《电子技术基础》期中考试试卷及参考答案.doc
中职电子技术基础期中试题
2023年-2024年度第二学期 中等职业技术学校22 级 船舶 专业 电子技术基础 科目期中检测试卷（A 卷） 考试形式：闭卷■、开卷□ 出卷人：康洋 考试时间： 60分钟一、判断题（本大题共10小题，每小题3分，共30分，请将其答案写在答题卡内。
）1.制造半导体器件用得最多的是硅和碳两种材料。
2.纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能力是很弱的 。
3. PN 结加正向电压导通，加反向电压截止，这是 PN 结的重要特性——“单向导电性”。
4. 正向特性是指给二极管加正向电压（二极管正极接高电位，负极接低电位）时的特性。
5. 二极管导通后，二极管两端的电压会一直增加。
6. 三极管里面有PN 结结构，因此三极管具有单向导电性。
7.三极管可以用两个二极管拼接而成。
8.发射极电流的方向，箭头朝外的是 NPN 型三极管，箭头朝内的是 PNP 型三极管。
9.三极管的发射极和集电极可以互换。
10.三极管电流放大的实质是：用较小的基极电流控制较大的集电极电流。
二、单项选择题（本大题共10小题，每小题4分，共40分，请将其答案写在答题卡内。
）1. 从 PN 结的 P 区引出的电极为二极管的正极，又称（ ）。
A.阳极 B.阴极 C.负极 D.亮极2.硅管的“死区电压”为（ ）。
A.0.1VB.0.3VC.0.5VD.0.7V 3.硅材料二极管两端的电压降为（ ）。
A.0.1VB.0.3VC.0.5VD.0.7V 4.三极管的发射极用符号（ ）可以表示。
A.cB.eC.bD.a 5. 三极管实现电流放大作用的条件是（ ）。
A. 发射结正偏，集电结反偏B. 发射结正偏，集电结正偏C. 发射结反偏，集电结正偏D. 发射结反偏，集电结反偏 6. NPN 型三极管中，当V C >V B >V E ，三极管处于（ ）A.共射极放大电路B. 共集电极放大电路C.共基极放大电路D.共阳极放大电路 7.以下哪项属于直流电的表示符号（ ）A.I BB. i bC. i BD. I b8.在某放大电路中， 测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V ， -10 V ， -9.3 V ， 则这只三极管是（ ）。
中职电子技术基础期中试卷
2012年秋学期《电子技术基础》期中测试2012.11.一、填空题（0.5’×50）1、半导体中有两种载流子：和。
2、晶体二极管具有特性，即加电压时导通，加电压时截止。
3、晶体三极管具有作用，是一种控制型器件，通过电流的变化去控制较大的电流变化。
4、晶体三极管内部结构有三个区：区、区和区；两个PN 结：和；三个电极：、和，分别用字母、、表示。
5、晶体三极管工作在的偏置条件(外部条件)是：、工艺条件（内部条件）是：、、。
6、晶体三极管根据内部三个区域半导体类型不同，分为和两种类型，它们的图形符号分别为和，基区为N型半导体的是型。
7、晶体三极管有三种基本联接方式：接法、接法和接法。
三极管的三个电极中，极既可以作为输入端，又可以作为输出端。
9、硅管的门坎电压约为 V，导通电压约为 V；锗管的门坎电压约为 V，导通电压约为 V。
10、若测得某晶体三极管的电流为：当I B=20µA时，I C=2mA；当I B=60µA时，I C=5.4mA，则可求出该管β为，I CEO为，I CBO为。
12、晶体三极管的输出特性曲线是在I B一定时，测出与对应值的关系，它可以分为三个区域，即区、区和区。
当三极管工作在区时，关系式I C =βI B才成立；当三极管工作在区时，I C≈0；当三极管工作在区时，V CE≈0；三极管在区时，具有恒流特性。
二、判断题（2’×10）1、晶体二极管一旦发生击穿，就会被烧毁。
（ ）2、N 型半导体的多数载流子是电子，因此N 型半导体带负电。
（ ）3、环境温度升高，晶体二极管的反向饱和电流将增大。
（ ）4、在半波整流电路中，二极管极性接反，将无整流作用。
（ ）5、用万用表测量小功率二极管，一般使用R ×10K Ω挡。
