电力电子技术第2章 电力电子器件
电力电子技术第二章总结

2016电力电子技术作业:第二章总结班级:XXXXXX学号:XXXXXXX姓名:XXXXXX第二章电力电子器件总结1.概述不可控器件——电力二极管(Power Diode) GPD FRD SBD半控型器件——晶闸管(Thyristor) FST TRIAC LTT典型全控型器件GTO GTR MOSFET IGBT其他新型电力电子器件MCT SIT SITH IGCT功率集成电路与集成电力电子模块HVIC SPIC IPM1.1相关概念主电路(Main Power Circuit):在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路。电力电子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。1.2特点电功率大,一般都远大于处理信息的电子器件。一般都工作在开关状态。由信息电子电路来控制,而且需要驱动电路(主要对控制信号进行放大)。功率损耗大,工作时一般都需要安装散热器。通态损耗,断态损耗,开关损耗(开通损耗关断损耗) 开关频率较高时,可能成为器件功率损耗的主要因素。电力电子器件在实际应用中的系统组成一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。关键词电力电子系统电气隔离检测电路保护电路三个端子1.3电力电子器件的分类按能够被控制电路信号控制的程度不同可分为半控型器件(开通可控,关断不可控) 全控型器件(开通,关断都可控) 不可控器件(开通,关断都不可控)按照驱动信号的性质不同可分为电流驱动型电压驱动型按照驱动信号的波形(电力二极管除外)不同可分为脉冲触发型电平控制型按照载流子参与导电的情况不同可分为单极型器件(由一种载流子参与导电) 双极型器件(由电子和空穴两种载流子参与导电)复合型器件(由单极型器件和双极型器件集成混合而成,也称混合型器件) 关键词控制的程度驱动信号的性质、波形载流子参与导电的情况工作原理基本特性主要参数2不可控器件——电力二极管(Power Diode)2.1结构与工作原理电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。PN节(PN junction):采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。N型半导体(N为Negative的字头,由于电子带负电荷而得此名):即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。P型半导体(P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名):即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。正向电流IF :当PN结外加正向电压(正向偏置)时,在外电路上则形成自P区流入而从N区流出的电流。反向截止状态:当PN结外加反向电压时(反向偏置)时,反向偏置的PN结表现为高阻态,几乎没有电流流过的状态。反向击穿:PN结具有一定的反向耐压能力,但当施加的反向电压过大,反向电流将会急剧增大,破坏PN 结反向偏置为截止的工作状态。雪崩击穿齐纳击穿(可以恢复) 热击穿(不可恢复)P-i-N结构电导调制效应(Conductivity Modulation):当正向电流较小时,管压降随正向电流的上升而增加;当正向电流较大时,电阻率明显下降,电导率大大增加的现象。关键词少子扩散运动空间电荷区(耗尽层、阻挡区、势垒区)结电容C J:PN结中的电荷量随外加电压而变化,呈现电容效应。(微分电容)扩散电容C D:扩散电容仅在正向偏置时起作用。正向电压较高时,扩散电容为结电容主要成分。势垒电容C B:势垒电容只在外加电压变化时才起作用,外加电压频率越高,势垒电容作用越明显。在正向偏置时,当正向电压较低时,势垒电容为主。作用:结电容影响PN结的工作频率,特别是在高速开关的状态下,可能使其单向导电性变差,甚至不能工作。2.2基本特性静态特性(伏安特性)门槛电压U TO 正向电压降U F反向漏电流是由少子引起的微小而数值定。动态特性结电容零偏置,正向偏置,反向偏置不能立即转换状态过渡过程正向偏置时延迟时间:t d=t1-t0电流下降时间:t f = t2 - t1反向恢复时间:t rr= t d + t f恢复特性的软度:S r= t f / t d,或称恢复系数,S r越大恢复特性越软。由零偏置转换为正向偏置过冲U FP: 原因:1)电导调制效应起作用所需的大量少子需要一定的时间来储存,在达到稳态导通之前管压降较大。2)正向电流的上升会因器件自身的电感而产生较大压降。电流上升率越大,UFP越高。