屏蔽系数计算
关于安全距离及屏蔽系数计算的理解和探讨增加新规范
3、结论
（1）、当网格宽度大于3.127米时，公式（4）违反基本原理，不能应用它 来计算安全距离。 （2）、屏蔽系数随着网格宽度的增加而减小。在用钢材料时，首次雷击的 屏蔽系数与钢材的粗细（半径）有关，半径越小，屏蔽系数也越小，反之就 越大。但是，当钢材的半径下降到临界值时，屏蔽系数为零，特别是当钢材 的半径小于临界值时，屏蔽系数为负，这显然不符合实际情况。
2、安全距离计算公式的讨论
（2）、在《建筑物防雷设计规范》（GB50057-94 2000年版）第6.3.2
条第二款中规定，在闪电直接击在位于LPZ0A区的格栅形大空间屏蔽上的情
况下，安全距离ds/1的计算公式为：
ds/2=W
(6)
2、安全距离计算公式的讨论
雷电直接击在格栅形大空间屏蔽上对LPZ1区的影响应该比雷电击在格栅 形大空间屏蔽以外附近时对LPZ1区的影响要大，这是因为雷电不仅距LPZ1 区的距离要近，而且还有引下线上雷电流对LPZ1区的影响。所以 ds/2应该 大于ds/1。比较ds/2和ds/1，在SF>10时，ds/1=W．SF/10>W，也 即ds/2<ds/1，这是不合理的。在闪电直接击在位于LPZ0A区的格栅形大 空间屏蔽上的情况下，安全距离的计算不仅要考虑雷电本身的磁场影响，还 要考虑引下线上雷电流的影响，此时就要考虑分流系数的作用。
图X 闪电击于建筑物附近和建筑物上时，安全距离与屏蔽网格的关系
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2、安全距离计算公式的讨论
建立以W为自变量、ds/1为应变量的函数关系，对（5）式进行分析， 通过求导数得到：当W>0时，二阶导数小于零，此函数为单一的凸函数； 在W=3.127时一阶导数等于零，有极大值，极大值ds/1=2.716；在 W=5时，ds/1=2.30。
电缆屏蔽计算公式
电缆屏蔽计算公式
电缆屏蔽计算公式是一种用于计算电缆屏蔽效果的方法。
在电缆传输中，电缆外部的干扰会对信号的传输质量产生不良影响，因此需要通过屏蔽来保护电缆，减少干扰的影响。
电缆的屏蔽效果可以通过屏蔽系数来描述，屏蔽系数越高，表示屏蔽效果越好。
屏蔽因子=(1+4πσ/ωε)^-1
其中，σ为屏蔽材料的导电率，ω为工作频率，ε为电缆绝缘材料的介电常数。
屏蔽因子越高，表示外屏蔽的效果越好。
电缆的内屏蔽采用铜丝编织、铜箔、铝箔等方式，其屏蔽效果可以通过衰减因子来描述。
根据电场理论，内屏蔽的衰减因子与屏蔽材料的传导率、电缆内径、屏蔽厚度等因素有关。
具体计算公式如下：
衰减因子=(1+4πσ/ωε)^-1
其中，σ为屏蔽材料的导电率，ω为工作频率，ε为电缆绝缘材料的介电常数。
衰减因子越高，表示内屏蔽的效果越好。
在实际应用中，电缆常常同时具有外屏蔽和内屏蔽，屏蔽效果由两者共同决定。
总屏蔽效果可以通过屏蔽系数来描述，屏蔽系数被定义为外屏蔽因子与内屏蔽因子的乘积。
具体计算公式如下：
屏蔽系数=外屏蔽因子×内屏蔽因子
屏蔽系数越高，表示总屏蔽的效果越好。
需要注意的是，以上公式是根据理论推导得出的近似公式，实际应用中还需要考虑电缆的具体结构、工作环境等因素，以及各种因素之间的相互影响。
因此，在实际应用中需要根据具体情况进行修正和调整，确保计
算结果的准确性。
此外，还需要结合实测数据进行验证，以保证计算结果的可靠性。
大型零磁装置屏蔽系数的计算方法
大型零磁装置屏蔽系数的计算方法孙芝茵;李立毅;潘东华;刘添豪;Peter Ferlinger【摘要】零磁装置屏蔽外界磁场以实现极端微弱磁场环境,由于其边角、孔洞、缝隙等非理想因素,屏蔽特性难以准确预估.大型零磁装置整体尺寸在米级,而屏蔽材料的厚度只有毫米级,采用常规有限元方法将不可避免地遇到剖分问题.该文提出针对静态磁场屏蔽和交变磁场屏蔽的改进有限元计算方法,采用两种薄层等效边界条件计算屏蔽层内外的磁场变化.通过与理想屏蔽体的理论分析结果进行对比,验证了该等效边界的有效性.基于该方法可进行多层屏蔽的优化设计、分析孔洞对屏蔽系数的影响规律.结合德国慕尼黑工业大学最新建设的零磁装置,通过屏蔽系数的测量实验,验证了该计算方法的有效性.