第五章 光电子能谱分析
光电子能谱分析
光电子能谱分析光电子能谱分析是一种基于光电效应原理的表征材料电子结构和性质的重要技术手段。
通过研究材料的光电子能谱，可以得到材料中的电子能带结构、费米能级、元素组成等信息，从而深入了解材料的性质和反应过程。
本文将介绍光电子能谱分析的原理、仪器设备以及应用领域等内容。
一、光电子能谱分析的原理光电子能谱分析是基于光电效应的原理进行的。
光电效应是指当光束照射到物质表面时，光子与物质中的电子相互作用，使得电子从物质中抽离出来，形成光电子。
当光子的能量大于或接近于材料中最外层电子的束缚能时，光电子就会被抽离出来，并在外加电场的作用下被加速，形成具有动能的光电子。
通过测量光电子的动能和强度，就可以得到光电子能谱图。
二、光电子能谱分析的仪器设备光电子能谱分析需要使用光电子能谱仪。
光电子能谱仪主要由光源、样品台、能谱分析器和探测器等部分组成。
光源通常采用气体放电光源或光阴极等发射强度较高的光源，用于产生高能量的光子。
样品台用于固定待测材料，通过样品台上的电子能量分析器，对光电子的能量进行分析，从而得到光电子能谱。
探测器接收并放大光电子信号，将信号传递至数据采集系统进行记录和分析。
三、光电子能谱分析的应用领域光电子能谱分析在材料科学、表面物理化学、固体电子学等领域具有广泛的应用。
以下列举几个典型的应用领域：1. 材料表征与表面分析：通过光电子能谱分析，可以获取材料中电子能带结构、元素组成、表面形貌等信息，用于表征和研究材料的物理性质和化学反应过程。
2. 半导体器件分析：光电子能谱分析可用于研究半导体材料中的载流子分布、能量态密度分布等，从而为半导体器件的设计和性能优化提供依据。
3. 催化剂研究：光电子能谱分析可用于研究催化剂表面活性位点的形成、电子结构及与反应物的相互作用，有助于优化催化剂的催化性能。
4. 电子能带结构研究：通过对不同材料的光电子能谱分析，可以揭示材料电子能带结构的演化规律，深入了解材料的导电性质和能带间的相互作用机制。
第五章-紫外光电子能谱PPT优秀课件
' 0
E0V0
r/核 间 距 E0V0 → E1V’0 E0V0 → E1V’1 E0V0 → E1V’2
E1 E0
紫外光电子能谱的原理
• 在X射线光电子能谱(XPS)中，气体分子中原子的内层电子 激发出来以后，留下的离子也存在振动和转动激发态，但 是内层电子的结合能比离子的振动能和转动能要大得多， 而且X射线的自然宽度比紫外线大得多，所以通常不能分 辨出振动精细结构，更无法分辨出转动精细结构。
将发生类似的效应．
紫外光电子能谱的原理
从分子最高已占有的轨道激 发出一个电子以后生成的基 态分子离子是AB＋(X)，从 次高轨道激发出一个电子以 后生成的分子离子是AB＋ (A)，AB＋(B)等．它们的相 应的电离能分别是IP1, IP2,
IP3。这些离子可以有振动
态: p＝0，p＝l，p＝2等等。
•
光电子能谱学科的发展一开始就是从两个方面进行的。一
方面是Siegbahn等人所创立的X射线光电子能谱，主要用于测
量内壳层电子结合能。另一方面是Tunner等人所发展的紫外光
电子能谱，主要用于研究价电子的电离电能。
•
这两种技术的原理和仪器基本相同，主要区别在于，前者
采用X射线激发样品，后者采用真空紫外线激发样品．
紫外光电子能谱的原理
• 紫外光电子能谱测量与分子轨道能紧密相关的实 验参数——电离电位．
• 原子或分子的第一电离电位通常定义为从最高的 填满轨道能级激发出一个电子所需的最小能量．
• 第二电离电位定义为从次高的已填满的中性分子 的轨道能级激发电一个电子所需的能量．
紫外光电子能谱的原理
能量为 hv 的入射光子从分子中激发出一个电子以后， 留下一个离子，这个离子可以振动、转动或其它激发态 存在。如果激发出的光电子的动能为 Ek，则:
第五章 光电子能谱分析
样品的荷电及消除
荷电的产生 对于绝缘体样品或导电性能不好的样品，经X射 线辐照后，其表面会产生一定的电荷积累，主要 是荷正电荷。 荷正电主要原因是光电子出射后，在样品表面积 累的正电荷不能得到电子的补充所引起的。 样品表面荷电相当于给自由光电子增加了一定的 额外电场，使实测的结合能比正常的要高。