正向恢复时间:t fr2.3主要参数正向平均电流I F(AV) 正向压降U F反向重复峰值电压U RRM最高工作结温T JM反向恢复时间t rr浪涌电流I FSM2.4主要类型普通二极管(General Purpose Diode)快恢复二极管(Fast Recovery Diode,FRD)肖特基二极管(Schottky Barrier Diode, SBD)3半控型器件——晶闸管(Silicon Controlled Rectifier,SCR)3.1结构和工作原理内部是PNPN四层半导体结构如图a) P1 区引出阳极A、N2 区引出阴极K、P2 区引出门极G 工作原理可以用双晶体管模型解释如右图b)。工作过程关键词: I G V2 I c2 I c1正反馈触发门触发电路其他几种可能导通的情况阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应阳极电压上升率du/dt过高光触发结温较高只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。3.2基本特性静态特性正常工作特性当晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,不论门极触发电流是否还存在,晶闸管都保持导通。若要使已导通的晶闸管关断,只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。伏安特性如右图所示包括正向特性和反向特性正向转折电压U bo维持电流I H反向最大瞬态电压U RSM反向重复峰值电压U RRM断态重复峰值电压U DRM断态最大瞬时电压U DSM动态特性如右图所示延迟时间t d (0.5~1.5μs)上升时间t r (0.5~3μs)开通时间t gt=t d+t r反向阻断恢复时间t rr正向阻断恢复时间t gr关断时间t q=t rr+t gr3.3主要参数(包括电压定额和电流定额)电压定额断态重复峰值电压U DRM反向重复峰值电压U RRM通态(峰值)电压U T通常取晶闸管的U DRM和U RRM中较小的标值作为该器件的额定电压。选用时,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3倍。电流定额通态平均电流I T(AV)维持电流I H擎住电流I L浪涌电流I TSM动态参数开通时间t gt和关断时间t q断态电压临界上升率d u/d t通态电流临界上升率d i/d t3.4晶闸管的派生器件快速晶闸管(Fast Switching Thyristor, FST)双向晶闸管(Triode AC Switch——TRIAC or Bidirectional Triode Thyristor) 逆导晶闸管(Reverse Conducting Thyristor, RCT)光控晶闸管(Light Triggered Thyristor, LTT)典型全控型器件4门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor, GTO)晶闸管的一种派生器件,但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断,因而属于全控型器件。4.1结构与工作原理其结构原理可以参考晶闸管数十个甚至数百个小GTO单元4.2基本特性静态特性和普通晶闸管类似动态特性储存时间t s下降时间t f尾部时间t t4.3主要参数最大可关断阳极电流I ATO电流关断增益 off开通时间t on关断时间t off5电力晶体管(Giant Transistor, GTR)5.1结构和工作原理与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。最主要的特性是耐压高、电流大、开关特性好。达林顿接法单元结构并联三层半导体两个PN结5.2基本特性右图所示静态特性右图所示动态特性右图所示5.3主要参数电流放大倍数 直流电流增益h FE集电极与发射极间漏电流I ceo 集电极和发射极间饱和压降U ces 开通时间t on 和关断时间t off 最高工作电压BU ceo :基极开路时集电极和发射极间的击穿电压实际使用GTR 时,为了确保安全,最高工作电压要比BU ceo 低得多。 集电极最大允许电流I cM 集电极最大耗散功率P cM6电力场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor FET, MOSFET) 6.1结构和工作原理6.3基本特性静态特性动态特性MOSFET 的开关速度和其输入电容的充放电有很大关系,可以降低栅极驱动电路的内阻R s ,从而减小栅极回路的充放电时间常数,加快开关速度。6.4主要参数跨导G fs 、开启电压U T 以及开关过程中的各时间参数。