紫外纳米压印技术的研究进展_殷敏琪
纳米压印技术进展及应用

纳米压印技术进展及应用一、概述纳米压印技术,作为一种前沿的微纳加工技术,近年来在科研与工业界引起了广泛的关注。
该技术通过机械转移的方式,将模板上的微纳结构高精度地复制到待加工材料上,从而实现了对材料表面的纳米级图案化。
与传统的光刻技术相比,纳米压印技术不仅具有超高的分辨率,而且能够大幅度降低加工成本,提高生产效率,因此在微电子、生物医学、光学等众多领域展现出了广阔的应用前景。
纳米压印技术的发展历程可追溯至20世纪90年代中期,由美国普林斯顿大学的_______教授首次提出。
随着研究的深入和技术的不断完善,纳米压印技术已经逐渐从实验室走向了产业化。
纳米压印技术已经能够实现对各种材料的微纳加工,包括硅、金属、聚合物等,并且在加工精度和效率方面均取得了显著的进步。
在应用领域方面,纳米压印技术已经在半导体器件制造、生物医学传感器、光学元件制造等多个领域取得了成功的应用案例。
在半导体器件制造中,纳米压印技术可用于制造微处理器、存储器等微纳器件,提高器件的性能和可靠性;在生物医学领域,纳米压印技术可用于制造仿生材料、生物传感器等,为疾病的诊断和治疗提供新的手段;在光学领域,纳米压印技术可用于制造微纳透镜、光纤等光学元件,提高光学系统的性能。
纳米压印技术作为一种新型的微纳加工技术,具有广泛的应用前景和巨大的市场潜力。
随着技术的不断进步和应用领域的不断扩展,纳米压印技术将在未来发挥更加重要的作用,推动科技和工业的快速发展。
1. 纳米压印技术的定义与基本原理纳米压印技术,作为一种前沿的微纳加工技术,正逐渐在微电子、材料科学等领域展现出其独特的优势。
该技术通过机械转移的方式,实现了对纳米尺度图案或结构的高效、精确复制,为制备具有纳米特征的结构和器件提供了强有力的手段。
纳米压印技术的基本原理在于利用压力和热力学效应,将具有纳米结构的模具上的图案转移到待加工材料表面。
制备一个具有所需纳米结构的模具,这一步骤通常依赖于电子束或光刻技术等高精度加工方法。
纳米压印光刻工艺的研究进展和技术挑战

g n r t g s b 1 0 m tu t r s e e ai u 一 0 n s r c u e ,wh c e d o m a e t e p te nn y tm o e c m p i n ih tn s t k h a tr i g s se m r o l — c td a d e p n i e a e n x e sv .Th a omp i tl h g a h en n i rn i o r p y,wh c e l e a tr r n frb od t ih r ai sp te n ta s e yam l z rp iai gp o e s a r wn s ro s at n in d e t t i h r r s l to n o tefc e l tn r c s ,h s d a e iu te to u o is hg e e ou in a d c s— fe — c t e es i n s .Asag o ercc n tan h o o mi gp o e s h a o mp itl h g a h rn s v e m ti o s ri tr e f r n r c s ,t en n i rn i o rp yb i g t
d mi a t n n — a rc t n p o e s t e o v n i n l p i a l h g a h e h i u s h v o n n a o f b ia i r c s , h c n e to a o t l i o r p y t c n q e a e o c t r a h d t e rl is i e o u i n,a d a s o t r wa e e g h o x o u e l h s n e e o e c e h i i t n r s l to m n h re v ln t fe p s r i ti e d d f r g
影响微纳热压印质量的关键因素

影响微纳热压印质量的关键因素发布时间:2021-11-10T06:31:26.951Z 来源:《科技新时代》2021年9期作者:蒋梦琳李克杰周鑫磊卢治中严航兵[导读] 纳米压印胶是目前纳米压印技术研发的关键材料,对纳米压印的质量起到关键作用[1]。
(台州职业技术学院台州市 318000)摘要:纳米压印是一种可以制造微纳结构的并行技术,具有成本低、生产效率高和设备简易的特点。
本文主要从聚合物材料的结构、组成等角度阐述了影响微纳热压印图案质量的关键因素,最后提出了未来发展方向。