Na2S2O3中的两个S原子（+6价和-2 价）周围的化学环境不同，从而造 成二者内层电子结合能显著不同。
表面分析可以得到的信息：
表面层(包括吸附层)的化学成分（除氢元素以外）。 表面层元素所处的原子状态、价态、分子结构等
信息。
表面层物质的状态，如氧化态、腐蚀状态、表面
反应生成物等。
筒镜形电子能量分析器
图 镜筒分析器示意图
3. 检测器
检测器通常为单通道电子倍增器和多通道倍增器。
光电子或俄歇电 子流 10-13 ~10-9 A
倍增器
10 ~1A
多通道检测器是由多个微 型单通道电子倍增器组合 在一起而制成的一种大面 积检测器，也称位敏检测 器（PSD）或多阵列检测 器。
-4
通道电子倍增器是一种采用 连续倍增电极表面（管状通 道内壁涂一层高阻抗材料的 薄膜）静电器件。内壁具有 二次发射性能。电子进入器 件后在通道内连续倍增，增 益可达 109 。
§5.2 光电子能谱的基本原理
一、光与物质的相互作用
能量关系可表示：
hv Eb Ek Er
电子结合能
电子动能
原子的反冲能量 1 *2 Er M ma
2
光 电 效 应 过 程 若hv＞该电子结合能Eb， 则此电子将脱离原来受束缚的能级， 剩余的光子能量转化为该电子的动能Ek 。
材料测试第五章.答案
hv Eb Ek We
费米能级
在X射线光电子能谱仪中，样品与谱仪材料的功 函数的大小是不同的。但是，固体样品通过 样品台与仪器室接触良好，而且都接地。根 据固体物理的理论，它们二者的费米能级将 处在同一水平。如果样品材料的功函数Ws大 于仪器材料的功函数W’，即Ws＞W’，当两种材 料一同接地后，功函数小的仪器中的电子便 向功函数大的样品迁移，并且分布在样品的 表面，使样品带负电，谱仪入口处则因少电 子而带正电，
X射线光电子能谱分析的创立
XPS是由瑞典皇家科学院院士、Uppsala大学物 理研究所所长K. Siegbahn教授领导的研究小 组创立的，并于1954年研制出了世界上第一 台光电子能谱仪。硫代硫酸钠的XPS谱图上出 现两个完全分离的S2p峰，并且两峰的强度相 等；而在硫酸钠的XPS谱图中只有一个S2p峰。 硫代硫酸钠（Na2S2O3）中的两个硫原子（+6 价和-2价）周围的化学环境不同，从而造成 了二者内层电子结合能有显著的不同。
（3）磁量子数（ml）
决定电子绕核运动的角动量沿磁场方向的分 量。 决定电子云在空间的伸展方向。 ml=0，± 1，± 2，± 3……± l， 数目为2l+1个 当两个电子的n，l值相同时， ml不同时，无 外磁场时，能量相等；相反，有外磁场时， 能量不同。
(4)自旋量子数ms
决定自旋角动量沿磁场方向的分量 ms=1/2，顺磁场 ms=-1/2，反磁场 当两个电子的 n， l ， ml 值相同时， ms 不同 时，无外磁场时，能量相等；相反，有外磁 场时，能量不同。
化学位移
原子的一个内壳层电子的Eb同时受核内电荷与核 外电荷分布的影响，当这些电荷分布发生变 化时，就会引起 Eb的变化。同种原子由于处 于不同的化学环境，引起内壳层电子结合能 变化，在谱图上表现为谱线的位移，这种现 象称为化学位移，它实质上是结合能的变化 值。所谓某原子所处化学环境不同，
第五章 光电子能谱分析
第五章光电子能谱分析一、教学目的理解掌握光电子能谱分析的基本原理，掌握光电子能谱实验技术，了解光电子能谱仪，了解俄歇电子能谱分析。
二、重点、难点重点：光电子能谱分析原理、光电子能谱实验技术及应用。
难点：光电子能谱分析原理。
三、教学手段多媒体教学四、学时分配4学时第一节概述电子能谱是近十多年才发展起来的一种研究物质表面的性质和状态的新型物理方法。
这里所谓的表面是指固体最外层的l～10个原子的表面层和吸附在它上面的原子、分子、离子或其他覆盖层，它的深度从小于1到几个nm，或者包括采取剥离技术将表面层沿纵向深度暴露出新的表面。
用特殊的手段对这类表面进行分析已形成一门新兴的测试方法，即表面分析法，它在理论上和实际应用上都有广泛的研究领域。