漏极电压U DS漏极直流电流I D 和漏极脉冲电流幅值I DM 栅源电压U GS极间电容 C GS 、C GD 和C DS 。N +GS DP 沟道b)N +N -S GD P P N +N +N +沟道a)GS DN 沟道图1-19漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决定了电力MOSFET的安全工作区。7绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor, IGBT or IGT) 综合了GTR和MOSFET的优点场控器件7.1结构和工作原理内部结构图其开通和关断是由栅极和发射极间的电压U GE决定的。7.2基本特性静态特性转移特性输出特性动态特性开通过程开通延迟时间t d(on)电流上升时间t r电压下降时间t fv开通时间t on= t d(on)+t r+t fvt fv分为t fv1和t fv2两段。关断过程关断延迟时间t d(off)电压上升时间t rv电流下降时间t fi关断时间t off = t d(off) +t rv+t fit fi分为t fi1和t fi2两段7.3主要参数最大集射极间电压U CES最大集电极电流最大集电极功耗P CM8其他新型电力电子器件MOS控制晶闸管MCT静电感应晶体管SIT静电感应晶闸管SITH集成门极换流晶闸管IGCT基于宽禁带半导体材料的电力电子器件。
第二章 - 5_IGBT(电力电子技术)

主要解决挚 住效应
改善饱和压降和开 关特性:N+缓冲 层、P+层浓度、 厚度最佳化、新 寿命控制,饱和 压降、下降时间 微细化工艺 均降低了30%以 上。
有选择的寿命控制,饱 和压降和关断时间 下降到1.5V/0.1ms。
沟槽技术
19
2.5 其他新型电力电子器件
2.5.1 MOS控制晶闸管MCT 2.5.2 静电感应晶体管SIT 2.5.3 静电感应晶闸管SITH 2.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT 2.5.5 基于宽禁带半导体材料的电力 电子器件
11
2.4.4 绝缘栅双极晶体管
■IGBT的主要参数 ◆前面提到的各参数。 ◆最大集射极间电压UCES ☞由器件内部的PNP晶体管所能承受的击穿 电压所确定的。 ◆最大集电极电流 ☞包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP。 ◆最大集电极功耗PCM ☞在正常工作温度下允许的最大耗散功率。
12
正向电流密度(A/sp.cm)
1000
IGBT
100 10 1 0.1 0 1 2
300V 600V 1200V 300V 600V 1200V
MOSFET
正向压降(V) 16
3
温度特性
功率MOSFET 导通时温升沟道电阻速增,200度时可达室温时的3倍。考 虑温升必须降电流定额使用。 IGBT 可在近200度下连续运行。导通时,MOS段的N通 道电阻具有正温度系数,Q2的射基结具有负温度系数,总 通态压降受温度影响非常小。
13
IGBT_5SNS 0300U120100
主要参数: • VCES 1200V • IC(DC) 300A • Tc(OP) -40~125oC • VCESAT IC300A ,VGE15V: 1.9V 25oC,2.1V125oC
《电力电子技术》第2章 电力电子器件

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上节课内容回顾
• 二、电力电子器件
1、概念:是指可直接用于处理电能的主电路中,实现 电能的变换或控制的电子器件。
2、特性:大功率、开关特性、驱动电路、损耗大,加散热
3、组成:主电路、控制电路、检测电路。。。。
4、分类:
1)控制程度:不控器件、半控器件、全控器件
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2.1.3 电力电子器件的分类
■按照载流子参与导电的情况 ◆单极型器件 ☞由一种载流子参与导电。 ◆双极型器件 ☞由电子和空穴两种载流子参与导电。 ◆复合型器件 ☞由单极型器件和双极型器件集成混合而成, 也称混合型器件。
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2.1.4 本章内容和学习要点
■本章内容 ◆按照不可控器件、半控型器件、典型全控型器件和其 它新型器件的顺序,分别介绍各种电力电子器件的工作 原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的 一些问题。
检测
控
电路
制
保护
电
电路
路
驱动ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
电路
V1 LR
V2
主电路
电气隔离
