第6章 半导体器件

字电路里的开关元件，以及作为小电流的整流管。
电工电子技术
N型锗片 阳极 引线 阴极 引线
N型硅
铝合金小球
阳极引线 PN结 金锑合金 底座
金属触丝 (a)
外壳 (b) 阴极引线
图6.7半导体二极管的结构及符号 （a）点接触型结构;（b）面接触型结构;
电工电子技术
阳极 阴极 引线 引线
P N
a
阳极
阴极
极管的伏安特性。
电工电子技术
I / mA C 8 4 － 150 － 100 － 50 UB D R U E I I / A (a)
图6.8 二极管的伏安特性
二极管特性 R
A
B
I
＋ U － U/V
0 0.4 0.8 1.2 － 10 死区 － 20 电压
（a）硅二极管2CP6;
电工电子技术
I / mA C 8 4 UB － 40 － 30 － 20 － 10 － 0.2 A B 0 0.4 0.8 1.2 U / V 死区 电压
（a）硅原子；（b）锗原子；（c）简化模型
电工电子技术 本征半导体晶体结构示意图如图 6.2 所示。由图 6.2可见，各原子间整齐而有规则地排列着，使每个原 子的4个价电子不仅受所属原子核的吸引，而且还受相 邻4个原子核的吸引，每一个价电子都为相邻原子核所 共用，形成了稳定的共价键结构。每个原子核最外层 等效有8个价电子，由于价电子不易挣脱原子核束缚而 成为自由电子，因此，本征半导体导电能力较差。
电工电子技术 2. 反向击穿电压UB 反向击穿电压是指反向击穿时的电压值。击穿时， 反向电流剧增，使二极管的单向导电性被破坏，甚至 会因过热而烧坏。一般手册上给出的最高反向工作电 压约为击穿电压的一半，以确保管子安全工作。例如
2AP1最高反向工作电压规定为 20V，而实际反向击穿
电压可大于40V。
电工电子技术
一、本征半导体
本征半导体是一种纯净的半导体晶体。常用的半 导体材料是单晶硅（Si）和单晶锗（Ge）。 半导体硅和锗都是4价元素，其原子结构如图 6.1(a),(b)所示。
电工电子技术
价电子 电子轨道 惯性核
Si ＋ 14
Ge ＋ 32
＋4 价电子
原子核 (a) (b) (c)
图6.1半导体的原子结构示意图
综上所述，PN结正向偏置时，正向电流很大；PN
结反向偏置时，反向电流很小，这就是 PN 结的单向导 电性。
电工电子技术
6.2 半导体二极管
一、 半导体二极管的结构
半导体二极管又称晶体二极管，简称二极管。二
极管按其结构的不同可以分为点接触型和面接触型两类。 点接触型二极管的结构，如图 6.7 （ a ）所示。这 类管子的PN结面积和极间电容均很小，不能承受高的 反向电压和大电流，因而适用于制做高频检波和脉冲数
电工电子技术
反向电流不超过其最大稳定电流，就不会形成破坏性
的热击穿。因此，在电路中应与稳压管串联一个具有 适当阻值的限流电阻。
电工电子技术
电工电子技术
P区
N区
P
耗尽层空 间电荷区
N
扩散运动方向 (a)
图6.5PN结的形成
自建场 (b)
（a）多子扩散示意图；（b）PN结的形成
电工电子技术 2. PN结的单向导电性 1）PN结正向偏置——导通 给PN结加上电压，使电压的正极接P区，负极接N区 （即正向连接或正向偏置），如图 4.6 （ a ）所示。由于 PN结是高阻区，而P区与N区电阻很小，因而外加电压几 乎全部落在 PN 结上。由图可见，外电场将推动 P 区多子 （空穴）向右扩散，与原空间电荷区的负离子中和，推动 N区的多子（电子）向左扩散与原空间电荷区的正离子中 和，使空间电荷区变薄，打破了原来的动态平衡。同时电 源不断地向 P 区补充正电荷，向 N 区补充负电荷，其结果 使电路中形成较大的正向电流，由P区流向N区。这时PN 结对外呈现较小的阻值，处于正向导通状态。
电工电ห้องสมุดไป่ตู้技术
结变窄
结变宽
－＋
P
－－ ＋＋
N 自建场方向 P －－ ＋＋ N
－＋ －＋
－－ ＋＋
外电场方向 自建场方向
外电场方向 正向电流（很大） ＋ －
反向电流（很小） － ＋
(a)
图6.6PN结的单向导电性 （a）正向连接; （b）反向连接
(b)
电工电子技术
2）PN结反向偏置——截止
将PN结按图 6.6（b）所示方式连接（称 PN 结反 向偏置）。由图可见，外电场方向与内电场方向一致， 它将 N 区的多子（电子）从 PN 结附近拉走，将 P 区的 多子（空穴）从 PN 结附近拉走，使 PN 结变厚，呈现 出很大的阻值，且打破了原来的动态平衡，使漂移运 动增强。由于漂移运动是少子运动，因而漂移电流很 小；若忽略漂移电流，则可以认为PN结截止。
电工电子技术
＋4
＋4
＋4
自由电子
＋4 ＋5 ＋4
施主原子
＋4 ＋4 ＋4
图6.4 N型半导体的共价键结构
电工电子技术