表面分析方法在无机非金属材料学科中的应用，例如：研究玻璃表面的刻蚀作用、水泥矿物硅酸钙的水化作用、陶瓷表面和界面、高温超导材料表面的作用等均有重要意义。
一、表面分析可以得到的信息表面分析是借助于各种表面分析仪，对物体10 nrn以内的表面层进行分析，可得到的信息有：（1）物质表面层（包括吸附层）的化学成分，除氢元素以外的元素都可以从表面分析法获得定性和定量的结果，而X射线能谱分析一般只能分析到原子序数为11以上的元素（最好的仪器可以分析原子序数为4的Be元素）。
定量分析也只能达到半定量程度。
（2）物质表面层元素所处的状态或与其他元素间的结合状态和结构，即元素所处的原子状态、价态、分子结构等信息。
（3）表面层物质的状态，如表面层的分子和吸附层分子状态、氧化态、腐蚀状态、表面反应生成物等。
（4）物质表面层的物理性质，这在一般表面分析中虽不是研究的主要内容，但可以得到与表面的元素、价态、结构等信息的关系。
在做表面分析工作时，不仅在制备样品时要求在高真空和超净条件下进行，而且在测试过程中也要注意仪器中的条件，以防止因污染而引起测试误差。
二、表面分析法的特点表面分析技术与普通光谱仪不同，它不是研究光与物质的相互作用后所产生的光的特性，而是研究光（或粒子）与物质相互作用后被激发出来的二次粒子（电子、离子）的能量，以达到所要获得的结果。
XPS
第五章电子能谱分析1.概述2.X射线光电子能谱的基本原理3.X射线光电子能谱仪及实验技术4.X射线光电子能谱谱图解析5.X射线光电子能谱的应用武汉科技大学材料与冶金学院张海军教授一、概述表层元素组成与离子¾电子能谱分析是一种研究物质表层状态的表面分析技术。
基本原理是用单色射线照射样品，使样品中原子¾其基本原理或分子的电子受激发射，然后测量这些电子的能量分布。
¾通过与已知元素的原子或离子的不同壳层的电子的能量相比较，就可确定未知样品表层中原子或离子的组成和状态。
十个纳米左右。
¾表层的信息深度大约为十个纳米左右电子能谱分析种类根据激发源的不同和测量参数的差别，常用的电子能谱分析是：¾X射线光电子能谱分析(XPS)---X-ray photoelectron spectroscopy;¾俄歇电子能谱分析(AES)---Auger electron spectroscoy;¾紫外光电子能谱分析(UPS)---ultraviolet photoelectron spectrocopy;¾二次离子质谱法（SIMS)---secondary ion mass specrometry;¾激光微探针质谱法(LMMS)---laser microprobe mass spectrometry.二、X射线光电子能谱基本原理¾XPS是由诺贝尔物理奖获得者K. Siegbahn教授领导的研究小组创立的，并于1954年研制出了世界上第一台光电子能谱仪。
¾硫代硫酸钠的XPS谱图上出现两个完全分离的S2p峰，并且两峰的强度相等；而在硫酸钠的XPS谱图中只有一个S2p 峰。
硫代硫酸钠（Na2S2O3）中的两个硫原子（+6价和-2价）周围的化学环境不同，从而造成了二者内层电子结合能有显著的不同。
光电效应物质受光作用放出电子的现象称为e hv A A e +−+→+1 ljm+±==l1 ljm+±==l在电子能谱研究中，通常用主量子数n，角量子数l，和内量子数j来表征内层电子的运动状态。
第五章光电子能谱分析
倍增器
10 ~1A
多通道检测器是由多个微型
-4
通道电子倍增器是一种采用 连续倍增电极表面（管状通道内 壁涂一层高阻抗材料的薄膜）静 电器件。内壁具有二次发射性能。 电子进入器件后在通道内连续倍 增，增益可达 109。
单通道电子倍增器组合在一起 而制成的一种大面积检测器， 也称位敏检测器（PSD）或多 阵列检测器。
若采用Al窗口表面镀金，中和 样品表面荷电效应更为有效。
2.能量轴的标定和校正
① 相对定标能量法 利用已精确测定的标准谱线，把产生此谱线的电子发射