关键词:微纳热压印;聚合物;材料性能;压印质量1引言20世纪90年代中叶提出的纳米压印( Nanoimprint1ithography一NIL) 和其他光刻技术相比具有高分辨率、高效率、低成本, 适合产业化批量生产的优势,正逐渐成为微纳加工技术的一种重要方式。
纳米压印技术的快速发展,也刺激了纳米压印胶的深刻变革, 聚合物类型也由原本单一的热塑性材料发展到热固性材料、紫外固化材料;其成分也由纯有机物质拓展至有机硅杂化材料、含氟聚合物材料。
纳米压印胶是目前纳米压印技术研发的关键材料,对纳米压印的质量起到关键作用[1]。
2 影响纳米压印聚合物压印质量的因素2.1聚合物的流动形变与传统光刻工艺相比,纳米热压印技术不是通过改变聚合物的化学特性实现聚合物的图形化,而是通过聚合物的受热、受力变形来实现其图形化。
因此,研究聚合物在高温、高压下的流动和松弛形变是了解其结构与性能的桥梁,对于提高压印稳定性能具有重要的意义。
图1温度、相对分子质量、交联等对聚合物的力学性能的影响[2] 。
如图1[2]所述,当压印温度低于玻璃化转变温度(Tg) 时,分子的能量很低,链段和整链运动均被冻结,只有侧基、链接、链长、键角等的局部运动。
从高分子运动的松弛过程看,链段运动的松弛时间远远大于力作用时间,那些较小的运动单元,如链节、侧基仍能运动,同时原子共价键和次价键都能振动,玻璃态的形变就是由这些运动模式引起的。
热纳米压印技术的研究进展

2019年第38卷第4期传感器与微系统(Transducer and Microsystem Technologies )檸檸檸檸檸檸檸檸檸檸檸檸殠殠殠殠综述与评论DOI :10.13873/J.1000—9787(2019)04—0001—03热纳米压印技术的研究进展*韩丽娟,孙洪文,殷敏琪,王海滨(河海大学物联网工程学院,江苏常州213022)摘要:介绍了热纳米压印(T-NIL )的要素制备、工艺流程,分析了温度、压力、时间等因素对T-NIL 技术的影响。
针对这些因素,阐述了T-NIL 技术的最新研究进展,包括抗粘连处理方法、加热加压方式、模具及光刻胶材料的选择、T-NIL 设备等。
介绍了T-NIL 技术在不同领域的应用。
关键词:热纳米压印;模具;光刻胶中图分类号:TN 305.7文献标识码:A文章编号:1000—9787(2019)04—0001—03Research development of thermal nanoimprintlithography technology *HAN Li-juan ,SUN Hong-wen ,YIN Min-qi ,WANG Hai-bin (College of Internet of Things Engineering ,Hohai University ,Changzhou 213022,China )Abstract :The preparation of key elements and technological process of thermal nanoimprint lithography (T-NIL )are introduced.The effects of temperature ,pressure and time on thermal nanoimprint lithography technology are analyzed.The latest research progress of thermal nanoimprint lithography technology ,including anti-adhesion treatment method ,heating and pressurization method ,the selection of mould and photoresist materials and T-NIL equipment are described.Applications of thermal nanoimprint lithography technology in different fields are introduced.Keywords :thermal nanoimprint lithography (T-NIL );mold ;photoresist引言纳米压印(nanoimprint lithography ,NIL )技术作为下一代光刻技术[1],最新已达到5nm 的特征尺寸,至今已用于医学、药学、化学及生物检测、制造业等领域。
向下一代半导体制造技术“UV纳米压印光刻”的普及迈进