三、 PN结的形成及特性
1. PN结的形成 在同一块半导体基片的两边分别形成N型和P型半 导体，它们的交界面附近会形成一个很薄的空间电荷 区，称其为PN结。
PN结的形成过程如图6.5所示。
图6.9
温度对二极管伏安特性的影响
电工电子技术
(3)当温度升高时，反向击穿电压减小。击穿现象
是由于大的反向电流使少数载流子获得很大的动能， 当它与ＰＮ结内的原子发生碰撞时，产生了很多的电 子—空穴对，使ＰＮ结内载流子数目急剧增加，并在反 向电压作用下形成很大的反向电流。因此温度升高时， 反向击穿电压减小。 综上所述，温度升高时，二极管的导通压降ＵF降 低，反向击穿电压UB减小，反向饱和电流IS增大。
电工电子技术 三、 半导体二极管的主要参数 二极管的参数是定量描述二极管性能的质量指标， 只有正确理解这些参数的意义，才能合理、正确地使 用二极管。 1. 最大整流电流IF
最大整流电流是指管子长期运行时，允许通过的
最大正向平均电流。因为电流通过ＰＮ结时要引起管 子发热。电流太大，发热量超过限度，就会使ＰＮ结 烧坏。例如２ＡＰ１最大整流电流为１６mA。
电工电子技术
二、 杂质半导体
在本征半导体中掺入微量的杂质元素，就会使半导 体的导电性能发生显著改变。根据掺入杂质元素的性质不 同，杂质半导体可分为P型半导体和N型半导体两大类。 1. P型半导体 P型半导体是在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的3 价元素（如硼、铟等）而形成的。因杂质原子只有3个价 电子，它与周围硅原子组成共价键时，缺少1个电子，因 此在晶体中便产生一个空穴，当相邻共价键上的电子受热 激发获得能量时，就有可能填补这个空穴，使硼原子成为 不能移动的负离子，而原来硅原子的共价键因缺少了一个 电子，便形成了空穴，使得整个半导体仍呈中性，如图 6.3所示。
电工电子技术 2. N型半导体 N型半导体是在本征半导体硅中掺入微量的5价元 素（如磷、砷、镓等）而形成的，杂质原子有5个价电 子与周围硅原子结合成共价键时，多出1个价电子，这 个多余的价电子易成为自由电子，如图4.4所示。
综上所述，在掺入杂质后，载流子的数目都有相
当程度的增加。因而对半导体掺杂是改变半导体导电 性能的有效方法。
作电压，否则管子容易损坏。
电工电子技术
4.2.4 特殊二极管
特殊用途的二极管在电子设备中早已得到广泛的应 用，这里简单介绍几种特殊用途的二极管。
1.稳压二极管
1）稳压特性 稳压二极管的伏安特性曲线、图形符号及稳压管电 路如图4.1０所示，它的正向特性曲线与普通二极管相似， 而反向击穿特性曲线很陡。在正常情况下稳压管工作在 反向击穿区，由于曲线很陡，反向电流在很大范围内变 化时，端电压变化很小，因而具有稳压作用。图中的UB 表示反向击穿电压，当电流的增量ΔIZ很大时，只引起很 小的电压变化ΔUZ。只要
电工电子技术
6.1 6.2 6.3 6.4
半导体的基础知识 半导体二极管 半导体三极管 场效应管
电工电子技术
6.1 半导体的基础知识
物体根据导电能力的强弱可分为导体、半导体和
绝缘体三大类。凡容易导电的物质（如金、银、铜、 铝、铁等金属物质）称为导体；不容易导电的物质 （如玻璃、橡胶、塑料、陶瓷等）称为绝缘体；导电 能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅、锗、硒等） 称为半导体。半导体之所以得到广泛的应用，是因为 它具有热敏性、光敏性、掺杂性等特殊性能。
I / A (b)
图6.8 二极管的伏安特性
（b）锗二极管2AP15
电工电子技术
1）正向特性
0A段：称为“死区”。 ＡＢ段：称为正向导通区。 2）反向特性 0Ｄ段：称为反向截止区。这时二极管呈现很高
的电阻，在电路中相当于一个断开的开关，呈截止状
态。
电工电子技术
ＤＥ段：称为反向击穿区。当反向电压增加到一
电工电子技术
＋4
＋4
＋4
共价键
＋4 ＋4 ＋4
价电子
＋4 ＋4 ＋4
图6.2单晶硅的共价键结构
电工电子技术 但是，如果能从外界获得一定的能量（如光照、温 升等），有些价电子就会挣脱共价键的束缚而成为自由 电子，在共价键中留下一个空位，称为“空穴”。空穴 的出现使相邻原子的价电子离开它所在的共价键来填补 这个空穴，同时，这个共价键又产生了一个新的空穴。
定值时，反向电流急剧加大，这种现象称为反向击穿。 发生击穿时所加的电压称为反向击穿电压，记做ＵB。 这时电压的微小变化会引起电流很大的变化，表现出 很好的恒压特性。同样，若对反向击穿后的电流不加 以限制，ＰＮ结也会因过热而烧坏，这种情况称为热 击穿。
电工电子技术 2. 温度特性 温度对二极管伏安特性的影响如图4.９所示。