半导体三极管及其放大电路练习及答案
6-10复习题及答案.
第六章基本放大电路一、填空题1、当NPN半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。
（发射极，集电极，基，集电）2、根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。
（共基电路，共射电路，共集电路）3、三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
（输入特性，输出特性）4、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。
（IB，VBE ）5、为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。
（截止，减小，增大）6、三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
（基极，集电极）7、共射组态既有放大作用，又有放大作用。
（电压，电流）8、画放大器交流通路时，和应作短路处理。
（电容，电源）二、选择题1、工作在放大区域的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β值约为。
（B）A、10B、50C、80D、1002、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将（D）A、增大B、减少C、反向D、几乎为零3、为了使三极管可靠地截止，电路必须满足（D）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结和集电结都正偏D、发射结和集电结都反偏4、测得三极管IB=30μA时，IC = 2.4mA ；IB=40μA时，IC = 1mA，则该管的交流电流放大系数为。
（B）A、80B、60C、75D、1005、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的。
（C）A、iCB、uCEC、iBD、iE6、下列各种基本放大器中可作为电流跟随器的是。
（B）A、共射接法B、共基接法C、共集接法D、任何接法7、放大电路的三种组态。
（C）A、都有电压放大作用B、都有电流放大作用C、都有功率放大作用D、只有共射极电路有功率放大作用8、晶体管构成的三种放大电路中，没有电压放大作用但有电流放大作用的是（D）A、共集电极接法B、共基极接法C、共发射极接法D、以上都不是三、问答题：1. 放大电路中为什么要设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？答：为了不失真地放大交流信号，必须在电路中设置合适的静态工作点。
电气工程半导体三极管及其电路分析习题及解答
第二章半导体三极管及其电路分析题 有二个晶体管，一个β=200，I CEO =200µA；另一个β=50，I CEO =10µA 其余参数大致相同。
你以为应选用哪个管子较稳固？解： 选β=50,I CEO =10μA 的管子较稳固。
题 有甲、乙两个三极管一时识别不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压别离为：甲管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =；乙管V X =9V ，V Y =6V ，V Z =。
试分析三个电极中，哪个是发射极、基极、集电极？它们别离是NPN 型仍是PNP 型，是锗管仍是硅管？解： 甲管为NPN 型硅管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极；乙管为PNP 型锗管， 其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极。
题 共射电路如图题所示。
现有以下各组参数：（1） V CC =15V ，R b =390k Ω，R c =Ω，β=100（2） V CC =18V ，R b =310k Ω，R c =Ω，β=100（3） V CC =12V ，R b =370k Ω，R c =Ω，β=80（4） V CC =6V ，R b =210k Ω，R c =3 k Ω，β=50判定电路中三极管T 的工作状态（放大、饱和、截止）。
图题解： (1)工作在放大状态(工作在放大区)；(2)工作在饱和状态(工作在饱和区)；(3)工作在放大状态(工作在放大区)；(4)工作在放大状态(工作在放大区)。
题 从图题所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型和电路中所处的工作状态。
（1） 是锗管仍是硅管？（2） 是NPN 型仍是PNP 型？（3） 是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断仍是短路？）[提示：注意在放大区，硅管V V V V E B BE 7.0≈-=，锗管V V BE 3.0≈，且E C CE V V V -=>；而处于饱和区时，V V CE 7.0≤。
半导体三极管及其放大电路练习及标准答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
第五章FET三极管及其放大管考试试题及答案
下面的电路符号代表（）管。 A、耗尽型 PMOS B、耗尽型 NMOS C、增强型 PMOS D、增强型 NMOS
D 下图为（）管的转移曲线图。 A、耗尽型 PMOS B、耗尽型 NMOS C、增强型 PMOS D、增强型 NMOS
B 当场效应管的漏极直流电流 I D 从 2mA 变为 4mA 时，它的低频跨 导 g m 将（）。
a)可以放大。直流状态和交流状态均正常。 b)无放大作用。因 N 沟通 MOS 管的漏极电流应为 DD V +,将 DD V -改为 DD V + c ） 无放大作用。因 0=BEQ U ,直流工作状态不正常，应将 B R 接在
b 极与 cc V +端 d ）无放大作用。因对交流而言输入短路，i U 加不到 e 结上。应在 b 极和 cc V +间加电阻 B R . 已知共源极电路如图所示。其中，管子的 m g ＝0.7ms, Ω=K R 2001， Ω=Ω=Ω=Ω=Ω=K R K R K R M R K R L S D G 5,2,5,1,512。 （1）求 i r 和 0r ； （2）求 u A ＝i U U 0 。