（ ） 6．用万指针式万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“＋”号插孔中的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。
电子技术基础第一学期期中考试试卷
新安职高2014---2015学年第一学期期中考试一年级《电子》试卷命题人：孔保军一、填空题（每空0.5分，共13分）1、电阻的标称方法有、和色环标注法三种，其中色环标注法的电阻常用个和个色环。
2、色环电阻中与其他色环间距较大的那一环表示。
3、色环的颜色除了表示误之外，黄色代表数字，紫色代表数字，金和银又分别代表和。
4、电解电容器中，长引脚为极，短引脚为极。
5、二极管有个PN结，从P区引出的是极，从N区引出的是极；三极管有个PN结，从三个区分别引出的是、和极。
6、为了确保二极管安全工作，通常最大反向工作电压U RM= U BR。
7、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是。
8、二极管具有性，而三极管具有作用。
9、电路中，流过二极管的正向电流过大，二极管会，如果加在二极管上的反向电压过高，二极管会。
10、工作在放大状态下的三极管，各极电流之间的关系式为。
二、选择题（每题2分，共30分）1、色环电阻中从第一环开始颜色依次是红、紫、橙、银、棕，则这个色环电阻的阻值是（）A、273Ω±1%B、2.73Ω±1%C、273Ω±0.1%D、2.73Ω±0.1%2、电容器在使用是允许加在其两端的最大电压称。
（）A、工作电压B、额定电压C、实际电压D、耐压值3、判断三极管是否工作在饱和状态，最简单的是测量（）A、I BB、V CEC、V BED、I C4、5、硅、锗二极管的开启电压和导通后的正向压降分别是（）A、0.5V、0.7V和0.2V、0.3VB、0.2V、0.7V和0.5V、0.3VC、0.2V、0.3V和0.5V、0.7VD、0.3V、0.7V和0.2V、0.5V5、稳压值为6V的稳压二极管，温度升高其稳压值（）A、略有升高B、略有降低C、基本不变D、不确定6、二极管正极电位为-2V，负极电位为-1V，则二极管处于（）A、正偏导通B、反偏截止C、不确定D、反偏击穿7、整流电路是将交流电转变为（）A、交流电B、直流电C、脉动直流电D、脉冲电8、桥式整流电容滤波电路中，如果变压器副边电压为50V，则负载两端电压为（）A、70VB、60VC、50VD、45V9、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导能C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通10、色环电阻中红色环离其他色环较远，则此色环表示的数是（）A、2B、102C、2%D、311、用于片装三极管的封装是A、SOPB、SIPC、SOTD、DIP12、光电二极管工作在区，受到光照增强时电流将。
《电子技术基础》期中考试试卷及参考答案整理版
2017-2018学年第一学期《电子技术基础》期中考试卷班级：姓名：学号：得分：一、填空题（每空格1分，共30 分）1、半导体材料通常有、锗和砷等。
2、P型半导体中多数载流子是，少数载流子是。
3、PN结加正向电压时________，加反向电压时________，这种特性称为PN结的单向导电性。
4、硅二极管的死区电压约为左右，锗二极管的死区电压约为0.1V-0.2V。
5、已知三极管的发射极电流IE＝3000uA ，基极电流IB＝50uA，则集电极电流IC＝。
6、三极管有三个管脚，分别称为、、。
7、整流是指将变换为的过程，常见的整流电路有整流电路、整流电路和单相全波整流电路三种。
8、稳压管二极管正常工作时须工作在状态。
9、三极管工作时通常有、、三种工作状态。
10、半导体三极管又称双极型三极管，它是利用输入电流控制输出电流的半导体器件，称为器件；场效应管是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的半导体器件，称为器件。
11、放大器无信号输入时的直流工作状态称为________，给放大器设置合适的静态工作点是为了__ ______。
12、已知某三极管的IB1=10uA时，IC1=0.8mA，当IB2=30uA时，IC2=2.4mA，求该三极管的β值为，若IB3=60uA，那么IC3= 。