源混入被测样品中，或利用同一分子中不同原子发射的谱 线。根据它的能量位置，可定出其他谱线的位置，再换算 成结合能。 这种相对定标方法是基于仪器常数是常量。 常用的标准谱线如表5-5所示。表中气体原子的轨道电子 结合能数值是相对于自由电子能级，而金属则是相对于费 米能级。 选用的标准谱线最好在空气中不产生氧化作用。
二、表面分析技术
1.表面分析
表面分析技术 (Surface Analysis)
是对材料外层(the Outer-Most Layers of Materials (<10nm)研究的技术。 电子、X射线、 光子、离子等
表面分析技术
是由一次粒子辐照样品产生二次粒子，分析带有样品信息 的二次粒子的能量和性质，实现对样品的分析。 电子、离子、 X射线
块状固体样品的大小和形状主要取决于样品台的大小。 其他制样的方法，如真空蒸发喷镀等。
3.液体与气体样品 液体样品
直接法——是将溶液铺展在被酸侵蚀过的金属板上，待溶剂挥发后 测定（如不用溶剂则可直接测定）。 间接法——前者用冷冻法或蒸发冷冻法，把液体转变为固体然后再 测定。 金属板一般采用铝板，在 HCI溶液中浸蚀2～3min。
第五章光电子能谱
Binding Energy (eV)
Pb Pb
N Ca Na Cl
Pb
500
400
300
200
100
0
XPS analysis showed that the pigment used on the mummy wrapping was Pb3O4 rather than Fe2O3
Binding Energy (eV)
谱学功函数极小，可略去， 得到 KE = hv - BE ： 3 元素不同，其特征的电子键能不同。测量电子动能KE ，就得到对应每种元素的一系列BE-光电子能谱，就得 到电子键能数据。 4 谱峰强度代表含量，谱峰位置的偏移代表价态与环境的 变化-化学位移。
化学位移
化学位移的定义 电子结合能的数据与原子结合能数据出现 偏差，称为结合能的位移
解：由KE = hv - BE , KE1s = ( 1253.6 - 1072 ) = 182 eV KE2s = ( 1253.6 - 64 ) = 1190 eV KE2p = ( 1253.6 - 31 ) = 1223 eV
五俄歇电子能谱 AES(Auger electron Spectrocopy)
原子核心指原子核加1s电子壳层，假设 基础与热化学数据相关 可以由已知的电子结合能数据推断未知 的电子结合能数据
化学位移与元素电负性的关系
电负性对结合能的影响比价态影响大
原因？ 原子与电负性大的元素成键，将会影响 到被测原子的什么性质？电子结合能将 如何变化？
化学位移与元素价态的关系
Free Electron Level Fermi Level
Conduction Band
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第五章
4个C原子处于4种不同的 原子处于4 化学状态： 化学状态： F3—C； O --C—O; --C O—C—H2； --C --C—H3 电负性次序： 电负性次序：
光电子能谱分析
F>O>C> H
结论：电负性越强，位移越大。 结论：电负性越强，位移越大。
图5-10 三氟醋酸乙酯中C1s电子XPS图
e－电子 γ －光子 I－离子 见P273 表5-1 － －
第五章
光电子能谱分析
光电子能谱的基本原理（ 第二节 光电子能谱的基本原理（XPS） ）
第五章
光电子能谱分析
第五章
光电子能谱分析
X射线光电子能谱法（XPS）， 射线光电子能谱法（ 射线光电子能谱法 ）， 因最初以化学领域应用为主要目 故又称为化学分析用电子能 标，故又称为化学分析用电子能 谱法（ 谱法（ESCA）。 ）
随受激原子的原子序数增大而减 同时受激发源的影响。 小，同时受激发源的影响。
见P277 表5-2
第五章
光电子能谱分析
对于固体样品， 射线能量用于 射线能量用于： 对于固体样品，X射线能量用于：
内层电子跃迁到费米能级，即克服该电子的 内层电子跃迁到费米能级， 结合能E 结合能 b； 电子由费米能级进入真空成为静止电子， 电子由费米能级进入真空成为静止电子，即 克服功函数 功函数φ 克服功函数φ ； 自由电子的动能 动能E 自由电子的动能 k 。