A、PEMOS B、增强型 MOS 管 C、JFET D、NEMOS C 场效应管用于放大时，应工作在（）区。 A、可变电阻 B、夹断 C、击穿 D、恒流（饱和） D 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是 （）。 A. 增强型 PMOS B. 增强型 NMOS C. 耗尽型 PMOS D. 耗尽型 NMOS
耗尽型,N 沟道 下图中的 FET 管处于＿＿＿＿工作状态。
截止
下图中的 FET 管工作于＿＿＿＿状态。
可变电阻区 下图中的 FET 管工作于＿＿＿＿状态。
饱和 三、单项选择题 U GS＝0V 时，不能够工作在恒流区的场效应管有。 A、结型管 B、增强型 MOS 管 C、耗尽型 MOS 管 D、NEMOS B U GS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A、PEMOS B、增强型 MOS 管 C、耗尽型 MOS 管 D、NEMOS C U GS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。
晶体三极管及其放大电路答案1
晶体三极管及其放大电路一、填空题。
1. 三极管有二个PN结，即发射结和集电结，在放大电路中发射结必须正偏, 集电结必须反偏.2. 三极管有 NPN 型和 PNP 型。
3。
三极管各电极电流的分配关系是IE =IC+IB。
4. 三极管输出特性，曲线可分为三个区域，即放大区、截止区和饱和区。
当三极管工作在放大区时,关系式IC =βIB才成立；当三极管工作在截止区时，IC=0；当三极管工作在饱和区时，UCE=05. 有两只三极管，A管的β=200，ICEO =100μA;B管的β=60,ICEO=15μA; B 管比 A管性能好。
6. 三极管的反向饱和电流ICBO 随温度升高而增大，穿透电流ICEO随温度升高而增大，β值随温度的升高而增大。
7. 某三极管的管压降UCE 保持不变，基极电流IB=30uA时，IC=1。
2mA，则发射极电流IE=1.23mA 。
如果基极电流IB 增大到50uA时,IC增加到2mA，则三极管的电流放大系数β= 40 。
8。
工作在放大状态的三极管可作为放大器件，工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为开关器件。
9。
处于放大状态的三极管，IC 与IB的关系是 I C=βI B，处于饱和状态的三极管I C 不受IB控制，不能实现放大作用，处在截止状态的三极管IC0A .10。
PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中发射极电位最高，集电极电位最低。
11. 放大电路的功率放大倍数为100,功率增益为 10dB 。
12. 输入电压为400mV，输出电压为4V,放大电路的电压增益为 10 dB 。
13. 晶体三极管放大电路中，当输入信号达到一定时，静态工作点设置太低将使信号产生截止失真。
14. 在共射极放大电路中，当RC减小，而其它条件不变,则晶体三极管负载线变上升 .共射极放大电路的输出信号是取自于三极管的集电与发射极.15. 用NPN管的分压式偏置放大电路中，如果把上偏置电阻减小而其它不变,则三极管的集电极电流将升高。
半导体三极管与基本电路试题和答案
第二章半导体三极管及其基本电路一、填空题1、(2-1，中)当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。
2、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。
3、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
4、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。
5、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。
6、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。
7、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
8、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
9、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。
10、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。
11、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。
可判定该三极管是工作于区的型的三极管。
12、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；b．管型是（NPN，PNP）；c．材料是（硅，锗）。
13、(2-1，中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。
14、(2-1，低)温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C，静态工作点。
15、(2-1，低)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降V BE则随温度的增加而。
16、(2-1，低)画放大器交流通路时，和应作短路处理。
17、(2-2，低)在多级放大器里。
前级是后级的，后级是前级的。
三极管及放大电路测试题
、三极管及放大电路测试卷一、选择正确答案填入空内，只需填入A 、B 、C 、D1．已知图示电路中晶体管的100β，k 1be r ，在输入电压为有效值等于10mV 的1kHz 正弦信号时，估计输出电压有效值为____过____。
（ A ．0.5V ， B ．1V ， C ．2V ， D ．5V ）。