向下一代半导体制造技术“UV纳米压印光刻”的普及迈进本文1588字,阅读约需4分钟摘要:UV纳米压印光刻是一种利用紫外光的精密加工技术,因其优异的工艺速度和可大面积加工能力,作为一种适合大规模生产的低成本技术而备受关注。
本研究中,通过模拟再现了UV纳米压印光刻中,树脂填充过程中的分子行为,并阐明了成功将树脂填充到数纳米的沟(槽)中所必需的特性。
该研究成果为UV纳米压印光刻中的树脂选择和设计提供了指导,并有望为提高半导体制造效率作出贡献。
关键字:半导体制造技术、UV纳米压印光刻、精密加工技术、低成本、树脂填充概要UV纳米压印光刻是一种精密加工技术,它用紫外光(UV)固化树脂填充基板,使用模具(模板)对纳米级图案压缩成形后,照射紫外光以瞬间固定形状。
UV纳米压印光刻因其优异的工艺速度和可大面积加工能力,作为适合大规模生产的低成本技术备受关注。
然而,决定图案形成成败的UV固化树脂分子的行为尚未阐明。
研究小组以4种UV固化树脂为对象,对UV纳米压印光刻中宽度为数纳米的微细沟槽的填充过程进行了分子动力学模拟,并阐明了成功填充所需的主要分子特征。
该研究为UV纳米压印光刻中的树脂选择和设计提供了指导,并有望为提高半导体制造等微细加工技术效率作出贡献。
研究背景为增加可记录在半导体芯片上的信息量,需要缩小电路的线宽,并尽可能将电路画得更密集。
在现有技术中,在基板上涂上感光剂后,将除电路图案以外的区域遮盖,然后用UV光照射,使被照射区域的感光材料熔化,基板暴露;通过在该区域添加蚀刻剂,暴露区域与蚀刻剂发生反应,基板由此变得凹凸不平。
然而,为了制作超精细的电路图案,在制造过程中存在消耗大量电力的问题。
纳米压印光刻作为一种精密加工技术备受关注,其功耗成本低于现有方法。
其中,UV纳米压印光刻在工艺速度和加工面积方面表现突出,正在半导体制造和生命科学领域投入实际应用。
然而,另一方面,由树脂的机械性能造成的缺陷一直是一个问题,例如在填充过程中用于加工的树脂粘附在模具上或从基板上剥离。
纳米压印法制备金属纳米结构的研究

纳米压印法制备金属纳米结构的研究引言:近年来,纳米科学与纳米技术在各个领域中取得了突破性的进展。
在纳米领域中,金属纳米结构的合成和制备一直是研究的热点之一。
而纳米压印法作为一种简便有效的制备金属纳米结构的方法,引起了广泛人们的兴趣和研究。
1. 纳米压印法的工作原理纳米压印法是通过模压的方式,将模板上的微/纳米结构直接转移到金属表面,从而制备出具有相应结构形貌的金属纳米结构。
该法可通过机械力或热力使模板与金属之间发生变形,从而实现微/纳米结构的复制。
纳米压印法具有制备速度快、成本低廉以及结构精度高等特点,因此备受研究者青睐。
2. 纳米压印法的研究进展目前,纳米压印法在制备金属纳米结构方面已经取得了显著的研究进展。
首先是对纳米压印法的工艺参数进行调控,以实现对金属纳米结构的精确控制。
研究者通过控制压印速度、压印温度以及不同金属的选择等工艺参数,使得制备的纳米结构具有不同的形貌和尺寸。
然后,在纳米压印法中引入新的方法和工具,以改善制备金属纳米结构的效果。
例如,研究者使用超高分辨率探针显微镜技术,可以将纳米模板的复制精度提高到纳米级别,从而制备出更为精细的纳米结构。
另外,一些研究者还探索了纳米压印法与其他制备方法的结合,如电化学沉积、溶胶凝胶法等,以共同推动金属纳米结构的制备。
3. 纳米压印法的应用前景纳米压印法的快速高效和可控性使其在多个领域中具有广泛的应用前景。
首先,在光学领域中,纳米压印法可以制备出具有特殊光学性能的金属纳米结构,如光纳米透镜、纳米光栅等,有望在光学成像和传感器等方面发挥重要作用。
其次,在电子领域,纳米压印法可以制备出具有特殊电子输运性能的金属纳米结构,用于开发高性能的纳米电子器件。
此外,纳米压印法还可用于生物医学领域中,制备具有特殊生物活性和生物兼容性的金属纳米结构,用于药物传递、生物传感和生物成像等方面的研究和应用。
结论:纳米压印法是一种简单高效的制备金属纳米结构的方法,具有制备速度快、成本低廉以及结构精度高等优点。
纳米压印技术的研究进展[1]
![纳米压印技术的研究进展[1]](https://img.taocdn.com/s3/m/7eeee554852458fb770b5651.png)
昂贵的光刻设 备。原理 上来看 , 纳米压 印技术在图 案制作上 没有 任何限制 , 因此它能通过电子束刻 蚀和其他技 术制作的 模版 来压印任意的图形。近十年的发展 , 纳米压印 技术发展 出很多种不同 的方法 , 但是 可以 大概归 纳为 以下几 种 : 热纳 米压印 ( HE- NIL) 、 紫 外 固化 纳 米压 印 ( UV - NIL ) 、 软 压印 ( SIL)
5- 6!