图2-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成
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2.1.3 电力电子器件的分类
■按照能够被控制电路信号所控制的程度 ◆半控型器件 ☞主要是指晶闸管(Thyristor)及其大部分派生器件。 ☞器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电 流决定的。 ◆全控型器件 ☞目前最常用的是 IGBT和Power MOSFET。 ☞通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关 断。 ◆不可控器件 ☞电力二极管(Power Diode) ☞不能用控制信号来控制其通断。
■学习要点 ◆最重要的是掌握其基本特性。 ◆掌握电力电子器件的型号命名法,以及其参数和特性 曲线的使用方法。 ◆了解电力电子器件的半导体物理结构和基本工作原理。 ◆了解某些主电路中对其它电路元件的特殊要求。
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电力电子技术第五版复习资料第1章绪论1 电力电子技术定义:是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,是应用于电力领域的电子技术,主要用于电力变换。
2 电力变换的种类(1)交流变直流AC-DC:整流(2)直流变交流DC—AC:逆变(3)直流变直流DC—DC:一般通过直流斩波电路实现(4)交流变交流AC-AC:一般称作交流电力控制3 电力电子技术分类:分为电力电子器件制造技术和变流技术。
第2章电力电子器件1 电力电子器件与主电路的关系(1)主电路:指能够直接承担电能变换或控制任务的电路.(2)电力电子器件:指应用于主电路中,能够实现电能变换或控制的电子器件.2 电力电子器件一般都工作于开关状态,以减小本身损耗。
3 电力电子系统基本组成与工作原理(1)一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。
(2)检测主电路中的信号并送入控制电路,根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。
(3)控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断.(4)同时,在主电路和控制电路中附加一些保护电路,以保证系统正常可靠运行.4 电力电子器件的分类根据控制信号所控制的程度分类(1)半控型器件:通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。
如SCR晶闸管。
(2)全控型器件:通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件。
如GTO、GTR、MOSFET 和IGBT.(3)不可控器件:不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。
如电力二极管.根据驱动信号的性质分类(1)电流型器件:通过从控制端注入或抽出电流的方式来实现导通或关断的电力电子器件。
如SCR、GTO、GTR.(2)电压型器件:通过在控制端和公共端之间施加一定电压信号的方式来实现导通或关断的电力电子器件。
如MOSFET、IGBT。
根据器件内部载流子参与导电的情况分类(1)单极型器件:内部由一种载流子参与导电的器件。
电力电子技术第2章 电力电子器件的驱动与保护

(b) (a)
图2-1 光电耦合器的类型及接法 a) 普通型 b) 高速型 c) 高传输比型
✓磁隔离的元件通常是脉冲变压器。
(c)
R:限流电阻
电力电子技术
4
2.1 电力电子器件的驱动电路
驱动电路分类
按驱动信号性质,可分为电流驱动型和电压驱动型。 具体形式可为分立元件、集成驱动电路。 双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合 集成电路。 首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路。
2.1.1 晶闸管触发电路
VD11
~VD
14
220 V 36V
+15 V
R15
C7 + C6 B
VD 15
+Vc + 15 V
VD 7
TP VD8
R18
R14 R
13
VD9
脉冲信号
C5
R16
VD6
VT7
VT8
电力电子技术
21
2.1.1 晶闸管触发电路
同步信号为锯齿波的触发电路工作波形
u ST
ωt
R15
图2-3b)磁耦合隔离的晶闸管驱动电路
前进
电力电子技术
12
2.1.1 晶闸管触发电路