+V CC C 2C 1R b 300k 2k(+12V)10F10F 2kR L R c u iu o？？？2.放大电路如图所示，已知硅三极管的50，则该电路中三极管的工作状态为（）。
3.放大电路如图所示，已知三极管的05，则该电路中三极管的工作状态为（）。
？？4.放大电路A 、B 的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得A 的输出电压小，这说明A 的（）。
A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小答： B答：BA. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定答： CA. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定答： B5.关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（）。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(D. CBOBR CEO BR EBO BR U U U )()()(答： B6.在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（）。
A.C BEI I I B. ?BC I βI C. CEO CBOI I )1( D.答： C7.图示电路中，欲增大U CEQ ，可以（）。
A. 增大RcB. 增大R LC. 增大R B1D. 增大？？？8、射极输出电路如图所示，分析在下列情况中L R 对输出电压幅度的影响，选择：2（1）．保持i U 不变，将L R 减小一半，这时o U 将____；（2）．保持s U 不变，将L R 减小一半，这时o U 将____。
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷
《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷一、单项选择题1.在三极管放大器中,三极管各极电位最高的是( )。
(2 分)A.NPN管的集电极B.PNP管的集电极C.NPN管的发射极D.PNP管的基极2.在一块正常放大的电路板上,测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.3V、-14V,下列符合该三极管的有( )。
(2 分)A.PNP型三极管B.硅三极管C.1脚是发射极D.2脚是基极3.一般要求放大电路的( )。
(2 分)A.输入电阻大,输出电阻大B.输入电阻小,输出电阻大C.输入电阻大,输出电阻小D.输入电阻小,输出电阻小4.用万用表判别三极管的管脚时,应该( )。
(2 分)A.用R×1挡或R×10挡B.先判别出基极BC.先判别出发射极ED.不需判别是NPN还是PNP5.三极管按内部结构不同,可分为( )。
(2 分)A.NPN型B.PNP型C.硅管D.锗管6.一个三级放大器,工作时测得A u1=100,A u2= -50,A u3=1,则总的电压放大倍数是( )。
(2 分)A.51B.100C.-5000D.17.在单管共发射极放大电路中,其输出电压u o与输入电压u i( )。
(2 分)A.频率相同B.波形相似C.幅度相同D.相位相反8.有三只晶体三极管,除β和I CEO不同外,其他参数一样,用作放大器件时,应选用( )。
(2 分)A.β=50,I CEO=0.5 mAB.β=140,I CEO=2.5 mAC.β=10,I CEO=0.5 mA9.晶体三极管中电流固定不变的分配原则是:( )。
(2 分)A.B.C.10.在分压式偏置电路中,已知R B1=20kΩ,R B2=10 kΩ,R C=2 kΩ,R E=2kΩ,U CC=12V,β=50,R L=2kΩ。
设U BEQ=0,I CQ为( )。
(2 分)A.1mAB.2mAC.3mAD.4mA二、判断题11.( )功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号。
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半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
a 共射极b 共集电极c 共基极答案：a26.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是 _______a 晶体管的电流放大系数太大b 电源电压太高c 晶体管参数随环境温度的变化而变化答案：c27. 在放大电路中，直流负反馈可以 ________a 提高晶体管电流放大倍数的稳定性b 提高放大电路的放大倍数c 稳定电路的静态工作点答案：c28. 可以放大电压，但不能放大电流的是 _________ 放大电路。
a 共射极b 共集电极c 共基极答案：c29. 射极输出器无放大 _________ 的能力。
a 电压b 电流c 功率答案：a30. 在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是 _______ 放大电路。
a 共射极b 共集电极c 共基极答案：b31. 与空载相比，接上负载后，放大电路的动态范围一定_______a 不变b 变大c 变小答案：c32.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kΩ的负载后输出电压降为3V，则此电路的输出电阻为_______a 0.5kWb 1kWc 2kW答案：b35. 在多级放大电路中，即能放大直流信号，又能放大交流信号的是 _______ 多级放大电路。
a 阻容耦合b 变压器耦合c 直接耦合答案：c36 . 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式)多级放大电路相比，低频响应______a 好b 差c 相同37. 在多级放大电路中，不能抑制零点漂移的 ______ 多级放大电路。
a 阻容耦合b 变压器耦合c 直接耦合38. 若三级放大电路的Au1 =Au2=30dB，Au3=20dB，电路将输入信号放大了______ 倍。