。
7!
。作为一
2. 1 热纳米压印 ( HE- NIL) 热纳米压 印 技术 的工 艺 过程 有 三步 : 压印 模 版 的制 备、 压印过程、 图形转移。首先 , 通过电 子束刻蚀或 者反应离 子束刻蚀技术来 制作 高精度 的模 版。为了 延长 模版的 使用 寿命和确保模 版精度 的稳 定性 , 一 般使 用 SiC、 Si 3N4、 SiO2 等 机械性能好 , 热膨胀系数低的材料来 制作模版。制 作好模版 后 , 在用来制备 纳 米图 案的 基 片上 旋涂 上 一层 聚合 物 薄膜 ( 常见的是 PMMA ) , 加 热聚 合物 薄膜 至其 玻璃 化温 度 Tg 之 上 , 然后使用压印模 版压在 聚合 物上面 , 施 加一 定压力 保持 一段 时间 , 待聚合物 充分填 充压 印模版 的图 形区域 后 , 降低 温度至 Tg 以下 后脱 模 , 该 过程 即为 压印过 程。压 印后 被压 的凹 下去的那部分聚合薄膜还会留有很少一 部分 , 为了使其 不覆盖在基底 表面 , 须除去 该残 留层 , 一般 的方 法是使 用各 向异 性反应离子束刻蚀。该部分的压印过程如图 2。
8!
量生产。针 对这一情 况 , 清华大 学提 出一 种改进 方法
:利
两个 优点 : 软模版具 有一定 的弹 性 , 能很好 的解 决模版 和基 底之间的平面 度和平行 度误 差问题 ; 软 模具 易于脱 模 , 不易 与抗 蚀剂粘连。 软压印主要包括微接触印刷法
紫外纳米压印技术的研究进展

3、统计分析
统计分析在紫外纳米压印技术的研究中也扮演着重要角色。研究人员通过统 计分析方法,对实验数据进行处理和分析,以获得更加准确和可靠的实验结果。 此外,研究人员还通过对实验结果进行比较和分析,评估不同因素对制作工艺和 印刷效果的影响,为优化提供依据。
研究成果和不足
紫外纳米压印技术已经取得了显著的研究成果。首先,该技术的应用领域不 断扩大,为各个领域的研究和应用提供了新的思路和方法。其次,该技术的制作 工艺和印刷效果得到了显著提高,实现了高精度、高速度和高效率的生产制造。 然而,紫外纳米压印技术也存在一些不足之处,例如制作成本较高、适用范围有 限等,需要进一步加以改进和完善。
1、理论分析
理论分析在紫外纳米压印技术的研究中具有重要地位。研究人员通过建立数 学模型,对压印过程中的各种因素进行分析和优化,以实现更精确的印刷效果。 此外,研究人员还通过计算机模拟和仿真技术,对制作工艺和印刷效果进行预测 和评估,为实际应用提供指导。
2、实验研究
实验研究是紫外纳米压印技术发展的关键环节。研究人员通过实验方法,对 不同材料、不同工艺参数进行实验分析,以确定最佳的制作工艺和印刷效果。此 外,研究人员还通过对实验数据的分析和整理,对理论分析进行验证和修正。
2、压印精度和分辨率的提高在纳米压印技术的发展过程中,提高压印精度 和分辨率一直是重要的目标。近年来,通过改进压印工艺和研发新型材料,已经 实现了高精度的纳米压印。10纳米的分辨率。
3、复合材料的应用在纳米压印过程中,有时需要使用特殊的复合材料以获 得更好的性能。近年来,研究人员在复合材料的应用方面也取得了一些进展。例 如,一种含有纳米颗粒的复合材料已经被用于制造高导电性的纳米结构。
参考内容二
紫外纳米压印技术是制备高精度纳米结构的重要手段,而图形转移层与模压 曝光工艺是实现这一技术的关键环节。本次演示将着重探讨这两部分内容的研究 现状与进展。
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收稿日期 :2 0 1 6 - 1 1 - 2 9 ) 基金项目 : 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目 ( 0 1 5 B 2 2 5 1 4 2 :h 通信作者 : 孙洪文 ,E-m a i l h u c s h w@1 6 3. c o m
毷
紫外纳米压印技术的研究进展
殷敏琪 , 孙洪文 , 王海滨
( ) 河海大学 物联网工程学院 , 江苏 常州 2 1 3 0 2 2
3 4 7
微 纳 电 子 技 术
:1 / D . c n k i . w n d z . 2 0 1 7. 0 5. 0 1 0 E O I 0. 1 3 2 5 0 E A C C: 2 5 5 0 G j
0 引 言
第5 4卷 第5期 2 0 1 7年5月 毷 櫴櫴櫴櫴櫴櫴櫴櫴櫴櫴櫴毷
微纳电子技术
M i c r o n a n o e l e c t r o n i c T e c h n o l o g y
V o l . 5 4 o . 5 N 2 M a 0 1 7 y
櫴櫴櫴櫴櫴櫴櫴櫴櫴櫴櫴毷 ( R 2 R-N I L)