第五章
光电子能谱分析
二、固体表面相的研究
1、表面污染分析 、 Zr样品的 样品的XPS图谱，可以看出表面存在 、O、Ar 图谱， 样品的 图谱 可以看出表面存在C、 、 等杂质污染。 等杂质污染。
第五章
例一
光电子能谱分析
2、界面成分分析 、
第五章
光电子能谱分析
第五章
光电子能谱分析
第五章
例二
第五章
光电子能谱分析
47种元素的电子结合能， 种元素的电子结合能， 种元素的电子结合能 见表5-3。 见表 。
第五章
光电子能谱分析
2、 化学位移 、
中的数据是单个原子时的结合能。 表5-3 中的数据是单个原子时的结合能。 实际数据与其有偏差，原因： 实际数据与其有偏差，原因：
同种原子中的电子，由于处于不同的 同种原子中的电子， 化学环境，引起电子结合能的变化 结合能的变化， 化学环境，引起电子结合能的变化，在谱 线上造成位移，称为化学位移。 线上造成位移，称为化学位移。
第五章
以元素Be为例： 以元素 为例： 为例 金属Be的结 金属 的结 合能110eV。 合能 。 (a)10-5Torr 的 真空中； 真空中； (b)在空气中； 在空气中； 在空气中 (c)利用 作还原 利用Zr作还原 利用 阻止Be 剂，阻止 的氧化。 的氧化。
光电子能谱分析
化学位移与原子氧化态的关系
第五章
光电子能谱分析
2、元素的定量分析：从光电子能谱测得的信 、元素的定量分析： 号是该物质含量或相应浓度的函数 物质含量或相应浓度的函数， 号是该物质含量或相应浓度的函数，在谱图上 它表示为光电子峰的面积 目前虽有几种XPS 峰的面积。 它表示为光电子峰的面积。目前虽有几种 定量分析的模型， 定量分析的模型，但影响定量分析的因素相当 复杂，一般只进行半定量分析，测量元素的相 复杂，一般只进行半定量分析，测量元素的相 对含量。 对含量。
第五章
光电子能谱分析
去激发2 去激发2
A → A +e
*+
2+
−
去激发1 去激发
A → A + hv
*+
+
第五章
光电子能谱分析
3、光电子逸出深度 、
光电子在固体内移动， 光电子在固体内移动，最终逸出固体表面 以前所经历的距离，称为光电子逸出深度 光电子逸出深度。 以前所经历的距离，称为光电子逸出深度。 取决于电子的能量和电子平均自由程。 取决于电子的能量和电子平均自由程。 电子平均自由程： 电子平均自由程：指光电子在固体样品表面不 发生非弹性碰撞时逸出的深度。 发生非弹性碰撞时逸出的深度。 光电子发射可分为三个过程： 光电子发射可分为三个过程： （1）电子因吸光而激发； ）电子因吸光而激发； （2）释放出的电子向固体表面移动； ）释放出的电子向固体表面移动； （3）克服表面势场而射出－脱离固体表面 ）克服表面势场而射出－
则 hν＝ Eb＋ Ek ＋ φ ν
第五章
光电子能谱分析
当样品置于仪器中的样品架上时， 当样品置于仪器中的样品架上时，样品与仪器样 品架材料之间将产生接触电势 ，这是由于二者的 功函数不同所致， 功函数不同所致，若φ>φ'，则： φ， 此电势将加速光电子的运动， 此电势将加速光电子的运动，使自由电子的动能 增加到E 从Ek增加到 k' Ek ＋ φ＝ Ek' ＋ φ' hν＝ Eb＋ Ek' ＋ φ' ν Eb ＝ hν －Ek' － φ' ν 式中φ 是仪器的功函数 是一定值，约为4eV， 是仪器的功函数， 式中φ'是仪器的功函数，是一定值，约为 ， hν为实验时选用的X射线能量为已知，通过精确测 ν为实验时选用的 射线能量为已知， 射线能量为已知 量光电子的动能E 即能计算出E 量光电子的动能 k' ，即能计算出 b 。
光电子能谱分析
结论：氧化态越高，位移越大。 结论：氧化态越高，位移越大。
第五章
光电子能谱分析
光电子能谱XPS的应用 第四节 光电子能谱 的应用