【期刊名称】《电工技术学报》【年(卷),期】2018(033)019【总页数】8页(P4450-4457)【关键词】近零磁场;微弱磁场;磁屏蔽;屏蔽系数【作者】孙芝茵;李立毅;潘东华;刘添豪;Peter Ferlinger【作者单位】哈尔滨工业大学空间基础科学研究中心哈尔滨 150001;哈尔滨工业大学空间基础科学研究中心哈尔滨 150001;哈尔滨工业大学空间基础科学研究中心哈尔滨 150001;哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院哈尔滨 150001;慕尼黑工业大学物理系慕尼黑 D-85748【正文语种】中文【中图分类】TM15零磁装置可实现近零磁场环境，在前沿科学、航天国防等方面都具有独特的应用[1]，如基于反物质探测背景的微观粒子固有的电偶极矩的探测[2,3]、空间磁场探测[4]、生物磁图[5,6]等。
我国在国家重大科技基础设施项目中部署了“空间环境地面模拟装置”的建设任务，其中包含模拟空间磁场的内容，即在地磁场和各类磁场干扰条件下，实现近零磁场环境，进而模拟空间微弱磁场。
近零磁装置的一个主要评价指标是屏蔽系数，采用屏蔽前后磁场强度或磁感应强度的比值或其dB值表示。
对屏蔽系数和安全距离计算公式的理解和探讨
ｇ ｉ ｄ ｈ ｉ ｍａ ｌｒｔ ａ ． ９ｍ ， ｔ ｅ ｓ ｆ ｉｔ ｎ ｅ ｆ ｒ ｒｄ ｗｉ ｔ ｓ ｓ ｌ ｈ ｎ ２ ６ ｅ ｈ ａｅ ｄ ｓａ ｃ ｏ ｔｅ ｌ ｈ ｎ ｎ ｔ ｓｒｋ ｄ ｒ ｃｌ ｏ ｔ ｅ ｒｄ — ｓ ｐ ｄ ｈ ｉ ｔ ｉ ｇ ｏ ｔｉｅ ｉｅ ｔ ｇ ｙ ｎ ｈ ｇ ｉ ｈａ ｅ ｌｒ ｅ— ｓ ａ ｅｓ ｉｌ ｓｓ ｌ ｒｔ ａ ｈ ｔｏ ｈ ｕ ｓｄ ｆ ａｇ ｐ ｃ ｈ ｅｄ ｉ ｍａｌ ｈ ｎ ｔ ａ ｎ ｔ ｅ ｏ ｔｉ ｅ ｏ ｅ
大 防 雷 技 术 人 员 深 入 理 解 此 部 分 修 改 内容 ．并 在 实 际
几 个 不 合 理 之 处 ： 当铜 材 半 径 和 屏 蔽 体 的 网格 尺 寸 符
Ｇ ０５ Ｂ ５ ０ ７—２ １ 建 筑 物 防雷设 计规 范 》 （ ０ ０《 以 下简 称新 《 规》 ，将 Ｇ ０ ５ —９ （ 雷 ） Ｂ ５ ０ ７ ４ 以下 简称 旧
《 规 》 中关 于 屏 蔽 系 数 和 安 全 距 离 计 算 的 内容 作 了 雷 ） 很 大 修 改 ，部 分 内容 甚 至 作 了 颠 覆 性 的 改 动 Ｅ。为 广 ６ ］
Ａ ｂ ｔａ ｔ Ｓ ｍｅ ｉｒｔｏ ａ ｏ ｎｓ ｉ ｈ ａｃ ｌｔｏ ｓｒ ｃ ｏ ｒａｉｎ ｌｐ ｉｔ ｎ ｔ ｅ ｃ ｌｕ ａｉｎ
０ 引 言
各 种电子信 息设备 的广泛应用 。为人们 的学习 、
生 活 、工 作 带 来 了许 多 便 利 ，但 这 些 电子 设 备 由于 耐
压 低 、抗 干 扰 能 力 弱 等 特 点 ．容 易 受 到 雷 击 电磁 脉 冲
对屏蔽系数和安全距离计算公式的理解和探讨
对屏蔽系数和安全距离计算公式的理解和探讨1. 引言屏蔽系数和安全距离是电磁波理论中的两个重要概念，其计算公式也是电磁透明性设计中的核心内容。
本文将从这两个概念的定义、计算公式及数值分析等方面进行探讨。
2. 屏蔽系数的定义屏蔽系数是指材料对电磁波的抑制能力，是一个比值，通常用db来表示。
当输入的电磁波功率为1时，经过材料屏蔽后输出的功率与输入功率的比值就是屏蔽系数db值。
屏蔽系数越高，表明材料对电磁波的抑制能力越强，屏蔽效果就越好。
3. 屏蔽系数的计算公式屏蔽系数的计算公式如下：dB = 10 log10(P1 / P2)，其中P1为电磁波进入材料前的功率，P2为电磁波通过材料后的功率。
屏蔽系数往往受许多因素的影响，如电磁波频率、电磁波入射角度、材料种类、厚度等因素。
4. 安全距离的定义安全距离是指在电磁辐射场中，保证人体或设备不会受到危害的距离。
安全距离的计算是十分关键的，它的大小与电磁场强度及频率有关，需通过专业人员进行电磁场的测量才能得出准确的数值。
5. 安全距离的计算公式安全距离的计算公式与电磁辐射的类型有关。
在电迁移场情况下，安全距离的公式为D=Kλ/2π，其中D为安全距离，K为根据工作环境确定的比例系数，λ为电磁波的波长。