( o l l e e n t e r n e t h i n s n i n e e r i n o h a i n i v e r s i t h a n z h o u2 1 3 0 2 2, h i n a) C o I o T E U C C g g g g,H y, g f f
:A A b s t r a c t l t h o u h t h e t r a d i t i o n a l UV n a n o i m r i n t l i t h o r a h UV-N I L) i s n o t l i m i t e d b t h e g p g p y( y , , e x o s u r e w a v e l e n t h, i t s t i l l h a s m a n r o b l e m s s u c h a s t h e r e s i d u a l b u b b l e n o n u n i f o r m i m- p g y p r i n t a t t e r n a n d s h o r t l i f e t i m e o f t h e m o u l d . S e v e r a l n o v e l UV-N I L r o c e s s e s a r e d e v e l o e d t o p p p p , r o r e s s o f r o c e s s f a c t o r s r o c e s s e st h e r e c e n t r e s e a r c h s o l v e t h e r o b l e m s .A c c o r d i n t o t h e s e p g p p p g , f o r t h e UV-N I L t e c h n o l o a r e d e s c r i b e d i n c l u d i n m a t e r i a l s a n d c u r r e n t f a b r i c a t i o n r o c e s s e s o f g y g p , m o u l d s a n d r e s i s t s a n d t h e r o c e s s e s a n d c h a r a c t e r i s t i c s o f t h e s t e a n d f l a s h i m r i n t l i t h o r a h p p p g p y ( ,UV F t r R 2 R-N S I L) r o l l o o l l n a n o i m r i n t l i t h o r a h I L) a n d s o o n a r e l i s t e d .T h e a t t e r n - - - p g p y( p , c u r i n a n d d e m o u l u a l i t o f t h e UV-N I L i s i n f l u e n c e d b h s i c a l b e h a v i o r s o f t h e r e s i s t f i l l i n - y p y g g q y , d i n . B a s e d o n t h e r e c e n t e x e r i m e n t a l s t u d i e s t h e b a s i c r i n c i l e o f t h e UV-N I L i s o v e r v i e w e d g p p p t h e o r e t i c a l l a n d t h e r o b l e m s o f t h e r e s i s t f l o w a n d m o u l d d e r a d a t i o n a r e m a i n l i n d i c a t e d . F i - y, p g y , n e a l l s o m e c u t t i n d e a l i c a t i o n s o f t h e UV-N I L a r e b r i e f l i n t r o d u c e d . - y g g p p y : UV ; ; UV-N K e w o r d s n a n o i m r i n t l i t h o r a h I L) e s i s t t h e r m a l n a n o i m r i n t l i t h o r a h r p g p y( p g p y y ( ;s ;r F t r T-N I L) t e a n d f l a s h i m r i n t l i t h o r a h S I L) o l l o o l l n a n o i m r i n t l i t h o r a h - - - p p g p y ( p g p y