一、化学分析 1、元素成份分析： 、元素成份分析： 氢以外的元素， 氢以外的元素，气、液、固， 样品量可少至10-8 g， 样品量可少至 ， 灵敏度达10 灵敏度达 -18 g，相对精度有 ％， ，相对精度有1％， 适于作痕量元素的分析。 适于作痕量元素的分析。 理论基础—测定元素中不同轨道上电子 理论基础 测定元素中不同轨道上电子 的结合能， 的结合能，不同元素的原子各层电子的结 合能差别较大。 合能差别较大。
第五章
探测 发射 粒子 粒子 e γ I e e γ I e
光电子能谱分析
简称 XPS UPS ARPES PSD AES 主要用途 元素分析 元素分析 原子及电子态、 原子及电子态、结构 原子态 元素分析
表5-1 主要表面分析方法 分析方法名称 X射线光电子谱 射线光电子谱 紫外线光电子谱 角分辨光电子谱 光子诱导脱附 俄歇电子能谱
超高真空技术的发展 各种表面灵敏的分析技术不断出现
第五章
光电子能谱分析
表面分析方法的特点
用一束“粒子” 用一束“粒子” 作为探针来探测样品表面 探针: 电子、离子、光子、中性粒子、电场、磁场、 探针 电子、离子、光子、中性粒子、电场、磁场、 热或声波 在探针作用下， 在探针作用下，从样品表面发射或散射粒子 (电子、离子、光子、中性粒子、电场、磁场、热 电子、 电子 离子、光子、中性粒子、电场、磁场、 或声波)。 或声波 。 检测: 发射粒子的能量、动量、荷质比、 检测 发射粒子的能量、动量、荷质比、束流强度 等特征，或波的频率、方向、强度、 等特征，或波的频率、方向、强度、偏振等情 可获得有关表面的信息。 况，可获得有关表面的信息。
第五章
光电子能谱分析
二、光电子能谱测量原理
1、Eb的计算 、 对于气体分子， 射线能量 用于三部分： 射线能量hν 对于气体分子，X射线能量 ν用于三部分： 一部分用于克服电子的结合能 结合能E 一部分用于克服电子的结合能 b，使其激发为 自由的光电子； 自由的光电子； 一部分转移至光电子使其具有一定的动能 动能E 一部分转移至光电子使其具有一定的动能 k； 一部分成为原子的反冲能 反冲能E 一部分成为原子的反冲能 r。 则 hν＝ Eb＋ Ek ＋ Er ν
第五章
光电子能谱分析
光电子和俄歇电子的产生
第五章
光电子能谱分析
2、受激原子的驰豫—去激发 、受激原子的驰豫 去激发 入射光子与原子相互作用产生光电 此时原子处于高能激发态， 子，此时原子处于高能激发态，原子存 在趋于平衡的倾向，以达到低能量状态， 在趋于平衡的倾向，以达到低能量状态， 这一过程称为驰豫过程 也称去激发过 驰豫过程， 这一过程称为驰豫过程，也称去激发过 程。
化学位移模型----不要求 不移与元素电负性的关系
元素为例： 以C元素为例： 元素为例 单个C原子 原子， 的结合能为 单个 原子，C1s的结合能为284eV； ； CH4 的结合能为290eV； ， C1s的结合能为 ；
中的H被卤族元素取代 被卤族元素取代， 若CH4中的 被卤族元素取代，随元素电 负性的增强， 的结合能增大； 负性的增强， C1s 的结合能增大；而且 随取代数目的增加而增大。见图5-9 随取代数目的增加而增大。见图 已知电负性： 已知电负性： XH=2.1 XCl=2.5 XBr=2.8 XF =4.0
X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) / Electron Spectroscopy for Chemical Analysis (ESCA)
第五章
光电子能谱分析
一、光与物质的相互作用
1、光电效应 、 X射线与物质相互 射线与物质相互 作用时，物质吸收了X 作用时，物质吸收了 射线的能量并使原子 中内层电子脱离原子 成为自由电子， 成为自由电子，即光 电子，如图5-2。 电子，如图 。
第五章
光电子能谱分析
第一节 概述 光电子能谱是一种表面测试技术， 光电子能谱是一种表面测试技术，对物体 10nm以内的表面进行分析。 以内的表面进行分析。 以内的表面进行分析 表面科学的主要发展始于20世纪 年代， 世纪60年代 表面科学的主要发展始于20世纪60年代， 它产生的两个最主要的条件是： 它产生的两个最主要的条件是：