3. 同步信号为锯齿波的触发电路
该电路可分为:脉冲形成与放大、锯齿波形成及脉冲移相、同步信 号处理
三个基本环节,以及双脉冲形成、强触发等环节。
同步 信号 同步
信号 处理
uK
锯齿 波形
成
脉冲 移相 控制
脉冲 形成 (单稳 态)
由阻断转为导通。 ✓触发信号可以是交流形式,也可直流形式,但它们对门极-阴极来 说必须是正极性的。 ✓为了减少功率,触发信号通常采用脉冲形式。 ✓往往包括相位控制电路。
第2章2电力电子器件Diode

电 力 电 子 器 件
从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者trr为 数百纳秒或更长,后者则在100ns以下,甚至达到20~30ns。 产品样本: DSEI 60 IXYS IR
MZK30.2.4
3. 肖特基二极管
电力二极管的主要类型
以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒 二极管(Schottky Barrier Diode 肖特基二极管的弱点 反向耐压提高时正向压降会提高,多用于200V以下。 反向稳态损耗不能忽略,必须严格地限制其工作温度。 — SBD)。
电 力 电 子 器 件
其反向恢复时间较长 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高 产品样本:DD171N VUO36 Eupec IXYS
自动化 谭健敏
电 力 电 子 技 术
2.2.4
电力二极管的主要类型
2) 快恢复二极管(Fast Recovery Diode — FRD) 简称快速二极管 快恢复外延二极管 (Fast Recovery Epitaxial Diodes——FRED),其trr更短 (可低于50ns), UF也很低(0.9V左右),但其反向耐压多 在1200V以下。
Power Diode结构和原理简单,工作可靠,自20世纪50年代初期 就获得应用。
快恢复二极管和肖特基二极管,分别在中、高频整流和逆变,以 及低压高频整流的场合,具有不可替代的地位。
电 力 电 子 器 件
整流二极管及模块
自动化 谭健敏
电 力 电 子 技 术
2.2
不可控器件 — 电力二极管·引言
电 力 电 子 器 件
二极管及符号
自动化 谭健敏
电 力 电 子 技 术
2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理
电力电子技术_第2章_器件5_IGBT

IGBT的转移特性和输出特性
a) 转移特性 b) 输出特性
• 当UCE<0时,IGBT处于方向阻断工作状态,在系统运行 中,IGBT处于开关状态,因而在正向阻断区和饱和区之 间来回转换。
1-8
IGBT的动态特性:开通特性
IGBT 的开通过程:与 MOSFET 的相似。
开 通 延 迟 时 间 td(on) : 10% uGE 到 10% iC幅值时间。 电流上升时间tr:10% iC幅值上升到 90% iC幅值时间。 集射电压下降时间 tfv : uCE 的下降 过程分为tfv1和tfv2两段。
1-5
集电极 C
N 沟道I G B T
IGBT实用等效电路
• Q1截止时IGBT的实 用等效电路 R d iD + • Uce<0,P N 反偏,反 VF 向阻断。Uce>0,N-P反 P u ds G 偏,正向阻断。正反 u ge N + 阻断能力近似相等。
C N
ic
P+
V u ce
iT
E
IGBT实用等效电路
栅极 Rd P G Q1 Q2 Rd N+ Q3 Q1 - + N PN 发射极 N+ P RB
C
N Q 2
P
+
P
RB
结构与电力 MOSFET区别 于N+层被P+ 层替换形成 IGBT的集电极
寄生三极管
Q2的出现使工作时产 生电导调制效应, NC C E 克服了高耐压与导 通电阻的矛盾。
P+ G G E E 图形符号
t 21 0.27ns Vceon 2.5V
tdoff
+ u g Vceon t -
电力电子技术_洪乃刚_第二章电力电子器件

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2、晶闸管的电流参数 通态平均电流和额定电流 通态平均电流IAV国际规 定是在环境温度为40°C和在规定冷却条件下,稳定结 温不超过额定结温时,晶闸管允许流过的最大正弦半 波电流的平均值。晶闸管以通态平均电流标定为额定 电流。 当通过晶闸管的电流不是正弦半波时,选择额定 电流就需要将实际通过晶闸管电流的有效值IT折算为 正弦半波电流的平均值,其折算过程如下: 通过晶闸管正弦半波电流的平均值 :
晶闸管开通和关断过程