而在静电场情况下，则根据具体情况选择不同的计算方法。
6. 数值分析实际应用中，屏蔽材料的选择和安全距离的计算应该根据具体的工作环境和要求。
例如，在医疗设备中需要保证安全距离，以免对患者和医护人员产生不良影响；而在电子设备中需要使用高效的屏蔽材料，以避免电磁干扰对设备性能的影响。
总之，屏蔽系数和安全距离是电磁波理论中的重要概念，它们的计算公式及数值分析对于电磁透明性设计具有重要指导意义。
在实际应用中，应该根据具体情况进行选择和计算，以达到最优的设计效果。
屏蔽计算资料
屏蔽计算资料屏蔽计算资料: 一、X射线探伤机房4.4屏蔽设计的核实与评价4.4.1评价方法4.4.1.1屏蔽评价原则（1）根据国家标准规定，对源的设计、建造和运行中留有足够的安全裕量，以确保可靠的正常运行。
（2）在对四周墙体、天花板的屏蔽厚度计算时，对泄漏X射线的能量，按原初辐射能量计算；对散射X射线，四周墙体（包括防护门）按有用线束90°散射计算，对天花板取90°散射X射线计算。
（3）同一屏蔽体按泄漏辐射和散射辐射分别计算屏蔽厚度，若两者的厚度相差不到一个1/10值衰减层厚度时，则在其中较厚的一个厚度上再加一个半值层厚度。
4.4.1.2辐射屏蔽的计算方法（1）原初X射线屏蔽计算（主防护体的屏蔽厚度计算）按下式计算最大允许透射量B pp 2B=H×dW×T×U（1）式中：B p——屏蔽墙最大允许透射量，mSv·m*m·mA-1·min-1;H——周剂量约束值，mSv·wk-1;d——焦点至计算点的距离，m；W——周工作负荷，mA·min·wk-1；U——使用因子；T——居留因子。
计算出B p后，取负对数（-logB p），得出相应1/10值(TVT)层厚度个数N TVT，查相应能量的X射线在混凝土和铅的1/10值层厚度，可计算原初X射线屏蔽厚度。
《放射物理与防护》（2）散射X射线屏蔽计算（副防护体屏蔽厚度计算）散射X 射线的透射量B s 按下式计算：B s =H ·(d 1d 2)2/(αWAT) （2）式中 ：B s ——屏蔽墙最大允许透射量，mSv ·mA -1·min -1; H ——周剂量约束值，mSv ·wk -1;d 1——电子靶到散射表面的最近距离，m ； d 2——散射点至计算点的距离，m ；α——反散射因子， 90°散射角可取0.07%； A ——散射表面面积，m 2;W 、T 、H 的含义与公式（1）相同。
屏蔽效能的计算
E (0)
21e
2 2 L 2
屏蔽的平面波模型
因此，区域2中从X=0处向右传播的所有波的和为：
Etotal E 2 (0) E 21 (0) E 22 (0) E 2 (0) 1 21 23 e
2 2 L
21
23 e
2 2 L 2
式中
21 (Z1 Z2 ) (Z1 Z2 ), 23 (Z3 Z2 ) (Z3 Z2 )
当
21 23e 2
2L
1 时，
Etotal E2 (0) 1 21 23e 2 2 L E 2 ( 0) E 2 ( 0)
距离
一
单层屏蔽体
1
具有下标（ 1,2,3 ）的 μ 、 ε 、E （0） σ分别依次表示各区域中媒 质的磁导率、介电常数和 E1 γ 1 电导率； γ 、 Z 分别依次表 示各区域中平面电磁波的 H1 传播常数、媒质的本征阻 2 Z1 抗，且
E2i（0）
E2（0）
E3 (L）
T12 ρ21
ρ
23
T23 H3
E3 (L）
Etotal E 2(0)
1 1 21 23e
2 2 L
E1 γ H1
2
T12 ρ21
1T23ρ Nhomakorabea23E3
γ
3
H3
2
E1(0)T 12 1 21 23e 2 2 L
Z1 0
Z2 L
Z3 x
图 屏蔽的平面波模型
Etotal沿+x方向传播距离L后形成
t H (0) 2Z 2 T12H i H (0) Z1 Z 2
屏蔽系数及其计算
屏蔽效应的定义
在多电子原子中,由于核外电子不止一个,它们之间彼此存在相互排斥作用,而这种排斥作用的存在是会削弱核(带正电荷)对电子的吸引力.我们把这种由于电子对另一电子的排斥而抵消了一部分核电荷对电子的吸引力的作用称为屏蔽作用(或效应),而把被其他电子屏蔽后的核电荷称为有效核电荷.用符号Z*表示.