a 80b 800c 1000039. 有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，Ri=2kΩ，Ro=3kΩ。
现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为 ______a 40dBb 32dBc 16dB40.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移，因此会引起放大电路的输出信号产生失真。
这种失真称为 ______ 失真。
a 饱和b 截止c 频率41.放大电路的两种失真分别为 ______ 失真。
a 线性和非线性b 饱和和截止c 幅度和相位42. 直接耦合多级放大电路与阻容耦合（或变压器耦合)多级放大电路相比，低频响应 _______a 差b 好c 差不多44. 在考虑放大电路的频率失真时，若输入信号Ui为正弦波，则输出信号___a 会产生线性失真b 会产生非线性失真c 为正弦波45.在晶体管组成的三种基本放大电路中，_______ 放大电路的高频特性最好。
a 共射极b 共集电极c 共基极46. 对于多级放大电路，其通频带与组成他的任何一级单级放大电路相比 _____a 变宽b 变窄c 两者一样47. 多级放大电路的级数愈多则上限频率fH _________a 越高b 越低c 无变化48. 具有相同参数的两级放大电路在组成它的各个单管的截至频率处，幅值下降 _______a 3dBb 6dBc 20dB49. 多级放大电路的级数愈多，则高频附加相移 _________a 越大b 越小c 无变化51. 已知某晶体管的fT=150MHz,βb=50。
当其工作频率为50MHz时，fβ≈_____a 50MHzb 30MHzc 3MHz52. 单级阻容耦合放大电路加入频率为fH和fL的输入信号时，输出电压的相位与中频区相比，在量值上有_______ 度的附加值。
a180 b 90 c 4553在单级阻容耦合放大电路的波特图中，(1)频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为_______a 20dB/ 十倍频， -20dB/ 十倍频，b 20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，c -20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，(2)相频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为_______a 45 ° / 十倍频， -45 ° B/ 十倍频b 45 ° / 十倍频， 45 ° B/ 十倍频c - 45°/ 十倍频， -45 ° B/ 十倍频54.工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100答案：C二、判断题55.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）答案：×56.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）答案：×57.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ）答案：×58.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ ）答案：√59.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（ ）答案：×60.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（ ）答案：×三、解答题61.电路如图PT3.4所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，'bb r=100Ω，静态时｜U BEQ ｜≈0.7V 。
试求：（1）静态时T 1管和T 2管的发射极电流。
（2）若静态时u O ＞0，则应如何调节R c2的值才能使u O ＝0V ？若静态u O ＝0V ，则R c2＝？电压放大倍数为多少？图T3.4解：（1）T 3管的集电极电流I C3＝（U Z －U BEQ3）/ R e3＝0.3mA静态时T 1管和T 2管的发射极电流I E1＝I E2＝0.15mA（2）若静态时u O ＞0，则应减小R c2。
当u I ＝0时u O ＝0，T 4管的集电极电流I CQ4＝V EE / R c4＝0.6mA 。
R c2的电流及其阻值分别为Ω≈+=-=-=k 14.7mA 14.0C2c1BEQ4E4E4c2CQ4C2B4C2R R I U R I R I I I I I ＝β电压放大倍数求解过程如下：Ω≈++=Ω≈++=k 74.2mV 26)1(k 7.10mV 26)1(EQ4bb'be4EQ2bb'be2I r r I r r ββ{}29718)1( 5.16 2])1([21e4be4c42be2e4be4c21－∥≈⋅=-≈++-=≈++=u u u u u A A A R r R A r R r R A ββββ62.电路如图P4.8所示，具有理想的对称性。
设各管β均相同。
（1）说明电路中各晶体管的作用；（2）若输入差模电压为（u I1－u I2），则由此产生的差模电流为△i D ，求解电路电流放大倍数A i 的近似表达式。
解：（1）图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。
T 1和T 2、T 3和T 4分别组成的复合管为放大管，T 5和T 6组成的镜像电流源为有源负载。
（2）由于用T 5和T 6所构成的镜像电流源作为有源负载，将左半部分放大管的电流变化量转换到右边，故输出电流变化量及电路电流放大倍数分别为 ββββ)1(2 )1(2I O IO +≈∆∆=∆+≈∆i i A i i i63.若两级放大电路各级的波特图均如图P5.2所示，试画出整个电路的波特图。
解：dB 60lg 20m=u A 。
在折线化幅频特性中，频率小于10Hz 时斜率为＋40dB/十倍频，频率大于105Hz 时斜率为－40dB/十倍频。
在折线化相频特性中，f ＝10Hz 时相移为＋90o ，f ＝105Hz 时相移为－90o 。