13、画交流通路时，是把较大的和视为短路，画直流通路时是把视为开路。
14、半波整流电路中，若变压器次级电压为V2=10V，那么负载两端电压V0= 。
15、在单向半波整流电路负载两端并接滤波电容时，输出电压平均值=oV________2V；在桥式整流电路负载两端并接滤波滤波电容时，输出电压平均值=oV________2V。
二、判断题（每题2分，共10分）（）1、二极管是非线性器件。
（）2、将脉动直流电变换为平滑直流电的过程称为滤波。
（）3、PNP型三极管一定是硅管，NPN型三极管是锗管。
（）4、分压式偏置放大电路的静态工作点会随温度的变化而发生很大的变化。
《电子技术基础(二)》期终考试试卷
《电子技术基础（二）》期终考试试卷题号 一 二 三 四 五 总分 积分人 分数 一、填空题（每空档1分，共28分） 1、半导体数码管的连接方式有 和 。
2、加法器分为 和 。
3、三态门有三种输出状态，即： 、 和高阻状态。
4、数字电路在稳态时，二极管、三极管处于 状态。
5、在逻辑电路中，用 和 表示两种对立的逻辑状态。
6、基本逻辑门电路有三种，即 门电路、 门电路和非门电路。
7、按功能译码器可分为和 两大类。
8、基本RS 触发器中，若S = 0，R = 1时，触发器状态置 。
9、异步计数器是指计数脉冲 加到所有触发器的CP 端，只作用 于 触发器的CP 端。
当计数脉冲到来时，各触发器的翻转时 刻 。
10、同或门和异或门之间的运算是 运算。
11、时序逻辑电路的结构组成通常包含 电路和 电路两部分。
常见时序电路中的存储电路由 构成。
12、JK 触发器Q n+1逻辑函数表达式为： 。
13、计数器除具有计数功能外，还具有 。
14、在优先编码器74LS147中，当输入I 7I 8I 9 = 000时，输出为 。
15、555定时器电路中，当u i1>U R1, u i2>U R2时，基本RS 触发器被置 ， 即输出u 0 = ,同时V 导通，电容 。
16、TTL 与非门的开关速度高是指平均传输延迟时间t p d 。
二、判断题（正确的打“√”,错误的打“×”）（每题3分，共24分）1、具有时钟输入的触发器称为基本RS触发器。
（）2、同步RS触发器中，当脉冲到来时，S = 1，R = 0，触发器状态为0态。
（）3、优先编码器的工作特点是允许同时输入二个或二个以上的编码信号。
（）4、正弦波和方波都是数字信号。
（）5、寄存器的功能是统计输入脉冲的个数。
（）6、由三个开关并联起来控制一只电灯时，电灯的亮或不亮同三个开关的闭合或断开之间的对应关系属于“或”逻辑关系。
（）7、在数字电路中，“1”比“0”大。
电子技术基础》考试试卷(附参考答案)
《电子技术基础》考试试卷（附参考答案）一.填空（40分，每题5分）1.负反馈对放大电路性能的影响主要体现在（1）（2）（3）（4），闭环Auf= 。
2.通常使用来判断正负反馈，共射极放大电路反馈信号从基极注入为反馈，从发射极注入为反馈，当输出端短路后，反馈元件上有电压是反馈，若无电压是反馈。
3.负反馈在放大电路中的应用其主要类型有（1），，（2），，（3），（4）。
射极输出器是属于反馈。
4. OCL,OTL是功率放大电路，消除交越失真的方法是，它们电路上的共同特点是，不同点有，实用电路常工作在状态。
5. 集成运放主要功能是，运算电路有（1）（2）（3）（4）；基本转换电路是（1）（2）。
6.功率放大电路的主要任务是，主要要求有（1）（2）（3）（4）。
7.直流稳压电源的功能是，晶体管串联型稳压电路是由，，和四部分电路组成。
8.放大电路设置偏置的目的是，引入负反馈目的是。
功率放大电路的工作状态分为，，。
二.判断（8分，在括号里打“√”或打“X”）1.放大器负反馈深度越大，放大倍数下降越多。
（）2.由集成稳压电路组成的稳压电源其输出电压是不可调节的。
（）3.负反馈能修正信号源的失真。
（）4.直流负反馈的作用可以稳定静态工作点。
（）5.零点漂移是放大器输出不能为零。
（）6.抑制零点漂移最有效的是采用差动放大为输入级。
（）7.放大器引入负反馈可以提高电压放大倍数稳定工作状态。
（）8.集成运放的基本运算是加法和减法运算。