晶闸管在受反向电压关断时,反向阻断恢复时间 trr,正向电压阻断能力恢复的这段时间称为正向阻断 恢复时间tgr,晶闸管的关断时间toff=trr+tgr,约为 数百微秒。 (2)dv/dt和di/dt限制 晶闸管在断态时,如果加在阳极上的正向电压上 升率dv/dt很大会使晶闸管误导通,因此,对晶闸管正 向电压的dv/dt需要作一定的限制。 晶闸管在导通过程中,如果电流上升率di/dt很 大 会引起局部结面过热使晶闸管烧坏,因此,在晶闸 管导通过程中对di/dt也要有一定的限制。
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二、电力二极管的伏安特性
当施加在二极管上的正向电压大于UTO 时, 二极管导通。当二极管受反向电压时,二极管仅 有很小的反向漏电流(也称反向饱和电流)。
二极管的伏安特性
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三、电力二极管的主要参数
A、额定电压 B、额定电流 C、结温
电力二极管实物图
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A、电力二极管的额定电压 反向重复峰值电压和额定电压: 额定电压即是能够反复施加在二极管上,二极 管不会被击穿的最高反向重复峰值电压URRM,该电压 一般是击穿电压UB的2/3。在使用中额定电压一般取 二极管在电路中可能承受的最高反向电压(在交流 电路中是交流电压峰值),并增加一定的安全裕量。
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☞PN结的空间电荷是随外加电压的变化而 变化的,例如当外加正向电压升高时,N 区的电子P区的空穴便进入耗尽层区而中 和一部分带正电荷的施主离子和带负电荷 的受主离子,这就好像有一部分电子和空 穴“存入”PN结,相当于电子和空穴分别 向势垒电容“充电”。
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2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理
◆ PN结具有一定的反向耐压能力,但当施加的反 向电压过大,反向电流将会急剧增大,破坏PN 结反向偏置为截止的工作状态,这就叫反向击穿。 ☞按照机理不同有雪崩击穿和齐纳击穿两种 形式 。 ☞反向击穿发生时,采取了措施将反向电流 限制在一定范围内,PN结仍可恢复原来的状态。 ☞否则就会使得反向电流和反向电压的乘积 超过了PN结允许的耗散功率,PN结就会因热量 散不出去而过热烧毁,这就是热击穿。
正向接法时内电场被削弱,扩散运动强于漂移运
动,掺杂形成的多数载流子导电,等效电阻较小。
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◆当PN结外加反向电压时(反向偏置) 时,反向偏置的PN结表现为高阻态,几乎 没有电流流过,被称为反向截止状态。
反向接法时内电场被增强,漂移运动强于扩散运
动,光热激发形成的少数载流子导电,等效电阻 很大。
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2.1.3 电力电子器件的分类
■按照驱动信号的性质 ◆电流驱动(控制)型 ☞通过从控制端注入或者抽出电流来实 现导通或者关断的控制。 ◆电压驱动(控制)型 ☞仅通过在控制端和公共端之间施加一 定的电压信号就可实现导通或者关断的控 制。
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2.1.3 电力电子器件的分类
■按照驱动信号的波形(电力二极管除外 ) ◆脉冲触发型 ☞通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实 现器件的开通或者关断的控制。一旦已进入导通或阻断 状态且主电路条件不变的情况下,器件就能够维持其导 通或阻断状态,而不必通过继续施加控制端信号来维持 其状态。 ◆电平控制型 ☞必须通过持续在控制端和公共端之间施加一定电平 的电压或电流信号来使器件开通并维持在导通状态或者 关断并维持在阻断状态。
c)
K
图2-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 基本结构 c) 电气图形符号
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2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理
■二极管的基本原理——PN结的单向导电性
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2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理
