工作点。
因栅极电流为0，其作用是为提高输入电阻。
电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为g m ，试写出u
A 、R i 和R o 的表达式。
解：u A 、R i 和R o 的表达式分别为 D o 213i L D )(R R R R R R R R g A m u =+=-=∥∥
五、设计题。