（）三.识读电路（24分，写出电路名称，信号传输方式和所采用的偏置）1. 2.3. 4.5. 6.四.简答（18分）1．指出电路运算功能，并写出运算公式。
（1）.（2）(3). (4).2.简述万用表检测电阻的使用方法。
五.计算（10分）1. 求如图所示放大电路的静态工作点和输入，输出电阻，电压放大倍数。
2.如图所示电路已知Rf=120k,U。
=1.5v,Ui=0.5v。
求R1的大小。
参考答案一，1，提高放大电路工作稳定性（降低了电压放大倍数）减小失真展宽通频带改善输入，输出电阻Au/(1+FAu)。
中职《电子技术基础》期中考试题
中职《电子技术基础》试题一、单项选择题1.某硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为（）A、约等于150伏B、可略大于150伏C、不得大于40伏D、等于75伏2. 晶体三极管工作在饱和状态时，它的集电极电流IC将（）。
A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减少C．与I B无关，只决定于V c和R C3.单管共射放大器输入正弦电压，用示波器观察到输出波形的正半周被削顶，该放大器的静态工作点设置得 ( )A.正常B.偏低C.偏高D.无法确定4.稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区5、由NPN型三极管组成的基本共射放大电路的静态工作点设置不当时，输出波形容易产生失真，Q点偏高时的失真叫做失真，对应的输出电压波形将出现失真。
A 饱和；顶部B 饱和；底部C 截止；底部D 截止；顶部二、填空题1、晶体二极管加一定的电压时导通，加电压时，这一导电特性成为二极管的特性。
2.PN 结处于导通状态时电阻_______，处于截止状态时电阻_________。
3.用万用表“R x 1K"挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。
4.晶体三极管有三种基本联接方式：接法、接法和接法。
5.试判断下图中各三极管处于何种工作状态，并指出管型。
管 型 （1）_______（2）_______（3）_______（4）_______ 工作状态 （1）_______（2）_______（3）_______（4）_______6.射级输出器晶体管的公共端是_______。
7.画直流通路时,将_______视为开路,其余不变;画交流通路时将_______视为_______，将直流电源视为_______。
8.在检测三极管管脚极性时，万用表黑表笔固定在某一管脚，红表笔分别接另外两管脚，两次阻值均较小，则黑表笔所接管脚为_________，三极管管型为_________。
中职《电子技术基础》期中试卷及及参考答案
《电子技术基础》期中试卷一、填空题（每空1分，共32分）1、晶体二极管加一定的电压时导通，加电压时，这一导电特性成为二极管的特性。
2.PN 结处于导通状态时电阻_______，处于截止状态时电阻_________。
3.用万用表“R x 1K "挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。
4.场效应管是一种_____控制器件,是_______电压来控制漏极电流。
场效应管有_______场效应管和_______场效应管两大类,每类又有P沟道和_______沟道的区分。
5.试判断下图中各三极管处于何种工作状态，并指出管型。
管型（1）_______（2）_______（3）_______（4）_______工作状态（1）_______（2）_______（3）_______（4）_______6.Iceo称为三极管的_______电流，它反映三极管的_______，Iceo越_______越好。
7.画直流通路时,将_______视为开路,其余不变;画交流通路时将_______视为_______，将直流电源视为_______。
8.放大器的输入电阻_______,则放大器要求信号源提供_______越小,信号源负担就越轻。
放大器的输出电阻_______,放大器_______越强。
二、判断题（每题2分，共14分）l.放大器放大信号说明三极管的放大倍数起到了能量的提升作用。