◆当PN结外加正向电压(正向偏置)时,在外电路上则形 成自P区流入而从N区流出的电流,称为正向电流IF,这 就是PN结的正向导通状态。
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2.2 不可控器件——电力二极管
2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 2.2.2 电力二极管的基本特性 2.2.3 电力二极管的主要参数 2.2.4 电力二极管的主要类型
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2.2 不可控器件——电力二极管·引言
■电力二极管(Power Diode)自20世纪50年代初期就获得 应用,但其结构和原理简单,工作可靠,直到现在电力二 极管仍然大量应用于许多电气设备当中。 ■在采用全控型器件的电路中电力二极管往往是不可缺少 的,特别是开通和关断速度很快的快恢复二极管和肖特基 二极管,具有不可替代的地位。
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2.1.3 电力电子器件的分类
■按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的 情况(与信息电子电路的电子器件类似) ◆单极型器件 (多子器件) ☞由一种载流子参与导电。 ◆双极型器件(少子器件) ☞由电子和空穴两种载流子参与导电。 ◆复合型器件 ☞由单极型器件和双极型器件集成混合而成, 也称混合型器件。
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2.1.4 本章内容和学习要点
■学习要点 ◆最重要的是掌握其基本特性。 ◆掌握电力电子器件的型号命名法,以及其主要 参数和特性曲线的意义和使用方法,是实际中正 确应用电力电子器件的两个基本要求。 ◆了解电力电子器件的半导体物理结构和基本工 作原理。从半导体物理结构和基本工作原理来讲, 电力电子器件与其在信息电子器件中的对应者基 本是相同的。但是为了能承受高电压和大电流, 电力电子器件又具有与其对应的信息电子器件的 不同之处。 ◆了解某些主电路中对其它电路元件的特殊要求。
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2.1.4 本章内容和学习要点
■本章内容 ◆按照不可控器件、半控型器件、典型全 控型器件和其它新型器件的顺序,分别介 绍各种电力电子器件的工作原理、基本特 性、主要参数以及选择和使用中应注意的 一些问题。而电力电子器件的驱动、保护 和串并联使用时的具体问题将在介绍完各 种电力电子电路之后在第9章介绍。
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2.1.1 电力电子器件的概念和特征
◆尽管工作在开关状态,但电力电子器件 自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器 件,为了保证不至于因损耗散发的热量导 致器件温度过高,不仅在其封装上比较讲 究散热设计,在其工作时一般都需要安装 散热器。
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2.1.1 电力电子器件的概念和特征
☞电力电子器件的功率损耗 通态损耗
整流二极管及模块 23/89
电力二极管实物图
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2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理
■电力二极管是以半 导体PN结为基础的, 实际上是由一个面积 较大的PN结和两端引 线以及封装组成的。 从外形上看,可以有 螺栓型、平板型等多 种封装。
A
K A I P N J b) K
K
A a)
A
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☞在电力电子器件由断态转为通态(开通过 程)或者由通态转为断态(关断过程)的 转换过程中产生的损耗,分别称为开通损 耗和关断损耗,总称开关损耗。
当器件的开关频率较低时开关损耗 可以忽略 , 当器件的开关频率较高 时,开关损耗会随之增大而可能成 为器件功率损耗的主要因素。
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2.1.1 电力电子器件的概念和特征
第2章 电力电子器件
引言
模拟和数字电子电路的基础 ——晶体管和集成电路等电子器件 电力电子电路的基础 ——电力电子器件 掌握各种常用电力电子器件的特性和正确使用方法 是我们学好电力电子技术的基础