1. 处在被屏蔽电子的轨道外面的轨道组σ为零,即近似的认为外轨道组电子对内轨道组电子没有屏蔽作用.
2. 与被屏蔽电子处在同一轨道组的电子其σ为0.35(1s组除外,它是0.30)
3. 如果被屏蔽电子处在ns或np轨道上,则(n-1)轨道组的每个电子的σ为0.85,而更内的轨道组上的电子的σ则为1.00。
4. 如果被屏蔽电子处在nd或nf轨道上,则位于它左边各轨道组上的电子的σ均为1.00.
由上述经验数据可估算出某原子中其它电பைடு நூலகம்对该电子的σ值,从而计算出对该电子相应的有效核电荷Z*的值.
于是有: Z*=Z-σ Z为未屏蔽时的核电荷数(即原子序数),σ称为屏蔽系数.σ值越大,表示目标电子受到的屏蔽作用就越大.
对于氢原子,Z＝1,核外只有一个电子,不存在屏蔽效应,则其电子的能量只与主电子数ｎ有关,即：
而对于多电子原子中的一个电子来说,由于这时有效核电荷取代了核电荷,所以其电子的能量:
斯莱特经验规则
影响屏蔽系数的因素很多,有产生屏蔽作用的内层电子的数目和离核远近,还有目标电子所处的原子轨道的形状等因素.为了估算屏蔽系数σ,斯莱特(Slater,J.C)根据光谱数据归纳出一套经验规则:
首先把各能级按下面方法分成若干组(同一括号内的能级处于同一组(1s)(2s,2p)(3s,3p)(3d)(4s,4p)(4d)(4f)(5s,5p)(5d)余此类推.这些组被认为是从核向外依次排列的(即能量依次增高).
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屏蔽系数计算
斯莱脱规则：
a．原子中的电子分若干个轨道组中：(1s)
(2s,2p) (3s,3p)
(3d) (4s,4p) (4d)
(4f) (5s,5p),每个圆括号形成一个轨道组；
b．一个轨道组外面的轨道上电子对内轨道组上的电子的屏蔽系数s= 0,即屏蔽作用发生在内层电子对外层电子或同层电子之间,外层电子对内层电子没有屏蔽作用.
c．同一轨道组内电子间屏蔽系数s= 0.35,1s轨道上的2个电子之间的s= 0.30；
d．被屏蔽电子为ns或np时,主量子数为(n-1) 的各电子对ns或np轨道组上电子的屏蔽常数s
= 0.85,而小于(n -1) 的各电子,对其屏蔽常数s= 1.00.
e．被屏蔽电子为nd或nf轨道组上的电子时,则位于它左边各轨道组上的电子对其屏蔽常数s
= 1.00
Sample Exercise：
计算铁原子中①1s,② 2s或2p,③3s或3p,④3d,⑤ 4s上一个电子的屏蔽常数s值和有效核电荷数Zi.
Solution：对于1s上一个电子：s= 1´0.30
= 0.30,Z* = 26-0.30 = 25.7
对于2s或2p上一个电子：
s= 7´0.35+ 2´0.85= 4.15,Z* = 26-4.15 = 21.85
对于3s或3p上一个电子：
s= 7´0.35+ 8´0.85+ 2´1.00= 11.25,
Z*= Z -s= 26 -11.25 = 14.75
对于3d上一个电子：
s= 5´0.35+ 18´1.00= 19.75,Z* = 26-19.75 = 6.25
对于4s上一个电子：s= 1´0.35+ 14´0.85+ 10´1.00= 22.25,
Z*= 26 -22.25 = 3.75
然后代入E= -13.6Z/n2 (eV),可以计算出多电子原子中各能级的近似能量.。