（）2.在基本共射极放大电路中,当电源电压Vcc增大时,若电路其他参数不变,则电压放大倍数Av值应增大。
（）3.在共射极单管放大电路中,若电源电压不变,只要改变集电极电阻Rc就能改变集电极电流Ie值。
（）4.共基极三极管电路只能放大电压而不能放大电流。
（）5.二极管一旦反向击穿就会损坏。
（）6.N沟道的增强型绝缘栅场效应管的开启电压大于零。
（）三、选择题（每题2分，共14分）1.某同学用万用表测量一电子线路中的晶体管，测得V E=-3V，V CE=6V，V BC=-5.4V，则该管是 ( )A.PNP型处于放大工作状态B.PNP型处于截止状态C.NPN型处于放大工作状态D.NPN型处于截止状态2.用下图所示电路测试晶体三极管时，合上开关S1、S2后，电压表读数为1.5V，毫安表没有指示，可能是下面哪一种原因？ ( )A．集电极内部开路班级：姓名：学号：题号一二三四五六七八九总分得分B. 发射极内部开路C. C、E级间已击穿D. 发射结已击穿3.判断下图所示电路反馈元件Re引进的是 ( )A．交流电压串联负反馈B. 交流电流串联负反馈C. 直流电压串联负反馈D. 直流电流串联负反馈4.下图中Rb是反馈元件，引入的反馈类型是 ( )A．电流并联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流并联正反馈D. 电压并联正反馈5.要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用_______。
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2014-2015学年第一学期《电子技术基础》期中考试卷
班级：姓名：学号：得分：
一、填空题（每空格1分，共30 分）
1、半导体材料通常有、锗和砷等。
2、P型半导体中多数载流子是，少数载流子是。
3、PN结加正向电压时________，加反向电压时________，这种特性称为PN结的单向导电性。
4、硅二极管的死区电压约为左右，锗二极管的死区电压约为0.1V-0.2V。
5、已知三极管的发射极电流IE＝3000uA ，基极电流IB＝50uA，则集电极电流IC＝。
6、三极管有三个管脚，分别称为、、。
7、整流是指将变换为的过程，常见的整流电路有整流电路、
整流电路和单相全波整流电路三种。
8、稳压管二极管正常工作时须工作在状态。
9、三极管工作时通常有、、三种工作状态。
10、半导体三极管又称双极型三极管，它是利用输入电流控制输出电流的半导体器件，称为
器件；场效应管是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的半导体器件，称为器件。
11、放大器无信号输入时的直流工作状态称为________，给放大器设置合适的静态工作点是
为了__ ______。
12、已知某三极管的IB1=10uA时，IC1=0.8mA，当IB2=30uA时，IC2=2.4mA，求该三极管的β值为，若IB3=60uA，那么IC3= 。
13、画交流通路时，是把较大的和视为短路，画直流通路时是
把视为开路。
14、半波整流电路中，若变压器次级电压为V2=10V，那么负载两端电压V0= 。
15、在单向半波整流电路负载两端并接滤波电容时，输出电压平均值
=
o
V
________2
V
；在桥
式整流电路负载两端并接滤波滤波电容时，输出电压平均值
=
o
V
________2
V。
二、判断题（每题2分，共10分）
（）1、二极管是非线性器件。
（）2、将脉动直流电变换为平滑直流电的过程称为滤波。
（）3、PNP型三极管一定是硅管，NPN型三极管是锗管。
（）4、分压式偏置放大电路的静态工作点会随温度的变化而发生很大的变化。
（）5、放大器是有源电路，放大信号所需要的能量来源是电源，晶体管本身并不能提
供能量。
三、选择题（每题3分，共10题，共30分）
（）1、硅材料二极管正向导通时，则该二极管的管压降约为。
A. 0.2V
B.0.3V
C. 0.7V
（）2、下图中二极管是否导通。
A、导通
B、截止
C、不定
（）3、三极管工作时各极对地电位如右图所示，那么该三极
管工作在状态。
A.放大
B.饱和
C.截止
（）4、三极管的放大倍数
β为。
A.