[] P P P DMS,h DMS 和 X- DMS 等 系 列 材 料 5 。 随 s - - 着对压印精度 、 模具寿命要求的不断提升 , 实验研
。
在传统的光刻技术受到曝光波长极限限制的情
[] 况下 , 华 裔 科 学 家 S . Y. C h o u等人 2 于1 9 9 5年提
[ 1]
1 紫外纳米压印工艺要素
1 . 1 模具制作 紫外纳米压印所选取的模具 ( 或称为印章 ) 往 往根据需 求 而 变 化 , 但 对 其 特 性 要 求 一 般 差 别 不 大 : 要考虑模具是否具有合适的杨氏模量 、 较低的 表面能 以 及 与 抗 蚀 剂 ( 光刻胶) 间 较 低 的 黏 连 性 等 。 紫外纳米压印模具与其他纳米压印模具的最大 区别在于其需要对紫外光保持良好的透光性 。 模具 的制作工艺一般有电子束曝光 、 反应离子刻蚀 、 化 学气相沉积等传统赋形技术 。 最新的研究也有对这 些传 统 工 艺 的 改 进 , 例 如 在 2 0 1 0 年 , A. C a t t o n i
R e s e a r c h P r o r e s s i n U V N a n o i m r i n t L i t h o r a h T e c h n o l o g p g p y g y
, Y i n M i n i S u n H o n w e n,W a n H a i b i n q g g
纳米技术在现代科技中有着不可或缺的作用, 历经三十多年 的 发 展 , 纳 米 科 技 已 成 为 量 子 力 学 、 分子生物学 、 微电子技术等多个现代科学与技术结 合的产物 , 而纳米 技 术 的 应 用 更 是 涉 及 多 个 产 业 。 就微电子 领 域 而 言 ,2 0 1 5年国际半导体技术发展 路线图 ( n t e r n a t i o n a l t e c h n o l o r o a d m a f o r i g y p , ) 预 测 半 导 体 体 积 于 s e m i c o n d u c t o r sI T R S 0 2 1 2 年可能不再缩小且会发 展 为 3 D 结 构, 特 征 尺 寸 将 达到 5 m 节 点, 同 时 微 电 子 机 械 系 统 ( i c r o n m - , ) 、 微 传 感 器 等 e l e c t r o m e c h a n i c a l s s t e m MEMS y 新型器件的制造将成为微电子发展的主题 。 随着这 些微纳级元件需求的日益增大 , 新的纳米制造工艺 成为了各国研究人员探寻的主要目标之一
4] 提出的新型制作工艺只需要单步的电 子 研究小组 [
束光刻实现母版模具制作 , 传统的聚甲基丙烯酸甲 酯 ( S Q) PMMA) 抗蚀剂被氢硅倍半环氧乙烷 ( H 负性抗蚀剂所代替 , 电子束光刻所需的四甲基氢氧 化铵 ( TMAH ) 显 影 液 也 换 为 基 于 氢 氧 化 钾 ( KOH) 的混 合 液 , 再 用 端 羟 基 聚 二 甲 基 硅 氧 烷 ) 、 聚二 甲 基 硅 氧 烷 ( ( P DMS DMS) 材 料 浇 铸 h P - 成双层的混合模具 , 新型的技术不但简化了模具的 生产步骤 , 同时提高了模具的分辨率以及延长了模 具的使用寿命 。 常用的 模 具 材 料 一 般 有 石 英 玻 璃 以 及 P DMS 材料 , 为了适应不同的压印技术以及需求 , 衍生出
加工 、 测量与设备
摘要 : 传统的紫外纳米压印 ( I L) 虽然不受曝光波长的限 制 , 但 是 存 在 气 泡 残 留 、 压 印 不 UV-N 均匀 、 模具寿命短等问题 。 为解决 这 些 问 题 产 生 了 各 种 新 型 UV-N I L 工 艺, 针 对 这 些 工 艺 阐 述 了紫外纳米压印技术工艺要素的最新研究进展 , 包括模具 、 光刻胶的材料与制备技术的现状 , 并 、卷对卷式紫外纳米压印光刻 ( 列举了步进 - 闪光压印光刻 ( F I L) 2 R-N I L) 等 工 艺 的 流 程 S R - 及其特点 。 紫外纳米压印的图形质量目前仍受光刻胶填充 、 固化 、 脱模等物理行为影响 。 结合最 近的实验研究 , 从理论方面概述了紫外纳米压印的基本原理 , 主要指出了光刻胶流动行为以及模 具降解等问题 。 最后介绍了一些紫外纳米压印技术的尖端应用 。 ; 抗蚀剂 ; 热 压 印 光 刻 ( ;步进-闪光压印光刻 关键词 : 紫外纳米压印光刻 ( I L) I L) T-N UV-N ; 卷对卷纳米压印光刻 ( ( F I L) 2 R-N I L) R S - )0 中图分类号 :TN 3 0 5. 7 文献标识码 :A 文章编号 :1 6 7 1 - 4 7 7 6( 2 0 1 7 5 - 0 3 4 7 - 0 8