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本章主要内容:
◆对电力电子器件的概念、特点和分类 等问题作了简要概述 。 ◆分别介绍各种常用电力电子器件的工 作原理、基本特性、主要参数以及选 择和用中应注意的一些问题。
断态损耗 开通损耗 开关损耗 关断损耗
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2.1.1 电力电子器件的概念和特征
☞ 电力电子器件在导通或者阻断状态下,并不 是理想的短路或者断路。导通时器件上有一 定的通态压降,阻断时器件上有微小的漏电 流流过。尽管其数值都很小,但分别与数值 较大的通态电流和断态电压相作用,就形成 了电力电子器件的通态损耗和断态损耗,数 值 比较可观。电力电子器件的断态漏电流都 极其微小,因而通态损耗是电力电子器件功 率损耗的主要成因。
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2.1.1 电力电子器件的概念和特征
■电力电子器件的概念 ◆电力电子器件(Power Electronic Device)是 指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的 变换或控制的电子器件。 ☞主电路:在电气设备或电力系统中,直接 承担电能的变换或控制任务的电路。 ☞广义上电力电子器件可分为电真空器件和 半导体器件两类,现在往往专指电力半导体器件, 目前电力半导体器件所采用得主要材料仍然是硅。
☞ 对有些器件来讲,驱动电路向其注入的 功率也是造成器件发热的原因之一
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2.1.1 电力电子器件的概念和特征
☞ 电力电子器件在导通或者阻断状态下,并不 是理想的短路或者断路。导通时器件上有一 定的通态压降,阻断时器件上有微小的漏电 流流过。尽管其数值都很小,但分别与数值 较大的通态电流和断态电压相作用,就形成 了电力电子器件的通态损耗和断态损耗,数 值 比较可观。电力电子器件的断态漏电流都 极其微小,因而通态损耗是电力电子器件功 率损耗的主要成因。 ☞
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2.1.3 电力电子器件的分类
■按照能够被控制电路信号所控制的程度 ◆半控型器件 ☞主要是指晶闸管(Thyristor)及其大部分派生器件。 ☞器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流 决定的。 ◆全控型器件(自关断器件) ☞目前最常用的是 IGBT和Power MOSFET。 ☞通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断。 ◆不可控器件 ☞电力二极管(Power Diode) ☞不能用控制信号来控制其通断,器件的导通和关断完 全是其在主电路中承受的电压和电流决定的。
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◆电力二极管不同于信息电子电路之处: ☞电力二极管大都是垂直导电机构,使得 硅片中通过电流的有效面积增大,可以显著 提高二极管的通流能力。 ☞电力二极管在P区和N区之间多了一层低 掺杂N区(N )(P-i-N结构),使其可以承受 很高的电压而不至被击穿。
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☞电导调制效应。 低掺杂N区具有高电阻率而不利于正向导通,这 个矛盾是通过电导调制效应来解决的。当PN结上流 的正向电流较小时,二极管的电阻主要是低掺杂N区 的欧姆电阻,其阻值较高且为常量,因而管压降随 正向电流增加而增加;当PN结上流过较大正向电流 时,由P区注入并积累在低掺杂N区的少子空穴浓度 将很大,为了维持半导体的电中性条件,其多子浓 度也相应大幅度增加,使得其电阻率明显下降,也 就是电导率大大增加,这就是电导调制效应。电导 调制效应使得电力二极管在正向电流较大时压降仍 然很低,维持在1V左右,所以正向偏置的电力二极 管表现为低阻态。
在模拟电子电路中,电子器件一般都工作在线性放大状态, 数字电子电路中的电子器件虽然一般也工作在开关状态, 但其目的是利用开关状态表示不同的信息。
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2.1.1 电力电子器件的概念和特征
◆由信息电子电路来控制 。由于电力电子 器件所处理的功率较大,因此普通信息电 子电路信号一般不能直接控制电力电子器 件的导通和关断,需要一定的中间电路即 驱动电路对这些信号进行适当的放大。