C
B
I
I
β
∆
=
∆
B.
E
B
I
I
β
∆
=
∆
C.
B
C
I
I
β
∆
=
∆
（）5、在固定偏置放大电路中，基极电阻Rb的作用是。
A.放大电流
B.调节偏置电流IBQ
C.把放大的电流转换成电压
D.防止输入信号被短路
（）6、两只硅稳压管的稳压值分别为8V和7.5V，将它们串联使用，可获得的四种稳压
值是。
A. 15.5V 7.7V 7.2V 0.6V
B. 15.5V 8.3V 7.8V 1.4V
C. 15.5V 7.3V 6.8V 1.4V
D. 15.5V 8.7V 8.2V 1.4V （）7、如图所示为单相桥式整流电路中,负载
RL1上获得电压V01为。
A.12V
B.－12V
C.9V
D.－9V
（）8、桥式整流电路工作时最多有几只二极
管导通。
A．1只 B.2只 C.3只
（）9、某半波整流电路，整流后输出电压为4.5V，现有如下二极管，不能用于该整流电路的为。
A．击穿电压为10V B.击穿电压为15V C.击穿电压为20V
（）10、某电路图如下图所示，二极管VD是导通的时间长还是截止的时间长？
A、导通的时间长
B、截止的时间长
C、一样长
四、计算题（每题10分，共2题，共20分）
1、电路如下图所示，其中电阻R为4KΩ，分析各二极管是导通还是截止？并求出AO两点间的电压VAO（二极管正向电阻为0，反向电阻为∞，即二极管为理想二极管，判断二极管是否导通时要说明判断依据）
2、如图所示放大电路，已知β＝50，Rc＝RL＝2kΩ，Rb1＝20kΩ，Rb2＝10kΩ，Re＝3.3 k Ω，rbe＝1kΩ，Vcc＝12V。
试求：
⑴画出交流通路和直流通路；
⑵计算静态工作点；
⑶求ri和rO；
⑷求电压放大倍数Av；
参考答案
一、填空题
1、硅
2、空穴、自由电子。
3、导通、截止
4、0.5V
5、2.95mA（2950uA）
6、基极、发射极、集电极
7、交流电、脉动直流电、单向半波、单向桥式
8、反向击穿。
9、放大、饱和、截止。
10、电流控制型、电压控制型。
11、静态、防止信号在传输过程中的非线性失真。
10、射极输出器、大、小、略小于1。
11、电容、直流电源，电容。
12、80，4.8mA
13、电容、直流电源、电容
14、4.5V
15、1、1.2
二、判断题
1、√，
2、⨯，
3、⨯，
4、⨯，
5、√
三、选择题
1、C.
2、B.
3、A.
4、A.
5、B .
6、D.
7、C.
8、B.
9、A. 10、B.
四、计算题
1、解：VD1导通、VD2截止，V A0=0V
2、⑴⑵2
12
10
124
2010
b
BQ cc
b b
R
V V V
R R
=⋅=⋅=
++
（）
40.7
1
3.3
BQ BEQ
CQ EQ
e
V V
I I
R
--
≈===（mA）
1
0.02
50
CQ
BQ
I
Iμ
β
===（mA）=20（A）
121213.3 6.7 CEQ cc CQ c EQ e
V V I R I R V =--=-⋅-⋅=（）
⑶
1
i b
r R
=∥
2b
R∥
be
r= 20∥10∥1≈1（kΩ）
2
o c
r R
≈=（kΩ）
⑷
5022
50
1
c L
v
be
R R
A
r
β
=-=-=-
（）（）。